JP6352847B2 - 光導波路の製造方法 - Google Patents
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- 基板の上に下部クラッド層を形成する第1工程と、
酸素および窒素の少なくとも1つとシランおよび三フッ化窒素を原料ガスとしたプラズマCVD法により前記下部クラッド層の上にSiO1-xNx(0<x≦1)からなるコア形成膜を形成する第2工程と、
前記コア形成膜をパターニングして前記下部クラッド層の上にコアを形成する第3工程と、
前記コアが形成された前記下部クラッド層の上に上部クラッド層を形成する第4工程と
を備え、
前記プラズマCVD法は、プラズマ生成室と成膜室とを備えるECRプラズマCVD装置を用いたECRプラズマCVD法であり、
前記第2工程では、酸素および窒素の少なくとも1つをガス導入管で前記プラズマ生成室に導入し、シランおよび三フッ化窒素を各々別のガス導入管で前記成膜室に導入し、前記コア形成膜を形成する
ことを特徴とする光導波路の製造方法。 - 請求項1記載の光導波路の製造方法において、
前記第1工程では、酸化シリコンからなる前記下部クラッド層を形成することを特徴とする光導波路の製造方法。 - 請求項2に記載の光導波路の製造方法において、
前記第1工程の後の前記第2工程の前に、前記下部クラッド層の上に接してSiO1-yNy(0≦y<1)からなる密着層を形成する第5工程を備え、
前記密着層の上面は、窒素を含む状態とし、
前記第2工程では、前記密着層に接して前記コア形成膜を形成する
ことを特徴とする光導波路の製造方法。 - 請求項3記載の光導波路の製造方法において、
前記密着層は、厚さ方向に前記下部クラッド層から離れるほどyが大きくなる状態に形成することを特徴とする光導波路の製造方法。
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