JP6277389B2 - プラズマcvd成膜方法 - Google Patents
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Description
a) 気密な反応室内に対向して配置された2つの板状電極のうちの一方の電極の対向面側に被処理基板を固定し、
b) 前記反応室内に、NH (3-n) -(SiH 3 ) n (ただし、nは1、2、または3)を含む原料ガスを供給し、
c) 前記被処理基板を固定した電極にコンデンサを介して高周波電圧を印加し、他方の電極を接地した状態で前記原料ガスをプラズマ化する、
ことを特徴とする。
上記のとおり、原料ガスには、トリシリルアミン、モノシリルアミン、または、ジシリルアミンが含まれる。
また、上記プラズマCVD成膜方法において、前記原料ガスに、さらに、アンモニア及び一酸化二窒素の2種類のうちの少なくとも1種類を含めることにより、シリコン酸窒化膜を成膜することができる。
さらに、上記プラズマCVD成膜方法において、前記原料ガスに、さらに、一酸化二窒素及び酸素の2種類のうちの少なくとも1種類を含めることにより、シリコン酸化膜を成膜することができる。
図1は、本実施例において用いるプラズマCVD成膜装置(以下、「成膜装置」と呼ぶ。)の要部構成図である。この成膜装置は、上述したカソードカップリング型のプラズマCVD法で用いられるプラズマCVD装置である。
下部電極13は、コンデンサ16を介して13.56MHzの高周波電源17に接続されている。上部電極12は接地されるとともに、シャワーヘッドとして構成されており、原料ガス供給路14から供給される原料ガスを反応室10の内部に送給することができるように構成されている。
11…被処理基板
12…上部電極
13…下部電極
14…原料ガス供給路
15…ガス排気口
16…コンデンサ
17…高周波電源
Claims (5)
- a) 気密な反応室内に対向して配置された2つの板状電極のうちの一方の電極の対向面側に被処理基板を固定し、
b) 前記反応室内に、NH (3-n) -(SiH 3 ) n (ただし、nは1、2、または3)を含む原料ガスを供給し、
c) 前記被処理基板を固定した電極にコンデンサを介して高周波電圧を印加し、他方の電極を接地した状態で前記原料ガスをプラズマ化する、
ことを特徴とするプラズマCVD成膜方法。 - 前記原料ガスが、さらに、アンモニア及び窒素の2種類のうちの少なくとも1種類を含むことを特徴とする請求項1記載のプラズマCVD成膜方法。
- 前記原料ガスが、さらに、アンモニア及び一酸化二窒素の2種類のうちの少なくとも1種類を含むことを特徴とする請求項1記載のプラズマCVD成膜方法。
- 前記原料ガスが、一酸化二窒素、及び酸素の2種類のうちの少なくとも1種類を含むことを特徴とする請求項1記載のプラズマCVD成膜方法。
- 前記原料ガスが、さらに、フッ素、ゲルマニウム、リン、ホウ素の4種類の元素のうちのいずれかの元素を含む化合物を含むことを特徴とする請求項2から4のいずれかに記載のプラズマCVD成膜方法。
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