JP2015153814A5 - - Google Patents
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Description
上記プラズマＣＶＤ成膜方法において、前記原料ガスに、さらに、アンモニア及び窒素の２種類のうちの少なくとも１種類を含めることにより、シリコン窒化膜を成膜することができる。
また、上記プラズマＣＶＤ成膜方法において、前記原料ガスに、さらに、アンモニア及び一酸化二窒素の２種類のうちの少なくとも１種類を含めることにより、シリコン酸窒化膜を成膜することができる。
さらに、上記プラズマＣＶＤ成膜方法において、前記原料ガスに、さらに、一酸化二窒素及び酸素の２種類のうちの少なくとも１種類を含めることにより、シリコン酸化膜を成膜することができる。
また、上記プラズマＣＶＤ成膜方法において、前記原料ガスに、さらに、アンモニア及び一酸化二窒素の２種類のうちの少なくとも１種類を含めることにより、シリコン酸窒化膜を成膜することができる。
さらに、上記プラズマＣＶＤ成膜方法において、前記原料ガスに、さらに、一酸化二窒素及び酸素の２種類のうちの少なくとも１種類を含めることにより、シリコン酸化膜を成膜することができる。
Claims (5)
- a) 気密な反応室内に対向して配置された２つの板状電極のうちの一方の電極の対向面側に被処理基板を固定し、
b) 前記反応室内に、シリルアミンを含む原料ガスを供給し、
c) 前記被処理基板を固定した電極にコンデンサを介して高周波電圧を印加し、他方の電極を接地した状態で前記原料ガスをプラズマ化する、
ことを特徴とするプラズマＣＶＤ成膜方法。 - 前記原料ガスが、さらに、アンモニア及び窒素の２種類のうちの少なくとも１種類を含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
- 前記原料ガスが、さらに、アンモニア及び一酸化二窒素の２種類のうちの少なくとも１種類を含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
- 前記原料ガスが、一酸化二窒素、及び酸素の２種類のうちの少なくとも１種類を含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
- 前記原料ガスが、さらに、フッ素、ゲルマニウム、リン、ホウ素の４種類の元素のうちのいずれかの元素を含む化合物を含むことを特徴とする請求項２から４のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
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