JP2012091353A5 - - Google Patents

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本発明は、前記目的を達成するために、基材上に、常温大気圧下でガスである原料を用いて、Si−O結合を主として、Siに疎水性置換基を直接接合された薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記薄膜形成工程で得られた薄膜に励起光を照射し、前記疎水性置換基は残存させて前記薄膜にOH基を有するようにする照射工程と、該照射工程で得られた薄膜上にシランカップリング剤により有機膜を形成する有機膜形成工程と、を有することを特徴する撥水膜の形成方法を提供する。なお、薄膜形成工程は、常温大気圧下でガスである原料を用いる場合、cat−CVD又はプラズマCVDで行うことが好ましい。
また、本発明は、前記目的を達成するために、基材上に、Si−O結合を主として、Siに疎水性置換基を直接接合された薄膜を塗布して焼成することで形成する薄膜形成工程と、前記薄膜形成工程で得られた薄膜に励起光を照射し、前記疎水性置換基は残存させて前記薄膜にOH基を有するようにする照射工程と、該照射工程で得られた薄膜上にシランカップリング剤により有機膜を形成する有機膜形成工程と、を有することを特徴する撥水膜の形成方法を提供する。

Claims (2)

  1. 基材上に、常温大気圧下でガスである原料を用いて、Si−O結合を主として、Siに疎水性置換基を直接接合された薄膜を形成する薄膜形成工程と、
    前記薄膜形成工程で得られた薄膜に励起光を照射し、前記疎水性置換基は残存させて前記薄膜にOH基を有するようにする照射工程と、
    該照射工程で得られた薄膜上にシランカップリング剤により有機膜を形成する有機膜形成工程と、を有することを特徴する撥水膜の形成方法。
  2. 基材上に、Si−O結合を主として、Siに疎水性置換基を直接接合された薄膜を塗布して焼成することで形成する薄膜形成工程と、
    前記薄膜形成工程で得られた薄膜に励起光を照射し、前記疎水性置換基は残存させて前記薄膜にOH基を有するようにする照射工程と、
    該照射工程で得られた薄膜上にシランカップリング剤により有機膜を形成する有機膜形成工程と、を有することを特徴する撥水膜の形成方法。
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