JP2011023714A5 - プラズマ成膜装置 - Google Patents

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  1. 反応室を有するプラズマ成膜装置であって、
    前記反応室は、
    基板が載置される第1電極と、
    前記第1電極と対向し、高周波電力が供給される第2電極と、を有し、
    前記第2電極の前記第1電極と対向する面には、複数の凸部と複数の凹部とを有し、
    複数の前記凸部と複数の前記凹部とは、それぞれが1つずつ交互に設けられ、
    前記複数ののそれぞれは第1のガス導入口を有し、
    前記複数の凹部のそれぞれは第2のガス導入口を有し、
    前記第1のガス導入口からは、窒化性ガス、酸化性ガス、または水素ガスが導入され、
    前記第2のガス導入口からは、シリコンまたはゲルマニウムを含むガスが導入され、
    前記第2電極に前記高周波電力を供給することで、前記第2の電極の複数の前記凸部と前記第1の電極との間で、プラズマは形成され、
    前記プラズマは、前記第2電極の複数の前記凹部では形成されず、
    前記基板上にはシリコンまたはゲルマニウムを含む膜が成膜されることを特徴とするプラズマ成膜装置。
  2. 請求項1において、
    前記凹部の幅は10mm以下であり、前記凹部の深さは10mm以下であることを特徴とするプラズマ成膜装置。
  3. 請求項1または請求項において、
    前記第2電極の前記部は前記第1電極近づくにつれ断面積が小さくなることを特徴とするプラズマ成膜装置。
  4. 請求項1乃至請求項のいずれか一において、
    前記第2電極の前記部の頂部または稜は丸まっていることを特徴とするプラズマ成膜装置。
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