JP2009054996A5

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Publication number: JP2009054996A5
Application number: JP2008172141A
Authority: JP
Filing date: 2008-07-01
Publication date: 2011-08-04
Anticipated expiration: 2028-07-01

Claims

被処理体を載置するサセプタと、
前記サセプタの上部に、互いに間隔をおいて並んで設けられた複数の導波管と、
隣り合う前記導波管同士で挟まれた空間に設けられたプラズマ発生器と、
を有する処理室を有し、
前記プラズマ発生器を動作させ、前記空間においてプラズマを生成することで、前記被処理体に成膜することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
被処理体を載置するサセプタと、
前記サセプタの上部に、互いに間隔をおいて並んで設けられた複数の導波管と、
隣り合う前記導波管同士で挟まれた空間に設けられたプラズマ発生器と、
を有する処理室を有し、
複数の前記導波管は前記被処理体の被処理面に対して平行な方向に延びた形状であり、
前記空間は細溝状であり、
前記プラズマ発生器を動作させ、前記空間においてプラズマを生成することで、前記被処理体に成膜することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
請求項１又は請求項２において、
複数の前記導波管のそれぞれの側面にはスリットが設けられ、
隣り合う前記導波管同士において、前記スリット同士が対向するように設けられ、
前記スリットからマイクロ波が漏洩して前記プラズマを生成することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
請求項３において、
前記スリットは誘電体板により塞がれていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記処理室は、前記サセプタと前記導波管と間に２つのガス供給ノズルを有し、
前記ガス供給ノズルの一方からは希ガスを供給し、他方からは成膜用のガスを供給することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記処理室内の圧力は、１×１０ ^２Ｐａ以上１×１０ ^５Ｐａ以下に保持しつつ、前記プラズマを生成することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
複数の前記導波管同士は、２ｍｍ以上１０ｍｍ以下の間隔をおいて並んで設けられていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
被処理体を載置するサセプタと、互いに間隔をおいて並んで設けられた複数の導波管と、隣り合う前記導波管同士で挟まれた空間に設けられたプラズマ発生器と、を有する処理室において、被処理基板を前記サセプタ上に用意し、
前記プラズマ発生器を動作させ、前記空間においてプラズマを生成することで、前記被処理基板上に微結晶半導体層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
被処理基板上にゲート電極層を形成し、
被処理体を載置するサセプタと、互いに間隔をおいて並んで設けられた複数の導波管と、隣り合う前記導波管同士で挟まれた空間に設けられたプラズマ発生器と、を有する処理室において、前記被処理基板を前記サセプタ上に用意し、
前記プラズマ発生器を動作させ、前記空間においてプラズマを生成することで、前記被処理基板上に前記ゲート電極層側から順に、ゲート絶縁層、微結晶半導体層及び不純物半導体層の各層表面を大気に触れさせることなく連続して形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
請求項８又は請求項９において、
前記プラズマは電子密度が１×１０^１１ｃｍ^−３以上１×１０^１３ｃｍ^−３以下であり、電子温度が０．２ｅＶ以上２．０ｅＶ以下であることを特徴とする表示装置の作製方法。