JP2008536295A5

JP2008536295A5 -

Info

Publication number: JP2008536295A5
Application number: JP2008500615A
Authority: JP
Filing date: 2006-03-07
Publication date: 2011-03-17

Claims

基板の表層に銅薄膜を形成する段階と、
上記銅薄膜をパターニングして配線または電極を形成する段階と、
上記配線または電極が形成された基板を銀置換溶液に１０〜３０秒浸漬して、該配線または電極の表層に銀薄膜を形成する段階と、
ＳｉＨ _４を含有する混合ガスを用いて、上記銀薄膜上にシリコン絶縁膜を被覆する段階と、
を含み、
上記銀置換溶液は、１８℃〜１００℃の温度範囲に保たれ、
上記銀置換溶液の銀イオン濃度は、１〜５Ｍであることを特徴とする液晶表示装置のための配線または電極の製造方法。
上記銀置換溶液は、ＡｇＮＯ_３及びＫＡｇ（ＣＮ_２）よりなる群から選ばれる１種以上の銀イオン供給体を用いて調製したことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
請求項１または２に記載の方法にて製造された配線または電極であって、
上記電極の表層上に形成された銀薄膜を備えている配線または電極。
上記銀薄膜の厚さは、１０〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項３に記載の電極。
基板と、
基板に形成された銅からなるゲート電極と、
ゲート電極を含む全面に形成されたゲート絶縁膜と、
上記絶縁膜上に形成された半導体層と、
上記半導体層上に分離した形態で形成された銅からなるソース電極及びドレイン電極と、
上記ソース電極及びドレイン電極と上記半導体層との間に介在されたオーミックコンタクト層と、
上記ドレイン電極と電気的に接続される画素電極と、を含む液晶表示装置において、
上記ゲート電極が形成された段階での基板、または上記ソース電極及びドレイン電極が形成された段階での基板を、１８℃〜１００℃の温度範囲に保たれ、及び１〜５Ｍである銀イオン濃度を有している銀置換溶液に１０〜３０秒浸漬することにより上記ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一つの電極の表層には銀薄膜が形成されており、
上記絶縁膜はシリコン系絶縁膜であることを特徴とする液晶表示装置。
請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
基板に銅からなるゲート配線及びゲート電極を形成する段階と、
上記ゲート配線及びゲート電極に銀薄膜を形成するため、上記ゲート配線及びゲート電極が形成された上記ガラス基板を銀置換溶液に１０から３０秒浸漬する段階と、
上記銀薄膜上にシリコン絶縁膜を形成する段階と、
上記絶縁膜上の所定領域にチャンネル層を形成する段階と、
上記チャンネル層の両側に接続されるソース及びドレイン電極を形成する段階と、
上記ソース及びドレイン電極を含む全面に保護膜を形成する段階と、
上記ドレイン電極に接続されるように上記保護膜上に画素電極を形成する段階と、
を含み、
上記銀置換溶液は、１８℃〜１００℃の温度範囲に保たれ、
上記銀置換溶液の銀イオン濃度は、１〜５Ｍであることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
シリコン系絶縁膜が被覆された銅配線または銅電極の製造時、上記シリコン系絶縁膜を被覆する前に銀置換溶液を用いて上記銅配線または銅電極の表層に銀薄膜を形成して銅配線または銅電極におけるシリサイドの形成を抑制する方法であって、
上記銀置換溶液は、１８℃〜１００℃の温度範囲に保たれ、
上記銀置換溶液の銀イオン濃度は、１〜５Ｍであることを特徴とする銅配線または銅電極におけるシリサイドの形成を抑制する方法。