CN101137933A - 具有银覆盖的电极的lcd器件 - Google Patents

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Abstract

本发明披露了一种由在铜布线或铜电极表面上涂敷的银薄层保护的铜布线或铜电极，以及一种制造该铜布线或铜电极的方法。本发明也披露了一种液晶显示器件以及一种制造该液晶显示器件的方法。在基板上形成铜布线或铜电极后，在该铜布线或铜电极的表面上涂敷银薄层，从而使银薄层保护铜。因此，所述铜对氧化反应或其它不需要的反应具有优异的耐性，从而提高了所述铜布线或铜电极的性能。

Description

具有银覆盖的电极的LCD器件
技术领域
本发明涉及一种由在铜布线或铜电极的表面上涂敷的银薄层保护的铜布线或铜电极。更具体而言，本发明涉及一种包括该铜布线或铜电极的液晶显示器件。如果将银薄层涂敷在基板上形成的铜布线或铜电极上，所述银薄层能够保护铜，从而使铜可对氧化反应或其它不需要的反应具有优异的耐性。因此，可改善所述铜布线或铜电极的性能。
背景技术
当前，大部分液晶显示(LCD)器件可容易地制造并装配有反向叠加(inverted-staggered)TFT(薄膜晶体管)，其不需要单独的用于TFT的遮光层(参见，图1)。
装配有反向叠加TFT的LCD器件通常包括由多种组分形成而彼此面对的两个基板和两个基板之间注入的液晶。设置在相对较低位置的一个基板由以矩阵形式彼此交叉的栅极总线和数据总线形成。此外，在由栅极总线和数据总线限定的像素区域中设置像素电极，从而使栅极总线通过像素电极与数据总线电连接。即，反向叠加TFT通常包括：在玻璃基板上形成的栅极、在包括栅极的玻璃基
板的整个表面上形成的栅极绝缘层、在栅极上设置的栅极绝缘层上形成的半导体层、在半导体层上形成彼此隔开的源极和漏极以及在源极和漏极与半导体层之间设置的欧姆接触层。同时，LCD器件包括：具有上述结构的TFT、在包括TFT的基板的整个表面上形成的钝化层、用于暴露漏极的接触孔以及通过接触孔与漏极电连接的像素电极。
图2a～2d为说明常规LCD器件的制造过程的剖视图。
通常，如图2a所示，通过溅射法在玻璃基板110上形成铜层。然后，通过进行如光刻法的图形化方法选择性地除去铜层，从而形成多个栅极布线和栅极101。
然后，如图2b所示，在设置有栅极布线和栅极101的玻璃基板110上形成栅极绝缘层102。在此，栅极绝缘层102由氮化硅SiNx或氧化硅SiOx制成，所述氮化硅SiNx或氧化硅SiOx相对于多晶硅(a-Si)具有优异的界面性质，相对于栅极101具有优异的粘合性质以及更高的介电强度。然后，如图2c所示，通过使用多晶硅(a-Si)在栅极绝缘层102上形成半导体层103。
此后，为了获得与源极和漏极的欧姆接触，在半导体层103上形成欧姆接触层104，其将通过下述方法形成。此外，如图2d所示，在包括欧姆接触层104的玻璃基板的整个表面上形成铜层，并使铜层图形化，从而形成越过栅极布线的数据布线(data wiring line)以及然后形成源极105和漏极106。然后，在包括源极105和漏极106的玻璃基板的整个表面上涂敷钝化层107后，除去钝化层107的预定部分，从而形成用于暴露漏极106的接触孔108。
此外，在玻璃基板的整个表面上沉积透明导电层后，通过使透明导电层图形化，形成通过接触孔108与漏极106电连接的像素电极，从而获得常规LCD器件。
根据具有上述结构的常规LCD器件，电极和布线由铜制成。这种铜布线被认为是代替常规铝布线的下一代布线，并且已经证明了铜的性能。由于铜的电阻率低于铝的电阻率，所以铜可降低RC延迟(RCdelay)，使IC能够快速运行。此外，由于铜具有优异的电迁移电阻，所以铜可防止器件中金属电路之间的短路。然而，与铝不同，铜容易被氧化。为此原因，铜电极和铜布线容易被污染，并且具有与在铜电极和铜布线上涂敷的绝缘层反应的趋势。为了解决上述问题，正积极进行与半导体制造工艺相关的研究，同时该研究集中于在布线过程后将离子注入铜薄层的表面上的离子注入工艺，使用铜合金薄层的方法，以及形成包括铜和其它金属的层叠结构并热处理该层叠结构的方法。
同时，根据常规LCD器件，在电极或布线上形成的绝缘层或钝化层通常由硅化合物制成。通过沉积法在包括电极和布线的基板上形成所述硅化合物。此时，硅化合物SiH4可与铜反应，从而降低了电极和布线的性能。
具体而言，常规LCD器件包括基板和通过沉积法在基板上形成的多层薄层。例如，通过溅射法在基板上形成金属层和透明电极，并且通过等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在基板上形成硅和绝缘层。
根据PECVD法，由等离子体激发的电子与具有中性相位(neutralphase)的气体化合物碰撞，从而溶解该气体化合物。此外，上述过程中产生的气体离子在热能从玻璃基板施加到该气体离子时可相互作用，使所述气体离子重组，从而形成薄层或薄膜。此时，向反应室中加入的气体的类型可根据在基板上要形成的薄层的类型而变化。一般而言，当需要形成氢化非晶硅(a-Si:H)层时，使用SiH4或H2。此外，如果需要形成氮化硅(SiNx)层，使用由SiH4、H2、NH3和N2组成的混合气体。如果需要形成通过向氢化非晶硅层掺杂N-型杂质(磷)而获得的n+a-Si:H层时，向所述混合气体中加入PH3。
当通过上述方式沉积硅化合物时，如果铜电极或铜布线没有受到保护，在沉积法中使用的SiH4可与铜反应，从而产生硅化物。这种硅化物会引起漏电流和击穿，从而使电极和布线出现故障并使器件的可靠性降低。
此外，由于铜薄层的表面具有疏水性，在形成图形后进行的光致抗蚀剂剥离过程后，可能残留光致抗蚀剂残留物。因此，在形成图形后必需除去光致抗蚀剂残留物。
发明内容
技术问题
本发明保护铜电极和铜布线以防止SiH4与沉积法中使用的铜反应，从而防止产生硅化物。因此，不会发生由硅化物引起的漏电流和击穿，从而可防止铜电极和铜布线出现故障，并可提高器件的可靠性。
此外，如上所述，铜薄层的表面具有疏水性，在形成图形后进行的光致抗蚀剂剥离过程后，可能残留光致抗蚀剂残留物。在这方面，本发明提供了一种在形成图形后容易地除去光致抗蚀剂残留物的方法。
技术方案
本发明的发明人已经进行了调查和研究，并且发现通过在电极或布线表面涂敷银薄层可防止在铜电极或铜布线上形成硅化物。此外，如果在形成银薄层时使用银置换溶液，可有效地除去光致抗蚀剂并使方法简化，从而可提高生产率。
因此，本发明的一个目的是提供一种在铜电极或铜布线上形成银薄层的方法，一种使用所述铜电极和铜布线能提高其可靠性的LCD器件，以及一种制造所述LCD器件的方法。
本发明的另一个目的是提供一种在已经使铜薄膜图形化之后有效除去残留的光致抗蚀剂残留物的方法。
为了达到上述目的，本发明提供了一种由在铜电极或铜布线上涂敷的银薄层保护的铜电极或铜布线。
此外，本发明提供了一种包括在铜上形成银薄层步骤的形成铜电极或铜布线的方法。本发明也提供了一种通过在铜电极或铜布线上形成银薄层而保护铜电极或铜布线的方法。
根据本发明的一个技术方案，提供了一种制造电极或布线的方法，所述方法包括以下步骤：在基板的表面上形成铜薄层；通过使所述铜薄层图形化而形成电极或布线；以及通过将形成有电极或布线的基板浸入银置换溶液中而在所述电极或布线的表面上形成银薄层。根据上述方法，可有效地除去为了形成所述铜电极或铜布线而进行的使铜薄膜图形化的方法之后残留的光致抗蚀剂残留物。
根据本发明的另一个技术方案，提供了一种包括由银薄层保护的铜电极和铜布线的液晶显示器件。所述液晶显示器件包括基板、栅极、源极、漏极、在电极上形成的绝缘层、半导体层、欧姆接触层和像素电极。栅极、源极和漏极中的至少之一在其表面上形成有银薄层。
根据本发明的又一个技术方案，提供了一种制造液晶显示器件的方法，所述方法包括以下步骤：通过使用铜在基板上形成栅极布线和栅极；在栅极布线和栅极上形成银薄层；在银薄层上形成绝缘层；在绝缘层的预定区域上形成沟道层；形成与沟道层(半导体层)的两侧连接的源极和漏极；在包括源极和漏极的基板的整个表面上形成钝化层；以及在钝化层上形成像素电极，从而使像素电极与漏极连接。
附图说明
图1为说明常规LCD器件的示意型剖视图；
图2a～2d为说明常规LCD器件的制造步骤的剖视图；
图3为说明根据本发明的一个实施例在铜薄层上形成银薄层的剖视图；
图4a～4e为说明根据本发明的一个实施例的LCD器件的制造步骤的剖视图；
图5a和5b为通过SEM照的，说明使用铜薄层形成铜电极和铜布线后，没有进行银置换反应的铜电极的表面和部分的照片图；
图6a和6b为通过SEM照的，说明在基板上形成铜电极和铜布线后，通过将基板浸入银置换溶液中获得的银薄层的表面和部分的照片图。
图7a和7b为说明通过使铜薄层图形化而形成铜电极后，没有进行银置换反应的铜电极表面的照片图；
图8a和8b为说明通过使铜薄层图形化而形成电极后，通过将电极浸入银置换溶液中获得的电极表面的照片图；
图9a为说明在铜电极的表面上沉积的氮化硅作为绝缘层的照片图；
图9b为说明在铜电极的表面被银薄层替换后，在电极上沉积的氮化硅的照片图；
图10为说明由于铜组分分散入绝缘层和铜的氧化作用，所以器件发生短路的视图；以及
图11为说明用于评价在电极和绝缘层(氮化硅层)之间的结合力的X射线衍射试验的结果的曲线图。
<附图标记说明>
101，201：栅极
102：绝缘层
202a：银薄层
202b：绝缘层
103，203：半导体层
104，204：欧姆接触层
105，205：源极
106，206：漏极
107，207：钝化层
108，208：接触孔
209：像素电极
110，210：玻璃基板
具体实施方式
下文，将更详细地描述本发明。
根据包括在铜上形成银薄层的铜电极或铜布线，银薄层的厚度通常为10～30nm，优选为20～30nm。如果银薄层的厚度小于10nm，银薄层不能充分地保护铜电极或铜布线。此外，由于基于还原电位差形成银薄层，所以沉积大于30nm的银薄层是困难的。因此，通常阻挡薄层的厚度等于或小于30nm。
优选地，根据本发明的保护的电极包括半导体的栅极或LCD器件的栅极和源/漏极。
如果在铜电极上可形成厚度为约10～30nm的银薄层，本发明对在铜电极上形成银薄层的方法没有特别的限制。优选地，可以使用银置换溶液的浸渍法(银镜反应)。即，在基板上形成铜电极和铜布线后，将基板浸入银置换溶液中，使在铜电极或铜布线的表面上形成的铜可被银替换，从而在铜电极或铜布线上形成银薄层。
如果可以用银表面替换铜表面，本发明对银置换溶液的类型和制造方法没有特别的限制。通常，银置换溶液中银离子的浓度为约1～5M。优选地，银置换溶液中银离子的浓度为约1～2M，更优选地，为1.5～1.6M。虽然本发明对溶剂的类型没有特别的限制，优选使用去离子水作为溶剂。AgNO3、KAg(CN)2等可用作银置换溶液的银离子载体。然而，本发明不限于此。例如，通过AgNO3、(NH4)2SO4和NH4OH与去离子水混合或通过KAg(CN)2和KCN与去离子水混合可以得到银置换溶液。
考虑到置换速度和薄层的表面状态，可以调节银置换溶液的温度。如果该温度低于18℃，由于温度低不容易进行置换反应。如果该温度超过100℃，水会蒸发，因此优选将银置换溶液保持在18～100℃的温度范围内。
即，通过下述步骤可以得到形成有由银薄层保护的铜电极和铜布线的基板：在基板上形成铜电极或铜布线，将基板浸入具有18～100℃温度的银置换溶液中10～30秒，使用水清洗基板，以及干燥基板。
当使用银置换溶液时，如果将通过使铜薄层图形化而形成的铜电极或铜布线浸入银置换溶液中，在铜上可形成银薄层。因此，通过一个湿法可连续形成铜电极或铜布线和银薄层。
通常，将在LCD器件中使用的栅极和源/漏极浸入刻蚀溶液中，从而在形成预定图形的同时刻蚀金属层。然后，进行湿法的光致抗蚀剂剥离过程以形成金属布线层。在铜的情况下，由于铜具有疏水性，所以在已经完成光致抗蚀剂剥离过程后，在铜上可能残留抗蚀剂残留物。特别是，根据XPS分析，在铜层的表面上发现有机化合物。
通常，为了除去光致抗蚀剂残留物，进行UV清洗过程(为干法清洗过程)。UV清洗过程通过使用UV光燃烧光致抗蚀剂残留物而除去光致抗蚀剂残留物。然而，由于本发明应用了具有储存反应性(storingreactivity)的银置换溶液，所以当在银置换溶液中铜表面被银表面代替时，可以从铜电极上一起除去光致抗蚀剂残留物和在铜电极的表面上形成的铜。
因此，根据本发明，可有效地除去在图形化过程后残留的光致抗蚀剂残留物(参见，图7b)。
在其表面上形成银薄层的铜电极或铜布线的情况下，即使在铜电极或铜布线上形成绝缘层，绝缘层也不会与铜反应。因此，铜的电性质不会降低，可保护铜电极或铜布线。
即，如果铜电极或铜布线的表面被银薄层代替，铜电极或铜布线表现出优异的耐氧化反应性，因此，可显著降低由氧化反应引起的铜电极或铜布线表面上产生的杂质。结果，铜电极或铜布线可对在铜电极或铜布线上形成的硅绝缘层表现出优异的粘合性质，并且限制了非必要的反应，因此可获得具有优异质量和耐性性质的铜电极或铜布线。具体地说，当硅化合物沉积在铜电极或铜布线上时，防止产生来自铜和SiH4之间反应的硅化物，因此不会发生由硅化物引起的漏电流和击穿，从而提高了器件的可靠性。
实施方式
下文，参照附图，将描述包括铜电极和铜布线的LCD器件以及制造所述器件的方法。
图4a～4e为说明根据本发明的一个实施例的LCD器件的制造步骤的剖视图。
如图4a所示，通过溅射法在玻璃基板210上沉积铜金属层后，使铜金属层图形化从而形成多个栅极布线和栅极201。
然后，如图4b所示，在栅极布线和栅极201上形成银薄层202a后，在包括银薄层202a的基板210上形成由具有优异介电强度的无机物质硅化合物制成的绝缘层202b。优选地，使用银置换溶液通过浸渍法形成银薄层202a。即，将形成有栅极布线和栅极201的玻璃基板210浸入银置换溶液中，使在铜电极或铜布线的表面上形成的铜可被银代替，从而在铜电极或铜布线的表面上形成银薄层。在这种情况下，通过将形成有铜布线和铜电极的玻璃基板浸入银置换溶液中的一步法可简单地形成银薄层。此外，通过浸渍法可同时除去图形化方法后残留的光致抗蚀剂残留物，因此可简化LCD器件的制造方法。
通常，通过PECVD法将绝缘层202沉积在基板210上。此时，银薄层202a限制了在沉积氮化硅时使用的铜和SiH4之间的反应，从而防止了产生硅化物。
然后，如图4c所示，在绝缘层202b上形成用作薄膜晶体管的沟道的半导体层203和欧姆接触层204。优选地，半导体层203包含多晶硅(a-Si)，并且欧姆接触层204包含掺杂磷的n+a-Si:H。
然后，如图4d所示，在包括欧姆接触层204的基板的整个表面上沉积铜金属层后，使铜金属层图形化以形成越过栅极布线的数据线并形成源极205和漏极206。优选地，通过溅射法在基板上形成铜金属层。源极和漏极也通过银薄层受到保护。
然后，在包括源极205和漏极206的基板的整个表面上形成钝化层207后，为了形成用于暴露漏极206的接触孔208，部分除去钝化层207的预定部分。优选地，钝化层207通过PECVD法形成，并且主要由具有低介电常数的有机物质如BCB(苯并环丁烯)组成。
此外，如图4e所示，在基板的整个表面上沉积透明导电层后，为了形成通过接触孔208与漏极206电连接从而向液晶施加电压的像素电极209，使透明导电层图形化，从而得到根据本发明的LCD器件。透明导电层主要包含氧化铟锡(ITO)，并通过溅射法形成。
下文，参照仅用于举例说明的目的而不意于限制本发明的范围的实施例、比较例和试验实施例，将详细地描述本发明。
<实施例1>
通过溅射法在具有11×11cm尺寸的玻璃基板上沉积铜金属层，从而使铜金属层具有约200nm的厚度。然后，通过光致抗蚀剂法使铜金属层图形化，从而形成多个布线和电极(参见，图5)。此时，栅极和源/漏极具有约20nm的厚度。
然后，通过混合0.26g AgNO3、6g(NH4)2SO4和1□NH4OH4与168□去离子水而制备银置换溶液。然后，将形成有布线和电极的基板浸入银置换溶液中10秒，同时将银置换溶液保持在25℃的温度。
然后，使用水清洗基板，并使用干燥枪进行干燥过程，从而获得形成有由银薄层保护的铜电极和铜布线的基板。图6和7示出了通过上述步骤制造的铜电极和铜布线。
根据本发明的实施例，通过银置换溶液除去光致抗蚀剂残留物。即，当通过具有储存反应性的银置换溶液使铜表面被银表面代替时，除去在电极和布线上残留的光致抗蚀剂残留物。这在图7中显示。
<实施例2>
为了形成由银薄层保护的铜电极和铜布线，除了通过混合KAg(CN)2和KCN与去离子水而制备银置换溶液外，实施例2基本上与实施例1相同。
<实施例3>
在通过实施例1制备的电极和布线上，通过PECVD法在电极和布线上沉积氮化硅而形成绝缘层，从而得到包括由绝缘层保护的电极和布线的基板。在电极和布线上沉积的氮化硅具有约200nm的厚度。
<实施例4>
制造了具有电极和布线的LCD器件。
具体而言，如图4a所示，通过溅射法在玻璃基板210上沉积铜金属层后，使铜金属层图形化以形成多个栅极布线和栅极201。
然后，通过混合0.26g AgNO3、6g(NH4)2SO4和1□NH4OH4与168□去离子水而制备银置换溶液。将形成有栅极布线和栅极201的基板浸入银置换溶液中10秒，同时使银置换溶液保持在25℃的温度，从而形成银薄层202a。此外，在包括银薄层202a的基板210上形成由具有优异介电强度的无机物质硅化合物制成的绝缘层202b(参见，图4b)。通过PECVD法形成绝缘层202b。
然后，如图4c所示，在绝缘层202b上形成用作薄膜晶体管的沟道的半导体层203和欧姆接触层204。优选地，半导体层203包含多晶硅(a-Si)，并且欧姆接触层204包含掺杂磷的n+a-Si:H。
然后，如图4d所示，通过溅射法在包括欧姆接触层204的基板的整个表面上沉积铜金属层后，使铜金属层图形化以形成越过栅极布线的数据线并形成源极205和漏极206。
此外，通过PECVD法在包括源极205和漏极206的基板的整个表面上形成钝化层207后，为了形成用于暴露漏极206的接触孔208，部分除去钝化层207的预定部分。优选地，钝化层207主要由具有低介电常数的有机物质如BCB(苯并环丁烯)组成。
然后，如图4e所示，在基板的整个表面上沉积透明导电层后，为了形成通过接触孔208与漏极206电连接从而向液晶施加电压的像素电极209，使透明导电层图形化，从而得到根据本发明的LCD器件。透明导电层主要包含氧化铟锡(ITO)。
<比较例1>
根据比较例1，除了在铜电极和铜布线上不形成银薄层外，按照与实施例3相同的方式在铜电极和铜布线上形成包含氮化硅的绝缘层。
<比较例2>
形成铜电极和铜布线后，不使用银置换溶液处理铜电极和铜布线，在铜电极和铜布线上形成包含BCB(苯并环丁烯)的有机绝缘层(第一绝缘层)。此外，在有机绝缘层上形成实施例4中使用的氮化硅。然后，按照与实施例4相同的方式制造LCD器件。
<电极和布线的表面检查和空隙检查>
为了检查根据实施例3和比较例1制造的电极的外观、粗糙度、空隙，通过SEM对电极照相。图7a和7b为说明在形成绝缘层前，根据比较例1制造的铜电极的表面的照片图，以及图8a和8b为说明根据实施例3制造的铜电极的表面的照片图。
参照图7a和7b，在光致抗蚀剂方法之后，铜表面上仍然残留光致抗蚀剂残留物。相反，根据本发明的实施例3，如图8a和8b所示，通过将基板浸入银置换溶液中，可从铜表面完全除去光致抗蚀剂残留物。
在根据实施例3制造的电极的情况下，如图8b所示，线性地形成电极的侧边。相反，如图7b所示，不规则地形成根据比较例1制造的电极的侧边(线粗糙)。
如果如图7b所示不规则地形成铜电极的侧边，当在铜电极上形成绝缘层(氮化硅)时，可形成空隙。这种空隙对薄层产生应力，因此将铜电极的铜分散入绝缘层中，从而产生硅化物。
图9a为说明在铜表面上沉积氮化硅作为绝缘层(比较例1)的照片图，以及图9b为说明在电极的表面被银薄层代替(实施例3)后，在电极上沉积的氮化硅层的照片图。在图9a的情况下，由于线粗糙，所以当在铜表面上沉积氮化硅(SiNx)时会形成空隙。如果由于薄层的应力而将空隙分散入氮化硅层，铜在氮化硅层上容易被氧化。
图10为说明由铜组分分散入绝缘层和铜的氧化作用引起的器件发生短路的视图。如果铜电极或铜布线由于铜组分分散入绝缘层中而被氧化，可降低器件的可靠性和产率。例如，在电子器件中可出现所谓的“GDS(gate drain short，栅漏短路)”缺陷，从而在铜布线过程中降低产率。
铜可快速与氮化硅反应，所以容易产生硅化物。然而，由于银与氮化硅的反应速度相当于铜的反应速度的1/100，如果铜电极或铜布线的表面被银代替，显著降低了硅化物的量。根据本发明，在铜电极或铜布线的表面上可简单地形成银薄层。
<试验实施例1>
在电极和布线上形成绝缘层后，测定电极和布线的电特性。具体而言，使用可用于方块电阻测定的4探针设备(4-point prove equipment)对在基板上形成并根据比较例1和实施例3制造的电极的方块电阻(参见图5b和6b)测定5次，并将方块电阻的平均值设定为电极的方块电阻。其检测结果示于表1中。
[表1]
测定顺序 比较例1(mΩ/□) 实施例3(mΩ/□)
第1次 116.1 95.6
第2次 113.8 96.1
第3次 113.9 95,3
第4次 114.4 95.7
第5次 114.5 96.2
平均 114.54 95.78
此外，基于方块电阻也测定了电阻率。
结果，根据比较例1制造的铜电极的电阻率表示为2.29μΩ·cm，而根据实施例3制造的铜电极的电阻率降为2.10μΩ·cm。因此，从上述结果应该理解，根据本发明的电极和布线的电特性得到了提高。
如上所述，如果铜电极的表面被银薄层代替，可降低方块电阻和电阻率。此外，如果降低了电阻率，可提高电路的响应速度，所以当上述铜电极和铜布线应用于LCD器件时，可提高LCD器件的亮度和响应速度。
<试验实施例2>
进行X射线衍射试验以评价电极和绝缘层(氮化硅层)之间的结合力。其结果示于图11中。
根据ASTM数据，通常，铜在20＝43.295处具有(111)峰。然而，在直接在铜上形成绝缘层的根据比较例1的电极中，铜在2θ＝43.50处具有峰。此外，在铜电极上形成银薄层的根据本发明实施例3的电极中，铜在2θ＝43.46处具有峰。即，在比较例1的情况下，Δ2θ为0.205，以及在实施例3的情况下，Δ2θ为0.165。
当铜电极的表面被银薄层代替后，在铜电极上沉积硅绝缘层时，因为提高了电极和硅绝缘层之间的结合力，从而降低了施加于其上的应力，所以与比较例1相比，实施例3表示铜的(111)峰的较小变化。
工业实用性
如上所述，当铜用作布线或电极的材料时，如果电极或布线的表面被银薄层代替，铜可具有优异的耐氧化反应性，所以提高了在电极上形成的电极和绝缘层之间的结合力。因此，可获得具有高质量和优异耐性特征的电极和布线。特别地，由于防止了当在铜电极上沉积硅化合物时使用的SiH4与铜反应，限制了硅化物的形成，因此不会发生由硅化物引起的漏电流和击穿。因此，可提高器件的可靠性。
此外，根据本发明制造的电极和布线具有优异的电阻率，所以可提高装配有所述电极和布线的LCD器件的亮度和响应速度。本发明不仅防止了铜被分散，也可应用于下一代布线技术。

Claims (13)

1.一种制造电极或布线的方法，所述方法包括以下步骤：
在基板的表面上形成铜薄层；
通过使所述铜薄层图形化而形成电极或布线；以及
在所述电极或布线的表面上形成银薄层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成银薄层的步骤包括以下子步骤：将形成有电极或布线的基板浸入银置换溶液中，从而在已形成图形的铜薄层的表面上形成银薄层。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述形成银薄层的步骤中，使所述银置换溶液的温度保持在约18～100℃下。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述银置换溶液中银离子的浓度为约1～5M。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述银置换溶液通过使用包括选自由AgNO3和KAg(CN)2组成的组的至少一种银离子载体而制备。
6.根据权利要求2所述的方法，其中，将所述基板浸入银置换溶液中10～30秒。
7.一种电极或布线，其通过权利要求1～6中任一项所述的方法制造。
8.一种由铜制成的电极，该电极包括：
在所述电极的表面上形成的银薄层。
9.根据权利要求8所述的电极，其中，所述银薄层具有约10～30nm的厚度。
10.一种液晶显示器件，其包括：
基板；
在基板上形成的栅极；
在包括栅极的基板的整个表面上形成的栅极绝缘层；
在栅极绝缘层上形成的半导体层；
在半导体层上形成以预定距离彼此隔开的源极和漏极；
在源极和漏极与半导体层之间设置的欧姆接触层；和
与漏极电连接的像素电极，
其中，在所述栅极、源极和漏极的至少之一的表面上形成银薄层。
11.一种制造液晶显示器件的方法，该方法包括以下步骤：
在基板上通过使用铜形成栅极布线和栅极；
在栅极布线和栅极上形成银薄层；
在银薄层上形成绝缘层；
在绝缘层的预定区域上形成沟道层；
形成与沟道层的两侧连接的源极和漏极；
在包括源极和漏极的基板的整个表面上形成钝化层；以及
在钝化层上形成像素电极以使像素电极与漏极连接。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述在栅极布线和栅极上形成银薄层的步骤包括以下子步骤：将形成有栅极布线和栅极的基板浸入银置换溶液中。
13.一种在制造涂敷有硅绝缘层的铜布线或铜电极时防止在铜布线或铜电极上形成硅化物的方法，该方法包括以下步骤：在铜布线或铜电极上涂敷硅绝缘层之前，在铜布线或铜电极的表面上形成银薄层。
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