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  1. 絶縁表面を有する基板上にハロゲン元素を含む半導体層を形成し、
    前記半導体層上にバッファ層を形成し、
    前記バッファ層上に半導体素子又は発光素子を形成し、
    前記半導体素子又は発光素子を前記基板から、前記基板と前記半導体層との界面、前記半導体層内、又は前記半導体層と前記バッファ層との界面において剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  2. 請求項１において、
    前記ハロゲン元素は、フッ素又は塩素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  3. 請求項１又は請求項２において、
    前記半導体層は、プラズマＣＶＤ法により形成されるアモルファスシリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
    前記バッファ層は、プラズマＣＶＤ法により形成される絶縁層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
    前記半導体層において、前記基板との界面近傍におけるハロゲン元素の濃度は、前記バッファ層との界面近傍におけるハロゲン元素の濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
  6. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
    前記半導体層において、前記バッファ層との界面近傍におけるハロゲン元素の濃度は、前記基板との界面近傍におけるハロゲン元素の濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
  7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、
    前記半導体層に含まれるハロゲン元素の濃度は、１×１０１７ｃｍ−３以上２×１０２０ｃｍ−３以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  8. 請求項１乃至７のいずれか一項において、
    前記絶縁表面を有する基板はガラス基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  9. 可撓性基板と、
    前記可撓性基板上のハロゲン元素を含む半導体層と、
    前記半導体層上の半導体素子又は発光素子と、を有し、
    前記半導体層に含まれるハロゲン元素の濃度は、１×１０１７ｃｍ−３以上２×１０１９ｃｍ−３以下であることを特徴とする半導体装置。
  10. 請求項９において、
    前記ハロゲン元素は、フッ素又は塩素であることを特徴とする半導体装置。
  11. 請求項９又は請求項１０において、
    前記半導体層は、アモルファスシリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
  12. 請求項９乃至１１のいずれか一項において、
    前記可撓性基板と前記ハロゲン元素を含む半導体層との間に接着層を有することを特徴とする半導体装置。
  13. 請求項９乃至１２のいずれか一項において、
    前記半導体素子又は前記発光素子と前記ハロゲン元素を含む半導体層との間にバッファ層を有することを特徴とする半導体装置。
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