JPH06337532A - 電子写真感光体およびその製造方法 - Google Patents
電子写真感光体およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH06337532A JPH06337532A JP5146679A JP14667993A JPH06337532A JP H06337532 A JPH06337532 A JP H06337532A JP 5146679 A JP5146679 A JP 5146679A JP 14667993 A JP14667993 A JP 14667993A JP H06337532 A JPH06337532 A JP H06337532A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- amorphous silicon
- hydrogen
- group iii
- halogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08264—Silicon-based comprising seven or more silicon-based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/0825—Silicon-based comprising five or six silicon-based layers
Abstract
(57)【要約】
【目的】 暗中での帯電性が良好で、光感度および繰返
し特性に優れ、かつ半導体レーザビームプリンタ用感光
体として適用可能な電子写真感光体およびその製造方法
を提供する。 【構成】 電子写真感光体は、電荷注入阻止層２が、水
素および１０００ｐｐｍ以下の第III 族元素のみを含有
するｐ型のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層または
水素および窒素のみを含有し、ケイ素に対する窒素の原
子比が０．０１〜０．７であるｎ型のａ−Ｓｉ層からな
り、光導電層３が、水素、ハロゲンおよび第III 族元素
の１種以上を含有するａ−Ｓｉ層３ａと、水素、ハロゲ
ンおよび第III 族元素を含有するアモルファスシリコン
ゲルマニウム層３ｂとからなり、表面層４が、ａ−Ｓｉ
層またはアモルファス炭素層からなる。また、アモルフ
ァスシリコンゲルマニウム層３ｂは、プラズマ発光にお
ける３４０ｎｍを中心とするＧｅＦ2 の発光帯の強度が
ＧｅＦより大きいプラズマ放電法により形成することが
望ましい。
し特性に優れ、かつ半導体レーザビームプリンタ用感光
体として適用可能な電子写真感光体およびその製造方法
を提供する。 【構成】 電子写真感光体は、電荷注入阻止層２が、水
素および１０００ｐｐｍ以下の第III 族元素のみを含有
するｐ型のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層または
水素および窒素のみを含有し、ケイ素に対する窒素の原
子比が０．０１〜０．７であるｎ型のａ−Ｓｉ層からな
り、光導電層３が、水素、ハロゲンおよび第III 族元素
の１種以上を含有するａ−Ｓｉ層３ａと、水素、ハロゲ
ンおよび第III 族元素を含有するアモルファスシリコン
ゲルマニウム層３ｂとからなり、表面層４が、ａ−Ｓｉ
層またはアモルファス炭素層からなる。また、アモルフ
ァスシリコンゲルマニウム層３ｂは、プラズマ発光にお
ける３４０ｎｍを中心とするＧｅＦ2 の発光帯の強度が
ＧｅＦより大きいプラズマ放電法により形成することが
望ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザビームプ
リンタ用感光体として適用することが可能な８００ｎｍ
付近までの長波長感度を有する電子写真感光体およびそ
の製造方法に関する。
リンタ用感光体として適用することが可能な８００ｎｍ
付近までの長波長感度を有する電子写真感光体およびそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子写真法は、感光体に帯電、像露光に
より静電潜像を形成し、現像剤で現像した後、トナー像
を転写し、定着して複写物を得る方法である。この電子
写真法に用いられる感光体は、基本構成として導電性基
体上に光導電層よりなる感光層を形成したものであり、
この感光層を構成する材料としては、セレン、セレン合
金、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機感光材料、ある
いはポリビニルカルバゾール、トリニトロフルオレノ
ン、ビスアゾ顔料、フタロシアニン、ピラゾリン、ヒド
ラゾン等の有機感光材料が知られ、感光層を単層または
複数層積層して用いられている。近年、この感光層とし
て非晶質ケイ素（アモルファスシリコン）を用いた感光
体が開発され、種々の改善が試みられている。この非晶
質ケイ素を用いた感光体は、導電性基体上にシラン（Ｓ
ｉＨ4 ）ガスのグロー放電分解法等によりケイ素の非晶
質膜を形成したものであって、非晶質ケイ素膜中に水素
原子が取り込まれ、光導電性を呈するものである。非晶
質ケイ素感光体は、感光層の表面硬度が高く、傷付きに
くく、磨耗にも強く、耐熱性も高く、機械的強度に優れ
た上、高い光感度を有するものである。
より静電潜像を形成し、現像剤で現像した後、トナー像
を転写し、定着して複写物を得る方法である。この電子
写真法に用いられる感光体は、基本構成として導電性基
体上に光導電層よりなる感光層を形成したものであり、
この感光層を構成する材料としては、セレン、セレン合
金、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機感光材料、ある
いはポリビニルカルバゾール、トリニトロフルオレノ
ン、ビスアゾ顔料、フタロシアニン、ピラゾリン、ヒド
ラゾン等の有機感光材料が知られ、感光層を単層または
複数層積層して用いられている。近年、この感光層とし
て非晶質ケイ素（アモルファスシリコン）を用いた感光
体が開発され、種々の改善が試みられている。この非晶
質ケイ素を用いた感光体は、導電性基体上にシラン（Ｓ
ｉＨ4 ）ガスのグロー放電分解法等によりケイ素の非晶
質膜を形成したものであって、非晶質ケイ素膜中に水素
原子が取り込まれ、光導電性を呈するものである。非晶
質ケイ素感光体は、感光層の表面硬度が高く、傷付きに
くく、磨耗にも強く、耐熱性も高く、機械的強度に優れ
た上、高い光感度を有するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
非晶質ケイ素感光体は、波長が約４００〜７００ｎｍの
光に対して高い光感度を有しているものの、波長が７０
０ｎｍ以上のより長波長光に対して光吸収性が減少し、
その光感度が急激に低下する。最近では、半導体レーザ
を光源としたレーザビームプリンタ用感光体として、８
００ｎｍ付近までの長波長に良好な光感度を有する電子
写真感光体が要求されているが、上記非晶質ケイ素感光
体は、この要求を満足することができず、半導体レーザ
プリンタ用として実用に供することができなかった。こ
のため、長波長増感法としてゲルマニウム含有のアモル
ファスシリコンが提案されている（特開昭５７−１１５
５５２、特開昭５８−１７１０４３、特開昭６１−２４
３４６１）。また、昭５７年第４９回電子写真学会研究
討論会では、アモルファスシリコンゲルマニウム感光体
にホウ素をドープすることも提案されている。しかし、
電子写真感光体の要求する特性として、高感度、高暗抵
抗であることが望まれるが、このように長波長増感した
ものは、暗抵抗が小さく、また特有の疲労効果を示す。
このような光疲労は、画像濃度の低下をもたらし、ゴー
スト画像を発生したりして画質を劣化させる。また、基
体と光導電層の間に設けられる電荷注入阻止層として
は、帯電極性と反対極性を有する電荷の注入を阻止する
必要があり、一方、光照射時には帯電極性と同じ極性の
電荷を基体側へ流す必要がある。このため、一般的に非
晶質ケイ素感光体においては、正帯電用にはｐ型を負帯
電用にはｎ型の層を設けることが考えられるが、水素化
アモルファスシリコンに高濃度の第III 族、第Ｖ族元素
をドープして極性を変えた層を基体上に設けた場合に
は、基体とあるいはその上に形成される光導電層との接
着性が悪く、従来、このために第三元素として炭素や窒
素や酸素を含んだ層を設けている。しかしながら、これ
らの第三元素を含んだ場合には、電荷注入阻止能が不十
分であり、特に高電場での阻止能が不十分になる傾向に
あり、暗所での帯電の繰返しにより帯電電位の低下が起
こりやすく、また残留電位が発生する等の問題があっ
た。
非晶質ケイ素感光体は、波長が約４００〜７００ｎｍの
光に対して高い光感度を有しているものの、波長が７０
０ｎｍ以上のより長波長光に対して光吸収性が減少し、
その光感度が急激に低下する。最近では、半導体レーザ
を光源としたレーザビームプリンタ用感光体として、８
００ｎｍ付近までの長波長に良好な光感度を有する電子
写真感光体が要求されているが、上記非晶質ケイ素感光
体は、この要求を満足することができず、半導体レーザ
プリンタ用として実用に供することができなかった。こ
のため、長波長増感法としてゲルマニウム含有のアモル
ファスシリコンが提案されている（特開昭５７−１１５
５５２、特開昭５８−１７１０４３、特開昭６１−２４
３４６１）。また、昭５７年第４９回電子写真学会研究
討論会では、アモルファスシリコンゲルマニウム感光体
にホウ素をドープすることも提案されている。しかし、
電子写真感光体の要求する特性として、高感度、高暗抵
抗であることが望まれるが、このように長波長増感した
ものは、暗抵抗が小さく、また特有の疲労効果を示す。
このような光疲労は、画像濃度の低下をもたらし、ゴー
スト画像を発生したりして画質を劣化させる。また、基
体と光導電層の間に設けられる電荷注入阻止層として
は、帯電極性と反対極性を有する電荷の注入を阻止する
必要があり、一方、光照射時には帯電極性と同じ極性の
電荷を基体側へ流す必要がある。このため、一般的に非
晶質ケイ素感光体においては、正帯電用にはｐ型を負帯
電用にはｎ型の層を設けることが考えられるが、水素化
アモルファスシリコンに高濃度の第III 族、第Ｖ族元素
をドープして極性を変えた層を基体上に設けた場合に
は、基体とあるいはその上に形成される光導電層との接
着性が悪く、従来、このために第三元素として炭素や窒
素や酸素を含んだ層を設けている。しかしながら、これ
らの第三元素を含んだ場合には、電荷注入阻止能が不十
分であり、特に高電場での阻止能が不十分になる傾向に
あり、暗所での帯電の繰返しにより帯電電位の低下が起
こりやすく、また残留電位が発生する等の問題があっ
た。
【０００４】本発明は、このような非晶質ケイ素感光体
における欠点を解消することを目的としてなされたもの
であり、半導体レーザビームプリンタ用感光体として適
用可能な８００ｎｍ付近までの長波長感度を有する電子
写真感光体およびその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、暗中での帯電性または帯電能が良
好で、かつ光感度の優れた電子写真感光体およびその製
造方法を提供することにある。本発明の更に他の目的
は、耐熱性、化学安定性が高く、かつ耐摩耗性等の機械
的強度が高く、繰返し特性に優れた電子写真感光体およ
びその製造方法を提供することにある。
における欠点を解消することを目的としてなされたもの
であり、半導体レーザビームプリンタ用感光体として適
用可能な８００ｎｍ付近までの長波長感度を有する電子
写真感光体およびその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、暗中での帯電性または帯電能が良
好で、かつ光感度の優れた電子写真感光体およびその製
造方法を提供することにある。本発明の更に他の目的
は、耐熱性、化学安定性が高く、かつ耐摩耗性等の機械
的強度が高く、繰返し特性に優れた電子写真感光体およ
びその製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の問
題点を解消すべく鋭意研究を重ねた結果、可視光域に高
い光感度を有するアモルファスシリコン層および８００
ｎｍまでの長波長域に高い光感度を有するアモルファス
シリコンゲルマニウム層を光導電層として、所定量の第
III 族元素のみまたは窒素のみをドープした水素化アモ
ルファスシリコン層を電荷注入阻止層とする電子写真感
光体は、意外にも、光疲労が少なく、暗減衰が小さく、
かつ休止後のサイクル特性も良好であり、上記した目的
を達成することができることを見出した。同時に、フッ
化ゲルマニウムを用いて上記アモルファスシリコンゲル
マニウム光導電層を形成する際、ゲルマニウムを含む分
子の発光は感光体の特性に影響を与え、特にＧｅＦとＧ
ｅＦ2 の発光帯の相対強度比はプラズマ中の電子密度お
よび電子エネルギーに強く相関しており、水素およびフ
ッ素を含有するアモルファスシリコンゲルマニウム層の
局在準位密度と決定的に相関するため、この発光帯強度
比を制御することによって、優れた光導電特性を得るこ
とができることを見出した。以上のような知見に基づい
て、本発明を完成したものである。
題点を解消すべく鋭意研究を重ねた結果、可視光域に高
い光感度を有するアモルファスシリコン層および８００
ｎｍまでの長波長域に高い光感度を有するアモルファス
シリコンゲルマニウム層を光導電層として、所定量の第
III 族元素のみまたは窒素のみをドープした水素化アモ
ルファスシリコン層を電荷注入阻止層とする電子写真感
光体は、意外にも、光疲労が少なく、暗減衰が小さく、
かつ休止後のサイクル特性も良好であり、上記した目的
を達成することができることを見出した。同時に、フッ
化ゲルマニウムを用いて上記アモルファスシリコンゲル
マニウム光導電層を形成する際、ゲルマニウムを含む分
子の発光は感光体の特性に影響を与え、特にＧｅＦとＧ
ｅＦ2 の発光帯の相対強度比はプラズマ中の電子密度お
よび電子エネルギーに強く相関しており、水素およびフ
ッ素を含有するアモルファスシリコンゲルマニウム層の
局在準位密度と決定的に相関するため、この発光帯強度
比を制御することによって、優れた光導電特性を得るこ
とができることを見出した。以上のような知見に基づい
て、本発明を完成したものである。
【０００６】すなわち、本発明の電子写真感光体は、少
なくとも導電性基体、電荷注入阻止層、光導電層および
表面層を設けた正帯電用電子写真感光体であって、光導
電層が、水素、ハロゲンおよび導電性を制御する周期律
表第III 族元素から選ばれる１種以上の元素を少なくと
も含有するアモルファスシリコンを主体とする層と、水
素、ハロゲンおよび上記第III 族元素を少なくとも含有
するアモルファスシリコンゲルマニウムを主体とする層
とからなり、電荷注入阻止層が、水素および１０００ｐ
ｐｍ以下の上記第III 族元素のみを含有するアモルファ
スシリコン層からなることを特徴とする。また、本発明
の電子写真感光体は、少なくとも導電性基体、電荷注入
阻止層、アモルファスシリコンを主体とする層とアモル
ファスシリコンゲルマニウムを主体とする層とからなる
上記光導電層および表面層を設けた負帯電用電子写真感
光体であって、電荷注入阻止層が、水素および窒素のみ
を含有し、ケイ素に対する窒素の原子比が０．０１〜
０．７であるアモルファスシリコン層からなることを特
徴とする。これらの各電子写真感光体は、その表面層
が、周期律表第III 族元素、第Ｖ族元素、炭素、窒素お
よび酸素から選ばれる１種以上の元素を少なくとも含有
するアモルファスシリコンを主体とする層、または炭素
を除く上記１種以上の元素を少なくとも含有し、かつ水
素およびハロゲンの少なくとも１種を５０原子％以下含
有するアモルファス炭素を主体とする層、あるいはこれ
らのアモルファスシリコンおよびアモルファス炭素を主
体とする層のいずれかまたは両者を複数層積層したもの
が好ましい。
なくとも導電性基体、電荷注入阻止層、光導電層および
表面層を設けた正帯電用電子写真感光体であって、光導
電層が、水素、ハロゲンおよび導電性を制御する周期律
表第III 族元素から選ばれる１種以上の元素を少なくと
も含有するアモルファスシリコンを主体とする層と、水
素、ハロゲンおよび上記第III 族元素を少なくとも含有
するアモルファスシリコンゲルマニウムを主体とする層
とからなり、電荷注入阻止層が、水素および１０００ｐ
ｐｍ以下の上記第III 族元素のみを含有するアモルファ
スシリコン層からなることを特徴とする。また、本発明
の電子写真感光体は、少なくとも導電性基体、電荷注入
阻止層、アモルファスシリコンを主体とする層とアモル
ファスシリコンゲルマニウムを主体とする層とからなる
上記光導電層および表面層を設けた負帯電用電子写真感
光体であって、電荷注入阻止層が、水素および窒素のみ
を含有し、ケイ素に対する窒素の原子比が０．０１〜
０．７であるアモルファスシリコン層からなることを特
徴とする。これらの各電子写真感光体は、その表面層
が、周期律表第III 族元素、第Ｖ族元素、炭素、窒素お
よび酸素から選ばれる１種以上の元素を少なくとも含有
するアモルファスシリコンを主体とする層、または炭素
を除く上記１種以上の元素を少なくとも含有し、かつ水
素およびハロゲンの少なくとも１種を５０原子％以下含
有するアモルファス炭素を主体とする層、あるいはこれ
らのアモルファスシリコンおよびアモルファス炭素を主
体とする層のいずれかまたは両者を複数層積層したもの
が好ましい。
【０００７】さらに、本発明の製造方法は、少なくとも
導電性基体、電荷注入阻止層、光導電層および表面層を
形成してなり、光導電層が、水素、ハロゲンおよび導電
性を制御する周期律表第III 族元素から選ばれる１種以
上の元素を少なくとも含有するアモルファスシリコンを
主体とする層と、水素、フッ素および上記第III 族元素
を少なくとも含有するアモルファスシリコンゲルマニウ
ムを主体とする層とからなる電子写真感光体の製造方法
であって、プラズマ発光における３４０ｎｍを中心とす
るＧｅＦ2 の発光帯の強度がＧｅＦの発光帯の強度より
大きいプラズマ放電法により、上記アモルファスシリコ
ンゲルマニウムを主体とする層を形成することを特徴と
する。
導電性基体、電荷注入阻止層、光導電層および表面層を
形成してなり、光導電層が、水素、ハロゲンおよび導電
性を制御する周期律表第III 族元素から選ばれる１種以
上の元素を少なくとも含有するアモルファスシリコンを
主体とする層と、水素、フッ素および上記第III 族元素
を少なくとも含有するアモルファスシリコンゲルマニウ
ムを主体とする層とからなる電子写真感光体の製造方法
であって、プラズマ発光における３４０ｎｍを中心とす
るＧｅＦ2 の発光帯の強度がＧｅＦの発光帯の強度より
大きいプラズマ放電法により、上記アモルファスシリコ
ンゲルマニウムを主体とする層を形成することを特徴と
する。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。図１〜図
４は本発明の電子写真感光体の縦断面図を示す。図１に
は、導電性基体１上にアモルファスシリコンからなる電
荷注入阻止層２、アモルファスシリコンを主体とする層
３ａとアモルファスシリコンゲルマニウムを主体とする
層３ｂとからなる光導電層３、およびアモルファスシリ
コンまたはアモルファス炭素を主体とする層からなる表
面層４を順次積層した感光体が示されている。図２にお
いては、表面層４がアモルファスシリコンおよび／また
はアモルファス炭素を主体とする層の組み合わせよりな
る層４ａ、４ｂおよび４ｃの３層構造からなる。また、
図３においては、光導電層３が電荷注入阻止層２上に上
記層３ｂと層３ａの順で積層され、表面層４が層４ａお
よび４ｂの２層構造からなる。さらに、図４において
は、光導電層３の層３ｂが層３ａによりサンドウィッチ
された構造からなる。
４は本発明の電子写真感光体の縦断面図を示す。図１に
は、導電性基体１上にアモルファスシリコンからなる電
荷注入阻止層２、アモルファスシリコンを主体とする層
３ａとアモルファスシリコンゲルマニウムを主体とする
層３ｂとからなる光導電層３、およびアモルファスシリ
コンまたはアモルファス炭素を主体とする層からなる表
面層４を順次積層した感光体が示されている。図２にお
いては、表面層４がアモルファスシリコンおよび／また
はアモルファス炭素を主体とする層の組み合わせよりな
る層４ａ、４ｂおよび４ｃの３層構造からなる。また、
図３においては、光導電層３が電荷注入阻止層２上に上
記層３ｂと層３ａの順で積層され、表面層４が層４ａお
よび４ｂの２層構造からなる。さらに、図４において
は、光導電層３の層３ｂが層３ａによりサンドウィッチ
された構造からなる。
【０００９】本発明において、導電性基体としては、ア
ルミニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼等の合
金、導電膜を有するプラスチックシート、導電化処理し
た紙などを用いることができる。中でも、一般にオース
テナイト系ステンレス鋼と称されるＣｒ−Ｎｉ含有鋼で
形成されているものが好ましく、その基体表面に少なく
ともモリブデン、クロム、マンガン、タングステンまた
はチタンを主成分とする導電層を形成させたものが更に
好ましく使用される。これらの導電層は、メッキ処理、
スパッタリング法または蒸着法によって形成することが
できる。また、アルミニウム基板上にクロム、チタン、
タングステンまたはモリブデンを主成分として形成され
た導電層を有するものや、モリブデン、タングステンま
たはチタンから構成される導電性基体を用いることもで
きる。導電性基体はその表面が研磨されているものを用
いてもよい。すなわち、バフ研磨、砥石研磨等により、
研磨剤の粗さを粗粒から微粒に変えながら平滑にしたも
のを用いることができる。表面の粗さは、Ｒs で２〜
０．０２Ｓの範囲が適当であり、好ましくは０．５〜
０．０３Ｓである。表面は、完全鏡面であっても、細い
筋により曇り状になっていてもよいが、全体としては平
滑であって、旋盤切削においては切削ピッチの境界面に
凸状部が残留していないことが必要である。導電性基体
の形状は、円筒状、平板状、エンドレスベルト状等、任
意の形状として用いることが可能である。また、導電性
基体の膜厚は、０．５〜５０ｍｍの範囲が適当であり、
好ましくは１〜２０ｍｍである。
ルミニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼等の合
金、導電膜を有するプラスチックシート、導電化処理し
た紙などを用いることができる。中でも、一般にオース
テナイト系ステンレス鋼と称されるＣｒ−Ｎｉ含有鋼で
形成されているものが好ましく、その基体表面に少なく
ともモリブデン、クロム、マンガン、タングステンまた
はチタンを主成分とする導電層を形成させたものが更に
好ましく使用される。これらの導電層は、メッキ処理、
スパッタリング法または蒸着法によって形成することが
できる。また、アルミニウム基板上にクロム、チタン、
タングステンまたはモリブデンを主成分として形成され
た導電層を有するものや、モリブデン、タングステンま
たはチタンから構成される導電性基体を用いることもで
きる。導電性基体はその表面が研磨されているものを用
いてもよい。すなわち、バフ研磨、砥石研磨等により、
研磨剤の粗さを粗粒から微粒に変えながら平滑にしたも
のを用いることができる。表面の粗さは、Ｒs で２〜
０．０２Ｓの範囲が適当であり、好ましくは０．５〜
０．０３Ｓである。表面は、完全鏡面であっても、細い
筋により曇り状になっていてもよいが、全体としては平
滑であって、旋盤切削においては切削ピッチの境界面に
凸状部が残留していないことが必要である。導電性基体
の形状は、円筒状、平板状、エンドレスベルト状等、任
意の形状として用いることが可能である。また、導電性
基体の膜厚は、０．５〜５０ｍｍの範囲が適当であり、
好ましくは１〜２０ｍｍである。
【００１０】導電性基体上には電荷注入阻止層が設けら
れる。本発明においては、電荷注入阻止層は、水素と第
III 族元素または窒素とを含有し、他の元素を実質的に
含有しないアモルファスシリコン層からなる。第III 族
元素または窒素のいずれを含有させるかは、感光体の帯
電極性によって決められるが、第III 族元素を含有する
場合は正帯電用感光体となり、窒素を含有する場合は負
帯電用感光体となる。感光体が正帯電用の場合、アモル
ファスシリコン層中の水素の含有量は１〜５０原子％、
第III 族元素の含有量は０．０１〜１０００ｐｐｍの範
囲が適当であり、好ましくは１〜５００ｐｐｍである。
一方、感光体が負帯電用の場合、アモルファスシリコン
層中の水素の含有量は１〜５０原子％の範囲が適当であ
り、窒素の含有量は、ケイ素に対する原子比で０．０１
〜０．７の範囲が適当であり、好ましくは０．０２〜
０．６である。電荷注入阻止層の膜厚は、０．０１〜１
０μｍの範囲が適当であり、好ましくは０．１〜１０μ
ｍである。このように、電荷注入阻止層が水素および第
III 族元素または水素および窒素以外の元素を実質的に
含有しないアモルファスシリコン層からなる本発明の電
子写真感光体においては、光疲労が少なく、暗減衰が小
さく、かつ休止後のサイクル特性も良好である。
れる。本発明においては、電荷注入阻止層は、水素と第
III 族元素または窒素とを含有し、他の元素を実質的に
含有しないアモルファスシリコン層からなる。第III 族
元素または窒素のいずれを含有させるかは、感光体の帯
電極性によって決められるが、第III 族元素を含有する
場合は正帯電用感光体となり、窒素を含有する場合は負
帯電用感光体となる。感光体が正帯電用の場合、アモル
ファスシリコン層中の水素の含有量は１〜５０原子％、
第III 族元素の含有量は０．０１〜１０００ｐｐｍの範
囲が適当であり、好ましくは１〜５００ｐｐｍである。
一方、感光体が負帯電用の場合、アモルファスシリコン
層中の水素の含有量は１〜５０原子％の範囲が適当であ
り、窒素の含有量は、ケイ素に対する原子比で０．０１
〜０．７の範囲が適当であり、好ましくは０．０２〜
０．６である。電荷注入阻止層の膜厚は、０．０１〜１
０μｍの範囲が適当であり、好ましくは０．１〜１０μ
ｍである。このように、電荷注入阻止層が水素および第
III 族元素または水素および窒素以外の元素を実質的に
含有しないアモルファスシリコン層からなる本発明の電
子写真感光体においては、光疲労が少なく、暗減衰が小
さく、かつ休止後のサイクル特性も良好である。
【００１１】本発明の電子写真感光体は、さらにまた、
導電性基体と電荷注入阻止層との間に接着層として作用
する補助層を設けてもよい。補助層は、例えば炭素、窒
素および酸素の少なくとも１種を含有するアモルファス
シリコンよりなることができる。その膜厚は、０．０１
〜５μｍの範囲が適当であり、好ましくは０．１〜４μ
ｍである。
導電性基体と電荷注入阻止層との間に接着層として作用
する補助層を設けてもよい。補助層は、例えば炭素、窒
素および酸素の少なくとも１種を含有するアモルファス
シリコンよりなることができる。その膜厚は、０．０１
〜５μｍの範囲が適当であり、好ましくは０．１〜４μ
ｍである。
【００１２】本発明において、電荷注入阻止層上に形成
される光導電層は、水素、ハロゲンおよび第III 族元素
の少なくとも１種を含有するアモルファスシリコンを主
体とする層（以下、ａ−Ｓｉ層という）と、水素、ハロ
ゲンおよび第III 族元素を少なくとも含有するアモルフ
ァスシリコンゲルマニウムを主体とする層（以下、ａ−
ＳｉＧｅ層という）とからなる。ａ−Ｓｉ層は可視光域
において高い光感度を有しており、ａ−ＳｉＧｅ層は特
に７５０〜８００ｎｍの長波長域において高い光感度を
有する。したがって、両者を組み合わせることによって
可視光から８００ｎｍまでの長波長域にわたって高い光
感度を示す。両者の積層構造は、通常ａ−Ｓｉ層とａ−
ＳｉＧｅ層の順であるが、図３、４に示すように、ａ−
Ｓｉ層とａ−ＳｉＧｅ層を逆の順で積層しても、あるい
はａ−ＳｉＧｅ層がａ−Ｓｉ層により挟まれたサンドウ
ィッチ状であってもよい。
される光導電層は、水素、ハロゲンおよび第III 族元素
の少なくとも１種を含有するアモルファスシリコンを主
体とする層（以下、ａ−Ｓｉ層という）と、水素、ハロ
ゲンおよび第III 族元素を少なくとも含有するアモルフ
ァスシリコンゲルマニウムを主体とする層（以下、ａ−
ＳｉＧｅ層という）とからなる。ａ−Ｓｉ層は可視光域
において高い光感度を有しており、ａ−ＳｉＧｅ層は特
に７５０〜８００ｎｍの長波長域において高い光感度を
有する。したがって、両者を組み合わせることによって
可視光から８００ｎｍまでの長波長域にわたって高い光
感度を示す。両者の積層構造は、通常ａ−Ｓｉ層とａ−
ＳｉＧｅ層の順であるが、図３、４に示すように、ａ−
Ｓｉ層とａ−ＳｉＧｅ層を逆の順で積層しても、あるい
はａ−ＳｉＧｅ層がａ−Ｓｉ層により挟まれたサンドウ
ィッチ状であってもよい。
【００１３】上記ａ−Ｓｉ層は、水素およびハロゲンの
少なくとも１種を含有するアモルファスシリコンを主体
として形成され、これに導電性を制御する不純物元素と
してホウ素等の第III 族元素を含有させて、電荷保持性
を高めることが好ましい。このａ−Ｓｉ層の膜厚は１〜
１００μｍの範囲が好ましい。水素および／またはハロ
ゲンの含有量は３〜４０原子％の範囲が適当である。ま
た、第III 族元素の含有量は、感光体の帯電極性、必要
な分光感度によって決定され、０．０１〜１０００ｐｐ
ｍの範囲が適当である。感光体が正帯電用の場合には
０．１〜１０００ｐｐｍ、負帯電用の場合には０．０１
〜１００ｐｐｍである。このａ−Ｓｉ層には、帯電性の
向上、暗減衰の低減、感度の向上等の目的で、更に炭
素、窒素、酸素等の元素を添加することが可能である。
少なくとも１種を含有するアモルファスシリコンを主体
として形成され、これに導電性を制御する不純物元素と
してホウ素等の第III 族元素を含有させて、電荷保持性
を高めることが好ましい。このａ−Ｓｉ層の膜厚は１〜
１００μｍの範囲が好ましい。水素および／またはハロ
ゲンの含有量は３〜４０原子％の範囲が適当である。ま
た、第III 族元素の含有量は、感光体の帯電極性、必要
な分光感度によって決定され、０．０１〜１０００ｐｐ
ｍの範囲が適当である。感光体が正帯電用の場合には
０．１〜１０００ｐｐｍ、負帯電用の場合には０．０１
〜１００ｐｐｍである。このａ−Ｓｉ層には、帯電性の
向上、暗減衰の低減、感度の向上等の目的で、更に炭
素、窒素、酸素等の元素を添加することが可能である。
【００１４】上記ａ−ＳｉＧｅ層は、上記したように、
少なくとも水素およびハロゲンを含み、かつ導電性を制
御する第III 族元素を含む。ケイ素に対するゲルマニウ
ムの原子比は０．０１〜１の範囲が好ましい。このａ−
ＳｉＧｅ層の膜厚は、０．１〜５０μｍの範囲が適当で
あり、好ましくは０．５〜２０μｍである。ハロゲンと
してはフッ素、塩素、臭素等が挙げられ、特にフッ素が
好ましい。このハロゲンは、光導電性の改善のために添
加するもので、単独または混合して１〜５０原子％程度
含有させるとよい。また、第III 族元素としてはホウ素
が好ましく、例えば、ケイ素およびゲルマニウムに対す
るホウ素の含有量は、ケイ素およびゲルマニウム量と感
光体の帯電極性により決定されるが、０．０１〜１００
０ｐｐｍの範囲が適当である。特に、感光体が正帯電用
の場合には０．１〜１０００ｐｐｍ、負帯電用の場合に
は０．０１〜１００ｐｐｍである。このａ−ＳｉＧｅ層
に第III 族元素を添加しない場合は、暗減衰が大きく、
残留電位の発生、光疲労が大きくなり実用的でない。ま
た、ａ−ＳｉＧｅ層には、ａ−Ｓｉ層の場合と同様の目
的で、更に炭素、窒素および酸素の少なくとも１種を含
有させてもよい。
少なくとも水素およびハロゲンを含み、かつ導電性を制
御する第III 族元素を含む。ケイ素に対するゲルマニウ
ムの原子比は０．０１〜１の範囲が好ましい。このａ−
ＳｉＧｅ層の膜厚は、０．１〜５０μｍの範囲が適当で
あり、好ましくは０．５〜２０μｍである。ハロゲンと
してはフッ素、塩素、臭素等が挙げられ、特にフッ素が
好ましい。このハロゲンは、光導電性の改善のために添
加するもので、単独または混合して１〜５０原子％程度
含有させるとよい。また、第III 族元素としてはホウ素
が好ましく、例えば、ケイ素およびゲルマニウムに対す
るホウ素の含有量は、ケイ素およびゲルマニウム量と感
光体の帯電極性により決定されるが、０．０１〜１００
０ｐｐｍの範囲が適当である。特に、感光体が正帯電用
の場合には０．１〜１０００ｐｐｍ、負帯電用の場合に
は０．０１〜１００ｐｐｍである。このａ−ＳｉＧｅ層
に第III 族元素を添加しない場合は、暗減衰が大きく、
残留電位の発生、光疲労が大きくなり実用的でない。ま
た、ａ−ＳｉＧｅ層には、ａ−Ｓｉ層の場合と同様の目
的で、更に炭素、窒素および酸素の少なくとも１種を含
有させてもよい。
【００１５】本発明において、光導電層上に形成される
表面層は、第III 族元素、第Ｖ族元素、炭素、窒素およ
び酸素の少なくとも１種を含有するａ−Ｓｉ層、または
第III 族元素、第Ｖ族元素、窒素および酸素の少なくと
も１種を含有するアモルファス炭素を主体とする層（以
下、ａ−Ｃ層という）からなる。表面層が、第III 族元
素および第Ｖ族元素の少なくとも１種を含有する場合に
は、感光体の帯電極性に応じて第III 族元素または第Ｖ
族元素を選択し、感光体が正帯電用の場合には第Ｖ族元
素を、負帯電用の場合には第III 族元素を含有させる。
第Ｖ族元素の含有量は０．０１〜１０００ｐｐｍの範囲
で、また第III 族元素の含有量は５〜１００００ｐｐｍ
の範囲で膜厚に応じて適宜設定される。表面層の膜厚
は、０．０１〜１０μｍの範囲が適当であり、好ましく
は０．１〜５μｍである。表面層には、炭素、窒素およ
び酸素の少なくとも１種を含有させるのが有効である。
これらの元素の含有量は、炭素の場合１ｐｐｍ〜９９．
９原子％（アモルファス炭素）、窒素の場合１ｐｐｍ〜
６０原子％、酸素の場合１ｐｐｍ〜６０原子％である。
表面層は、第III 族元素、第Ｖ族元素、炭素、窒素およ
び酸素の少なくとも１種を含有するａ−Ｓｉ層、または
第III 族元素、第Ｖ族元素、窒素および酸素の少なくと
も１種を含有するアモルファス炭素を主体とする層（以
下、ａ−Ｃ層という）からなる。表面層が、第III 族元
素および第Ｖ族元素の少なくとも１種を含有する場合に
は、感光体の帯電極性に応じて第III 族元素または第Ｖ
族元素を選択し、感光体が正帯電用の場合には第Ｖ族元
素を、負帯電用の場合には第III 族元素を含有させる。
第Ｖ族元素の含有量は０．０１〜１０００ｐｐｍの範囲
で、また第III 族元素の含有量は５〜１００００ｐｐｍ
の範囲で膜厚に応じて適宜設定される。表面層の膜厚
は、０．０１〜１０μｍの範囲が適当であり、好ましく
は０．１〜５μｍである。表面層には、炭素、窒素およ
び酸素の少なくとも１種を含有させるのが有効である。
これらの元素の含有量は、炭素の場合１ｐｐｍ〜９９．
９原子％（アモルファス炭素）、窒素の場合１ｐｐｍ〜
６０原子％、酸素の場合１ｐｐｍ〜６０原子％である。
【００１６】表面層には水素およびハロゲンの少なくと
も１種を含有させることができる。すなわち、表面層
が、ａ−Ｓｉ層の場合は、アモルファスシリコンに水素
および／またはハロゲンを３〜４０原子％含有していて
もよい。また、ａ−Ｃ層の場合は、アモルファス炭素に
水素および／またはハロゲンが５０原子％以下含有して
いてもよく、５〜５０原子％程度が好ましい。この場
合、層中に含まれる多量の水素またはハロゲンは、層中
に鎖状の−ＣＨ2 −結合、−Ｃ（ハロゲン）2 −結合ま
たは分岐状の−ＣＨ3 結合を増加させ、結果として層の
硬度を損なうことになるため、層中の水素および／また
はハロゲンの量は、上記のとおり５０原子％以下にする
ことが必要である。ａ−Ｃ層を表面層に設けた場合に
は、高温高湿下における帯電性および画像の繰返し安定
性に優れ、硬い膜が得られるために耐久性に優れた感光
体とすることができる。
も１種を含有させることができる。すなわち、表面層
が、ａ−Ｓｉ層の場合は、アモルファスシリコンに水素
および／またはハロゲンを３〜４０原子％含有していて
もよい。また、ａ−Ｃ層の場合は、アモルファス炭素に
水素および／またはハロゲンが５０原子％以下含有して
いてもよく、５〜５０原子％程度が好ましい。この場
合、層中に含まれる多量の水素またはハロゲンは、層中
に鎖状の−ＣＨ2 −結合、−Ｃ（ハロゲン）2 −結合ま
たは分岐状の−ＣＨ3 結合を増加させ、結果として層の
硬度を損なうことになるため、層中の水素および／また
はハロゲンの量は、上記のとおり５０原子％以下にする
ことが必要である。ａ−Ｃ層を表面層に設けた場合に
は、高温高湿下における帯電性および画像の繰返し安定
性に優れ、硬い膜が得られるために耐久性に優れた感光
体とすることができる。
【００１７】本発明において、表面層は、上記ａ−Ｓｉ
層および／またはａ−Ｃ層が複数層形成されていてもよ
く、図２〜図４はその例を示すものである。例えば、図
２に示すように、表面層がａ−Ｓｉ層からなる３層によ
り形成されている場合、各層における元素の原子比およ
び膜厚は次のような範囲にあるのが好ましい。すなわ
ち、第一の表面層４ａは、炭素、窒素または酸素のケイ
素に対する原子比が０．１〜１．０で、膜厚が０．０１
〜０．１μｍであり、また第二の表面層４ｂは、炭素、
窒素または酸素のケイ素に対する原子比が０．１〜１．
０で、膜厚が０．０５〜１μｍであり、さらに第三の表
面層４ｃは、炭素、窒素または酸素の含有量が第二の表
面層４ｂにおけるものよりも高く、そのケイ素に対する
原子比が０．５〜１．３で、膜厚が０．０１〜０．１μ
ｍである。
層および／またはａ−Ｃ層が複数層形成されていてもよ
く、図２〜図４はその例を示すものである。例えば、図
２に示すように、表面層がａ−Ｓｉ層からなる３層によ
り形成されている場合、各層における元素の原子比およ
び膜厚は次のような範囲にあるのが好ましい。すなわ
ち、第一の表面層４ａは、炭素、窒素または酸素のケイ
素に対する原子比が０．１〜１．０で、膜厚が０．０１
〜０．１μｍであり、また第二の表面層４ｂは、炭素、
窒素または酸素のケイ素に対する原子比が０．１〜１．
０で、膜厚が０．０５〜１μｍであり、さらに第三の表
面層４ｃは、炭素、窒素または酸素の含有量が第二の表
面層４ｂにおけるものよりも高く、そのケイ素に対する
原子比が０．５〜１．３で、膜厚が０．０１〜０．１μ
ｍである。
【００１８】次に、導電性基体上に前記各層を形成する
方法について説明する。導電性基体上に形成する各層は
いずれも、プラズマ放電法、スパッタリング法、イオン
プレーティング法、真空蒸着法等の手段によって形成す
ることができる。これらの中でも、プラズマＣＶＤ法に
よるグロー放電分解法等のプラズマ放電法が特に好まし
い。その際、原料ガスとしては、電荷注入阻止層、光導
電層および必要に応じて形成される補助層の場合は、ケ
イ素を含む主原料ガスが用いられ、また、表面層の場合
は、ケイ素を含む主原料ガスあるいは炭化水素またはそ
のハロゲン置換体を含む主原料ガスが用いられる。
方法について説明する。導電性基体上に形成する各層は
いずれも、プラズマ放電法、スパッタリング法、イオン
プレーティング法、真空蒸着法等の手段によって形成す
ることができる。これらの中でも、プラズマＣＶＤ法に
よるグロー放電分解法等のプラズマ放電法が特に好まし
い。その際、原料ガスとしては、電荷注入阻止層、光導
電層および必要に応じて形成される補助層の場合は、ケ
イ素を含む主原料ガスが用いられ、また、表面層の場合
は、ケイ素を含む主原料ガスあるいは炭化水素またはそ
のハロゲン置換体を含む主原料ガスが用いられる。
【００１９】グロー放電分解法を例にとってその形成法
を示すと、次のようになる。原料ガスとしては、上記主
原料ガスと必要な添加元素を含む原料ガスの混合ガスを
用いる。必要に応じて、この混合ガスに更に水素ガスあ
るいはヘリウム、アルゴン、ネオン等の不活性ガスをキ
ャリアガスとして混合することができる。グロー放電分
解は直流および交流放電のいずれを採用してもよい。ま
た、成膜条件は、周波数０〜５ＧＨｚ、反応器内圧１０
-5〜１０Ｔｏｒｒ（０．００１〜１３３３Ｐａ）、放電
電力１０〜３０００Ｗ、基体温度３０〜４００℃であ
り、膜厚は放電時間の調整により適宜設定することがで
きる。
を示すと、次のようになる。原料ガスとしては、上記主
原料ガスと必要な添加元素を含む原料ガスの混合ガスを
用いる。必要に応じて、この混合ガスに更に水素ガスあ
るいはヘリウム、アルゴン、ネオン等の不活性ガスをキ
ャリアガスとして混合することができる。グロー放電分
解は直流および交流放電のいずれを採用してもよい。ま
た、成膜条件は、周波数０〜５ＧＨｚ、反応器内圧１０
-5〜１０Ｔｏｒｒ（０．００１〜１３３３Ｐａ）、放電
電力１０〜３０００Ｗ、基体温度３０〜４００℃であ
り、膜厚は放電時間の調整により適宜設定することがで
きる。
【００２０】アモルファスシリコンまたはこれを主体と
する層を形成する場合は、ケイ素を含む主原料ガスとし
て、シラン類、特にＳｉＨ4 および／またはＳｉ2 Ｈ6
が使用される。本発明において、ケイ素を含む主原料ガ
スと混合される原料ガスとしては、水素、ハロゲン、炭
素、窒素（第Ｖ族元素の１種）、酸素、第III 族元素、
第Ｖ族元素等を含むガスが挙げられる。水素を含む原料
ガスとしては、通常水素ガスが用いられるが、主原料ガ
スおよび／または混合ガス中に水素を含んでいれば、場
合により特に添加しなくてもよい。ハロゲンを含む原料
ガスとしては、ＳｉＦ4 、ＳｉＣｌ4 、ＳｉＨＦ3 、Ｓ
ｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｆ2 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 等を使用す
ることができる。炭素、窒素および酸素を含有させるた
めの原料ガスとしては、炭素を含む原料ガスでは、メタ
ン、エタン、プロパン、アセチレンのような炭化水素、
ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 のようなハロゲン化炭化水素を用いる
ことができ、窒素を含む原料ガスでは、Ｎ2 単体ガス
や、ＮＨ3 、Ｎ2 Ｈ4 、ＨＮ3 等の水素化窒素化合物の
ガスを用いることができ、さらに、酸素を含む原料ガス
では、Ｏ2 、Ｎ2 Ｏ、ＣＯ、ＣＯ2 等を用いることがで
きる。第III 族元素を含む原料ガスとしては、Ｂ、Ａ
ｌ、Ｇａ、Ｉｎ等を含むガスを使用することができる。
典型的にはジボランＢ2 Ｈ6 が挙げられ、その他に水素
化ホウ素アルミニウムＡｌ（ＢＨ4 ）3 等も使用でき
る。また、第Ｖ族元素を含む原料ガスとしては、上記の
窒素を含むガスの他に、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ等を含むガスを
使用することができる。典型的にはホスフィンＰＨ3 が
挙げられる。
する層を形成する場合は、ケイ素を含む主原料ガスとし
て、シラン類、特にＳｉＨ4 および／またはＳｉ2 Ｈ6
が使用される。本発明において、ケイ素を含む主原料ガ
スと混合される原料ガスとしては、水素、ハロゲン、炭
素、窒素（第Ｖ族元素の１種）、酸素、第III 族元素、
第Ｖ族元素等を含むガスが挙げられる。水素を含む原料
ガスとしては、通常水素ガスが用いられるが、主原料ガ
スおよび／または混合ガス中に水素を含んでいれば、場
合により特に添加しなくてもよい。ハロゲンを含む原料
ガスとしては、ＳｉＦ4 、ＳｉＣｌ4 、ＳｉＨＦ3 、Ｓ
ｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｆ2 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 等を使用す
ることができる。炭素、窒素および酸素を含有させるた
めの原料ガスとしては、炭素を含む原料ガスでは、メタ
ン、エタン、プロパン、アセチレンのような炭化水素、
ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 のようなハロゲン化炭化水素を用いる
ことができ、窒素を含む原料ガスでは、Ｎ2 単体ガス
や、ＮＨ3 、Ｎ2 Ｈ4 、ＨＮ3 等の水素化窒素化合物の
ガスを用いることができ、さらに、酸素を含む原料ガス
では、Ｏ2 、Ｎ2 Ｏ、ＣＯ、ＣＯ2 等を用いることがで
きる。第III 族元素を含む原料ガスとしては、Ｂ、Ａ
ｌ、Ｇａ、Ｉｎ等を含むガスを使用することができる。
典型的にはジボランＢ2 Ｈ6 が挙げられ、その他に水素
化ホウ素アルミニウムＡｌ（ＢＨ4 ）3 等も使用でき
る。また、第Ｖ族元素を含む原料ガスとしては、上記の
窒素を含むガスの他に、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ等を含むガスを
使用することができる。典型的にはホスフィンＰＨ3 が
挙げられる。
【００２１】少なくとも水素、ハロゲンおよび第III 族
元素を含む前記ａ−ＳｉＧｅ層を形成するために使用す
ることができるハロゲン化ゲルマニウムとしては、Ｇｅ
Ｆ4、ＧｅＣｌ4 、ＧｅＢｒ4 、ＧｅＩ4 、ＧｅＦ2 、
ＧｅＣｌ2 、ＧｅＢｒ2 、ＧｅＩ2 、ＧｅＨＦ3 、Ｇｅ
Ｈ2 Ｆ2 、ＧｅＨ3 Ｆ、ＧｅＨＣｌ3 、ＧｅＨ2 Ｃ
ｌ2 、ＧｅＨ3 Ｃｌ、ＧｅＨＢｒ3 、ＧｅＨ2 Ｂｒ2 、
ＧｅＨ3 Ｂｒ、ＧｅＨＩ3、ＧｅＨ2 Ｉ2 、ＧｅＨ3 Ｉ
等のガスが挙げられる。中でも、ＧｅＦ4 やＧｅＦ2 の
使用が本発明の実施に際して特に好適であり、それによ
りアモルファスシリコン中にゲルマニウムおよびフッ素
を効果的に含有させることができる。ａ−ＳｉＧｅ層に
水素を含有させるには、水素ガスを用いるかあるいは上
記したハロゲン化水素化ゲルマニウム含有ガスを用いれ
ばよく、両者の混合ガスを用いることもできる。また、
第III 族元素をａ−ＳｉＧｅ層に含有させるには、前記
したように、ジボラン等の第III 族元素含有ガスを混合
すればよい。
元素を含む前記ａ−ＳｉＧｅ層を形成するために使用す
ることができるハロゲン化ゲルマニウムとしては、Ｇｅ
Ｆ4、ＧｅＣｌ4 、ＧｅＢｒ4 、ＧｅＩ4 、ＧｅＦ2 、
ＧｅＣｌ2 、ＧｅＢｒ2 、ＧｅＩ2 、ＧｅＨＦ3 、Ｇｅ
Ｈ2 Ｆ2 、ＧｅＨ3 Ｆ、ＧｅＨＣｌ3 、ＧｅＨ2 Ｃ
ｌ2 、ＧｅＨ3 Ｃｌ、ＧｅＨＢｒ3 、ＧｅＨ2 Ｂｒ2 、
ＧｅＨ3 Ｂｒ、ＧｅＨＩ3、ＧｅＨ2 Ｉ2 、ＧｅＨ3 Ｉ
等のガスが挙げられる。中でも、ＧｅＦ4 やＧｅＦ2 の
使用が本発明の実施に際して特に好適であり、それによ
りアモルファスシリコン中にゲルマニウムおよびフッ素
を効果的に含有させることができる。ａ−ＳｉＧｅ層に
水素を含有させるには、水素ガスを用いるかあるいは上
記したハロゲン化水素化ゲルマニウム含有ガスを用いれ
ばよく、両者の混合ガスを用いることもできる。また、
第III 族元素をａ−ＳｉＧｅ層に含有させるには、前記
したように、ジボラン等の第III 族元素含有ガスを混合
すればよい。
【００２２】本発明の電子写真感光体の製造方法では、
ａ−ＳｉＧｅ層をプラズマ放電法により形成する場合、
プラズマの発光スペクトルにおいて、３４０ｎｍを中心
とするＧｅＦの発光帯よりもＧｅＦ2 の発光帯の強度が
強い条件でａ−ＳｉＧｅ層を形成することが必要であ
る。ＧｅＦの発光帯の強度は低圧力、高電力の放電条件
下で強くなり、逆に、ＧｅＦ2 の発光帯の強度は比較的
高い圧力、低電力の放電条件下で強くなる。プラズマ放
電法におけるＧｅＦの発光が強くなると、作製した感光
体の暗減衰が大きくなり、また赤外域での光感度が低下
する。なお、ＧｅＦおよびＧｅＦ2 の発光帯は、図５、
６に示すように明確に区別できる。
ａ−ＳｉＧｅ層をプラズマ放電法により形成する場合、
プラズマの発光スペクトルにおいて、３４０ｎｍを中心
とするＧｅＦの発光帯よりもＧｅＦ2 の発光帯の強度が
強い条件でａ−ＳｉＧｅ層を形成することが必要であ
る。ＧｅＦの発光帯の強度は低圧力、高電力の放電条件
下で強くなり、逆に、ＧｅＦ2 の発光帯の強度は比較的
高い圧力、低電力の放電条件下で強くなる。プラズマ放
電法におけるＧｅＦの発光が強くなると、作製した感光
体の暗減衰が大きくなり、また赤外域での光感度が低下
する。なお、ＧｅＦおよびＧｅＦ2 の発光帯は、図５、
６に示すように明確に区別できる。
【００２３】ａ−Ｃ層を形成する主原料としては次のよ
うなものが使用される。すなわち、主体となる炭素の原
料としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペン
タン等の一般式Ｃn Ｈ2n+2で示されるパラフィン系炭化
水素、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンテン等の
一般式Ｃn Ｈ2nで示されるオレフィン系炭化水素、アセ
チレン、アリレン、ブチン等の一般式Ｃn Ｈ2n-2で示さ
れるアセチレン系炭化水素などの直鎖状または分岐状の
脂肪族炭化水素、シクロプロパン、シクロブタン、シク
ロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロ
ブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン等の脂環式炭
化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、ナフタレン、
アントラセン等の芳香族炭化水素、あるいはこれらの炭
化水素置換体が挙げられる。また、ａ−Ｃ層にハロゲン
を含有させる場合は、例えば、四塩化炭素、クロロホル
ム、四フッ化炭素、トリフルオロメタン、クロロトリフ
ルオロメタン、ジクロロジフルオロメタン、ブロモトリ
フルオロメタン、パーフルオロエタン、パーフルオロプ
ロパン等のハロゲン化炭化水素を用いることができる。
さらに、必要に応じて炭化水素またはそのハロゲン置換
体を含む主原料ガスと混合される原料ガスとしては、前
述した窒素、酸素、第III 族元素、第Ｖ族元素等を含む
ガスが挙げられる。
うなものが使用される。すなわち、主体となる炭素の原
料としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペン
タン等の一般式Ｃn Ｈ2n+2で示されるパラフィン系炭化
水素、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンテン等の
一般式Ｃn Ｈ2nで示されるオレフィン系炭化水素、アセ
チレン、アリレン、ブチン等の一般式Ｃn Ｈ2n-2で示さ
れるアセチレン系炭化水素などの直鎖状または分岐状の
脂肪族炭化水素、シクロプロパン、シクロブタン、シク
ロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロ
ブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン等の脂環式炭
化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、ナフタレン、
アントラセン等の芳香族炭化水素、あるいはこれらの炭
化水素置換体が挙げられる。また、ａ−Ｃ層にハロゲン
を含有させる場合は、例えば、四塩化炭素、クロロホル
ム、四フッ化炭素、トリフルオロメタン、クロロトリフ
ルオロメタン、ジクロロジフルオロメタン、ブロモトリ
フルオロメタン、パーフルオロエタン、パーフルオロプ
ロパン等のハロゲン化炭化水素を用いることができる。
さらに、必要に応じて炭化水素またはそのハロゲン置換
体を含む主原料ガスと混合される原料ガスとしては、前
述した窒素、酸素、第III 族元素、第Ｖ族元素等を含む
ガスが挙げられる。
【００２４】
【実施例】以下に実施例および比較例を示して、本発明
をさらに詳細に説明する。 実施例１ 基体として厚さ４ｍｍのアルミニウム製円筒状基体を使
用し、この基体上にｐ型の電荷注入阻止層、光導電層お
よびアモルファス窒化シリコンの２層構造からなる膜厚
０．４μｍの表面層を順次設けた正帯電用電子写真感光
体を、次のようにして作製した。反応器内を十分に排気
し、次いで、シラン、水素およびジボランの混合ガスを
導入してグロー放電分解することにより、上記円筒状基
体上に膜厚２μｍの電荷注入阻止層を形成した。その際
の成膜条件は次のとおりであった。 １００％シランガス流量：１８０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：９０ｃｍ3 ／ｍｉｎ ２００ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：９０ｃｍ3 ／
ｍｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：２００Ｗ 放電時間：６０ｍｉｎ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 基体温度：２５０℃ なお、以下の各層の成膜条件における放電周波数および
基体温度は上記の値に固定した。
をさらに詳細に説明する。 実施例１ 基体として厚さ４ｍｍのアルミニウム製円筒状基体を使
用し、この基体上にｐ型の電荷注入阻止層、光導電層お
よびアモルファス窒化シリコンの２層構造からなる膜厚
０．４μｍの表面層を順次設けた正帯電用電子写真感光
体を、次のようにして作製した。反応器内を十分に排気
し、次いで、シラン、水素およびジボランの混合ガスを
導入してグロー放電分解することにより、上記円筒状基
体上に膜厚２μｍの電荷注入阻止層を形成した。その際
の成膜条件は次のとおりであった。 １００％シランガス流量：１８０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：９０ｃｍ3 ／ｍｉｎ ２００ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：９０ｃｍ3 ／
ｍｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：２００Ｗ 放電時間：６０ｍｉｎ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 基体温度：２５０℃ なお、以下の各層の成膜条件における放電周波数および
基体温度は上記の値に固定した。
【００２５】電荷注入阻止層の形成後、反応器内を十分
に排気し、次いで、シラン、水素およびジボランの混合
ガスを導入してグロー放電分解することにより、電荷注
入阻止層上に膜厚２０μｍの第一の光導電層を形成し
た。その際の成膜条件は次のとおりであった。 １００％シランガス流量：１８０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１６２ｃｍ3 ／ｍｉｎ ２０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：１８ｃｍ3 ／ｍ
ｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 放電時間：２００ｍｉｎ
に排気し、次いで、シラン、水素およびジボランの混合
ガスを導入してグロー放電分解することにより、電荷注
入阻止層上に膜厚２０μｍの第一の光導電層を形成し
た。その際の成膜条件は次のとおりであった。 １００％シランガス流量：１８０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１６２ｃｍ3 ／ｍｉｎ ２０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：１８ｃｍ3 ／ｍ
ｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 放電時間：２００ｍｉｎ
【００２６】引き続いて、シラン、四フッ化ゲルマニウ
ム、水素およびジボランの混合ガスを導入してグロー放
電分解することにより、第一の光導電層上に膜厚２．０
μｍの第二の光導電層を形成した。その際の成膜条件は
次のとおりであった。 １００％シランガス流量：１６０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％四フッ化ゲルマニウムガス流量：２０ｃｍ3 ／
ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１６０ｃｍ3 ／ｍｉｎ ２０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２０ｃｍ3 ／ｍ
ｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 放電時間：３０ｍｉｎ 成膜時のプラズマ発光スペクトルにおいて、３４０ｎｍ
を中心とするＧｅＦ2の発光強度はＧｅＦの５倍であっ
た。
ム、水素およびジボランの混合ガスを導入してグロー放
電分解することにより、第一の光導電層上に膜厚２．０
μｍの第二の光導電層を形成した。その際の成膜条件は
次のとおりであった。 １００％シランガス流量：１６０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％四フッ化ゲルマニウムガス流量：２０ｃｍ3 ／
ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１６０ｃｍ3 ／ｍｉｎ ２０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２０ｃｍ3 ／ｍ
ｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 放電時間：３０ｍｉｎ 成膜時のプラズマ発光スペクトルにおいて、３４０ｎｍ
を中心とするＧｅＦ2の発光強度はＧｅＦの５倍であっ
た。
【００２７】光導電層の形成後、反応器内を十分に排気
し、次いで、シラン、水素およびアンモニアの混合ガス
を導入してグロー放電分解することにより、光導電層上
に膜厚０．１５μｍの第一の表面層を形成した。その際
の成膜条件は次のとおりであった。 １００％シランガス流量：２０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１８０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：３０ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：６６．６６Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ） 放電電力：５０Ｗ 放電時間：３０ｍｉｎ
し、次いで、シラン、水素およびアンモニアの混合ガス
を導入してグロー放電分解することにより、光導電層上
に膜厚０．１５μｍの第一の表面層を形成した。その際
の成膜条件は次のとおりであった。 １００％シランガス流量：２０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１８０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：３０ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：６６．６６Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ） 放電電力：５０Ｗ 放電時間：３０ｍｉｎ
【００２８】第一の表面層の形成後、反応器内を十分に
排気し、次いで、シラン、水素およびアンモニアの混合
ガスを導入してグロー放電分解することにより、第一の
表面層上に膜厚０．２５μｍの第二の表面層を形成し
た。その際の成膜条件は次のとおりであった。 １００％シランガス流量：２４ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１８０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：３６ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：６６．６６Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ） 放電電力：５０Ｗ 放電時間：４０ｍｉｎ
排気し、次いで、シラン、水素およびアンモニアの混合
ガスを導入してグロー放電分解することにより、第一の
表面層上に膜厚０．２５μｍの第二の表面層を形成し
た。その際の成膜条件は次のとおりであった。 １００％シランガス流量：２４ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１８０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：３６ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：６６．６６Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ） 放電電力：５０Ｗ 放電時間：４０ｍｉｎ
【００２９】以上のようにして作製された電子写真感光
体の波長７８０ｎｍにおける半減露光感度（半減露光量
の逆数）は０．２×１０7 ｃｍ2 ／Ｊ（０．２ｃｍ2 ／
ｅｒｇ）であり、残留電位は２０Ｖであった。また、帯
電、露光、イレーズの各工程を繰返したところ、電気諸
特性に変化がなく、安定に行うことができた。この電子
写真感光体を正帯電用レーザビームプリンタ（ＸＰ−
９；富士ゼロックス社製）に装着して画像評価を行った
ところ、解像度に優れ、画像濃度にムラのない画像が得
られた。暗減衰はａ−ＳｉＧｅ光導電層を形成しないも
のと比べて変化がなかった。また、１週間放置後のサイ
クル特性も良好であった。
体の波長７８０ｎｍにおける半減露光感度（半減露光量
の逆数）は０．２×１０7 ｃｍ2 ／Ｊ（０．２ｃｍ2 ／
ｅｒｇ）であり、残留電位は２０Ｖであった。また、帯
電、露光、イレーズの各工程を繰返したところ、電気諸
特性に変化がなく、安定に行うことができた。この電子
写真感光体を正帯電用レーザビームプリンタ（ＸＰ−
９；富士ゼロックス社製）に装着して画像評価を行った
ところ、解像度に優れ、画像濃度にムラのない画像が得
られた。暗減衰はａ−ＳｉＧｅ光導電層を形成しないも
のと比べて変化がなかった。また、１週間放置後のサイ
クル特性も良好であった。
【００３０】実施例２ 実施例１と同じ基体上にｎ型の電荷注入阻止層、光導電
層およびアモルファス炭化シリコンからなる表面層を順
次設けた負帯電用電子写真感光体を、次のようにして作
製した。反応器内を十分に排気し、次いで、シラン、水
素およびアンモニアの混合ガスを導入してグロー放電分
解することにより、上記基体上に膜厚１．０μｍの電荷
注入阻止層を形成した。その際の成膜条件は次のとおり
であった。 １００％シランガス流量：２０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１８０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：２０ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：６６．６６Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ） 放電電力：１００Ｗ 放電時間：３０ｍｉｎ なお、成膜されたアモルファスシリコンにおけるケイ素
に対する窒素の原子比は０．６であった。
層およびアモルファス炭化シリコンからなる表面層を順
次設けた負帯電用電子写真感光体を、次のようにして作
製した。反応器内を十分に排気し、次いで、シラン、水
素およびアンモニアの混合ガスを導入してグロー放電分
解することにより、上記基体上に膜厚１．０μｍの電荷
注入阻止層を形成した。その際の成膜条件は次のとおり
であった。 １００％シランガス流量：２０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１８０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：２０ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：６６．６６Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ） 放電電力：１００Ｗ 放電時間：３０ｍｉｎ なお、成膜されたアモルファスシリコンにおけるケイ素
に対する窒素の原子比は０．６であった。
【００３１】電荷注入阻止層の形成後、反応器内を十分
に排気し、次いで、シラン、水素およびジボランの混合
ガスを導入してグロー放電分解することにより、電荷注
入阻止層上に膜厚２０μｍの第一の光導電層を形成し
た。その際の成膜条件は次のとおりであった。 １００％シランガス流量：１８０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１７８ｃｍ3 ／ｍｉｎ ２０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２ｃｍ3 ／ｍｉ
ｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 放電時間：２００ｍｉｎ
に排気し、次いで、シラン、水素およびジボランの混合
ガスを導入してグロー放電分解することにより、電荷注
入阻止層上に膜厚２０μｍの第一の光導電層を形成し
た。その際の成膜条件は次のとおりであった。 １００％シランガス流量：１８０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１７８ｃｍ3 ／ｍｉｎ ２０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２ｃｍ3 ／ｍｉ
ｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 放電時間：２００ｍｉｎ
【００３２】引き続いて、シラン、四フッ化ゲルマニウ
ム、水素およびジボランの混合ガスを導入してグロー放
電分解することにより、第一の光導電層上に膜厚２．０
μｍの第二の光導電層を形成した。その際の成膜条件は
次のとおりであった。 １００％シランガス流量：１５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％四フッ化ゲルマニウムガス流量：３０ｃｍ3 ／
ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１７８ｃｍ3 ／ｍｉｎ ２０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２ｃｍ3 ／ｍｉ
ｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 放電時間：３０ｍｉｎ 成膜時のプラズマ発光スペクトルにおいて、３４０ｎｍ
を中心とするＧｅＦ2の発光強度はＧｅＦの７倍であっ
た。
ム、水素およびジボランの混合ガスを導入してグロー放
電分解することにより、第一の光導電層上に膜厚２．０
μｍの第二の光導電層を形成した。その際の成膜条件は
次のとおりであった。 １００％シランガス流量：１５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％四フッ化ゲルマニウムガス流量：３０ｃｍ3 ／
ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１７８ｃｍ3 ／ｍｉｎ ２０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２ｃｍ3 ／ｍｉ
ｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 放電時間：３０ｍｉｎ 成膜時のプラズマ発光スペクトルにおいて、３４０ｎｍ
を中心とするＧｅＦ2の発光強度はＧｅＦの７倍であっ
た。
【００３３】光導電層の形成後、反応器内を十分に排気
し、次いで、シラン、エチレンおよびジボランの混合ガ
スを導入してグロー放電分解することにより、光導電層
上に膜厚０．３μｍのアモルファス炭化シリコンからな
る表面層を形成した。その際の成膜条件は次のとおりで
あった。 １００％シランガス流量：５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％エチレンガス流量：５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ ２００ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：１５０ｃｍ3
／ｍｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 放電時間：３０ｍｉｎ
し、次いで、シラン、エチレンおよびジボランの混合ガ
スを導入してグロー放電分解することにより、光導電層
上に膜厚０．３μｍのアモルファス炭化シリコンからな
る表面層を形成した。その際の成膜条件は次のとおりで
あった。 １００％シランガス流量：５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％エチレンガス流量：５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ ２００ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：１５０ｃｍ3
／ｍｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 放電時間：３０ｍｉｎ
【００３４】以上のようにして作製された電子写真感光
体の波長７８０ｎｍにおける半減露光感度は帯電電位−
５００Ｖの時に０．３×１０7 ｃｍ2 ／Ｊ（０．３ｃｍ
2 ／ｅｒｇ）であり、残留電位は２０Ｖであり、帯電電
位および残留電位共に繰返しに対して安定していた。ま
た、暗減衰は、ａ−ＳｉＧｅ光導電層を形成しないもの
と比べて変化がなく、小さくて良好であった。この電子
写真感光体を負帯電用レーザビームプリンタ（ＸＰ−１
１；富士ゼロックス社製）に装着して画像評価を行った
ところ、解像度に優れ、画像濃度にムラのない鮮明な画
像が得られた。また、１週間放置後のサイクル特性も良
好であった。
体の波長７８０ｎｍにおける半減露光感度は帯電電位−
５００Ｖの時に０．３×１０7 ｃｍ2 ／Ｊ（０．３ｃｍ
2 ／ｅｒｇ）であり、残留電位は２０Ｖであり、帯電電
位および残留電位共に繰返しに対して安定していた。ま
た、暗減衰は、ａ−ＳｉＧｅ光導電層を形成しないもの
と比べて変化がなく、小さくて良好であった。この電子
写真感光体を負帯電用レーザビームプリンタ（ＸＰ−１
１；富士ゼロックス社製）に装着して画像評価を行った
ところ、解像度に優れ、画像濃度にムラのない鮮明な画
像が得られた。また、１週間放置後のサイクル特性も良
好であった。
【００３５】実施例３ 実施例２で形成した表面層上に第二の表面層として、ア
モルファス炭素層を形成した以外は、実施例２と同じ条
件で電子写真感光体を作製した。その際の成膜条件は次
のとおりであった。 １００％エチレンガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：４０．００Ｐａ（０．３Ｔｏｒｒ） 放電電力：８００Ｗ 放電時間：３０ｍｉｎ この電子写真感光体について高温高湿下（３０℃、ＲＨ
８５％）で繰返し帯電電位を測定したところ、１万回後
も初期と同じ電位が得られた。また、高温高湿下で負帯
電用レーザビームプリンタで１万枚コピーの画像評価を
行ったところ、良好な画像が得られ、更に５０万枚コピ
ー後も傷の発生がみられなかった。
モルファス炭素層を形成した以外は、実施例２と同じ条
件で電子写真感光体を作製した。その際の成膜条件は次
のとおりであった。 １００％エチレンガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：４０．００Ｐａ（０．３Ｔｏｒｒ） 放電電力：８００Ｗ 放電時間：３０ｍｉｎ この電子写真感光体について高温高湿下（３０℃、ＲＨ
８５％）で繰返し帯電電位を測定したところ、１万回後
も初期と同じ電位が得られた。また、高温高湿下で負帯
電用レーザビームプリンタで１万枚コピーの画像評価を
行ったところ、良好な画像が得られ、更に５０万枚コピ
ー後も傷の発生がみられなかった。
【００３６】
【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、光導電層
が、水素、ハロゲンおよび導電性を制御する第III 族元
素の少なくとも１種を含有するａ−Ｓｉ層と水素、ハロ
ゲンおよび第III 族元素を少なくとも含有するａ−Ｓｉ
Ｇｅ層とからなり、電荷注入阻止層が、特定量以下の第
III 族元素のみまたはケイ素に対して特定範囲の原子比
で窒素のみをドープした水素化アモルファスシリコン層
からなる。この結果、８００ｎｍまでの長波長域におけ
る光感度が高くて、半導体レーザビームプリンタ用感光
体として十分に適用可能である。また、感光体の光疲労
が少なく、暗減衰が小さいだけでなく、ドープされてい
る電荷注入阻止層を設けた従来の感光体では、休止後の
サイクル特性が悪化するという問題を生じていたが、本
発明では、休止後のサイクル特性も良好である。しか
も、複写操作の繰返し安定性にも優れている。一方、本
発明の電子写真感光体の製造方法は、プラズマ発光にお
ける３４０ｎｍを中心とするＧｅＦ2 の発光帯の強度が
ＧｅＦの発光帯の強度より大きい放電条件下に、上記ａ
−ＳｉＧｅ層を形成するものである。この製造方法によ
れば、感光体の暗減衰が小さく、長波長域における光感
度が高くなる。また、ＧｅＦ4やＧｅＦ2 等のフッ化ゲ
ルマニウムを原料として用いると、アモルファスシリコ
ン層中にゲルマニウムおよびフッ素を効果的に含有させ
ることができる。
が、水素、ハロゲンおよび導電性を制御する第III 族元
素の少なくとも１種を含有するａ−Ｓｉ層と水素、ハロ
ゲンおよび第III 族元素を少なくとも含有するａ−Ｓｉ
Ｇｅ層とからなり、電荷注入阻止層が、特定量以下の第
III 族元素のみまたはケイ素に対して特定範囲の原子比
で窒素のみをドープした水素化アモルファスシリコン層
からなる。この結果、８００ｎｍまでの長波長域におけ
る光感度が高くて、半導体レーザビームプリンタ用感光
体として十分に適用可能である。また、感光体の光疲労
が少なく、暗減衰が小さいだけでなく、ドープされてい
る電荷注入阻止層を設けた従来の感光体では、休止後の
サイクル特性が悪化するという問題を生じていたが、本
発明では、休止後のサイクル特性も良好である。しか
も、複写操作の繰返し安定性にも優れている。一方、本
発明の電子写真感光体の製造方法は、プラズマ発光にお
ける３４０ｎｍを中心とするＧｅＦ2 の発光帯の強度が
ＧｅＦの発光帯の強度より大きい放電条件下に、上記ａ
−ＳｉＧｅ層を形成するものである。この製造方法によ
れば、感光体の暗減衰が小さく、長波長域における光感
度が高くなる。また、ＧｅＦ4やＧｅＦ2 等のフッ化ゲ
ルマニウムを原料として用いると、アモルファスシリコ
ン層中にゲルマニウムおよびフッ素を効果的に含有させ
ることができる。
【図１】 本発明の電子写真感光体の縦断面図を示す。
【図２】 本発明の電子写真感光体の他の縦断面図を示
す。
す。
【図３】 本発明の電子写真感光体の別の縦断面図を示
す。
す。
【図４】 本発明の電子写真感光体の更に別の縦断面図
を示す。
を示す。
【図５】 四フッ化ゲルマニウムのプラズマＣＶＤにお
けるＧｅＦの相対発光強度を示すスペクトル図である。
けるＧｅＦの相対発光強度を示すスペクトル図である。
【図６】 四フッ化ゲルマニウムのプラズマＣＶＤにお
けるＧｅＦ2 の相対発光強度を示すスペクトル図であ
る。
けるＧｅＦ2 の相対発光強度を示すスペクトル図であ
る。
１…導電性基体、２…電荷注入阻止層、３…光導電層、
４…表面層。
４…表面層。
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくとも導電性基体、電荷注入阻止
層、光導電層および表面層を設けた正帯電用電子写真感
光体において、光導電層が、水素、ハロゲンおよび導電
性を制御する周期律表第III 族元素から選ばれる１種以
上の元素を少なくとも含有するアモルファスシリコンを
主体とする層と、水素、ハロゲンおよび上記第III 族元
素を少なくとも含有するアモルファスシリコンゲルマニ
ウムを主体とする層とからなり、電荷注入阻止層が、水
素および１０００ｐｐｍ以下の上記第III 族元素のみを
含有するアモルファスシリコン層からなることを特徴と
する正帯電用電子写真感光体。 - 【請求項２】 表面層が、周期律表第III 族元素、第Ｖ
族元素、炭素、窒素および酸素から選ばれる１種以上の
元素を少なくとも含有するアモルファスシリコンを主体
とする層、または上記第III 族元素、第Ｖ族元素、窒素
および酸素から選ばれる１種以上の元素を少なくとも含
有し、かつ水素およびハロゲンの少なくとも１種を５０
原子％以下含有するアモルファス炭素を主体とする層、
あるいはこれらのアモルファスシリコンおよびアモルフ
ァス炭素を主体とする層のいずれかまたは両者を複数層
積層したことを特徴とする請求項１記載の正帯電用電子
写真感光体。 - 【請求項３】 少なくとも導電性基体、電荷注入阻止
層、光導電層および表面層を設けた負帯電用電子写真感
光体において、光導電層が、水素、ハロゲンおよび導電
性を制御する周期律表第III 族元素から選ばれる１種以
上の元素を少なくとも含有するアモルファスシリコンを
主体とする層と、水素、ハロゲンおよび上記第III 族元
素を少なくとも含有するアモルファスシリコンゲルマニ
ウムを主体とする層とからなり、電荷注入阻止層が、水
素および窒素のみを含有し、ケイ素に対する窒素の原子
比が０．０１〜０．７であるアモルファスシリコン層か
らなることを特徴とする負帯電用電子写真感光体。 - 【請求項４】 表面層が、周期律表第III 族元素、第Ｖ
族元素、炭素、窒素および酸素から選ばれる１種以上の
元素を少なくとも含有するアモルファスシリコンを主体
とする層、または上記第III 族元素、第Ｖ族元素、窒素
および酸素から選ばれる１種以上の元素を少なくとも含
有し、かつ水素およびハロゲンの少なくとも１種を５０
原子％以下含有するアモルファス炭素を主体とする層、
あるいはこれらのアモルファスシリコンおよびアモルフ
ァス炭素を主体とする層のいずれかまたは両者を複数層
積層したことを特徴とする請求項３記載の負帯電用電子
写真感光体。 - 【請求項５】 原料としてフッ化ゲルマニウムを用い
て、アモルファスシリコンゲルマニウムを主体とする層
を形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに
記載の正帯電用または負帯電用電子写真感光体の製造方
法。 - 【請求項６】 少なくとも導電性基体、電荷注入阻止
層、光導電層および表面層を形成してなり、光導電層
が、水素、ハロゲンおよび導電性を制御する周期律表第
III 族元素から選ばれる１種以上の元素を少なくとも含
有するアモルファスシリコンを主体とする層と、水素、
フッ素および上記第III 族元素を少なくとも含有するア
モルファスシリコンゲルマニウムを主体とする層とから
なる電子写真感光体の製造方法において、プラズマ発光
における３４０ｎｍを中心とするＧｅＦ2 の発光帯の強
度がＧｅＦの発光帯の強度より大きいプラズマ放電法に
より、上記アモルファスシリコンゲルマニウムを主体と
する層を形成することを特徴とする電子写真感光体の製
造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5146679A JPH06337532A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
| US08/249,964 US5514507A (en) | 1993-05-27 | 1994-05-27 | Electrophotographic photoreceptor with amorphous Si-Ge layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5146679A JPH06337532A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06337532A true JPH06337532A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=15413149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5146679A Pending JPH06337532A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5514507A (ja) |
| JP (1) | JPH06337532A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6635397B2 (en) | 2001-04-24 | 2003-10-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Negative-charging electrophotographic photosensitive member |
| JP2009010356A (ja) * | 2007-05-31 | 2009-01-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5995795A (en) * | 1997-12-30 | 1999-11-30 | Elfotek Ltd. | Electrophotographic printing apparatus and method |
| US6180309B1 (en) | 1999-11-26 | 2001-01-30 | Xerox Corporation | Organic photoreceptor with improved adhesion between coated layers |
| US6528226B1 (en) | 2000-11-28 | 2003-03-04 | Xerox Corporation | Enhancing adhesion of organic electrostatographic imaging member overcoat and anticurl backing layers |
| JP4840271B2 (ja) * | 2007-07-02 | 2011-12-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像形成装置 |
| US20130341623A1 (en) | 2012-06-20 | 2013-12-26 | International Business Machines Corporation | Photoreceptor with improved blocking layer |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115552A (en) * | 1981-01-08 | 1982-07-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Electrophotographic receptor |
| JPS58171043A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-07 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS61243461A (ja) * | 1985-04-20 | 1986-10-29 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
| JPS625255A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-01-12 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
| US4992348A (en) * | 1988-06-28 | 1991-02-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member comprising amorphous silicon |
-
1993
- 1993-05-27 JP JP5146679A patent/JPH06337532A/ja active Pending
-
1994
- 1994-05-27 US US08/249,964 patent/US5514507A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6635397B2 (en) | 2001-04-24 | 2003-10-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Negative-charging electrophotographic photosensitive member |
| JP2009010356A (ja) * | 2007-05-31 | 2009-01-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| US8487342B2 (en) | 2007-05-31 | 2013-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5514507A (en) | 1996-05-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4760005A (en) | Amorphous silicon imaging members with barrier layers | |
| EP0219982B1 (en) | Overcoated amorphous silicon imaging members | |
| US5262262A (en) | Electrophotographic photoreceptor having conductive layer and amorphous carbon overlayer | |
| EP0163415B1 (en) | Substrate for light-receiving member and light-receiving member having the same | |
| JPH06337532A (ja) | 電子写真感光体およびその製造方法 | |
| US4932859A (en) | Electrophotographic photoreceptor having doped and/or bilayer amorphous silicon photosensitive layer | |
| JPH0572783A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2920718B2 (ja) | 電子写真感光体および電子写真法 | |
| JP2887553B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2929862B2 (ja) | 電子写真感光体および電子写真方法 | |
| JPH0695214B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP2887830B2 (ja) | 電子写真感光体および電子写真方法 | |
| JPH08171220A (ja) | 電子写真感光体及びその製造方法 | |
| US5462827A (en) | Electrophotographic photoreceptor and electrophotographic process | |
| JP2887828B2 (ja) | 電子写真感光体と電子写真法 | |
| JPH06242623A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP4086391B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0882943A (ja) | 電子写真感光体及びその製造方法並びに画像形成方法 | |
| JPH0695216B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH0695215B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP2883002B2 (ja) | 電子写真感光体及び電子写真画像形成方法 | |
| JPS61275856A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH0695220B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH0695219B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS62182746A (ja) | 電子写真用感光体及びその製造方法 |