JP2887828B2 - 電子写真感光体と電子写真法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、アモルファスシリコン
を光導電層とする電子写真感光体およびそれを用いた電
子写真法に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在最も一般に行われている電子写真法
では、帯電にコロトロン、スコロトロンなどのコロナ放
電を利用している。しかしながら、コロナ放電を利用し
た場合、放電生成物による画像ぼけ、画像喪失等の欠陥
画像をはじめ、オゾンの発生による変質および環境への
影響等の問題がある。近年、表面硬度、感度、耐久性に
優れた長寿命感光体として、水素化アモルファスシリコ
ン感光体の開発が進められているが、比誘電率がセレン
感光体や有機感光体に比べて大きいため、帯電に要する
電流が大きく、コロナ放電による帯電の場合には、オゾ
ンの発生や高湿時に画像ぼけが発生する等の問題があっ
た。このため、コロナ放電に代えてローラー帯電等の接
触帯電法が提案されている（特開昭６３−２１０８６４
号、同６４−２９８７５号公報、特開平２−２０３３５
９号公報）が、依然として帯電が不十分であった。さら
にまた、接触帯電器としてゴムローラーを用いた場合、
水素化アモルファスシリコン感光体は硬度が高いため、
ゴムローラーが磨耗して経時変化が生じ、長寿命感光体
の帯電方法としては信頼性に欠けるものであった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の技術
における上述のような問題点に鑑みてなされたものであ
って、接触帯電法によって高湿時でも十分な帯電を行う
ことができると共に、長期間にわたり安定してコピー操
作を行うことができる負帯電用電子写真感光体を提供す
ることを目的とするものである。本発明の他の目的は、
高湿時でも画像ぼけのない高品質のプリントを得ること
が可能な負帯電用電子写真感光体を提供することにあ
る。本発明の別の目的は、オゾンの発生がなく、高信頼
でかつ高速適性があり、長寿命の電子写真法を提供する
ことにある。本発明のさらに別の目的は、従来の電子写
真法の要素を簡略化して小型化し、かつ省エネルギー化
を実現することができる電子写真法を提供することにあ
る。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、感光体の表面
に電荷トラップ層と電荷注入層を積層して設けることに
より、機械的にも化学的にも安定な感光体が得られ、接
触帯電によって十分安定した帯電を行うことができると
いう知見に基づいてなされたものである。さらに、本発
明は、感光体の電荷注入層として、炭素を含む水素化お
よび／またはハロゲン化アモルファスシリコンから構成
することにより、感光体がｎ型半導体本来の極性を利用
できると同時に、第Ｖ族をドープした従来の電荷注入層
が経時的に表面酸化の影響を受けやすい欠点を改善する
ことができ、長期にわたって安定な注入層として機能で
きるという新たな知見に基づいてなされたものである。

【０００５】すなわち、本発明の第１の電子写真感光体
は、導電性基体上に、接触型帯電器から帯電極性と同極
性の電荷を注入させるための電荷注入層、その電荷をト
ラップさせるための電荷トラップ層およびアモルファス
シリコンを主体とする光導電層を、表面側から順次設け
た、表面に接触型帯電器を接触させて帯電させるための
電子写真感光体であって、電荷注入層が炭素を１ｐｐｍ
〜７０原子％含有する水素化および／またはハロゲン化
アモルファスシリコンからなり、電荷トラップ層が炭素
を１ｐｐｍ〜９９．９原子％および第III 族元素を５〜
１００００ｐｐｍ含有するアモルファスシリコンまたは
アモルファスカーボンからなり、かつ帯電極性が負帯電
性であることを特徴とする。本発明の第２の電子写真感
光体は、導電性基体上に、少なくとも、帯電極性と同極
性の電荷を注入させるための電荷注入層、その電荷をト
ラップさせるための電荷トラップ層およびアモルファス
シリコンを主体とする光導電層を、表面側から順次設け
た電子写真感光体であって、電荷注入層が炭素を含有す
る水素化および／またはハロゲン化アモルファスシリコ
ンからなり、電荷トラップ層が炭素、窒素、酸素および
第III 族元素から選択される少なくとも一種を含有する
アモルファスシリコンまたはアモルファスカーボンから
なり、電荷注入層上に、水素および／またはハロゲンを
含有し、かつ炭素、窒素および酸素から選択される少な
くとも一種を含有するアモルファスシリコンまたはアモ
ルファスカーボンからなる第二の電荷注入層が更に被覆
されており、かつ帯電極性が負帯電性であることを特徴
とする。また、本発明の電子写真法は、上記電子写真感
光体を帯電し、像露光し、現像し、定着する工程を含
み、帯電器を電子写真感光体表面に接触させ、外部より
電荷を供給して帯電させることを特徴とする。

【０００６】以下、本発明を詳細に説明する。図１〜図
３は、本発明の負帯電用電子写真感光体の一例を示すも
のであって、図１に示す感光体は、導電性基体１上に、
アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと略記する）を
主体とする光導電層２、電荷トラップ層３および電荷注
入層４が順次積層された層構造からなる。図２において
は、導電性基体１と光導電層２との間に電荷注入阻止層
５が設けられており、また電荷トラップ層３が複数層
（例えば３ａ、３ｂ、３ｃの３層）からなる。図３にお
いては、電荷注入層４が複数層（例えば４ａ、４ｂの２
層）からなり、また導電性基体１と電荷注入阻止層５と
の間に補助層６が設けられている。

【０００７】本発明の電子写真感光体において、導電性
基体としては、アルミニウム、ステンレス鋼、ニッケ
ル、クロム等の金属およびそれらの合金を用いることが
でき、また導電化処理を施した絶縁性基体であってもよ
い。絶縁性基体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアミド、ポ
リイミド等のフィルム状またはシート状の樹脂や、ガラ
ス、セラミック等が挙げられ、少なくともその上の層と
接触する面には導電化処理が施される。導電化処理は、
上記金属の他に、金、銀、銅等を蒸着法、スパッタリン
グ法、イオンプレーティング法により成膜することによ
って行うことができる。上記導電性基体は、一般にオー
ステナイト系ステンレス鋼と称されるＣｒ−Ｎｉ含有鋼
で形成されているものを用いることもできる。さらにま
た、このオーステナイト系ステンレス鋼製導電性基体表
面に、モリブデン、クロム、マンガン、タングステンま
たはチタンを主成分とする導電層を形成させたものが好
ましく使用される。これらの導電層は、メッキ、スパッ
タリングまたは蒸着によって形成することができる。導
電性基体は、また、アルミニウム基板上にクロム、チタ
ン、タングステンまたはモリブデンを主成分として形成
された導電層を有するものを用いることができる。さら
にまた、モリブデン、タングステンまたはチタンから構
成される導電性基体を用いることもできる。

【０００８】導電性基体は、その表面が研磨されている
ものを用いてもよい。すなわち、バフ研磨、砥石研磨等
により、研磨剤の粗さを粗粒から微粒に変えながら、繰
り返し実施することにより平滑にしたものを用いること
ができる。表面粗さは、Ｒsで２Ｓ〜０．０２Ｓの範
囲、好ましくは０．５Ｓ〜０．０３Ｓの範囲である。表
面は、完全な鏡面であっても、また細かい筋により曇り
状になっていてもよいが、全体としては平滑であり、旋
盤切削においては、切削ピッチの境界面に凸状部が残留
してないことが肝要である。導電性基体は、厚さ０．５
〜５０ｍｍ、好ましくは１〜２０ｍｍの範囲のものが使
用される。

【０００９】導電性基体上には、所望により、ａ−Ｓｉ
またはアモルファスカーボン（以下、ａ−Ｃと略記す
る）よりなり、好ましくは水素および／またはハロゲン
を含有する電荷注入阻止層が設けられる。この電荷注入
阻止層は、導電性基体から光導電層へ正電荷が注入する
のを阻止する機能を有する。その膜厚は０．１〜１０μ
ｍの範囲が好ましい。感光体の帯電極性が負帯電性であ
る本発明においては、第Ｖ族元素の中の少なくとも一種
を電荷注入阻止層に１〜１００００ｐｐｍの範囲で添加
することができる。また、この電荷注入阻止層には、接
着性向上等の目的で、炭素、窒素および酸素の少なくと
も一種を添加することも可能である。導電性基体と電荷
注入阻止層との間には、接着層として作用する補助層を
設けてもよい。補助層は、例えば炭素、窒素および酸素
の少なくとも一種を含有するアモルスファスシリコンよ
りなり、その膜厚は０．０１〜５μｍ、好ましくは０．
１〜１μｍの範囲である。

【００１０】導電性基体上に直接または電荷注入阻止層
上に設ける光導電層は、水素および／またはハロゲンを
含有するａ−Ｓｉを主体として構成される。その膜厚は
５〜１００μｍの範囲が好ましい。水素および／または
ハロゲンの含有量は３〜４０原子％の範囲である。光導
電層には、導電性を制御する不純物元素として、第III
族元素を含有させるのが好ましい。その添加量は０．０
１〜１０００ｐｐｍの範囲で用いられる。ａ−Ｓｉを主
体とするこの光導電層には、帯電性の向上、暗減衰の低
減、感度の向上等の目的で、更に炭素、窒素、酸素等を
添加することが可能である。さらに、光導電層にはゲル
マニウムおよびスズの少なくとも一種を含有させてもよ
い。この光導電層は、また、電荷発生層と電荷輸送層と
の二層から構成されていてもよい。

【００１１】光導電層上に設ける電荷トラップ層３は、
図１、３に示すように単層構造でも、図２に示すように
複数層より構成されていてもよい。図１、３に示す単層
構造の電荷トラップ層３、および図２に示す第一ないし
第三の電荷トラップ層３ａ、３ｂ、３ｃは、炭素、窒
素、酸素原子および第III 族元素の少なくとも一種を含
有するａ−Ｓｉまたはａ−Ｃから構成される。この電荷
トラップ層は、電荷注入層に注入された電荷をトラップ
する機能を有する。電荷トラップ層が、ａ−Ｓｉからな
る場合には、３〜４０原子％の水素および／またはハロ
ゲンが含まれていてもよい。また、ａ−Ｃからなる場合
には、５〜５０原子％の水素および／またはハロゲンが
含まれていてもよい。この場合、膜中に含まれる多量の
水素および／またはハロゲンは、膜中に鎖状の−ＣＨ₂
−結合、−Ｃ（ハロゲン）₂ −結合および−ＣＨ₃ 結合
を増加させ、結果として膜の硬度を損なうことになるた
め、膜中の水素およびハロゲンの量は５０原子％以下に
することが必要である。

【００１２】電荷トラップ層が単層構造の場合、電荷ト
ラップ層におけるトラップ密度の制御のために、炭素、
窒素および酸素の少なくとも一種を含有させるのが有効
である。これらの含有量は、炭素の場合１ｐｐｍ〜９
９．９原子％、窒素の場合１ｐｐｍ〜６０原子％、酸素
の場合１ｐｐｍ〜６０原子％である。また、必要に応じ
て添加される第III 族の含有量は、５〜１００００ｐｐ
ｍの範囲で膜厚に応じて適宜設定される。さらにまた、
電荷トラップ層には、様々な目的で他の元素を添加する
ことも可能である。また、電荷トラップ層の膜厚は、
０．０１〜１０μｍ、好ましくは０．１〜５μｍであ
る。一方、電荷トラップ層が例えば３層よりなる積層構
造の場合は、次のような構成を有するのが好ましい。す
なわち、第一の電荷トラップ層は、炭素、窒素および酸
素原子濃度がケイ素原子に対して原子比で０．１〜１．
０の範囲にあり、膜厚が０．０１〜０．２μｍの範囲に
あることが好ましい。第二の電荷トラップ層は、炭素、
窒素および酸素原子濃度がケイ素原子に対して原子比で
０．１〜１．０の範囲にあり、膜厚が０．０５〜２μｍ
の範囲にあることが好ましい。第三の電荷トラップ層
は、炭素、窒素および酸素原子濃度がケイ素原子に対し
て原子比で０．５〜１．３の範囲にあり、膜厚が０．０
１〜０．２μｍの範囲にあることが好ましい。

【００１３】電荷トラップ層上に設ける電荷注入層は、
図１、２に示すように単層構造でも、図３に示すように
複数層より構成されていてもよい。図１、２に示す電荷
注入層４、および図３に示す第一の電荷注入層４ａは、
炭素を含有する水素化および／またはハロゲン化ａ−Ｓ
ｉから構成され、帯電時に外部から負電荷が注入され
る。その膜厚は、０．０１〜１０μｍ、好ましくは０．
１〜５μｍである。水素および／またはハロゲンの含有
量は３〜４０原子％の範囲が好ましく、炭素の含有量は
１ｐｐｍ〜７０原子％、好ましくは１〜６５原子％であ
る。この電荷注入層には、膜硬度向上等の目的で更に酸
素を含有させてもよい。電荷注入層が積層構造からなる
場合には、第一の電荷注入層より上層の電荷注入層は、
窒素、酸素および第Ｖ族元素の少なくとも一種を含有す
るａ−Ｓｉから構成され、また、帯電器と接触する最上
層の電荷注入層（例えば、図３に示す第二の電荷注入層
４ｂ）は、水素および／またはハロゲンを含有し、かつ
炭素、窒素および酸素の少なくとも一種を含有するａ−
Ｓｉまたはａ−Ｃから構成されることが好ましい。

【００１４】以上のように、本発明は、電子写真感光体
の表面側に前記電荷トラップ層と電荷注入層とを積層し
て設けたことにより、感光体が機械的にも化学的にも安
定であり、接触帯電法を採用しても十分に安定した帯電
を行うことができる。しかも、電荷注入層が炭素を含有
する水素化および／またはハロゲン化ａ−Ｓｉから構成
されているため、感光体の極性をｎ型半導体体本来の極
性と一致することができると共に、第Ｖ族元素をドープ
した従来の電荷注入層と異なり、その表面が経時的な酸
化に対して安定であり、長期にわたって安定な注入層と
して機能することが可能である。

【００１５】次に、導電性基体上に上記各層を形成する
方法について説明する。電子写真感光体を構成する各層
は、いずれもプラズマＣＶＤ法によるグロー放電分解
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空
蒸着法等の手段によって形成することができる。その
際、原料ガスとして、ａ−Ｓｉ（補助層、光導電層およ
び電荷注入層）を形成する場合は、ケイ素原子を含む主
原料ガスが用いられる。また、ａ−Ｓｉまたはａ−Ｃ
（電荷注入阻止層、電荷トラップ層および複数層のうち
の最上層の電荷注入層）を形成する場合は、ケイ素原子
を含む主原料ガスまたは炭化水素もしくはそのハロゲン
置換体を含む主原料ガスが用いられる。各層の形成法を
グロー放電分解法を例にとって示すと、次のようにな
る。原料ガスとして、上記主原料ガスを用い、それに必
要な添加物元素を含む原料ガスを加えて混合ガスとす
る。その場合、必要に応じて、水素、またはヘリウム、
アルゴン、ネオン等の不活性ガスをキャリアガスとして
併用することができる。グロー放電分解は、直流および
交流放電のいずれを採用してもよく、成膜条件として
は、周波数５ＧＨｚ以下、反応器内圧０．００１〜１３
３３Ｐａ（１０^-5〜１０Ｔｏｒｒ）、放電電力１０〜３
０００Ｗであり、また基体温度は３０〜４００℃の範囲
で適宜設定される。各層の膜厚は、放電時間の調整によ
り適宜設定することができる。

【００１６】ケイ素原子を含む主原料ガスとしては、シ
ラン類、特にＳｉＨ₄ 、Ｓｉ₂ Ｈ₆が好ましく使用さ
れ、その他、ＳｉＣｌ₄ 、ＳｉＨＣｌ₃ 、ＳｉＨ₂ Ｃｌ
₂ 、ＳｉＨ₃ Ｃｌ、ＳｉＦ₄ 、ＳｉＨＦ₃ 、ＳｉＨ₂ Ｆ
₂ 、ＳｉＨ₃ Ｆ等が使用できる。主原料ガスとして、シ
ラン類を使用すると水素を含有したａ−Ｓｉが形成さ
れ、ハロゲン化シラン類を使用するとハロゲンが含有さ
れ、また、両者の混合ガスを使用すると、水素およびハ
ロゲンを含有したａ−Ｓｉが形成される。炭素、窒素ま
たは酸素を含有させるための原料ガスとしては、例えば
次のものが使用できる。炭素を含ませる場合には、メタ
ン、エタン、プロパン、エチレン、アセチレン等の炭化
水素、ＣＦ₄ 、Ｃ₂ Ｆ₆ 等のハロゲン化炭化水素を用い
ることができる。第Ｖ族元素を兼ねる窒素を含ませる場
合には、Ｎ₂ 単体ガス、ＮＨ₃ 、Ｎ₂ Ｈ₄ 、ＨＮ₃ 等の
水素化窒素化合物のガスを用いることができる。さらに
酸素を含ませる場合には、Ｏ₂ 、Ｎ₂ Ｏ、ＣＯ、ＣＯ₂
等を用いることができる。また、第III 族元素を含む原
料ガスとしは、典型的にはジボラン（Ｂ₂ Ｈ₆ ）が用い
られ、その他、ＡｌＨ₃ 等も使用できる。第Ｖ族元素を
含む原料ガスとしては、典型的には上記水素化窒素化合
物の他にホスフィン（ＰＨ₃ ）が用いられる。

【００１７】ａ−Ｃからなる層を形成する場合は、主原
料として次の化合物が使用できる。主体となる炭素の原
料としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペン
タン等の一般式Ｃ_n Ｈ_2n+2で示されるパラフィン系炭化
水素、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンテン等の
一般式Ｃ_n Ｈ_2nで示されるオレフィン系炭化水素、アセ
チレン、アリレン、ブチン等の一般式Ｃ_n Ｈ_2n-2で示さ
れるアセチレン系炭化水素の脂肪族炭化水素；シクロプ
ロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサ
ン、シクロヘプタン、シクロブテン、シクロペンテン、
シクロヘキセン等の脂環式炭化水素；ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、ナフタレン、アントラセン等の芳香族炭
化水素、あるいはそれらの置換体が挙げられる。これら
の炭化水素化合物は、枝分れ構造であってもよく、また
ハロゲン置換体であってもよい。例えば、四塩化炭素、
クロロホルム、四フッ化炭素、トリフルオロメタン、ク
ロロトリフルオロメタン、ジクロロジフルオロメタン、
ブロモトリフルオロメタン、パーフルオロエタン、パー
フルオロプロパン等のハロゲン化炭化水素を用いること
ができる。以上例示した炭素を含む原料は、常温でガス
状であっても、液状または固体状であってもよく、液状
または固体状である場合には、気化して用いられる。

【００１８】さらに、本発明の電子写真法について説明
する。図４は、本発明の電子写真感光体を用いるプリン
ター装置の一例を示すものであって、電子写真法は次の
ようにして実施される。すなわち、ａ−Ｓｉを主体とす
る光導電層を有する感光体ドラム１０の表面を、装置の
外部に設けられた電源１１から、一般に５０〜２０００
Ｖの範囲の電圧を印加した帯電器１２により帯電させ
る。次いで、原稿像を照射する光学系や、レーザー、Ｌ
ＥＤ等の画像入力装置１３からの光により露光し、静電
潜像を形成させる。形成された静電潜像は、現像器１４
によってトナーで可視化され、トナー像に変換させる。
この場合、現像は磁気ブラシ法を採用することができ
る。トナー像は、その後、圧力転写器または静電転写器
１５によって用紙１６に転写され、定着装置１７によっ
て定着される。一方、転写後の感光体ドラム１０表面に
残留したトナーは、ブレードを用いたクリーナー機構１
８により除去され、そして感光体ドラム１０表面に僅か
に残った電荷は除電光器１９により消去される。より好
ましい電子写真法としては、図５のプリンター装置に示
すにように、帯電器１２がクリーニングブレードとして
も作用する方法や、上記トナー像を用紙１６に転写、定
着させる際、転写定着ロール１５′を感光体ドラム１０
表面に対して加圧することによって、転写と定着を同時
に行う方法が挙げられる。図５に示されるプリンター装
置の場合には、電子写真法の要素を簡略化し、装置の小
型化、省エネルギー化の点で有利である。

【００１９】本発明において、帯電器に用いられるブレ
ードとしては、種々の金属よりなるものを使用すること
ができるが、中でも、アルミニウム、鉄、ニッケル、ス
テンレス鋼、タングステン、モリブデン、チタン等で構
成される金属帯電器が好ましく使用できる。さらに、前
述したように、帯電器と接触する電子写真感光体表面に
は、水素および／またはハロゲンを含有し、かつ炭素、
窒素および酸素の少なくとも一種を含有するａ−Ｓｉま
たはａ−Ｃからなる電荷注入層を別途被覆することが好
ましい。このような層を設けた感光体は、たとえピンホ
ールがあっても、それによる電源電圧の変動を防ぐ効果
があり、また金属ブレードの摩耗を低減する効果があ
る。

【００２０】

【実施例】以下、本発明を実施例によって具体的に説明
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。 実施例１ 基体として、厚さ４ｍｍで表面粗度がＲmax ０．０５μ
ｍのアルミニウム製円筒状基体を使用し、その上にｎ型
の電荷注入阻止層、光導電層および膜厚０．３μｍのｐ
型の電荷トラップ層と膜厚１．０μｍのｎ型の電荷注入
層を順次設けたａ−Ｓｉ感光体を製造した。すなわち、
反応器内を十分に排気し、次いでシランガス、水素ガス
およびアンモニアガスの混合ガスを導入して、グロー放
電分解することにより、上記円筒状基体上に電荷注入阻
止層を形成した。その際の成膜条件は次の通りであっ
た。 １００％シランガス流量：２０ｃｍ³ ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１８０ｃｍ³ ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：２０ｃｍ³ ／ｍｉｎ 反応器内圧：６６．６６Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ） 放電電力：５０Ｗ 放電時間：３０ｍｉｎ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 基体温度：２５０℃ （なお、以下の各層の成膜条件における放電周波数およ
び基体温度は、上記の値に固定した。）

【００２１】電荷注入阻止層の形成後、反応器内を十分
に排気し、次いでシランガス、水素ガスおよびジボラン
ガスの混合ガスを導入して、グロー放電分解することに
より、電荷注入阻止層上に膜厚２０μｍの光導電層を形
成した。その際の成膜条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：１８０ｃｍ³ ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１７８ｃｍ³ ／ｍｉｎ ２０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２ｃｍ³ ／ｍｉ
ｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 放電時間：２００ｍｉｎ

【００２２】光導電層の形成後、反応器内を十分に排気
し、次いでシランガス、エチレンガスおよびジボランガ
スの混合ガスを導入して、グロー放電分解することによ
り、光導電層上に膜厚０．３μｍの電荷トラップ層を形
成した。その際の成膜条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：９０ｃｍ³ ／ｍｉｎ １００％エチレンガス流量：９０ｃｍ³ ／ｍｉｎ ２００ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：１８０ｃｍ³
／ｍｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：２００Ｗ 放電時間：１０ｍｉｎ

【００２３】電荷トラップ層の形成後、反応器内を十分
に排気し、次いでシランガス、水素ガスおよびエチレン
ガスの混合ガスを導入して、グロー放電分解することに
より、電荷トラップ層上に膜厚約１．０μｍの電荷注入
層を形成した。その際の成膜条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：９０ｃｍ³ ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１８０ｃｍ³ ／ｍｉｎ １００％エチレンガス流量：９０ｃｍ³ ／ｍｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：５０Ｗ 放電時間：３０ｍｉｎ

【００２４】上記のようにして製造された電子写真感光
体を図４に示すプリンター装置に組み込み、毎分４０枚
で画像形成を行った。接触帯電器としては、ゴム製の帯
電ロールを用い、それに−１５００Ｖの電圧を印加し
た。また、現像剤として一成分現像剤を使用し、磁気ブ
ラシ現像を行った。得られた画像は鮮明であり、しかも
カブリは全く認められなかった。

【００２５】実施例２ 実施例１と同じ電子写真感光体を図５に示すプリンター
装置に組み込み、毎分４０枚で画像形成を行った。帯電
器兼クリーナーとして、厚さ０．５ｍｍで先端が研磨さ
れた鋼鉄製のブレードを用い、帯電器に−４００Ｖの電
圧を印加した。１０万枚の画像試験の結果、感光体表面
にはトナーや添加物の付着は認められず、帯電も安定し
ていた。また、得られた画像は鮮明であった。

【００２６】実施例３ 実施例１で形成された（第一の）電荷注入層上に、膜厚
０．１μｍの第二の電荷注入層を形成した。その成膜条
件は次の通りであった。 １００％水素ガス流量：１８０ｃｍ³ ／ｍｉｎ １００％エチレンガス流量：３０ｃｍ³ ／ｍｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：５００Ｗ 放電時間：３０ｍｉｎ 製造された電子写真感光体を図４に示すプリンター装置
に組み込み、実施例１と同様にして毎分４０枚で画像形
成を行った。得られた画像は鮮明であり、１０万枚まで
画像に滲みや白点、黒点等は認められなかった。

【００２７】

【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、前記したよ
うに、ａ−Ｓｉを主体とした光導電層上に電荷トラップ
層および電荷注入層を設けたものであって、接触帯電法
により、高湿時でも画像ぼけのない高品質のプリントが
得られる。特に長期のプリント走行においても表面から
の電荷の注入に変化がない。また、本発明の電子写真感
光体を用いる電子写真法は、オゾンの発生がなく、高信
頼でかつ高速適性があり、長寿命である。また、従来の
電子写真法の要素を簡略化して小型化し、省エネルギー
化を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の電子写真感光体の一例を示す断面図
である。

【図２】 本発明の電子写真感光体の他の例を示す断面
図である。

【図３】 本発明の電子写真感光体のさらに他の例を示
す断面図である。

【図４】 本発明を実施するためのプリンター装置の概
略図である。

【図５】 本発明を実施するための他のプリンター装置
の概略図である。

【符号の説明】

１…導電性基体、２…光導電層、３…電荷トラップ層、
４…電荷注入層、５…電荷注入阻止層、６…補助層、１
０…感光体ドラム、１１…電源、１２…帯電器、１３…
画像入力装置、１４…現像器、１５…静電転写器、１
５′…転写定着ロール、１６…用紙、１７…定着装置、
１８…クリーナー機構、１９…除電光器。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小野 雅人 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼ ロックス株式会社内 (72)発明者 福田 讓 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼ ロックス株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−173657（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−284558（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−183660（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−8161（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−14248（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G03G 5/00 - 5/16

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性基体上に、少なくとも、接触型帯
   電器から帯電極性と同極性の電荷を注入させるための電
   荷注入層、その電荷をトラップさせるための電荷トラッ
   プ層およびアモルファスシリコンを主体とする光導電層
   を、表面側から順次設けた、表面に接触型帯電器を接触
   させて帯電させるための電子写真感光体において、電荷
   注入層が炭素を１ｐｐｍ〜７０原子％含有する水素化お
   よび／またはハロゲン化アモルファスシリコンからな
   り、電荷トラップ層が炭素を１ｐｐｍ〜９９．９原子％
   および第III 族元素を５〜１００００ｐｐｍ含有するア
   モルファスシリコンまたはアモルファスカーボンからな
   り、かつ帯電極性が負帯電性であることを特徴とする電
   子写真感光体。
2. 【請求項２】 導電性基体上に、少なくとも、帯電極性
   と同極性の電荷を注入させるための電荷注入層、その電
   荷をトラップさせるための電荷トラップ層およびアモル
   ファスシリコンを主体とする光導電層を、表面側から順
   次設けた電子写真感光体において、電荷注入層が炭素を
   含有する水素化および／またはハロゲン化アモルファス
   シリコンからなり、電荷トラップ層が炭素、窒素、酸素
   および第III 族元素から選択される少なくとも一種を含
   有するアモルファスシリコンまたはアモルファスカーボ
   ンからなり、電荷注入層上に、水素および／またはハロ
   ゲンを含有し、かつ炭素、窒素および酸素から選択され
   る少なくとも一種を含有するアモルファスシリコンまた
   はアモルファスカーボンからなる第二の電荷注入層が更
   に被覆されており、かつ帯電極性が負帯電性であること
   を特徴とする電子写真感光体。
3. 【請求項３】 導電性基体と光導電層との間に、帯電極
   性と反対の極性の電荷の注入を阻止する電荷注入阻止層
   を設けた請求項１または２に記載の電子写真感光体。
4. 【請求項４】 電荷注入阻止層が、炭素、窒素、酸素お
   よび第Ｖ族元素から選択される少なくとも一種を含有す
   るアモルファスシリコンまたはアモルファスカーボンか
   らなる請求項３記載の電子写真感光体。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の電子写
   真感光体を帯電し、像露光し、現像し、定着する工程を
   含む電子写真法において、接触型帯電器を電子写真感光
   体表面に接触させ、外部より電荷を供給して負帯電させ
   ることを特徴とする電子写真法。
6. 【請求項６】 帯電器がクリーニングブレードである請
   求項５記載の電子写真法。