JP2971166B2 - 画像形成装置 - Google Patents

画像形成装置

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JP2971166B2
JP2971166B2 JP9433691A JP9433691A JP2971166B2 JP 2971166 B2 JP2971166 B2 JP 2971166B2 JP 9433691 A JP9433691 A JP 9433691A JP 9433691 A JP9433691 A JP 9433691A JP 2971166 B2 JP2971166 B2 JP 2971166B2
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  • Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
  • Discharging, Photosensitive Material Shape In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、コロナ帯電を不要とし
て露光と現像とがほぼ同時に行えるように組み合わせた
電子写真方式に用いられる画像形成装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】従来、電子写真方式の画像形成装置とし
ては、コロナ放電により感光体に帯電を行なうカールソ
ン方式が広く用いられている。この方式では、ドラム状
あるいはベルト状の感光体の周囲に、コロナ帯電器、露
光手段、現像手段、転写手段、クリーニング手段、除電
手段等を配置し、帯電、露光、現像、転写、定着のプロ
セスを経て、記録紙上に画像を形成するため、装置の構
成や画像形成プロセスが複雑になり、コロナ放電用には
高電圧電源が必要であり、またコロナ放電のためにオゾ
ンが発生して周囲に悪影響を与える等の問題があった。
【0003】これらの問題に対して近時、コロナ放電を
不要とする電子写真方式が提案されている(特開昭58-4
4445号、特開昭58-153957 号、特開昭61-46961号、特開
昭62−280772号など)。
【0004】上記提案の電子写真方式によれば、透光性
支持体上に透光性導電層と光導電層とを順次積層したド
ラム状もしくはベルト状感光体に対して、透光性支持体
側より露光器により露光するとともに、現像バイアス供
給用の電源によりバイアス電圧を印加した現像器上の導
電性磁性トナーからなる磁気ブラシでもって感光体表面
を摺擦させ、これによって帯電と露光と現像とをほぼ同
時に行ない、感光体上にトナー像を形成する。そのトナ
ー像は、転写ローラを用いて記録紙に転写され、定着手
段により定着されて記録画像となる。一方、感光体上に
残留したトナーは、現像器で回収され、再利用される。
【0005】上記提案の電子写真方式に用いられる感光
体によれば、図6に示すように透光性支持体24の全面
に亘って透光性導電層25を形成し、そして、その層2
5の端部領域26をマスク(図示せず)し、光導電層を
形成した後にマスクを取り除いて、上記端部領域26以
外の領域に光導電層27を形成し、かくして、透光性導
電層25のうち端部領域26に位置する部分を外部取り
出し用の電極端子としていた。
【0006】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、上記
構成の感光体においては例えばアモルファスシリコン系
の材料を用いてプラズマCVD法やスパッタリング法に
より光導電層を形成するが、その際に成膜時のガス圧力
が高いために被成膜面に飛来する堆積前駆体の平均自由
行程が短くなり、これによってマスク内部へ回り込みや
すくなり、その結果、透光性導電層25の端部領域26
にアモルファスシリコン系の膜が堆積されていた。
【0007】また、被成膜面が高周波電界下に配置され
た状態となり、これによってマスクにおける端部領域2
6の成膜側境界付近で局所放電が発生し、その結果、透
光性導電層25の物性が変化したり、アモルファスシリ
コン系(以下、アモルファスシリコンをa−Siと略
す)の光導電層の物性が変わるという問題点があった。
また、マスクを用いた場合、それの取り付け作業時に透
光性導電層25の表面にゴミ等が付着し、その後に形成
した光導電層27の特性を損ねるという問題点もあっ
た。
【0008】更にまた、マスクが配置された条件下で光
導電層27を薄膜形成手段により形成した場合、その光
導電層27の端部領域26付近では一般的に他の光導電
層領域に比べて特性上劣り、しかも、境界が不明瞭とな
って商品的価値を低下させるという問題点もあった。
【0009】他方、光導電層27を液体塗布装置を用い
てOPC系材料により形成する場合、その塗布用液体へ
のディッピング及び引き上げ工程に際して、マスクに起
因して均一膜厚が得られないという問題点がある。
【0010】
【問題点を解決するための手段】本発明の画像形成装置
は、表面が導電性を有する透光性支持体に光導電層を形
成した感光体と、その感光体の上記光導電層側に配設し
た現像手段と、上記感光体に現像剤による画像を形成さ
せるべく上記透光性支持体側から光照射する光源とから
構成され、感光体端部付近の光導電層上に電極端子を設
け、この電極端子上もしくは透光性支持体側に第2の光
源を配設して、透光性支持体と電極端子との間の光導電
層領域を第2の光源による光照射により導電性と成し、
その間を通電せしめたことを特徴とする。
【0011】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。図1
は本発明画像形成装置1による電子写真方法を表す模式
図であり、図中、2は透光性支持体3上に透光性導電層
4とキャリア注入阻止層5aと光導電層5と表面層6が
積層されたドラム状の感光体、7は露光手段としてのL
EDヘッド、8は現像器、9は転写ローラである。7a
は感光体の端部に形成された電極部を光照射するための
電極照明用LEDであって、感光体の中心軸方向にわた
って全長もしくは感光体端部に照射する。LEDヘッド
7と現像器8は、感光体2のある一部を介して、ほぼ対
称的に配置される。10はイレース用光源としてのLE
Dアレイであり、感光体2の外側に配置してもよい。現
像器8においては、例えば8極の円柱状の磁極ローラ1
1と、その外周に亘って配設された導電性スリーブ12
とから成り、更にトナー受13に貯蔵された現像剤とし
ての一成分磁性導電性トナーはスリーブ12の外周へ配
送され、磁気ブラシ14を形成する。また、スリーブ1
2と透光性導電層4との間にはバイアス電源15が設け
られ、その両者4、15の間に感光体2の電位特性に応
じて+或いは−の5〜300Vの電圧を印加する。16
は感光体2の表面に形成されたトナー層、17は記録
紙、18は残留トナーである。これ以外に現像剤の回転
手段と感光体2の回転手段とを設ける。
【0012】かくして上記構成の画像形成装置によれ
ば、回転する感光体2の透光性支持体3にLEDヘッド
7より画像露光の光を照射し、光導電層5の内部に正孔
と電子を発生させると、現像器8側に+のバイアス電圧
を印加してあれば、そのバイアス電圧によって電子は光
導電層5の表面側へ移動し、磁気ブラシ14の末端の正
電荷と打ち消し合い、感光体2の表面に導電性トナーが
付着される。そして、その導電性トナーは転写ローラ9
により記録紙17上に転写され、次いで定着される。
【0013】尚、露光手段にはここではLEDヘッドを
用いたが、レーザやELヘッド、蛍光プリントヘッド、
液晶シャッタ等を用いたものでも良い。イレース用光源
10にも、LEDアレイの他、ハロゲンランプや蛍光
灯、ELアレイ等の光源が使用可能である。
【0014】図2は上記感光体2の一部と現像手段8に
より形成される現像剤溜り19を表す説明図である。
【0015】現像剤を保持させる現像器8は、導電性の
スリーブ12と、その内部に配置された磁極ローラ11
とから成り、現像剤の搬送は、磁極ローラ11を固定し
てスリーブ12を回転してもよく、またはスリーブ12
を固定して内部の磁極ローラ11を回転しても良い。
【0016】ここで現像剤を感光体2と逆方向に回転さ
せると、両者の摩擦で現像器8と感光体2の最近接部位
よりも下流側(現像剤が離れる側)に現像剤溜り19が
生じる。現像剤溜り19は図の破線で区切った部分であ
る。即ち現像剤の本来の高さよりもはみ出した部分が現
像剤溜り19であり、現像剤の搬送速度や現像剤の高
さ、スリーブ12と感光体2の表面とのギャップ等は、
感光体2の回転速度や必要とする現像剤溜り19の大き
さに応じて適宜設定する。
【0017】このように感光体と現像剤とを逆方向に回
転させると、両者の摩擦により現像手段と感光体との最
近接部位よりも下流側に現像剤溜りが発生し、現像剤を
感光体と同方向に回転させ、現像剤の周速を感光体の周
速よりも大きくする場合よりも、安定で再現性が高い。
従って、現像剤溜りを安定して再現性良く得るためには
感光体と現像剤とを逆方向に回転させることが好まし
い。
【0018】また20は制御電極であり、この制御電極
20はスリーブ12上で感光体2との最近接部位に設
け、絶縁体21でスリーブ12と絶縁する。制御電極2
0は、感光体2や現像剤に均一な電界が加わるように、
スリーブ12の長さ方向に沿った帯状とする。
【0019】この制御電極20の電位を現像手段の電位
と独立に設定するための電圧印加手段22を設けてお
き、制御電極20に電圧を印加すると画像濃度が向上す
るための制御電極20には電圧印加手段22を設けてお
くことが好ましい。
【0020】即ち、帯状の制御電極20を設け、その電
位を電圧印加手段22により所定の電位に調整して、例
えば制御電極20を接地したり、透光性導電層4と共通
電位にしたり、あるいはスリーブ12の電位に対してそ
の電位を低くもしくは高く設定する。このようにスリー
ブ12とは独立に電位に印加できる制御電極20を設け
ると、感光体2の表面電位を現像剤を介して中和し、あ
るいは感光体2の表面の電位を揃え、以前のプロセスで
の帯電や露光の有無等による感光体2の履歴の影響を打
ち消すことができ、この結果、繰り返し使用時、例えば
1枚の画像を得るために感光体2を数回転させる場合等
に、安定した現像状態と記録画像とが得られる。ここで
制御電極20の電位を調整すると、画像濃度や地かぶり
等に対する最適画像形成条件を調整して得ることができ
る。また、制御電極20の電位を高くし、スリーブ12
の電位を低くすることにより、非露光部にトナーが付着
し、露光部にはトナーが付着しない、いわゆる反転現像
も可能になった。
【0021】現像剤には例えば導電性トナーを用いる
が、これは磁気ブラシ14および現像剤溜り19を形成
し、必要な導電性を有すれば、1成分の現像剤でもよ
く、導電性のキャリアと絶縁性のトナーとを所定の混合
比で混合して必要な導電率にした2成分の現像剤を用い
てもよい。
【0022】画像露光を行う位置は、感光体2の表面と
現像スリーブ12との最近接位置Aではなく、感光体2
の逆方向回転で下流側に形成した現像剤溜り19の位置
Bとし、好ましくは現像剤溜り19の中でも下流側の後
半部とするのがよい。
【0023】即ち、現像剤溜りの部分で露光を行ない、
好ましくは、現像剤溜りの上流側よりも下流側で露光す
ると、 (1)露光前の感光体と現像剤との接触距離が大きく、
均一で十分な帯電が得られ、この結果均一で十分な濃度
のトナー像が得られる。
【0024】(2)露光前の現像剤と感光体との接触距
離が大きいため、感光体表面の残留トナーおよび画像背
景部に付着するトナーを十分に回収して地かぶりを小さ
くできる。
【0025】(3)露光後に感光体は現像剤から速やか
に離れるため、現像剤によって感光体の露光部が再帯電
されるために感光体とトナーの付着力が弱まり、感光体
表面に付着したトナーが現像手段に回収されてトナー濃
度が低下するといった問題を小さくできる。
【0026】(4)露光後に感光体は現像剤から速やか
に離れるため、感光体表面に形成されたトナー像と現像
剤との摩擦等の機械的な力によるトナー像の乱れを小さ
くできる。
【0027】(5)露光位置での現像手段と感光体との
距離が大きいため、現像剤を磁極ローラ11の側に吸引
する磁力は弱く、感光体2の表面に形成されたトナー像
16の一部が磁力によって現像手段の側に回収されて画
像濃度が低下したり、磁力によって乱されて解像度が低
下したりすることを防止できる等の利点を有し、均一な
画像形成が行える。
【0028】かくして感光体2の表面に形成されたトナ
ー像16は次いで記録紙17に転写され、定着されて記
録画像となり、転写されずに感光体2の表面に残った残
留トナー18は、次の画像形成プロセスにおいて現像手
段に回収されて再利用される。
【0029】更に、転写後の感光体2にイレース用光源
10により除電光を照射することにより、以前のプロセ
スでの帯電や露光の有無等による感光体2の履歴の影響
をより効果的に打ち消すことができ、繰り返し使用時に
おける残像現象などの画像上の問題を抑制することが出
来る。また、感光体2の光導電層5と表面層6との界面
にトラップされたキャリアを消去し、感光体2とその表
面の残留トナーとの電気的な引力をなくして、残留トナ
ーを現像器8に回収され易くすることが出来る。
【0030】図3は前記感光体2の破断面図であり、そ
の端部付近の周囲にわたる表面層6上にAl層等を蒸着
もしくはスパッタリングにより形成し、感光体ドラムの
両端もしくは一方端に電極端子6aをリング状に形成す
る。
【0031】上記電極端子6aをAl層の厚みを大きく
して非透光性になるように層状に形成した場合には、電
極照射用LED7aを感光体ドラムの内側に設定すれば
よい。あるいは上記電極端子6aをITOなどの材料に
より透光性になるように層状に形成した場合には、電極
照射用LED7aを感光体ドラムの内側または外側のい
ずれに設置してもよい。
【0032】また本実施例によれば、電極照射用LED
7aに代わる光源としてハロゲンランプやEL等の光源
を用いてもよい。
【0033】図3によれば、感光体2はドラム状透光性
支持体3の外周面に透光性導電層4を形成し、更にその
透光性導電層4の上にキャリア注入阻止層5a、光導電
層5および表面層6を積層した構成である。
【0034】上記透光性支持体3を構成する材料には、
パイレックスガラス、ソーダガラス、ホウ珪酸ガラスな
ど、また石英、サファイアなどの無機質系、並びに弗素
樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエチレン
テレフタレート、ビニロン、エポキシ、マイラーなどの
有機樹脂系が挙げられる。
【0035】上記透光性導電層4を構成する材料には、
インジウム・スズ・酸化物(ITO)、酸化錫、酸化
鉛、酸化インジウム、ヨウ化銅などがあり、また半透明
になる程度に薄くしたAl、Ni、Auなどから成る金
属層を用いてもよい。その層形成法には真空蒸着法、活
性反応蒸着法、RFスパッタリング法、DCスパッタリ
ング法、RFマグネトロンスパッタリング法、DCマグ
ネトロンスパッタリング法、熱CVD法、プラズマCV
D法、スプレー法、塗布法、浸漬法などがある。
【0036】キャリア注入阻止層5aは感光体2表面が
バイアス電圧を印加されつつ現像剤と接触した際に、透
光性導電層4から光導電層5へのキャリアの注入を阻止
することにより、露光部と非露光部との静電コントラス
トを高めて画像濃度を向上させると共に、現像における
バックグラウンドのかぶりを低減する。
【0037】光導電層5がa−Si系である場合、この
層5aには、絶縁性のa−SiC、a−SiO、a−S
iN、a−SiON、a−SiCON等のa−Si系絶
縁層や、ポリエチレンテレフタレートやパリレン、ポリ
四フッ化エチレン、ポリイミド、ポリフッ化エチレンプ
ロピレン、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル
樹脂、ポリカーボネート樹脂、酢酸セルローズ樹脂、そ
の他の有機絶縁層等を用いると良い。
【0038】この層5aには、ドーピング元素、即ち周
期律表第IIIa族元素もしくは第Va族元素を比較的高濃
度でドープしたa−SiC、a−SiO、a−SiN、
a−SiON、a−SiCON等のa−Si系があり、
この層5aには、透光性支持体3側からの画像露光の光
を吸収しないように透光性が高く(光学的バンドギャッ
プが大きい、または光透過率が高い)、更に透光性導電
層4やa−Si系光導電層5との密着性が良く、a−S
i系光導電層5の形成時の加熱等にも大きな変質を起こ
さないといった特性が必要である。このキャリア注入阻
止層5aの厚みは、0.01〜5μm、好適には0.1
〜3μmの範囲内が良い。
【0039】光導電層5には、例えばa−Si系光導電
層を用いるのがよく、このa−Si系層は、例えばグロ
ー放電分解法、スパッタリング法、ECR法、蒸着法な
どにより形成し、その形成に当たってダングリングボン
ド終端用に水素(H)やハロゲン元素を1〜40原子%
含有させる。また、この層の暗導電率や光導電率などの
電気的特性、光学的バンドギャップなどについて所望の
特性を得るために、周期律表第IIIa族元素(以下周期律
表第IIIa族元素をIIIa族元素と略す)や第Va族元素
(以下Va族元素と略す)を含有させたり、カーボン
(C)、窒素(N)、酸素(O)等の元素を含有させる
とよい。就中、アモルファスシリコンカーバイド(以下
アモルファスシリコンカーバイドをa−SiCと略す)
を光導電層5に用いる場合には、Si1-X x のx値を
0<x≦0.5、好適には0.05≦x≦0.45の範
囲に設定するとよく、この範囲であれば、a−Si層よ
りも高抵抗となり、かつ良好なキャリアの走行が確保で
きるという点で望ましい。
【0040】a−Si系光導電層5の厚みは、露光波長
の光に対するこの層の吸収係数から求められる光吸収の
深さに対して更に0.1〜10.0μmを加えた厚みと
するのがよい。
【0041】表面層6には高抵抗体層であって、有機材
料もしくは無機材料により形成する。特にa−SiC
や、アモルファスシリコンナイトライド(a−Si
N)、アモルファスシリコンオキサイド(a−Si
O)、アモルファスシリコンオキシカーバイド(a−S
iCO)、アモルファスシリコンオキシナイトライド
(a−SiNO)などのa−Si系の層を用いるのがよ
く、これらは光導電層5と同様の薄膜形成手段により形
成する。表面層6と光導電層5にa−SiCを用いた場
合には、光導電層5に含まれるカーボン量に比べて表面
層6のカーボンを多く含有させる。この表面層6におけ
るカーボン量は、Si1-X x のx値で0.3≦x<
1.0、好適には0.5≦x≦0.95の範囲がよい。
この層内でカーボン量に勾配を形成してもよく、あるい
はカーボンとともに、N、O、Geを含有させて耐湿性
を更に高めることができる。
【0042】表面層6の厚みは0.05〜5μm、好適
には0.1〜3μmにすればよく、0.05μm未満の
場合には、繰り返し使用した場合、磨耗により寿命も劣
る。5μmを越えた場合には精細な電荷パターンを形成
するに当たって、この層6中で電界(電気力線)が膜面
方向に広がりを生じ、これにより、解像力の低下をきた
し、十分な解像度が得られない。また、表面に残留する
電荷が多くなって残留電位が高くなるため、画像濃度の
低下やバックのかぶり或いは繰り返し使用における画像
濃度の変化等の問題が生じる。
【0043】かくして得られる感光体層の全体の膜厚
は、露光光源としてLEDやELを用いた場合には、約
1〜15μm、好適には2〜10μmの範囲内が良く、
この範囲内であれば、露光が十分に吸収されて良好な光
感度を示すと共に、感光体としての耐圧も確保でき、低
いバイアス電圧でも良好な画像が得られる。
【0044】尚、本例は透光性支持体3の上に透光性導
電層4を形成した構成であるが、それに代えて、その支
持体を導電性材料により形成して透光性導電層4を不要
にしてもよい。
【0045】本発明は上述した機能を有する感光体2に
対して光導電層5やキャリア注入阻止層5aにIIIa族元
素やVa族元素をドーピングして図4及び図5に示すよ
うな2タイプの感光体を作成する。
【0046】図4は感光体ドラムの内側から電極部を照
射した場合であり、図5は感光体ドラムの外側から電極
部を照射した場合である。キャリア注入阻止層5aは高
抵抗もしくは絶縁材料により形成し、例えばa−Si系
の層である場合、酸素又は窒素又は炭素の各元素を合計
して例えば60%以下含有させればよい。また、光導電
層5はI型もしくはN型又はP型の半導体材料により形
成し、例えばa−Si系の層である場合、IIIa族元素を
0〜100ppmまたはVa族元素を例えば0〜100
0ppm含有させればよい。
【0047】かくして得られる構成の感光体2によれ
ば、現像器8側に+のバイアス電圧を印加して導電性ト
ナーを介して光導電層5の表面を正電位にした場合、画
像記録領域においては透光性導電層4を基準として正帯
電型となって正電位保持機能を有するが、これに対して
電極端子6aに形成された領域によれば、常時又は現像
時に照射されることによって透光性導電層4と電極端子
6aとの間には導通が得られる。
【0048】他方負帯電型感光体においても、同様に現
像器8側に−のバイアス電圧を印加して導電性トナーを
介して光導電層5の表面を負電位にした場合、画像記録
領域においては透光性導電層4を基準として負帯電型と
なって負電位保持機能を有するが、これに対して電極端
子6aに形成された領域によれば、常時又は現像時に照
射されることによって透光性導電層4と電極端子6aと
の間には導通が得られる。
【0049】かくして上記構成の感光体2を用いた場
合、マスクを用いないでも外部導出用の電極端子6aを
形成することができ、これにより、マスクを用いたこと
による問題点が解決できた。
【0050】次に実施例を個々詳述する。
【0051】(例1)透明な円筒状ガラス基板の外周面
に、透光性導電層としてITO層を活性反応蒸着法によ
り1000Åの厚みで形成し、次いでその上に容量結合
型グロー放電分解装置を用いて表1の成膜条件によりa
−SiC注入阻止層、a−Si光導電層、a−SiC高
抵抗表面層を順次積層し、然る後に真空蒸着装置を用い
てマスクしてAl蒸着により1μmの厚みの電極端子を
円筒体両端の外周面に形成し、正帯電型の感光体Aを作
製した。
【0052】
【表1】
【0053】この感光体Aを図2に示すような画像形成
装置に装着し、そして、スリーブ12と透光性導電層4
との間にVs=+30Vの電圧を印加し、波長660n
m、露光量0.5μJ/cm2 の条件で画像露光を行
い、同時に図4に示すように電極照明用LEDを設けて
感光体端部を露光し、これによって感光体上にトナー像
を形成し、そのトナー像を記録紙に転写し、熱定着を行
って画像を得た。
【0054】この画像を評価したところ、光学濃度(以
下、O.D.と記す)が全周面に亘って1.3の画像濃
度を有し、バックのカブリのない解像度の良好な画像で
あった。
【0055】(例2) (例1)の感光体作製に当たって、表1に示す各層に代
えて表2に示す成膜条件によりa−SiC注入阻止層、
a−Si光導電層、a−SiC高抵抗表面層を順次形成
し、その他は(例1)と同じ条件により作製して負帯電
型の感光体Bを作った。
【0056】
【表2】
【0057】この感光体を図2の構成の構成の光背面記
録方式の電子写真装置に装着し、その感光体内部の現像
器と対向する位置にLEDヘッドを配し、現像電極と感
光体の透光性電極層との間に+30Vの電圧を印加しな
がら、波長660nm、露光量0.5μJ/cm2 の条
件で画像露光を行い、同時に図4に示すように電極照明
用LEDを設けて感光体端部を露光し、これによって感
光体上にトナー像を形成し、そのトナー像を記録紙に転
写し、熱定着を行って画像を得た。この画像を評価した
ところ、O.D.が全周面に亘って1.3の画像濃度を
有し、バックのカブリのない、解像度の良好な画像であ
った。
【0058】(例3)透明な円筒状ガラス基板の外周面
に、透光性導電層としてITO層を活性反応蒸着法によ
り1000Åの厚みで形成し、次いでこの円筒状ガラス
基板の端部(両端または型端)を、アルミホイルまたは
アルミキャップ等でマスクする。その後、このマスク付
きガラス基板上に、容量結合型グロー放電分解装置を用
いて表1の成膜条件によりa−SiC注入阻止層、a−
Si光導電層、a−SiC高抵抗表面層を順次積層し
て、感光体を作製した。
【0059】かくして得られた感光体よりマスクを取り
外したところ、マスク近傍の感光膜の厚み等に乱れがあ
り、マスクの境界がはっきりしない(マスク通りになっ
ていない)外観であった。
【0060】次にこの感光体を図2に示すような画像形
成装置に装着し、そして、スリーブ12と透光性導電層
4との間にVs=+30Vの電圧を印加し、波長660
nm、露光量0.5μJ/cm2 の条件で画像露光を行
い、感光体上にトナー像を形成し、そのトナー像を記録
紙に転写し、熱定着を行って画像を得た。
【0061】この画像を評価したところ、ほとんどの領
域においてO.D.が1.3の画像濃度を有し、バック
のカブリのない解像度の良好な画像が得られたが、マス
ク近傍の領域においてはO.D.が0.6〜1.2の画
像濃度を有し、バックのカブリも若干見られる画像が得
られた。
【0062】
【発明の効果】本発明によれば、マスクを用いないで感
光体に電極端子を形成することができ、マスクを用いた
ことによる種々の問題点、即ち、透光性導電層やa−S
i系光導電層の物性劣化や層厚のむら、成膜欠陥の発生
などがなく、これによって高信頼性かつ高品質の画像形
成装置を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる電子写真方法を示す模式図であ
る。
【図2】本発明の電子写真方法の要部構成図である。
【図3】波長に対する光吸収の深さを表す線図である。
【図4】本発明に係る感光体の断面図である。
【図5】本発明に係る感光体の断面図である。
【図6】従来の感光体の断面図である。
【符号の説明】
2 感光体 7 LEDヘッド 7a 電極照射用LED 8 現像器 9 転写ローラ 10 イレース用光源 4 透光性導電層 5 光導電層 5a キャリア注入阻止層 6 表面層

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】表面が導電性を有する透光性支持体に光導
    電層を形成した感光体と、該感光体の上記光導電層側に
    配設した現像手段と、上記感光体に現像剤による画像を
    形成させるべく上記透光性支持体側から光照射する光源
    とから成る画像形成装置において、前記感光体端部付近
    の光導電層上に電極端子を設け、該電極端子上もしくは
    前記透光性支持体側に第2の光源を配設して、透光性支
    持体と電極端子との間の前記光導電層領域を第2の光源
    による光照射により導電性と成し、その間を通電せしめ
    たことを特徴とする画像形成装置。
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