JPH04301667A

JPH04301667A - 画像形成装置

Info

Publication number: JPH04301667A
Application number: JP3091206A
Authority: JP
Inventors: Hisashi Higuchi; 永樋口
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1991-03-28
Filing date: 1991-03-28
Publication date: 1992-10-26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、コロナ帯電を不要とし
て露光と現像とがほぼ同時に行えるように組み合わせた
電子写真方式に用いられる画像形成装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子写真方式の画像形成装置とし
ては、コロナ放電により感光体に帯電を行なうカールソ
ン方式が広く用いられている。この方式では、ドラム状
あるいはベルト状の感光体の周囲に、コロナ帯電器、露
光手段、現像手段、転写手段、クリーニング手段、除電
手段等を配置し、帯電、露光、現像、転写、定着のプロ
セスを経て、記録紙上に画像を形成するため、装置の構
成や画像形成プロセスが複雑になり、コロナ放電用には
高電圧電源が必要であり、またコロナ放電のためにオゾ
ンが発生して周囲に悪影響を与える等の問題があった。

【０００３】これらの問題に対して近時、コロナ放電を
不要とする電子写真方式が提案されている（特開昭５８
−４４４４５号、特開昭５８−１５３９５７　号、特開
昭６１−４６９６１号、特開昭６２−２８０７７２号な
ど）。

【０００４】上記提案の電子写真方式によれば、透光性
支持体上に透光性導電層と光導電層とを順次積層したド
ラム状もしくはベルト状感光体に対して、透光性支持体
側より露光器により露光するとともに、現像バイアス供
給用の電源によりバイアス電圧を印加した現像器上の導
電性磁性トナーからなる磁気ブラシでもって感光体表面
を摺擦させ、これによって帯電と露光と現像とをほぼ同
時に行ない、感光体上にトナー像を形成する。そのトナ
ー像は、転写ローラを用いて記録紙に転写され、定着手
段により定着されて記録画像となる。一方、感光体上に
残留したトナーは、現像器で回収され、再利用される。

【０００５】上記提案の電子写真方式に用いられる感光
体によれば、図６に示すように透光性支持体２４の全面
に亘って透光性導電層２５を形成し、そして、その層２
５の端部領域２６をマスク（図示せず）し、光導電層を
形成した後にマスクを取り除いて、上記端部領域２６以
外の領域に光導電層２７を形成し、かくして、透光性導
電層２５のうち端部領域２６に位置する部分を外部取り
出し用の電極端子としていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、上記
構成の感光体２３においては例えばアモルファスシリコ
ン系の材料をプラズマＣＶＤ法やスパッタリング法によ
り光導電層を形成するが、その際に成膜時のガス圧力が
高いために被成膜面に飛来する堆積前駆体の平均自由行
程が短くなり、これによってマスク内部へ回り込みやす
くなり、その結果、透光性導電層２５の端部領域２６に
アモルファスシリコン系の膜が堆積されていた。

【０００７】また、被成膜面が高周波電界下に配置され
た状態であるため、マスクの端部領域において成膜側境
界付近で局所放電が発生し、その結果、透光性導電層２
５の物性が変化したり、アモルファスシリコン系（以下
、アモルファスシリコンをａ−Ｓｉと略す）の光導電層
の物性が変わるという問題点があった。

【０００８】また、マスクを用いた場合、それの取り付
け作業時に透光性導電層２５の表面にゴミ等が付着し、
その後に形成した光導電層２７の特性を損ねるという問
題点もあった。

【０００９】更にまた、マスクが配置された条件下で光
導電層２７を薄膜形成手段により形成した場合、その光
導電層２７の端部領域２６付近では一般的に他の光導電
層領域に比べて特性上劣り、しかも、境界が不明瞭とな
って商品的価値を低下させるという問題点もあった。

【００１０】他方、光導電層２７を液体塗布装置を用い
てＯＰＣ系材料により形成する場合、その塗布用液体へ
のディッピング及び引き上げ工程に際して、マスクが起
因して均一膜厚が得られないという問題点がある。

【００１１】

【問題点を解決するための手段】本発明の画像形成装置
は、表面が導電性を有する透光性支持体上に光導電層を
形成した感光体と、その感光体の上記光導電層側に配設
した現像手段と、上記感光体に現像剤による画像を形成
させるべく上記透光性支持体側から照射する光源とから
構成され、感光体端部付近の光導電層上に電極端子を設
けるとともに、光導電層がＰ型半導体層領域とＩ型もし
くはＮ型半導体層領域との積層構造であり、その順方向
特性が電圧印加に対して抵抗が小さくなる極性であるこ
とによって透光性支持体と電極端子との間を通電せしめ
ることを特徴とするものである。

【００１２】また、本発明の画像形成装置は、光導電層
が上記積層構造に代えてＮ型半導体層領域とＩ型もしく
はＰ型半導体層領域とが順次積層された構造であること
を特徴とする。

【００１３】

【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。図１
は本発明画像形成装置１の構成を表す模式図であり、図
中、２は透光性支持体３上に透光性導電層４とキャリア
注入阻止層５ａとａ−Ｓｉ系等の光導電層５と表面層６
が積層されたドラム状の感光体、７は露光手段としての
ＬＥＤヘッド、８は現像器、９は転写ローラである。Ｌ
ＥＤヘッド７と現像器８は、感光体２のある一部を介し
て、ほぼ対称的に配置される。１０はイレース用光源と
してのＬＥＤアレイであり、感光体２の外側に配置して
もよい。現像器８においては、例えば８極の円柱状の磁
極ローラ１１と、その外周に亘って配設された導電性ス
リーブ１２とから成り、更にトナー受１３に貯蔵された
現像剤としての一成分磁性導電性トナーはスリーブ１２
の外周へ配送され、磁気ブラシ１４を形成する。また、
スリーブ１２と透光性導電層４との間にはバイアス電源
１５が設けられ、その両者４、１５の間に感光体２の電
位特性に応じて＋或いは−の０〜３００Ｖの電圧を印加
する。１６は感光体２の表面に形成されたトナー層、１
７は記録紙、１８は残留トナーである。これ以外に現像
剤の回転手段と感光体２の回転手段とを設ける。

【００１４】かくして上記構成の画像形成装置によれば
、回転する感光体２の透光性支持体３にＬＥＤヘッド７
より画像露光の光を照射し、ａ−Ｓｉ系光導電層５の内
部に正孔と電子を発生させると、現像器８側に＋のバイ
アス電圧を印加してあれば、そのバイアス電圧によって
電子はａ−Ｓｉ系光導電層５の表面側へ移動し、磁気ブ
ラシ１４の末端の正電荷と打ち消し合い、感光体２の表
面に導電性トナーが付着される。そして、その導電性ト
ナーは転写ローラ９により記録紙１７上に転写され、次
いで定着される。

【００１５】尚、露光手段にはここではＬＥＤヘッドを
用いたが、レーザや液晶シャッタ等を用いたものでも良
い。イレース用光源１０にも、ＬＥＤアレイの他、ハロ
ゲンランプや蛍光灯、ＥＬアレイ等の光源が使用可能で
ある。

【００１６】図２は上記感光体２の一部と現像手段８に
より形成される現像剤溜り１９を表す説明図である。

【００１７】現像剤を保持させる現像器８は、導電性の
スリーブ１２と、その内部に配置された磁極ローラ１１
とから成り、現像剤の搬送は、磁極ローラ１１を固定し
てスリーブ１２を回転してもよく、またはスリーブ１２
を固定して内部の磁極ローラ１１を回転しても良い。

【００１８】ここで現像剤を感光体２と逆方向に回転さ
せると、両者の摩擦で現像器８と感光体２の最近接部位
よりも下流側（現像剤が離れる側）に現像剤溜り１９が
生じる。現像剤溜り１９は図の破線で区切った部分であ
り、現像剤の本来の高さよりもはみ出した部分が現像剤
溜り１９であって、現像剤の搬送速度や現像剤の高さ、
スリーブ１２と感光体２の表面とのギャップ等は、感光
体２の回転速度や必要とする現像剤溜り１９の大きさに
応じて適宜設定する。

【００１９】このように感光体と現像剤とを逆方向に回
転させると、両者の摩擦により現像手段と感光体との最
近接部位よりも下流側に現像剤溜りが発生し、現像剤を
感光体と同方向に回転させ、現像剤の周速を感光体の周
速よりも大きくする場合よりも、安定で再現性が高い。従って、現像剤溜りを安定して再現性良く得るためには
感光体と現像剤とを逆方向に回転させることが好ましい
。

【００２０】また２０は制御電極であり、この制御電極
２０はスリーブ１２上で感光体２との最近接部位に設け
、絶縁体２１でスリーブ１２と絶縁する。制御電極２０
は、感光体２や現像剤に均一な電界が加わるように、ス
リーブ１２の長さ方向に沿った帯状とする。

【００２１】この制御電極２０の電位を現像手段の電位
と独立に設定するための電圧印加手段２２を設けておき
、制御電極２０に電圧を印加すると画像濃度が向上する
ための制御電極２０には電圧印加手段２２を設けておく
ことが好ましい。

【００２２】即ち、帯状の制御電極２０を設け、その電
位を電圧印加手段２２により所定の電位に調整して、例
えば制御電極２０を接地したり、透光性導電層４と共通
電位にしたり、あるいはスリーブ１２の電位に対してそ
の電位を低くもしくは高く設定する。このようにスリー
ブ１２とは独立に電位を印加できる制御電極２０を設け
ると、感光体２の表面電位を現像剤を介して中和し、あ
るいは感光体２の表面の電位を揃え、以前のプロセスで
の帯電や露光の有無等による感光体２の履歴の影響を打
ち消すことができ、この結果、繰り返し使用時、例えば
１枚の画像を得るために感光体２を数回転させる場合等
に、安定した現像状態と記録画像とが得られる。ここで
制御電極２０の電位を調整すると、画像濃度や地カブリ
等に対する最適画像形成条件を調整して得ることができ
る。また、制御電極２０の電位を高くし、スリーブ１２
の電位を低くすることにより、非露光部にトナーが付着
し、露光部にはトナーが付着しない、いわゆる反転現像
も可能になった。

【００２３】現像剤には例えば導電性磁性トナーを用い
るが、これは磁気ブラシ１４および現像剤溜り１９を形
成し、必要な導電性を有すれば、１成分の現像剤でも良
く、導電性のキャリアと絶縁性のトナーとを所定の混合
比で混合して必要な導電率にした２成分の現像剤を用い
ても良い。

【００２４】画像露光を行なう位置は、感光体２の表面
と現像スリーブ１２との最近接位置Ａではなく、感光体
２の逆方向回転で下流側に形成した現像剤溜り１９の位
置Ｂとし、好ましくは現像剤溜り１９の中でも下流側の
後半部とするのがよい。

【００２５】即ち、現像剤溜りの部分で露光を行ない、
好ましくは、現像剤溜りの上流側よりも下流側で露光す
ると、

【００２６】（１）露光前の感光体と現像剤との接触距
離が大きく、均一で十分な帯電が得られ、この結果均一
で十分な濃度のトナー像が得られる

【００２７】（２）露光前の現像剤と感光体との接触距
離が大きいため、感光体表面の残留トナーおよび画像背
景部に付着するトナーを十分に回収して地カブリを小さ
くできる

【００２８】（３）露光後に感光体は現像剤から速やか
に離れるため、現像剤によって感光体の露光部が再帯電
されるために感光体とトナーの付着力が弱まり、感光体
表面に付着したトナーが現像手段に回収されてトナー濃
度が低下するといった問題を小さくできる

【００２９】
（４）露光後に感光体は現像剤から速やかに離れるため
、感光体表面に形成されたトナー像と現像剤との摩擦等
の機械的な力によるトナー像の乱れを小さくできる

【００３０】（５）露光位置での現像手段と感光体との
距離が大きいため、現像剤を磁極ローラ１１の側に吸引
する磁力は弱く、感光体２の表面に形成されたトナー像
１６の一部が磁力によって現像手段の側に回収されて画
像濃度が低下したり、磁力により乱されて解像度が低下
したりすることを防止できる等の利点を有し、均一な画
像形成が行える。

【００３１】かくして感光体２の表面に形成されたトナ
ー像１６は次いで記録紙１７に転写され、定着されて記
録画像となり、転写されずに感光体２の表面に残った残
留トナー１８は、次の画像形成プロセスにおいて現像手
段に回収されて再利用される。

【００３２】更に、転写後の感光体２にイレース用光源
１０により除電光を照射することにより、以前のプロセ
スでの帯電や露光の有無等による感光体２の履歴の影響
をより効果的に打ち消すことができ、繰り返し使用時に
おける残像現象などの画像上の問題を抑制することが出
来る。また、感光体２の光導電層５と表面層６との界面
にトラップされたキャリアを消去し、感光体２とその表
面の残留トナーとの電気的な引力をなくして、残留トナ
ーを現像器８に回収され易くすることが出来る。

【００３３】図３は前記感光体２の破断面図であり、そ
の端部付近の周面に亘る表面層６上にＡｌ層等を蒸着も
しくはスパッタリングにより形成し、電極端子６をリン
グ状に形成する。

【００３４】これらの図において、感光体２はドラム状
透光性支持体３の外周面に透光性導電層４を形成し、更
にその透光性導電層４の上に一方の伝導型半導体層領域
であるキャリア注入阻止層５ａと他方の伝導型半導体層
領域である光導電層５並びに表面層６を積層した構成で
ある。

【００３５】上記透光性支持体３を構成する材料には、
パイレックスガラス、ソーダガラス、ホウ珪酸ガラスな
ど、また石英、サファイアなどの無機質系、並びに弗素
樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエチレン
テレフタレート、ビニロン、エポキシ、マイラーなどの
有機樹脂系が挙げられる。

【００３６】上記透光性導電層４を構成する材料には、
インジウム・スズ・酸化物（ＩＴＯ）、酸化錫、酸化鉛
、酸化インジウム、ヨウ化銅などがあり、また半透明に
なる程度に薄くしたＡｌ、Ｎｉ、Ａｕなどから成る金属
層を用いてもよい。その層形成法には真空蒸着法、活性
反応蒸着法、ＲＦスパッタリング法、ＤＣスパッタリン
グ法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、ＤＣマグネ
トロンスパッタリング法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ
法、スプレー法、塗布法、浸漬法などがある。

【００３７】キャリア注入阻止層５ａは感光体２表面が
バイアス電圧を印加されつつ現像剤と接着した際に、透
光性導電層４からａ−Ｓｉ系光導電層５へのキャリアの
注入を阻止することにより、露光部と非露光部との静電
コントラストを高めて画像濃度を向上させると共に、現
像におけるバックグラウンドのカブリを低減する。

【００３８】この層５ａには、ドーピング元素、即ち周
期律表第ＩＩＩａ族元素もしくは第Ｖａ族元素を比較的
高濃度でドープしたａ−ＳｉＣ、ａ−ＳｉＯ、ａ−Ｓｉ
Ｎ、ａ−ＳｉＯＮ、ａ−ＳｉＣＯＮ等のａ−Ｓｉ系があ
り、この層５ａには、透光性支持体３側からの画像露光
の光を吸収しないように透光性が高く（光学的バンドギ
ャップが大きい、または光透過率が高い）、更に透光性
導電層４やａ−Ｓｉ系光導電層５との密着性が良く、ａ
−Ｓｉ系光導電層５の形成時の加熱等にも大きな変質を
起こさないといった特性が必要である。このキャリア注
入阻止層５ａの厚みは、０．０１〜５μｍ、好適には０
．１〜３μｍの範囲内が良い。

【００３９】光導電層５には、例えばａ−Ｓｉ系光導電
層を用いるのがよく、このａ−Ｓｉ系層は、例えばグロ
ー放電分解法、スパッタリング法、ＥＣＲ法、蒸着法な
どにより形成し、その形成に当たってダングリングボン
ド終端用に水素（Ｈ）やハロゲン元素を１〜４０原子％
含有させる。また、この層の暗導電率や光導電率などの
電気的特性、光学的バンドギャップなどについて所望の
特性を得るために、周期律表第ＩＩＩａ族元素（以下周
期律表第ＩＩＩａ族元素をＩＩＩａ族元素と略す）や第
Ｖａ族元素（以下Ｖａ族元素と略す）を含有させたり、
カーボン（Ｃ）、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）等の元素を含
有させるとよい。就中、アモルファスシリコンカーバイ
ド（以下アモルファスシリコンカーバイドをａ−ＳｉＣ
と略す）を光導電層５に用いる場合には、Ｓｉ１−Ｘ　
Ｃｘ　のＸ値を０＜Ｘ≦０．５、好適には０．０５≦Ｘ
≦０．４５の範囲に設定するとよく、この範囲であれば
、ａ−Ｓｉ層よりも高抵抗となり、かつ良好なキャリア
の走行が確保できるという点で望ましい。

【００４０】ａ−Ｓｉ系光導電層５の厚みは、露光波長
の光に対するこの層の吸収係数から求まる光吸収の深さ
に対して更に０．１〜２．０μｍを加えた厚みとするの
がよい。

【００４１】表面層６には高抵抗体層であって、有機材
料もしくは無機材料により形成する。特にａ−ＳｉＣや
、アモルファスシリコンナイトライド（ａ−ＳｉＮ）、
アモルファスシリコンオキサイド（ａ−ＳｉＯ）、アモ
ルファスシリコンオキシカーバイド（ａ−ＳｉＣＯ）、
アモルファスシリコンオキシナイトライド（ａ−ＳｉＮ
Ｏ）などのａ−Ｓｉ系の層を用いるのがよく、これらは
光導電層５と同様の薄膜形成手段により形成する。表面
層６と光導電層５にａ−ＳｉＣを用いた場合には、光導
電層５に含まれるカーボン量に比べて表面層６のカーボ
ンを多く含有させる。この表面層６におけるカーボン量
は、Ｓｉ１−Ｘ　Ｃｘ　のＸ値で０．３≦Ｘ＜１．０、
好適には０．５≦Ｘ≦０．９５の範囲がよい。この層内でカーボン量に勾配を形成してもよく、あるい
はカーボンとともに、Ｎ、Ｏ、Ｇｅを含有させて耐湿性
を更に高めることができる。

【００４２】表面層６の厚みは０．０５〜５μｍ、好適
には０．１〜３μｍにすればよく、０．０５μｍ未満の
場合には、繰り返し使用した場合、磨耗により寿命も劣
る。５μｍを越えた場合には精細な電荷パターンを形成
するに当たって、この層６中で電界（電気力線）が膜面
方向に広がりを生じ、これにより、解像力の低下をきた
し、十分な解像度が得られない。また、表面に残留する
電荷が多くなって残留電位が高くなるため、画像濃度の
低下やバックのカブリ或いは繰り返し使用における画像
濃度の変化等の問題が生じる。

【００４３】かくして得られる感光体層の全体の膜厚は
、露光光源としてＬＥＤやＥＬを用いた場合には、約１
〜１５μｍ、好適には２〜１０μｍの範囲内が良く、こ
の範囲内であれば、露光が十分に吸収されて良好な光感
度を示すと共に、感光体としての耐圧も確保でき、低い
バイアス電圧でも良好な画像が得られる。

【００４４】尚、本例は透光性支持体３の上に透光性導
電層４を形成した構成であるが、それに代えて、その支
持体を導電性材料により形成して透光性導電層４を不要
にしてもよい。

【００４５】本発明は上述した機能を有する感光体２に
対して光導電層５やキャリア注入阻止層５ａにＩＩＩａ
族元素やＶａ族元素をドーピングして図４及び図５に示
すような２タイプの感光体を作成した点が特徴である。

【００４６】図４は正帯電型の感光体の場合であり、キ
ャリア注入阻止層５ａはＰ型半導体材料より形成し、例
えばａ−Ｓｉ系の層である場合、ＩＩＩａ族元素を例え
ば０〜１０，０００ｐｐｍ含有させればよい。また光導
電層５にはＩ型もしくはＮ型半導体材料より形成し、例
えばａ−Ｓｉ系の層である場合、ＩＩＩａ族元素を０〜
１００ｐｐｍまたはＶａ族元素を例えば０〜１，０００
ｐｐｍ含有させればよい。

【００４７】かくして得られる構成の感光体によれば、
現像器８側に＋のバイアス電圧を印加して導電性トナー
を介して光導電層５の表面を正電位にした場合、画像記
録領域においては透光性導電層４を基準として正帯電型
となり、半導体特性上逆方向となって正電位保持機能を
有するが、これに対して電極端子６ａに形成された領域
によれば、透光性導電層４から電極端子６ａへ向かって
半導体特性上順方向（矢印Ａ）となって導通が得られる
。

【００４８】他方の図５は負帯電型の感光体の場合であ
り、キャリア注入阻止層５ａはＮ型半導体材料より形成
し、例えばａ−Ｓｉ系の層である場合、Ｖａ族元素を例
えば０〜１０，０００ｐｐｍ含有させればよい。また光
導電層５にはＩ型もしくはＰ型半導体材料より形成し、
例えばａ−Ｓｉ系の層である場合、ＩＩＩａ族元素を例
えば０〜１，０００ｐｐｍ含有させればよい。

【００４９】上記負帯電型感光体においても、同様に、
現像器８側に−のバイアス電圧を印加して導電性トナー
を介して光導電層５の表面を負電位にした場合、画像記
録領域においては透光性導電層４を基準として負帯電型
となり、半導体特性上逆方向となって負電位保持機能を
有するが、これに対して電極端子６ａに形成された領域
によれば、透光性導電層４から電極端子６ａへ向かって
半導体特性上順方向（矢印Ａ）となって導通が得られる
。

【００５０】かくして上記構成の感光体２を用いた場合
、マスクを用いないでも外部導出用の電極端子を形成す
ることができ、これにより、マスクを用いたことにより
種々の問題点が解消できた。

【００５１】次に実施例を個々詳述する。

【００５２】（例１）透明な円筒状ガラス基板の外周面
に、透光性導電層としてＩＴＯ層を活性反応蒸着法によ
り１０００Åの厚みで形成し、次いでその上に容量結合
型グロー放電分解装置を用いて表１の成膜条件によりａ
−Ｓｉ注入阻止層、ａ−Ｓｉ光導電層、ａ−ＳｉＣ高抵
抗表面層を順次積層し、然る後に真空蒸着装置を用いて
マスクしてＡｌ蒸着により１μｍの厚みの電極端子を円
筒体両端の外周面に形成し、正帯電型の感光体Ａを作製
した。

【００５３】

【表１】

【００５４】この感光体Ａを図２に示すような画像形成
装置に装着し、そして、スリーブ１２と透光性導電層４
との間にＶｓ＝＋３０Ｖの電圧を印加し、波長６６０ｎ
ｍ、露光量０．５　μＪ／ｃｍ２　の条件で画像露光を
行い、感光体上にトナー像を形成し、そのトナー像を記
録紙に転写し、熱定着を行って画像を得た。この画像を
評価したところ、光学濃度（以下、Ｏ．Ｄ．と記す。）
が全周面に亘って１．３の画像濃度を有し、バックのカ
ブリのない解像度の良好な画像であった。

【００５５】（例２）（例１）の感光体作製に当たって
、表１に示す各層に代えて表２に示す成膜条件によりａ
−ＳｉＣ注入阻止層、ａ−Ｓｉ光導電層、ａ−ＳｉＣ高
抵抗表面層を順次形成し、その他は（例１）と同じ条件
により作製して負帯電型の感光体Ｂを作った。

【００５６】

【表２】

【００５７】この感光体を図２の構成の構成の光背面記
録方式の電子写真装置に装着し、その感光体内部の現像
器と対向する位置にＬＥＤヘッドを配し、現像電極と感
光体の透光性電極層との間に＋３０Ｖの電圧を印加しな
がら、波長６６０ｎｍ、露光量０．５μＪ／ｃｍ２　の
条件で画像露光を行い、感光体上にトナー像を形成し、
そのトナー像を記録紙に転写し、熱定着を行って画像を
得た。この画像を評価したところ、Ｏ．Ｄ．が全周面に
亘って１．３の画像濃度を有し、バックのカブリのない
、解像度の良好な画像であった。

【００５８】（例３）透明な円筒状ガラス基板の外周面
に、透光性導電層としてＩＴＯ層を活性反応蒸着法によ
り１，０００Åの厚みで形成し、次いでこの円筒状ガラ
ス基板の端部（両端または型端）を、アルミホイルまた
はアルミキャップ等でマスクする。その後、このマスク
付きガラス基板上に、容量結合型グロー放電分解装置を
用いて表１の成膜条件によりａ−Ｓｉ注入阻止層、ａ−
Ｓｉ光導電層、ａ−ＳｉＣ高抵抗表面層を順次積層して
、感光体を作製した。

【００５９】かくして得られた感光体よりマスクを取り
外したところ、マスク近傍の感光膜の厚み等に乱れがあ
り、マスクの境界がはっきりしない（マスク通りになっ
ていない）外観であった。

【００６０】次にこの感光体を図２に示すような画像形
成装置に装着し、そして、スリーブ１２と透光性導電層
４との間にＶｓ＝＋３０Ｖの電圧を印加し、波長６６０
ｎｍ、露光量０．５μＪ／ｃｍ２　の条件で画像露光を
行い、感光体上にトナー像を形成し、そのトナー像を記
録紙に転写し、熱定着を行って画像を得た。

【００６１】この画像を評価したところ、ほとんどの領
域においてＯ．Ｄ．が１．３の画像濃度を有し、バック
のカブリのない解像度の良好な画像が得られたが、マス
ク近傍の領域においてはＯ．Ｄ．が０．６〜１．２の画
像濃度を有し、バックのカブリも若干見られる画像が得
られた。

【００６２】

【発明の効果】本発明によれば、マスクを用いないで感
光体に電極端子を形成することができ、マスクを用いた
ことによる種々の問題点、即ち、透光性導電層やａ−Ｓ
ｉ系光導電層の物性劣化がなく、これによって高信頼性
かつ高品質の画像形成装置を提供することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の画像形成装置の構成を示す模式図であ
る。

【図２】本発明の画像形成装置の要部構成図である。

【図３】本発明に係る感光体の破断面図である。

【図４】本発明に係る感光体の断面図である。

【図５】本発明に係る感光体の断面図である。

【図６】従来の感光体の断面図である。

【符号の説明】

２　　　　感光体４　　　　透光性導電層５　　　　光導電層５ａ　　キャリア注入阻止層６　　　　表面層６ａ　　電極端子７　　　　ＬＥＤヘッド８　　　　現像器９　　　　転写ローラ１０　　イレース用光源

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面が導電性を有する透光性支持体上に光
導電層を形成した感光体と、該感光体の上記光導電層側
に配設した現像手段と、上記感光体に現像剤による画像
を形成させるべく上記透光性支持体側から照射する光源
とから成る画像形成装置において、前記感光体端部付近
の光導電層上に電極端子を設けるとともに、前記光導電
層をＰ型半導体層領域とＩ型もしくはＮ型半導体層領域
とが順次積層された構造にして前記透光性支持体と電極
端子との間を通電せしめることを特徴とする画像形成装
置。
【請求項２】前記光導電層がＮ型半導体層領域とＩ型も
しくはＰ型半導体層領域とが順次積層された構造である
請求項１記載の画像形成装置。