JP3659458B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は水素化アモルファスシリコン光導電層を備えた電子写真感光体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
アモルファスシリコン(以下、アモルファスシリコンをa−Siと略記する)を光導電層とした感光体が、すでに製品化されているが、このa−Si感光体は正帯電用であって、導電性基板上にグロー放電分解法により水素化アモルファスシリコン(以下、水素化アモルファスシリコンをa−Si:Hと略記する)からなる電荷注入阻止層とa−Si:H光導電層とを順次積層した層構成である。そして、a−Si:H電荷注入阻止層に周期律表第IIIb族元素をドーピングすることで電子に対するポテンシャル障壁が形成され、これにより、導電性基板からの電子の注入を防ぎ、正帯電用の電子写真感光体が得られる。
【0003】
他方、上記電荷注入阻止層に対し周期律表第IIIb族元素に代えて周期律表第Vb族元素をドーピングすることでホールに対するポテンシャル障壁が形成され、これにより、導電性基板からのホールの注入を防ぐようにして、従来のOPC感光体に代わる負帯電用の電子写真感光体が期待されているが、いまだ実用化には至っていない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者は、このように実用化されない課題について、種々検討をおこなったところ、既存の正帯電用の電子写真感光体に対し、周期律表第IIIb族元素(以下、IIIb族元素と略記する)の電荷注入阻止層へのドーピングを、たんに周期律表第Vb族元素(以下、Vb族元素と略記する)に代えただけであるならば、負極性に帯電するが、正極性にも帯電することがわかった。
【0005】
そのため、このような電子写真感光体を複写機やプリンタ等の電子写真装置に搭載し、負帯電用トナーを使用して画像形成しようとすると、トナーを紙に転写した際に上記正帯電性に起因して、転写バイアス電圧を打ち消し、画像特性上劣化した。
【0006】
また、上記負帯電用の電子写真感光体では、短波長可視光に対する光感度に劣り、そのため光源の露光波長が制限されるという問題点もある。
【0007】
しかも、Vb族元素をドーピングするために用いる代表的なガスであるホスフィン(PH3 )は毒性が強く、低濃度であっても人体に悪影響があり、そのため安全管理には細心の注意を払う必要があり、これに伴ってコストが増大するという問題点もある。さらにこのようなドーピングガスを所要どおりに高い精度でもって使用し、これによって電子写真特性のバラツキを小さくするには、生産管理を相当に高める必要があり、その点でも生産コストが上昇していた。
【0008】
本発明者は上記事情に鑑みて鋭意研究に努めた結果、a−Si:H電荷注入阻止層にVb族元素をドーピングしないでも負極性に良好に帯電できる成膜条件として、その上に成膜するa−Si:H光導電層の赤外線吸収スペクトルにおける波数2000cm-1での強度Iaと、波数2100cm-1での強度Ibとの関係を規定することで膜質を制御し、これによって優れた負帯電性が得られることを見出した。
【0009】
したがって本発明は上記知見により完成されたものであり、その目的は優れた画像特性の負帯電用の電子写真感光体を提供することにある。
【0010】
本発明の他の目的は、ホスフィンガスなどを使用しないことで、生産コストを下げることができた電子写真感光体を提供することにある。
【0011】
本発明のさらに他の目的は、短波長可視光に対する光感度を高め、これによって多様な機種に対応する電子写真感光体を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の負帯電用の電子写真感光体は、導電性基板上に水素化アモルファスシリコンからなる電荷注入阻止層および水素化アモルファスシリコンからなる光導電層を順次積層し、上記光導電層に対する赤外線吸収スペクトルにおける波数2000cm−1での強度Iaと、波数2100cm−1での強度Ibとを0.22≦Ib/(Ia+Ib)≦0.35の関係式を満たすようにし、且つ前記電荷注入阻止層についてIIIb族元素及びVb族元素をノンドーピングの状態としたことを特徴とする。
本発明の負帯電用の電子写真感光体は、上記感光体において、前記電荷注入阻止層は酸素及び窒素を含んで構成されていることを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】
感光体の構成
図1は発明の実施形態に係る感光体1の層構成であり、導電性基板2の上にグロー放電分解法によりa−Si:Hからなる電荷注入阻止層3およびa−Si:Hからなる光導電層4を順次積層し、この光導電層4上に表面保護層5を積層する。
【0014】
導電性基板2には銅、黄銅、SUS、Al、Niなどの金属導電体、あるいはガラス、セラミックなどの絶縁体の表面に導電性薄膜を被覆したものなどがある。この導電性基板2はシート状、ベルト状もしくはウェブ状可とう性導電シートでもよく、このようなシートにはSUS、Al、Niなどの金属シート、あるいはポリエステル、ナイロン、ポリイミドなどの高分子樹脂フィルムの上にAl、Niなどの金属もしくは酸化スズ、インジウム・スズ・オキサイド(ITO)などの透明導電性材料や有機導電性材料を蒸着などにより被覆して導電処理したものを用いる。
【0015】
上記表面保護層5はa−Si、アモルファスシリコンカーバイド、アモルファスシリコンナイトライド、アモルファスシリコンオキサイド、セレン等を、グロー放電分解法、真空蒸着法、活性反応蒸着法、イオンプレーテイング法、RFスパッタリング法、DCスパッタリング法、RFマグネトロンスパッタリング法、DCマグネトロンスパッタリング法、熱CVD法などで成膜形成する。また、有機材料を使用する場合には塗布などによって成膜形成する。
【0016】
上記電荷注入阻止層3については、a−Si:Hに対し価電子制御用不純物としてのIIIb族元素およびVb族元素をドーピングせず、そして、このようなノンドープであっても、光導電層4の赤外線吸収スペクトルにおける波数2000cm-1での強度Iaと、波数2100cm-1での強度Ibとを0.22≦Ib/(Ia+Ib)≦0.35の関係式を満たすように設定することで、優れた負帯電能が得られた。
【0017】
すなわち、本発明においては、ノンドープのa−Si:Hは成膜中に形成される結合ネットワークの構造的欠陥に起因し、弱いn型を示すので、フォスフィン(PH3 )ガスなどを用いてPをドーピングしなくとも、光導電層4の膜質を規定することで優れた負帯電能が得られることは予想外の効果であった。
【0018】
具体的には、光導電層4を成膜するに際して、成膜速度をたとえば2.5〜7.0μm/時に、好適には4.0〜6.0μm/時に設定することで、Si原子とH原子との結合状態である〔SiH結合〕と〔(SiH2 )n 結合〕の量比を規定するが、それを赤外線吸収スペクトルであらわした場合に、波数2000cm-1での強度Iaと、波数2100cm-1での強度Ibとの関係を示すIR比をIb/(Ia+Ib)で表して、0.22≦IR比≦0.35、好適には0.25≦IR比≦0.34の関係式を満たすように定めると優れた負帯電能が得られ、さらに短波長可視光に対する光感度も向上した。
【0019】
また、電荷注入阻止層3に酸素や窒素を含有させて、禁制帯幅を大きくし、これによって電荷注入阻止という機能上、障壁を高くすることができる。しかも、酸素を含有させることで基板との密着性が高められる点でよい。ただし、酸素のみではシランガスと反応して爆発を引き起こし易いので不活性な窒素も併存させるとよく、実際には一酸化窒素(NO)ガスなどを使用する。
【0020】
さらにまた、複写機では光源としてハロゲンランプを使用するが、このハロゲンランプによれば、600nmの波長ピークがあって、500〜750nmの幅で発光するのに対し、プリンタでは680nm付近のレーザー光、LEDなどを光源に使用する。本発明においては、短波長可視光に対する光感度が高められるので、双方の機種に対応できる。
【0021】
画像形成装置の構成
図2は本発明の感光体を搭載したプリンタ構成の画像形成装置7であり、8は感光体であり、この感光体8の周面にコロナ帯電器9と、その帯電後に光照射する露光器10(LEDヘッド)と、トナー像を感光体8の表面に形成するためのトナー11を備えた現像機12と、そのトナー像を被転写材13に転写する転写器14と、その転写後に感光体表面の残留トナーを除去するクリーニング手段15と、その転写後に残余静電潜像を除去する除電手段16とを配設した構成である。また、17は被転写材13に転写されたトナー像を熱もしくは圧力により固着するための定着器である。
【0022】
このカールソン法は次の1〜6の各プロセスを繰り返し経る。
1.感光体8の周面をコロナ帯電器9により帯電する。
2.露光器10により画像を露光することにより、感光体8の表面上に電位コントラストとしての静電潜像を形成する。
3.この静電潜像を現像機12により現像する。この現像により黒色のトナーが静電潜像との静電引力により感光体表面に付着し、可視化する。
4.感光体表面のトナー像を紙などの被転写材13の裏面よりトナーと逆極性の電界を加えて、静電転写し、これにより、画像を被転写材13の上に得る。
5.感光体表面の残留トナーをクリーニング手段15により機械的に除去する。
6.感光体表面を強い光で全面露光し、除電手段16により残余の静電潜像を除去する。
【0023】
なお、画像形成装置7はプリンターの構成であるが、露光器10に代えて原稿からの反射光を通すレンズやミラーなどの光学系を用いれば、複写機の構成の画像形成装置となる。
【0024】
また、この画像形成装置7には通常の乾式現像を用いているが、その他、湿式現像に使用される液体現像剤にも適用される。
【0025】
【実施例】
純度99.9%のAlからなる円筒状の基板の上に表1に示すような成膜条件(この条件は一チェンバ内での値である)でもってグロー放電分解法により電荷注入阻止層3、光導電層4および表面保護層5を積層した。
【0026】
【表1】
【0027】
また、電荷注入阻止層3の成膜に当たって、PH3 ガスをSiH4 ガスとの流量比でもって表2に示すように幾とおりにも変えて導入した。そして、負帯電性、正帯電性、短波長側感度、長波長側感度をそれぞれ測定し、評価した。
【0028】
【表2】
【0029】
負帯電性は0.3μC/cm2 の電荷量で、400V以上の帯電が得られた場合を○印、400V未満の帯電であれば、×印とした。また、正帯電性は0.3μC/cm2 の電荷量で、50V未満の帯電である場合を○印、50V以上の帯電であれば、×印とした。
【0030】
短波長側感度については、550nmの露光により表面電位を500Vから50Vまで低下させるために要するエネルギーが1.0μJ/cm2 未満である場合には○印、1.0〜2.0μJ/cm2 である場合には△印、2.0μJ/cm2 を越えると×印とした。
【0031】
長波長側感度については、700nmの露光により表面電位を500Vから50Vまで低下させるために要するエネルギーが1.0μJ/cm2 未満である場合には○印、1.0〜2.0μJ/cm2 である場合には△印、2.0μJ/cm2 を越えると×印とした。
【0032】
表2から明らかなとおり、PH3 ガスをまったくドープしない場合には、短波長側感度および負帯電能に優れることがわかる。
【0033】
つぎに表3に示すような感光体の成膜条件に基づいて、電荷注入阻止層に対してP元素をドーピングしないで作製した。
【0034】
【表3】
【0035】
そして、光導電層の成膜時においてSiH4 ガス流量(成膜速度)を幾とおりにも変えて各種感光体を作製し、表4に示すように負帯電性、正帯電性、短波長側感度、長波長側感度、外観をそれぞれ測定した。その結果も表4に示す。
【0036】
【表4】
【0037】
負帯電性は0.3μC/cm2 の電荷量で、帯電が400V以上の得られた場合を○印、100V以上400V未満の帯電であれば△印、100V未満であれば、×印とした。
【0038】
また、正帯電性は0.3μC/cm2 の電荷量で、30V未満の帯電である場合を○印、30〜50Vの帯電であれば、△印、50V以上の帯電であれば、×印とした。
【0039】
短波長側感度については、550nmの露光により表面電位を500Vから50Vまで低下させるために要するエネルギーが1.0μJ/cm2 未満である場合には○印、1.0〜2.0μJ/cm2 である場合には△印、2.0μJ/cm2 を越えると×印とした。
【0040】
長波長側感度については、700nmの露光により表面電位を500Vから50Vまで低下させるために要するエネルギーが1.0μJ/cm2 未満である場合には○印、1.0〜2.0μJ/cm2 である場合には△印、2.0μJ/cm2 を越えると×印とした。
【0041】
外観については、成膜中に突起状欠陥が形成されない場合を○印、欠陥が生じた場合を×印とした。
【0042】
かくして得られた本発明の感光体(IR比=0.25〜0.34)を前記画像形成装置7(乾式現像:トナー平均粒径8μm)に搭載し、カールソン法で画像形成して、30万枚のランニングテストをおこない、画像特性とトナー付着具合を測定したところ、白抜け、黒点、画像流れ等の画像欠陥がなかった。
【0043】
これに対し、成膜速度が1.0μm/時もしくは2.0μm/時の場合には、放電が安定しないで、成膜中に膜が剥離し、軸ムラが発生した。この軸ムラは円筒状の基板の軸方向の帯電特性のムラをあらわし、膜厚のムラに及ぼす。また、低いパワーによる成膜では放電が安定しないで、膜が剥離しやすくなる。剥離しないまでも、下方に放電が集中する傾向にあり、膜厚ムラとなる。
【0044】
他方、IR比が0.36の場合、さらにIR比が0.41の場合には赤外線吸収によりa−Si:H中に(SiH2 )n 結合が増加し、ダングリングボンドに起因するキャリアをトラップする局在準位によって、負帯性が低下する。
【0045】
【発明の効果】
以上のとおり、本発明の電子写真感光体によれば、価電子制御用不純物がドーピングされていないa−Si:H電荷注入阻止層をグロー放電分解法により形成しても、その上に設けるa−Si:H光導電層に対し赤外線吸収スペクトルにおける波数2000cm-1での強度Iaと、波数2100cm-1での強度Ibとを0.22≦Ib/(Ia+Ib)≦0.35の関係式を満たすように規定したことで、ホスフィンガスなどを使用しなくとも優れた画像特性の負帯電用に供することができた。
【0046】
また、本発明においては、毒性が強く、低濃度であっても人体に悪影響があるホスフィンガスを使用しないので、安全管理対策が不要となり、これに伴って生産コストが低減できた。しかも、このようなドーピングガスを使用しないことで、精度の高いドーピング管理も不要となり、これによって電子写真特性のバラツキを小さくなり、その点でも生産コストが低減できた。
【0047】
さらにまた、本発明によれば、短波長可視光に対する光感度を高めることができたので、複写機用およびプリンタ用の双方の感光体、さらには多様な機種に対応する電子写真感光体が提供できた。
【図面の簡単な説明】
【図1】 発明の実施形態に係る感光体の層構成を示す断面図である。
【図2】 本発明の画像形成装置の概略図である。
【符号の説明】
1、8 感光体
2 基板
3 電荷注入阻止層
4 光導電層
5 表面保護層
7 画像形成装置
9 コロナ帯電器
10 露光器
11 トナー
12 現像機
13 被転写材
14 転写器
15 クリーニング手段
16 除電手段
Claims (2)
- 導電性基板上に水素化アモルファスシリコンからなる電荷注入阻止層および水素化アモルファスシリコンからなる光導電層を順次積層し、上記光導電層に対する赤外線吸収スペクトルにおける波数2000cm−1での強度Iaと、波数2100cm−1での強度Ibとを0.22≦Ib/(Ia+Ib)≦0.35の関係式を満たすようにし、且つ前記電荷注入阻止層についてIIIb族元素及びVb族元素をノンドーピングの状態としたことを特徴とする負帯電用の電子写真感光体。
- 前記電荷注入阻止層は酸素及び窒素を含んで構成されていることを特徴とする請求項1に記載の電子写真感光体。
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JP01584398A JP3659458B2 (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 電子写真感光体 |
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JPH11212286A JPH11212286A (ja) | 1999-08-06 |
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JP01584398A Expired - Lifetime JP3659458B2 (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 電子写真感光体 |
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JP (1) | JP3659458B2 (ja) |
-
1998
- 1998-01-28 JP JP01584398A patent/JP3659458B2/ja not_active Expired - Lifetime
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JPH11212286A (ja) | 1999-08-06 |
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