JPH0695220B2 - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPH0695220B2 JPH0695220B2 JP60118240A JP11824085A JPH0695220B2 JP H0695220 B2 JPH0695220 B2 JP H0695220B2 JP 60118240 A JP60118240 A JP 60118240A JP 11824085 A JP11824085 A JP 11824085A JP H0695220 B2 JPH0695220 B2 JP H0695220B2
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- gas
- hydrogen
- amorphous silicon
- layer
- atomic
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08285—Carbon-based
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真用感光体、特に非晶質ケイ素を感光層
に用いた電子写真用感光体に関する。
に用いた電子写真用感光体に関する。
電子写真法は、感光体に帯電、像露光を施すことにより
静電潜像を形成し、現像剤で現像後、転写紙にトナー像
を転写し、定着して複写物を得る方法である。この電子
写真法に用いられる感光体は、基本構成として導電性基
板上に感光層を積層してなるものであり、感光層を構成
する材料としては、セレンあるいはセレン合金、硫化カ
ドミウム、酸化亜鉛等の無機感光材料あるいは、ポリビ
ニルカルバゾール、トリニトロフルオレノン、ビスアゾ
顔料、フタロシアニン、ピラゾリン、ヒドラゾン等の有
機感光材料が知られ、感光層を単層あるいは積層にして
用いられている。
静電潜像を形成し、現像剤で現像後、転写紙にトナー像
を転写し、定着して複写物を得る方法である。この電子
写真法に用いられる感光体は、基本構成として導電性基
板上に感光層を積層してなるものであり、感光層を構成
する材料としては、セレンあるいはセレン合金、硫化カ
ドミウム、酸化亜鉛等の無機感光材料あるいは、ポリビ
ニルカルバゾール、トリニトロフルオレノン、ビスアゾ
顔料、フタロシアニン、ピラゾリン、ヒドラゾン等の有
機感光材料が知られ、感光層を単層あるいは積層にして
用いられている。
近年、この感光層として非晶質ケイ素（アモルファスシ
リコン）を用いた感光体が知られ種々その改善が試みら
れている。この非晶質ケイ素を用いた感光体は、導電性
基板上にシラン（SiH4）ガスをグロー放電分解法等によ
りケイ素の非晶質膜を形成したものであって、非晶質ケ
イ素膜中に水素原子が取り込まれ光導電性を呈するもの
である。非晶質ケイ素感光体は、感光層の表面硬度が高
く傷つきにくく摩耗にも強く、耐熱性も高く機械的強度
にすぐれ又分光感度域が広く高い光感度を有する如く感
光特性もすぐれたものである。
リコン）を用いた感光体が知られ種々その改善が試みら
れている。この非晶質ケイ素を用いた感光体は、導電性
基板上にシラン（SiH4）ガスをグロー放電分解法等によ
りケイ素の非晶質膜を形成したものであって、非晶質ケ
イ素膜中に水素原子が取り込まれ光導電性を呈するもの
である。非晶質ケイ素感光体は、感光層の表面硬度が高
く傷つきにくく摩耗にも強く、耐熱性も高く機械的強度
にすぐれ又分光感度域が広く高い光感度を有する如く感
光特性もすぐれたものである。
このように非晶質ケイ素感光体はすぐれた感光特性を示
しかつ暗抵抗も比較的高いけれども、この暗抵抗もまだ
十分ではない。したがって感光層の暗減衰が大きく、感
光体を帯電しても十分な帯電電位が得られないという欠
点を有する。即ち非晶質ケイ素感光体を帯電し、像露光
して静電潜像を形成し、次いでこれを現像する際、感光
体上の表面電荷が像露光までの間に減衰したり、あるい
は現像工程までの間に光照射を受けなかった部分の電荷
までも減衰してしまい、現像に必要な帯電電位が得られ
にくいものである。
しかつ暗抵抗も比較的高いけれども、この暗抵抗もまだ
十分ではない。したがって感光層の暗減衰が大きく、感
光体を帯電しても十分な帯電電位が得られないという欠
点を有する。即ち非晶質ケイ素感光体を帯電し、像露光
して静電潜像を形成し、次いでこれを現像する際、感光
体上の表面電荷が像露光までの間に減衰したり、あるい
は現像工程までの間に光照射を受けなかった部分の電荷
までも減衰してしまい、現像に必要な帯電電位が得られ
にくいものである。
この帯電電位の減衰は、環境条件の影響によっても変化
しやすく、特に高温高湿環境では帯電電位が大巾に低下
するものであり更に感光体を繰返し使用すると徐々に帯
電電位が低下してしまう。この様な帯電電位の暗減衰の
大きな感光体を用いて複写物を作製すると、画像濃度が
低く又中間調の再現性に乏しい複写物となるものであ
る。
しやすく、特に高温高湿環境では帯電電位が大巾に低下
するものであり更に感光体を繰返し使用すると徐々に帯
電電位が低下してしまう。この様な帯電電位の暗減衰の
大きな感光体を用いて複写物を作製すると、画像濃度が
低く又中間調の再現性に乏しい複写物となるものであ
る。
本発明はこの様な非晶質ケイ素感光体における欠点を解
消することを目的としてなされたものであり、帯電電位
の暗減衰の少ない非晶質ケイ素感光体を提供するもので
ある。
消することを目的としてなされたものであり、帯電電位
の暗減衰の少ない非晶質ケイ素感光体を提供するもので
ある。
上記問題点を解決するため、本発明は、導電性基板上に
光導電層及び表面層を順次積層して成る電子写真用感光
体において前記光導電層が水素を含む非晶質ケイ素を主
体としてなり、かつ前記表面層が50原子％以下の水素、
0.1〜1.0原子％のリンまたは0.1〜1.0原子％のホウ素
（但し、0.1原子％の場合を除く）とを含む非晶質炭素
からなることを特徴とする。
光導電層及び表面層を順次積層して成る電子写真用感光
体において前記光導電層が水素を含む非晶質ケイ素を主
体としてなり、かつ前記表面層が50原子％以下の水素、
0.1〜1.0原子％のリンまたは0.1〜1.0原子％のホウ素
（但し、0.1原子％の場合を除く）とを含む非晶質炭素
からなることを特徴とする。
本発明の電子写真用感光体の構造は第１図に示す通りで
あり、図中、１は50原子％以下の水素を含む非晶質炭素
から成る表面層、２は非晶質ケイ素を主体とした光導電
層、３は導電性基板である。
あり、図中、１は50原子％以下の水素を含む非晶質炭素
から成る表面層、２は非晶質ケイ素を主体とした光導電
層、３は導電性基板である。
１の表面層は帯電処理の際、光導電層の表面部から内部
への電荷の注入を阻止する電荷ブロッキング層としての
役割の他に、酸素、水蒸気、空気中の水分、オゾン
（O3）といった環境雰囲気中に一般的に存在する分子種
が光導電層表面に直接接触あるいは吸着するのを防止す
る表面保護層としての役割を有することができる。同時
に、上記の表面層は、応力の付加、あるいは反応性化学
物質の付着などの外部要因の作用によって、光導電層自
体の特性が破壊されるのを防止する表面保護層としての
役割を有することができる。
への電荷の注入を阻止する電荷ブロッキング層としての
役割の他に、酸素、水蒸気、空気中の水分、オゾン
（O3）といった環境雰囲気中に一般的に存在する分子種
が光導電層表面に直接接触あるいは吸着するのを防止す
る表面保護層としての役割を有することができる。同時
に、上記の表面層は、応力の付加、あるいは反応性化学
物質の付着などの外部要因の作用によって、光導電層自
体の特性が破壊されるのを防止する表面保護層としての
役割を有することができる。
さらには、上記の表面層は、非晶質ケイ素を主体とする
光導電層中に一般的に含まれている水素などの膜構成原
子が光導電層中から離脱していくのを防止する膜構成原
子の離脱防止層としての役割を果たすことができる。
光導電層中に一般的に含まれている水素などの膜構成原
子が光導電層中から離脱していくのを防止する膜構成原
子の離脱防止層としての役割を果たすことができる。
表面層１は、グロー放電法、スバッタリング法、イオン
プレーティング法、真空蒸着法、CVD法などの方法によ
って形成することが出来る。中でもグロー放電法によ
り、炭化水素化合物を分解して形成した、50原子％以下
の水素を含む非晶質炭素膜は電子写真感光体とし、要求
される高暗抵抗および非晶質ケイ素光導電層の特徴を損
うことのない透明でかつ高硬度等の優れた特性を有す
る。
プレーティング法、真空蒸着法、CVD法などの方法によ
って形成することが出来る。中でもグロー放電法によ
り、炭化水素化合物を分解して形成した、50原子％以下
の水素を含む非晶質炭素膜は電子写真感光体とし、要求
される高暗抵抗および非晶質ケイ素光導電層の特徴を損
うことのない透明でかつ高硬度等の優れた特性を有す
る。
本発明の表面層を形成するのに使用される原料は次のも
のが使用される。主体となる炭素の原料としては、メタ
ン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン等のCnH2n+2
の一般式で示されるパラフィン系炭化水素；エチレン、
プロピレン、ブチレン、ペンテン等のCnH2nの一般式で
示されるオレフィン系炭化水素、アセチレン、アリレ
ン、ブチン等のCnH2n-2の一般式で示されるアセチレン
系炭化水素等の脂肪族炭化水素；シクロプロパン、シク
ロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘ
プタン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセ
ン等の脂環式炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、ナフタリン、アントラセン等の芳香族化合物が挙げ
られる。
のが使用される。主体となる炭素の原料としては、メタ
ン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン等のCnH2n+2
の一般式で示されるパラフィン系炭化水素；エチレン、
プロピレン、ブチレン、ペンテン等のCnH2nの一般式で
示されるオレフィン系炭化水素、アセチレン、アリレ
ン、ブチン等のCnH2n-2の一般式で示されるアセチレン
系炭化水素等の脂肪族炭化水素；シクロプロパン、シク
ロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘ
プタン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセ
ン等の脂環式炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、ナフタリン、アントラセン等の芳香族化合物が挙げ
られる。
非晶質炭素膜中の水素の含有は、通常原料炭化水素に含
まれる水素によってなれるが、必要に応じて、原料炭化
水素と同時に水素ガスを装置に導入しても良い。
まれる水素によってなれるが、必要に応じて、原料炭化
水素と同時に水素ガスを装置に導入しても良い。
また、非晶質炭素表面層の暗抵抗の制御あるいは非晶質
ケイ素光導電層との接合特性の制御を目的として、さら
に上記のガス中にジボラン（B2H6）ガス、あるいはホス
フィン（PH3）ガスなどのドーパント・ガスを混入させ
ることにより、非晶質炭素中に0.1〜1.0原子％のホウ素
（Ｂ）あるいは（Ｐ）を添加する。
ケイ素光導電層との接合特性の制御を目的として、さら
に上記のガス中にジボラン（B2H6）ガス、あるいはホス
フィン（PH3）ガスなどのドーパント・ガスを混入させ
ることにより、非晶質炭素中に0.1〜1.0原子％のホウ素
（Ｂ）あるいは（Ｐ）を添加する。
原料気体のグロー放電分解は、直流あるいは交流放電い
ずれの場合でも可能であり、周波数は０〜30MHz好適に
は５〜20MHzである。放電時の真空度が0.1〜5Torr（13.
3〜66.7N/m2）、基板加熱温度は100〜400℃で行なわれ
る。表面層の膜厚は任意に設定されるが、10μｍ以下、
特に１μｍ以下が好適である。
ずれの場合でも可能であり、周波数は０〜30MHz好適に
は５〜20MHzである。放電時の真空度が0.1〜5Torr（13.
3〜66.7N/m2）、基板加熱温度は100〜400℃で行なわれ
る。表面層の膜厚は任意に設定されるが、10μｍ以下、
特に１μｍ以下が好適である。
２の非晶質ケイ素を主体とする光導電層は、グロー放電
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空
蒸着法などの方法によって基板上に形成することができ
る。中でもプラズマCVD法によりシラン（SiH4）ガスを
グロー放電分解する方法（グロー放電法）によれば、膜
中に自動的に適量の水素を含有した比較的暗抵抗が高く
かつ光感度も高い、電子写真感光体用として最適な特性
を有する光導電層を得ることができる。またこの場合水
素の含有を一層効率良く行なうために、プラズマCVD装
置内にシランガスと同時に水素（H2）ガスを導入しても
よい。また非晶質ケイ素光導電層膜の暗抵抗の制御ある
いは帯電極性の制御を目的として、さらに上記のガス中
にジボラン（B2H6）ガス、ホスフィン（PH3）ガスなど
のドーパント・ガスを混入させ、光導電層膜中へのホウ
素（Ｂ）あるいはリン（Ｐ）などの不純物元素の添加
（ドーピング）を行なうこともできる。またさらには、
膜の暗抵抗の増加、光感度の増加あるいは帯電能（単位
膜厚あたりの帯電能力あるいは帯電電位）の増加を目的
として、非晶質珪素膜中にハロゲン原子、炭素原子、酸
素原子、窒素原子などを含有させてもよい。またさらに
は、長波長域感度の増感を目的として光導電層膜中にゲ
ルマニウム（Ge）などの元素を添加することも可能であ
る。上記の水素以外の元素を非晶質ケイ素光導電層中に
添加含有させるためにはプラズマCVD装置内に、主原料
であるシランガスと共にそれらの元素のガス化物を導入
してグロー放電分解を行なえばよい。
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空
蒸着法などの方法によって基板上に形成することができ
る。中でもプラズマCVD法によりシラン（SiH4）ガスを
グロー放電分解する方法（グロー放電法）によれば、膜
中に自動的に適量の水素を含有した比較的暗抵抗が高く
かつ光感度も高い、電子写真感光体用として最適な特性
を有する光導電層を得ることができる。またこの場合水
素の含有を一層効率良く行なうために、プラズマCVD装
置内にシランガスと同時に水素（H2）ガスを導入しても
よい。また非晶質ケイ素光導電層膜の暗抵抗の制御ある
いは帯電極性の制御を目的として、さらに上記のガス中
にジボラン（B2H6）ガス、ホスフィン（PH3）ガスなど
のドーパント・ガスを混入させ、光導電層膜中へのホウ
素（Ｂ）あるいはリン（Ｐ）などの不純物元素の添加
（ドーピング）を行なうこともできる。またさらには、
膜の暗抵抗の増加、光感度の増加あるいは帯電能（単位
膜厚あたりの帯電能力あるいは帯電電位）の増加を目的
として、非晶質珪素膜中にハロゲン原子、炭素原子、酸
素原子、窒素原子などを含有させてもよい。またさらに
は、長波長域感度の増感を目的として光導電層膜中にゲ
ルマニウム（Ge）などの元素を添加することも可能であ
る。上記の水素以外の元素を非晶質ケイ素光導電層中に
添加含有させるためにはプラズマCVD装置内に、主原料
であるシランガスと共にそれらの元素のガス化物を導入
してグロー放電分解を行なえばよい。
以上のプラズマCVD法によりシラン（SiH4）ガスをグロ
ー放電分解する非晶質ケイ素光導電層膜形成法において
有効な放電条件すなわち有効な非晶質ケイ素膜の生成条
件は、例えば交流放電の場合を例とすると、次の通りで
ある。周波数は通常0.1〜30MHz、好適には５〜20MHz、
放電時の真空度は0.1〜5Torr（13.3〜66.7N/m2）、基板
加熱温度は100〜400℃である。
ー放電分解する非晶質ケイ素光導電層膜形成法において
有効な放電条件すなわち有効な非晶質ケイ素膜の生成条
件は、例えば交流放電の場合を例とすると、次の通りで
ある。周波数は通常0.1〜30MHz、好適には５〜20MHz、
放電時の真空度は0.1〜5Torr（13.3〜66.7N/m2）、基板
加熱温度は100〜400℃である。
非晶質珪素を主体とする光導電層の膜厚は任意に設定さ
れるが、１μｍ〜200μｍ、特に10μｍ〜100μｍが好適
である。
れるが、１μｍ〜200μｍ、特に10μｍ〜100μｍが好適
である。
添付図面中３の導電性基板としてはAl、Ni、Cr、Fe、ス
テンレス鋼、黄銅などの金属からなる基板、あるいはIn
2O3、SnO2、CuI、CrO2などの金属間化合物からなる基板
などを用いることができる。また基板の形状は円筒状、
エンドレスベルト状等任意の形状として得ることが可能
である。
テンレス鋼、黄銅などの金属からなる基板、あるいはIn
2O3、SnO2、CuI、CrO2などの金属間化合物からなる基板
などを用いることができる。また基板の形状は円筒状、
エンドレスベルト状等任意の形状として得ることが可能
である。
また、第２図に示すように、必要により、光導電層２と
導電性基板３との間に電荷注入阻止層４を設けることが
できる。この層を構成する材料としては、感光体の使用
される帯電符合に応じ、たとえば微量のホウ素を添加し
た水素化アモルファスシリコンあるいは微量のリンを添
加した水素化アモルファスシリコン等が用いられる。
導電性基板３との間に電荷注入阻止層４を設けることが
できる。この層を構成する材料としては、感光体の使用
される帯電符合に応じ、たとえば微量のホウ素を添加し
た水素化アモルファスシリコンあるいは微量のリンを添
加した水素化アモルファスシリコン等が用いられる。
以下、本発明の実施例を比較例と対比しながら説明す
る。
る。
比較例１ 円筒状基板上へのアモルファスシリコン膜の生成が可能
な容量結合型プラズマCVD装置を用いて、シラン（Si
H4）ガスとジボラン（B2H6）ガスの混合ガスをグロー放
電分解することにより、円筒型Al基板上に水素と微量の
ホウ素を含む比較的高暗抵抗でいわゆるｉ型の非晶質ケ
イ素膜を生成した。この時の非晶質ケイ素膜の生成条件
は次のようであった。
な容量結合型プラズマCVD装置を用いて、シラン（Si
H4）ガスとジボラン（B2H6）ガスの混合ガスをグロー放
電分解することにより、円筒型Al基板上に水素と微量の
ホウ素を含む比較的高暗抵抗でいわゆるｉ型の非晶質ケ
イ素膜を生成した。この時の非晶質ケイ素膜の生成条件
は次のようであった。
プラズマCVD装置の反応室内の所定の位置に円筒型Al基
板を設置し、基板温度を所定の温度である250℃に維持
し、反応室内に100％シラン（SiH4）ガスを毎分120cc、
水素稀釈の100ppmジボラン（B2H6）ガスを毎分100cc、
さらに100％水素（H2）ガスを毎分90ccで流入させ、反
応槽内を0.5Torr（66.7N/m2）の内圧に維持した後、13.
56MHzの高周波電力を投入して、グロー放電を生じせし
め、高周波電力の出力を85Wに維持した。このようにし
て円筒状のAl基板上に厚さ25μｍの水素と極微量のホウ
素を含む高暗抵抗でいわゆるｉ型の非晶質ケイ素感光体
を得た。
板を設置し、基板温度を所定の温度である250℃に維持
し、反応室内に100％シラン（SiH4）ガスを毎分120cc、
水素稀釈の100ppmジボラン（B2H6）ガスを毎分100cc、
さらに100％水素（H2）ガスを毎分90ccで流入させ、反
応槽内を0.5Torr（66.7N/m2）の内圧に維持した後、13.
56MHzの高周波電力を投入して、グロー放電を生じせし
め、高周波電力の出力を85Wに維持した。このようにし
て円筒状のAl基板上に厚さ25μｍの水素と極微量のホウ
素を含む高暗抵抗でいわゆるｉ型の非晶質ケイ素感光体
を得た。
この感光体を正帯電させ初期電位を550Vにした。これを
650nmの波長の光で露光する操作を毎分40回の速度で繰
返した。この時の残留電位は0Vで安定していたが、帯電
電位は繰返し数の増加とともに減少する傾向が見られ、
1000回の繰返し操作の後においてその帯電電位は初期帯
電電位の70％の値まで減少していた。
650nmの波長の光で露光する操作を毎分40回の速度で繰
返した。この時の残留電位は0Vで安定していたが、帯電
電位は繰返し数の増加とともに減少する傾向が見られ、
1000回の繰返し操作の後においてその帯電電位は初期帯
電電位の70％の値まで減少していた。
またこの感光体を負帯電させ、同様の操作を行なったと
ころ、正帯電の場合と同様の現象が見られた。さらに、
複写操作を繰返すうちに徐々に画像の解像度が低下し
た。
ころ、正帯電の場合と同様の現象が見られた。さらに、
複写操作を繰返すうちに徐々に画像の解像度が低下し
た。
実施例１ 比較例１と同一方法、同一条件にて非晶質ケイ素を主体
とする光導電層を形成した後、反応槽を真空にした。次
にメタン（CH4）ガスと0.5％のホスフィン（PH3）ガス
との混合ガスを毎分50cc流入し反応槽内を0.2Torr（26.
7N/m2）にした後、グロー放電分解することにより約40
％の水素を含む非晶質炭素からなる表面層を0.3μ設け
た。該表面層のリンの濃度は、0.3原子％であった。
とする光導電層を形成した後、反応槽を真空にした。次
にメタン（CH4）ガスと0.5％のホスフィン（PH3）ガス
との混合ガスを毎分50cc流入し反応槽内を0.2Torr（26.
7N/m2）にした後、グロー放電分解することにより約40
％の水素を含む非晶質炭素からなる表面層を0.3μ設け
た。該表面層のリンの濃度は、0.3原子％であった。
この表面層は表面硬度が高く耐摩耗性、透明性、及び耐
熱性に優れた膜であった。
熱性に優れた膜であった。
この感光体を正帯電させ、初期電位を550Vにした。これ
を650nmの波長の光で露光する操作を毎分40回の速度で
繰り返した。この時の残留電位は10Vで安定しており、
帯電電位は1000回の繰り返し操作の後でも初期帯電電位
の90％を保持していた。また、1000回の複写操作後も画
像の濃度、解像度に優れたコピーが得られた。
を650nmの波長の光で露光する操作を毎分40回の速度で
繰り返した。この時の残留電位は10Vで安定しており、
帯電電位は1000回の繰り返し操作の後でも初期帯電電位
の90％を保持していた。また、1000回の複写操作後も画
像の濃度、解像度に優れたコピーが得られた。
比較例２ 比較例１と同様な装置を用いて、シラン（SiH4）ガスと
ジボラン（B2H6）ガスの混合ガスをグロー放電分解する
ことにより、円筒型Al基板上に水素と微量のホウ素を含
む、いわゆるＰ型の非晶質ケイ素膜と、水素と極く微量
のホウ素を含む、いわゆるｉ型の非晶質ケイ素膜を順次
形成した。この時の生成条件は次のようであった。
ジボラン（B2H6）ガスの混合ガスをグロー放電分解する
ことにより、円筒型Al基板上に水素と微量のホウ素を含
む、いわゆるＰ型の非晶質ケイ素膜と、水素と極く微量
のホウ素を含む、いわゆるｉ型の非晶質ケイ素膜を順次
形成した。この時の生成条件は次のようであった。
プラズマCVD装置の反応室内の所定の位置に円筒型Al基
板を設置し、基板温度を所定の温度である250℃に維持
し、反応室内に100％シラン（SiH4）ガスを毎分120cc、
水素稀釈の100ppmジボラン（B2H6）ガスを毎分100ccさ
らに100％水素（H2）ガスを毎分90ccで流入させ、反応
槽内を0.5Torr（66.7N/m2）の内圧に維持した後、13.56
MHの高周波電源を投入して、グロー放電を生じせしめ、
高周波電源の出力を85Wに維持した。このようにして円
筒状のAl基板上に厚さ0.2μｍの水素とホウ素を含むい
わゆるＰ型の非晶質ケイ素膜を形成した。
板を設置し、基板温度を所定の温度である250℃に維持
し、反応室内に100％シラン（SiH4）ガスを毎分120cc、
水素稀釈の100ppmジボラン（B2H6）ガスを毎分100ccさ
らに100％水素（H2）ガスを毎分90ccで流入させ、反応
槽内を0.5Torr（66.7N/m2）の内圧に維持した後、13.56
MHの高周波電源を投入して、グロー放電を生じせしめ、
高周波電源の出力を85Wに維持した。このようにして円
筒状のAl基板上に厚さ0.2μｍの水素とホウ素を含むい
わゆるＰ型の非晶質ケイ素膜を形成した。
次に、反応室内に、100％シラン（SiH4）ガスを毎分120
cc、水素稀釈の100ppmジボラン（B2H6）ガスを毎分20c
c、さらに100％水素（H2）ガスを毎分90ccで流入させ、
反応槽内を0.5Torr（66.7N/m2）の内圧に維持した後、
Ｐ層と同様に放電を行ない厚さ25μｍの水素を極く微量
のホウ素を含むいわゆるｉ型層が積層された感光体を得
た。
cc、水素稀釈の100ppmジボラン（B2H6）ガスを毎分20c
c、さらに100％水素（H2）ガスを毎分90ccで流入させ、
反応槽内を0.5Torr（66.7N/m2）の内圧に維持した後、
Ｐ層と同様に放電を行ない厚さ25μｍの水素を極く微量
のホウ素を含むいわゆるｉ型層が積層された感光体を得
た。
このようにして得られた感光体を複写機に入れ、正のコ
ロナ帯電方式で画質を評価したところ、初期時では実用
上問題のない画像濃度が得られたが、複写操作を繰り返
すうちに徐々に画像濃度は低下した。
ロナ帯電方式で画質を評価したところ、初期時では実用
上問題のない画像濃度が得られたが、複写操作を繰り返
すうちに徐々に画像濃度は低下した。
実施例２ 比較例２と同一方法、同一条件にて非晶質ケイ素を主体
とする光導電層を形成した後、反応槽を真空にした。次
にエタン（C2H6）ガスと0.2％のジボラン（B2H6）ガス
との混合ガスを毎分20cc流入し反応槽内を0.1Torr（66.
7N/m2）にした後、グロー放電分解することにより30％
の水素を含む非晶質炭素からなる表面層を0.1μ設け
た。該表面層のホウ素の濃度は、0.15原子％であった。
とする光導電層を形成した後、反応槽を真空にした。次
にエタン（C2H6）ガスと0.2％のジボラン（B2H6）ガス
との混合ガスを毎分20cc流入し反応槽内を0.1Torr（66.
7N/m2）にした後、グロー放電分解することにより30％
の水素を含む非晶質炭素からなる表面層を0.1μ設け
た。該表面層のホウ素の濃度は、0.15原子％であった。
この表面層は表面硬度が高く、耐摩耗性、透明性、及び
耐熱性に優れた膜であった。さらに、このようにして得
られた感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式を画
質評価したところ、初期時では実用上問題のない画像濃
度が得られた。また、複写操作を５万回繰り返したが画
像濃度の低下はみられなかった。
耐熱性に優れた膜であった。さらに、このようにして得
られた感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式を画
質評価したところ、初期時では実用上問題のない画像濃
度が得られた。また、複写操作を５万回繰り返したが画
像濃度の低下はみられなかった。
実施例３ 比較例２と同一方法、同一条件にて非晶質ケイ素を主体
とする光導電層を形成した後、反応槽を真空にした。次
にエチレン（C2H4）ガスと0.7％のホスフィン（PH3）ガ
スとの混合ガスを毎分30cc流入し反応槽内を0.1Torr（6
6.7N/m2）にした後、グロー放電分解することにより30
％の水素を含む非晶質炭素からなる表面層を0.2μ設け
た。該表面層のリンの濃度は、0.2原子％であった。
とする光導電層を形成した後、反応槽を真空にした。次
にエチレン（C2H4）ガスと0.7％のホスフィン（PH3）ガ
スとの混合ガスを毎分30cc流入し反応槽内を0.1Torr（6
6.7N/m2）にした後、グロー放電分解することにより30
％の水素を含む非晶質炭素からなる表面層を0.2μ設け
た。該表面層のリンの濃度は、0.2原子％であった。
この表面層は表面硬度が高く、耐摩耗性、透明性、及び
耐熱性に優れた膜であった。さらに、このようにして得
られた感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式を画
質評価したところ、初期時では実用上問題のない画像濃
度が得られた。また、複写操作を５万回繰り返したが画
像濃度の低下はみられなかった。
耐熱性に優れた膜であった。さらに、このようにして得
られた感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式を画
質評価したところ、初期時では実用上問題のない画像濃
度が得られた。また、複写操作を５万回繰り返したが画
像濃度の低下はみられなかった。
本発明の感光体は、表面硬度が高く、耐摩耗性、耐熱性
及び耐摩耗性に優れ、また分光感度が広く、高い光感度
を有する。さらに、暗減衰が小さいので、電荷保持力が
強く、したがって多数回の複写操作後でも表面電位の著
しい低下を防止することができる。ゆえに、コピーの濃
度、解像度の低下を防止できる。
及び耐摩耗性に優れ、また分光感度が広く、高い光感度
を有する。さらに、暗減衰が小さいので、電荷保持力が
強く、したがって多数回の複写操作後でも表面電位の著
しい低下を防止することができる。ゆえに、コピーの濃
度、解像度の低下を防止できる。
第１図及び第２図は、本発明を適用可能な電子写真用感
光体の概略断面図である。 １……表面層、２……光導電層、 ３……導電性基板、４……電荷注入阻止層。
光体の概略断面図である。 １……表面層、２……光導電層、 ３……導電性基板、４……電荷注入阻止層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 唐木田 健一 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ツクス株式会社竹松事業所内 (56)参考文献 特開 昭60−59367（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−94056（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−208056（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−227262（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】導電性基板上に光導電層及び表面層を順次
積層して成る電子写真用感光体において、前記光導電層
が水素を含む非晶質ケイ素を主体としてなり、かつ前記
表面層が50原子％以下の水素と、0.1〜1.0原子％のリン
または0.1〜1.0原子％のホウ素（但し、0.1原子％の場
合を除く）とを含む非晶質炭素からなることを特徴とす
る電子写真用感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118240A JPH0695220B2 (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 電子写真用感光体 |
| US07/215,151 US4932859A (en) | 1985-05-31 | 1988-07-05 | Electrophotographic photoreceptor having doped and/or bilayer amorphous silicon photosensitive layer |
| US07/767,751 US5262262A (en) | 1985-05-31 | 1991-09-30 | Electrophotographic photoreceptor having conductive layer and amorphous carbon overlayer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118240A JPH0695220B2 (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61275858A JPS61275858A (ja) | 1986-12-05 |
| JPH0695220B2 true JPH0695220B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=14731705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60118240A Expired - Lifetime JPH0695220B2 (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0695220B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0695219B2 (ja) * | 1985-05-31 | 1994-11-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真用感光体 |
| JPH0695218B2 (ja) * | 1985-05-31 | 1994-11-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真用感光体 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059367A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-04-05 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 調整した無定形ケイ素を含む電子写真装置 |
| JPS6194056A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | アモルフアス・シリコン感光体 |
| JPS61208056A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Toray Ind Inc | 電子写真感光体 |
| JPH0695219B2 (ja) * | 1985-05-31 | 1994-11-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真用感光体 |
| JPH0695218B2 (ja) * | 1985-05-31 | 1994-11-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真用感光体 |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP60118240A patent/JPH0695220B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61275858A (ja) | 1986-12-05 |
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