JPS61275859A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPS61275859A JPS61275859A JP11824185A JP11824185A JPS61275859A JP S61275859 A JPS61275859 A JP S61275859A JP 11824185 A JP11824185 A JP 11824185A JP 11824185 A JP11824185 A JP 11824185A JP S61275859 A JPS61275859 A JP S61275859A
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- hydrogen
- amorphous silicon
- layer
- gas
- surface layer
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08285—Carbon-based
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子写真用感光体、特に非晶質ケイ素を感光層
に用いた電子写真用感光体に関する。
に用いた電子写真用感光体に関する。
電子写真法は、感光体に帯電、像露光を施すことより静
電潜像を形成し、現像剤で現像後、転写紙にトナー像を
転写し、定着して複写物を１尋る方法である。この電子
写真法に用いられる感光体は、基本構成として導電性基
板上に感光層を積層してなるものであり、感光層を構成
する材料としては、セレンあるいはセレン合金、硫化カ
ドミウム、酸化亜鉛等の無機感光材料あるいは、ポリビ
ニルカルバソール、トリニトロフルオレノン、ビスアゾ
顔料、フタロシアニン、ピラゾリン、ヒドラゾン等の有
機感光材料が知られ、感光層を単層あるいは積層にして
用いられている。
電潜像を形成し、現像剤で現像後、転写紙にトナー像を
転写し、定着して複写物を１尋る方法である。この電子
写真法に用いられる感光体は、基本構成として導電性基
板上に感光層を積層してなるものであり、感光層を構成
する材料としては、セレンあるいはセレン合金、硫化カ
ドミウム、酸化亜鉛等の無機感光材料あるいは、ポリビ
ニルカルバソール、トリニトロフルオレノン、ビスアゾ
顔料、フタロシアニン、ピラゾリン、ヒドラゾン等の有
機感光材料が知られ、感光層を単層あるいは積層にして
用いられている。
近年、この感光層として非晶質ケイ素（アモルファスシ
リコン）を用いた感光体が知られ種々その改善が試みら
れている。この非晶質ケイ素を用いた感光体は、導電性
基板上にシラン（ＳｉＨ＝）ガスをグロー放電分解法等
によりケイ素の非晶質膜を形成したものであって、非晶
質ケイ素膜中に水素原子が取り込まれ光導電性を呈する
ものである。非晶質ケイ素感光体は、感光層の表面硬度
が高く傷つきにくく摩耗にも強く、耐熱性も高く機械的
強度にすぐれ又分光感度域が広く高い光感度を有する如
く感光特性もすぐれたものである。
リコン）を用いた感光体が知られ種々その改善が試みら
れている。この非晶質ケイ素を用いた感光体は、導電性
基板上にシラン（ＳｉＨ＝）ガスをグロー放電分解法等
によりケイ素の非晶質膜を形成したものであって、非晶
質ケイ素膜中に水素原子が取り込まれ光導電性を呈する
ものである。非晶質ケイ素感光体は、感光層の表面硬度
が高く傷つきにくく摩耗にも強く、耐熱性も高く機械的
強度にすぐれ又分光感度域が広く高い光感度を有する如
く感光特性もすぐれたものである。
このように非晶質ケイ素感光体はすぐれた感光特性を示
しかつ暗抵抗も仕較的高いけれども、この暗抵抗もまだ
十分ではない。したがって感光層の暗減衰が大きく、感
光体を帯電しても十分な帯電電位が得られないという欠
点を有する。即ち非晶質ケイ素感光体を帯電し、像露光
して静電潜像を形成し、次いでこれを現像する際、感光
体上の表面電荷が像露光までの間に減衰したり、あるい
は現像工程までの間に光照射を受けなかった部分の電荷
までも減衰してしまい、現像に必要な帯電電位が得られ
にくいものである。
しかつ暗抵抗も仕較的高いけれども、この暗抵抗もまだ
十分ではない。したがって感光層の暗減衰が大きく、感
光体を帯電しても十分な帯電電位が得られないという欠
点を有する。即ち非晶質ケイ素感光体を帯電し、像露光
して静電潜像を形成し、次いでこれを現像する際、感光
体上の表面電荷が像露光までの間に減衰したり、あるい
は現像工程までの間に光照射を受けなかった部分の電荷
までも減衰してしまい、現像に必要な帯電電位が得られ
にくいものである。
この帯電電位の減衰は、環境条件の影響によっても変化
しやすく、特に高温高湿環境では帯電電位が大巾に低下
するものであり更に感光体を繰返し使用すると徐々に帯
電電位が低下してしまう。
しやすく、特に高温高湿環境では帯電電位が大巾に低下
するものであり更に感光体を繰返し使用すると徐々に帯
電電位が低下してしまう。
この様な帯電電位の暗減衰の大きな感光体を用いて複写
物を作製すると画像濃度が低く又中間調の再現性に乏し
い複写物となるものである。
物を作製すると画像濃度が低く又中間調の再現性に乏し
い複写物となるものである。
本発明はこの様な非晶質ケイ素感光体における欠点を解
消することを目的としてなされたものであり、帯電電位
の暗減衰の少ない非晶質ケイ素感光体を提供するもので
ある。
消することを目的としてなされたものであり、帯電電位
の暗減衰の少ない非晶質ケイ素感光体を提供するもので
ある。
〔問題点を解決するだめの手段及び作用〕上記問題点を
解決するため、本発明は、導電性基板」二に光導電層及
び表面層を順次積層して成る電子写真用感光体において
、前記光導電層が水素を含む非晶質ケイ素を主体として
なり、かつ前記表面層が５０原子％以下の水素を含む非
晶質炭素からなることを特徴とする。
解決するため、本発明は、導電性基板」二に光導電層及
び表面層を順次積層して成る電子写真用感光体において
、前記光導電層が水素を含む非晶質ケイ素を主体として
なり、かつ前記表面層が５０原子％以下の水素を含む非
晶質炭素からなることを特徴とする。
本発明の電子写真用感光体の構造は第１図に示す通りで
あり、図中、１は５０原子％以下の水素を含む非晶質炭
素から成る表面層、２は非晶質ケイ素を主体とした光導
電層、３は導電性基板である。
あり、図中、１は５０原子％以下の水素を含む非晶質炭
素から成る表面層、２は非晶質ケイ素を主体とした光導
電層、３は導電性基板である。
１の表面層は帯電処理の際、光導電層の表面部から内部
への電荷の注入を阻止する電荷ブロッキング層としての
役割の他に、酸素、水蒸気、空気中の水分、オゾン（０
３）といった環境雰囲気中に一般的に存在する分子種が
光導電層表面に直接接触あるいは吸着するのを防止する
表面保護層としての役割を有することができる。同時に
、上記の表面層は、応力の付加、あるいは反応性化学物
質の付着などの外部要因の作用によって、光導電層自体
の特性が破壊されるのを防止する表面保護層としての役
割を有することができる。
への電荷の注入を阻止する電荷ブロッキング層としての
役割の他に、酸素、水蒸気、空気中の水分、オゾン（０
３）といった環境雰囲気中に一般的に存在する分子種が
光導電層表面に直接接触あるいは吸着するのを防止する
表面保護層としての役割を有することができる。同時に
、上記の表面層は、応力の付加、あるいは反応性化学物
質の付着などの外部要因の作用によって、光導電層自体
の特性が破壊されるのを防止する表面保護層としての役
割を有することができる。
さらには、上記の表面層は、非晶質ケイ素を主体とする
光導電層中に一般的に含まれている水素などの膜構成原
子が光導電層中から離脱していくのを防止する膜構成原
子の離脱防止層としての役割を果たすことができる。
光導電層中に一般的に含まれている水素などの膜構成原
子が光導電層中から離脱していくのを防止する膜構成原
子の離脱防止層としての役割を果たすことができる。
表面層１は、グロー放電法、スパッタリング法、イオン
プレーテインク法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などの方法に
よって形成することが出来る。中でもグロー放電法゛に
より、炭化水素化合物を分解して形成した、５０原子％
以下の水素を含む非晶質炭素膜は電子写真感光体として
、要求される高暗抵抗および非晶質ケイ素光導電層の特
徴を損うことのない透明でかつ高硬度等の優れた特性を
有する。
プレーテインク法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などの方法に
よって形成することが出来る。中でもグロー放電法゛に
より、炭化水素化合物を分解して形成した、５０原子％
以下の水素を含む非晶質炭素膜は電子写真感光体として
、要求される高暗抵抗および非晶質ケイ素光導電層の特
徴を損うことのない透明でかつ高硬度等の優れた特性を
有する。
本発明の表面層を形成するのに使用される原料は次のも
のが使用される。主体となる炭素の原料としては、メタ
ン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン等のＣｎ
Ｈ２、、、＋ ２の一般式で示されるパラフィン系炭化
水素；エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンテン等の
Ｃ，、Ｉ」２ｈの一般式で示されるオレフィン系炭化水
素、アセチレン、アリレン、ブチン等のＣ１Ｈ２、、−
’ ２の一般式で示されるアセチレン系炭化水素等の脂
肪族炭化水素ニジクロプロパン、シクロブタン、シクロ
ペンクン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロブ
テン、シクロペンテン、シクロヘキセン等の脂環式炭化
水素；ベンゼン、トルエン、キシレン、ナフタリン、ア
ントラセン等の芳香族化合物が挙げられる。
のが使用される。主体となる炭素の原料としては、メタ
ン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン等のＣｎ
Ｈ２、、、＋ ２の一般式で示されるパラフィン系炭化
水素；エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンテン等の
Ｃ，、Ｉ」２ｈの一般式で示されるオレフィン系炭化水
素、アセチレン、アリレン、ブチン等のＣ１Ｈ２、、−
’ ２の一般式で示されるアセチレン系炭化水素等の脂
肪族炭化水素ニジクロプロパン、シクロブタン、シクロ
ペンクン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロブ
テン、シクロペンテン、シクロヘキセン等の脂環式炭化
水素；ベンゼン、トルエン、キシレン、ナフタリン、ア
ントラセン等の芳香族化合物が挙げられる。
非晶質炭素膜中の水素の含有は、通常原料炭化水素に含
まれる水素によってなされるが、必要に応じて、原料炭
化水素と同時に水素ガスを装置に導入しても良い。
まれる水素によってなされるが、必要に応じて、原料炭
化水素と同時に水素ガスを装置に導入しても良い。
また、非晶質炭素表面層の暗抵抗の制御あるいは非晶質
ケイ素光導電層との接合特性の制御を目的として、さら
に」―記のガス中にジボラン（Ｂ１１．）ガス、ホスフ
ィン（ＰＨ３＞ガスなどのドーパント・ガスを混入させ
、表面層中にホウ素（Ｂ）あるいはリン（Ｐ）などの不
純物元素の添加（ドーピング）を行なうことができる。
ケイ素光導電層との接合特性の制御を目的として、さら
に」―記のガス中にジボラン（Ｂ１１．）ガス、ホスフ
ィン（ＰＨ３＞ガスなどのドーパント・ガスを混入させ
、表面層中にホウ素（Ｂ）あるいはリン（Ｐ）などの不
純物元素の添加（ドーピング）を行なうことができる。
原料気体のグロー放電分解は、直流あるいは交流放電い
ずれの場合でも可能であり、周波数はＯ〜３０ Ｍ Ｈ
ｚ好適には５〜２０ＭＨｚである。放電時の真空度は０
．１〜５Ｔｏｒｒ （１３，３〜６６．７ Ｎ／ｍ２）
、基板加熱温度は１００〜４００℃で行なわれる。表面
層の膜厚は任意に設定されるが、１０μｍ以下、特に１
μｍ以下が好適である。
ずれの場合でも可能であり、周波数はＯ〜３０ Ｍ Ｈ
ｚ好適には５〜２０ＭＨｚである。放電時の真空度は０
．１〜５Ｔｏｒｒ （１３，３〜６６．７ Ｎ／ｍ２）
、基板加熱温度は１００〜４００℃で行なわれる。表面
層の膜厚は任意に設定されるが、１０μｍ以下、特に１
μｍ以下が好適である。
２の非晶質ケイ素を主体とする光導電層は、グロー放電
法、スパッタリング法、イオンブレーティング法、真空
蒸着法などの方法によって基板」二に形１＆することが
できる。中でもプラズマＣＶＤ法によりシラン（ＳｉＨ
４）ガスをグロー放電分解する方法（グロー放電法）に
よれば、膜中に自動的に適量の水素を含有した比較的暗
抵抗が高くかつ光感度も高い、電子写真感光体用として
最適な特性を有する光導電層を得ることができる。また
この場合水素の含有を一層効率良く行なうために、プラ
ズマＣＶＤ装置内にシランガスと同時に水素（１−（２
）ガスを導入してもよい。また非晶質ケイ素光導電層膜
の暗抵抗の制御あるいは帯電極性の制御を目的として、
さらに上記のガス中にジボラン（Ｂ２１−１６）ガス、
ホスフィン（ＰＨ３）ガスなどのドーパント・ガスを混
入させ、光導電層膜中へのホウ素（Ｂ）あるいはリン（
Ｐ）などの不純物元素の添加（ドーピング）を行なうこ
ともできる。
法、スパッタリング法、イオンブレーティング法、真空
蒸着法などの方法によって基板」二に形１＆することが
できる。中でもプラズマＣＶＤ法によりシラン（ＳｉＨ
４）ガスをグロー放電分解する方法（グロー放電法）に
よれば、膜中に自動的に適量の水素を含有した比較的暗
抵抗が高くかつ光感度も高い、電子写真感光体用として
最適な特性を有する光導電層を得ることができる。また
この場合水素の含有を一層効率良く行なうために、プラ
ズマＣＶＤ装置内にシランガスと同時に水素（１−（２
）ガスを導入してもよい。また非晶質ケイ素光導電層膜
の暗抵抗の制御あるいは帯電極性の制御を目的として、
さらに上記のガス中にジボラン（Ｂ２１−１６）ガス、
ホスフィン（ＰＨ３）ガスなどのドーパント・ガスを混
入させ、光導電層膜中へのホウ素（Ｂ）あるいはリン（
Ｐ）などの不純物元素の添加（ドーピング）を行なうこ
ともできる。
またさらには、膜の暗抵抗の増加、光感度の増加あるい
は帯電能（単位膜厚あたりの帯電能力あるいは帯電電位
）の増加を目的として、非晶質珪素膜中にハロゲン原子
、炭素原子、酸素原子、窒素原子などを含有させてもよ
い。またさらには、長波長域感度の増感を目的として光
導電層膜中にゲルマニウム（Ｇｅ）などの元素を添加す
ることも可能である。上記の水素以外の元素を非晶質ケ
イ素光導電層中に添加含有させるためにはプラズマＣＶ
Ｄ装置内に、主原料であるシランガスと共にそれらの元
素のガス化物を導入してグロー放電分解を行なえばよい
。
は帯電能（単位膜厚あたりの帯電能力あるいは帯電電位
）の増加を目的として、非晶質珪素膜中にハロゲン原子
、炭素原子、酸素原子、窒素原子などを含有させてもよ
い。またさらには、長波長域感度の増感を目的として光
導電層膜中にゲルマニウム（Ｇｅ）などの元素を添加す
ることも可能である。上記の水素以外の元素を非晶質ケ
イ素光導電層中に添加含有させるためにはプラズマＣＶ
Ｄ装置内に、主原料であるシランガスと共にそれらの元
素のガス化物を導入してグロー放電分解を行なえばよい
。
以上のプラズマＣＶＤ法によりシラン（８口１．）ガス
をグロー放電分解する非晶質ケイ素光導電層膜形成法に
おいて有効な放電条件すなわち有効な非晶質ケイ素膜の
生成条件は、例えば交流放電の場合を例とすると、次の
通りである。周波数は通常０．１〜３０ Ｍｌｌｚ、好
適には５〜２０ Ｍｌｌｚ、放電時の真空度は０．１〜
５Ｔｏｒｒ （１３，３〜６６．７Ｎ／ｍ２）、基板加
熱温度は１００〜４００℃である。
をグロー放電分解する非晶質ケイ素光導電層膜形成法に
おいて有効な放電条件すなわち有効な非晶質ケイ素膜の
生成条件は、例えば交流放電の場合を例とすると、次の
通りである。周波数は通常０．１〜３０ Ｍｌｌｚ、好
適には５〜２０ Ｍｌｌｚ、放電時の真空度は０．１〜
５Ｔｏｒｒ （１３，３〜６６．７Ｎ／ｍ２）、基板加
熱温度は１００〜４００℃である。
非晶質珪素を主体とする光導電層の膜厚は任意に設定さ
れるが、１μｍ〜２００μｍ１特に１０μｍ−１００μ
ｍが好適である。
れるが、１μｍ〜２００μｍ１特に１０μｍ−１００μ
ｍが好適である。
添付図面中３の導電性基板としてはＡβ、Ｎ１、Ｃｒ、
Ｆｅ、ステンレス鋼、黄銅などの金属からなる基板、あ
るいはＩｎ２．０３ 、ＳｎＯ２、Ｃｕｒ、ＣｒＯ２な
どの金属間化合物からなる基板などを用いることができ
る。また基板の形状は円筒］Ｊり、エンドレスベルト我
等任意の形状として得ることが可能である。
Ｆｅ、ステンレス鋼、黄銅などの金属からなる基板、あ
るいはＩｎ２．０３ 、ＳｎＯ２、Ｃｕｒ、ＣｒＯ２な
どの金属間化合物からなる基板などを用いることができ
る。また基板の形状は円筒］Ｊり、エンドレスベルト我
等任意の形状として得ることが可能である。
また、第２図に示すように、必要により、光導電層２と
導電性基板３との間に電荷注入阻止層４を設けることが
できる。この層を構成する材料としては、感光体の使用
されろ帯電符号に応じ、たとえば微量のホウ素を添加し
た水素化アモルファスシリコンあるいは微量のリンを添
加した水素化アモルファスシリコン等が用いラレル。
導電性基板３との間に電荷注入阻止層４を設けることが
できる。この層を構成する材料としては、感光体の使用
されろ帯電符号に応じ、たとえば微量のホウ素を添加し
た水素化アモルファスシリコンあるいは微量のリンを添
加した水素化アモルファスシリコン等が用いラレル。
以下、本発明の実施例を１ヒ較例と対比しながら説明す
る。
る。
仕較例１
円筒状基板上へのアモルファスシリコン膜の生成が可能
な容量結合型プラズマＣＶＤ装置を用いて、シラン（Ｓ
ｉＨｌ）ガスとジボラン（８２Ｈ６）ガスの混合ガスを
グロー放電分解することにより、円筒型、１１基板」−
に水素と微量のホウ素を含む比較的高暗抵抗でいわゆる
１型の非晶質ケイ素膜を生成した。この時の非晶質ケイ
素膜の生成条件は次のようであった。
な容量結合型プラズマＣＶＤ装置を用いて、シラン（Ｓ
ｉＨｌ）ガスとジボラン（８２Ｈ６）ガスの混合ガスを
グロー放電分解することにより、円筒型、１１基板」−
に水素と微量のホウ素を含む比較的高暗抵抗でいわゆる
１型の非晶質ケイ素膜を生成した。この時の非晶質ケイ
素膜の生成条件は次のようであった。
プラズマＣＶＤ装置の反応室内の所定の位置に円筒型Ａ
ｌ基板を設置し、基板温度を所定の温度である２５０℃
に維持し、反応室内に１００％シラ７（ＳｉＨ４）ガス
を毎分１２ Ｑｃ５水素稀釈の１００ｐｐｍ ジボラン
（Ｂ２ＩＩ６）ガスを毎分２０ｃｃ、さらに１００％水
素（Ｈ２）ガスを毎分９３ｃｃで流入させ、反応槽内を
０．５Ｔｏｒｒ （６６，７Ｎ ／ｍ２）の内圧に維持
した後、１３．５６ ＭｌｌｚＯ高周波電力を投入して
、グロー放電を生じせしめ、高周波電力の出力を８５Ｗ
に維持した。このようにして円筒状のＡβ基板」―に厚
さ２５μｍの水素と極微量のホウ素を含む高暗抵抗でい
わゆる１型の非晶質ケイ素感光体を得た。
ｌ基板を設置し、基板温度を所定の温度である２５０℃
に維持し、反応室内に１００％シラ７（ＳｉＨ４）ガス
を毎分１２ Ｑｃ５水素稀釈の１００ｐｐｍ ジボラン
（Ｂ２ＩＩ６）ガスを毎分２０ｃｃ、さらに１００％水
素（Ｈ２）ガスを毎分９３ｃｃで流入させ、反応槽内を
０．５Ｔｏｒｒ （６６，７Ｎ ／ｍ２）の内圧に維持
した後、１３．５６ ＭｌｌｚＯ高周波電力を投入して
、グロー放電を生じせしめ、高周波電力の出力を８５Ｗ
に維持した。このようにして円筒状のＡβ基板」―に厚
さ２５μｍの水素と極微量のホウ素を含む高暗抵抗でい
わゆる１型の非晶質ケイ素感光体を得た。
この感光体を正帯電させ初期電位を５５０Ｖにした。こ
れを６５０ｎｍの波長の光で露光する操作を毎分４０回
の速度で繰返した。この時の残留電位はＯＶで安定して
いたが、帯電電位は繰返し数の増加とともに減少する傾
向が見られ、Ｉ ０００回の繰返し操作の後においてそ
の帯電電位は初期帯電電位の７５％の値まで減少してい
た。
れを６５０ｎｍの波長の光で露光する操作を毎分４０回
の速度で繰返した。この時の残留電位はＯＶで安定して
いたが、帯電電位は繰返し数の増加とともに減少する傾
向が見られ、Ｉ ０００回の繰返し操作の後においてそ
の帯電電位は初期帯電電位の７５％の値まで減少してい
た。
またこの感光体を負帯電させ、同様の操作を行なったと
ころ、正帯電の場合と同様の現象が見られた。さらに、
複写操作を繰返すうちに徐々に画像の解像度が低下した
。
ころ、正帯電の場合と同様の現象が見られた。さらに、
複写操作を繰返すうちに徐々に画像の解像度が低下した
。
実施例１
比較例１と同一方法、同−条イ！１にて非晶質ケイ素を
主体とする光導電層を形成した後、反応槽を真空にした
。次にメタン（ＣＩ−１，）ガスを毎分５０ｃｃ流入し
反応槽内を０．２Ｔｏｒｒ （２６，７Ｎ ／ｍ２）に
した後、グロー放電分解することにより約４０％の水素
を含む非晶質炭素からなる表面層を０．３μ設けた。
主体とする光導電層を形成した後、反応槽を真空にした
。次にメタン（ＣＩ−１，）ガスを毎分５０ｃｃ流入し
反応槽内を０．２Ｔｏｒｒ （２６，７Ｎ ／ｍ２）に
した後、グロー放電分解することにより約４０％の水素
を含む非晶質炭素からなる表面層を０．３μ設けた。
この表面層は表面硬度が高く耐摩耗性、透明性、及び耐
熱性に優れた膜であった。
熱性に優れた膜であった。
この感光体を正帯電させ、初期電位を５５０■にした。
これを６５０１ｍの波長の光で露光する操作を毎分４０
回の速度で繰り返した。この時の残留電位はＩＯＶで安
定しており、帯電電位は１０００回の繰り返し操作の後
でも初期帯電電位の９８％を保持していた。また、１０
００回の複写操作後も画像の濃度、解像度に優れたコピ
ーが得られた。
回の速度で繰り返した。この時の残留電位はＩＯＶで安
定しており、帯電電位は１０００回の繰り返し操作の後
でも初期帯電電位の９８％を保持していた。また、１０
００回の複写操作後も画像の濃度、解像度に優れたコピ
ーが得られた。
比較例２
比較例１と同様な装置を用いて、シラン（ＳｉＨ＝）ガ
スとジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスの混合ガスをグロー放電
分解することにより、円筒型Ａｆｌ基板上に水素と微量
のホウ素を含む、いわゆるＰ型の非晶質ケイ素膜と、水
素と極く微量のホウ素を含む、いわゆる１型の非晶質ケ
イ素膜を順次形成した。
スとジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスの混合ガスをグロー放電
分解することにより、円筒型Ａｆｌ基板上に水素と微量
のホウ素を含む、いわゆるＰ型の非晶質ケイ素膜と、水
素と極く微量のホウ素を含む、いわゆる１型の非晶質ケ
イ素膜を順次形成した。
この時の生成条件は次のようであった。
プラズマＣＶＤ装置の反応室内の所定の位置に円筒状Ａ
β基板を設置し、基板温度を所定の温度である２５０℃
に維持し、反応室内に１００％シラン（ＳｉＨ＝）ガス
を毎分１２０ｃｃ、水素稀釈の１００ｐｐｍ ジボラン
（Ｂ１１−１６）ガスを毎分１００ｃｃさらに１．００
％水素（Ｈ２）ガスを毎分９３ｃｃで流入させ、反応槽
内を０．５Ｔｏｒｒ （６６，７Ｎ ／ｍ２）の内圧に
維持した後、１３．５６ Ｍ ＋（の高周波電源を投入
して、グロー放電を生じせしめ、高周波電源の出力を８
５ Ｗに１ｆｆｌ持した。このようにして円筒状の／ｌ
基板」二に厚さ０．２μｍの水素とホウ素を含むいわゆ
るＰ型の非晶質ケイ素膜を形成した。
β基板を設置し、基板温度を所定の温度である２５０℃
に維持し、反応室内に１００％シラン（ＳｉＨ＝）ガス
を毎分１２０ｃｃ、水素稀釈の１００ｐｐｍ ジボラン
（Ｂ１１−１６）ガスを毎分１００ｃｃさらに１．００
％水素（Ｈ２）ガスを毎分９３ｃｃで流入させ、反応槽
内を０．５Ｔｏｒｒ （６６，７Ｎ ／ｍ２）の内圧に
維持した後、１３．５６ Ｍ ＋（の高周波電源を投入
して、グロー放電を生じせしめ、高周波電源の出力を８
５ Ｗに１ｆｆｌ持した。このようにして円筒状の／ｌ
基板」二に厚さ０．２μｍの水素とホウ素を含むいわゆ
るＰ型の非晶質ケイ素膜を形成した。
次に、反応室内に、１００％シラン（ＳｉＨ＝）ガスを
毎分１．２０ＣＧ、水素稀釈の１００ｐｐｍジボラン（
８２Ｈ６）ガスを毎分２０ｃｃ、さらに１００％水素（
Ｈ２）ガスを毎分９３ｃｃで流入させ、反応槽内を０．
５Ｔｏｒｒ （６６，７Ｎ ／ｍ２）の内圧に維持した
後、Ｐ層と同様に放電を行ない厚さ２５μｍの水素と極
く微量のホウ素を含むいわゆる１型層が積属された感光
体を得た。
毎分１．２０ＣＧ、水素稀釈の１００ｐｐｍジボラン（
８２Ｈ６）ガスを毎分２０ｃｃ、さらに１００％水素（
Ｈ２）ガスを毎分９３ｃｃで流入させ、反応槽内を０．
５Ｔｏｒｒ （６６，７Ｎ ／ｍ２）の内圧に維持した
後、Ｐ層と同様に放電を行ない厚さ２５μｍの水素と極
く微量のホウ素を含むいわゆる１型層が積属された感光
体を得た。
このようにして得られた感光体を複写機に入れ、正のコ
ロナ帯電方式で画質を評価したところ、初期時では実用
上問題のない画像濃度が得られたが、複写操作を繰り返
すうちに徐々に画像濃度は低下した。
ロナ帯電方式で画質を評価したところ、初期時では実用
上問題のない画像濃度が得られたが、複写操作を繰り返
すうちに徐々に画像濃度は低下した。
実施例２
１ヒ較例２と同一方法、同一条件にて非晶質ケイ素を主
体とずろ光導電層を形成した後、反応槽を真空にした。
体とずろ光導電層を形成した後、反応槽を真空にした。
次にエタン（Ｃ２ｔ（ｓ）ガスを毎分２０ＣＣ流入し反
応槽内を０．１Ｔｏｒｒ （６６，７Ｎ ／ｍ２）にし
た後、グロー放電分解することにより３０％の水素を含
む非晶質炭素からなる表面層を０．１μ設（す ゾこ
。
応槽内を０．１Ｔｏｒｒ （６６，７Ｎ ／ｍ２）にし
た後、グロー放電分解することにより３０％の水素を含
む非晶質炭素からなる表面層を０．１μ設（す ゾこ
。
この表面層は表面硬度が高く、耐摩耗性、透明性、及び
耐熱性に優れた膜であった。さらに、このようにして（
９られた感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式を
画質評価したところ、初期時では実用」―問題のない画
像濃度が得られた。また、複写操作を５万回繰り返した
が画像濃度の低下はみられなかった。
耐熱性に優れた膜であった。さらに、このようにして（
９られた感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式を
画質評価したところ、初期時では実用」―問題のない画
像濃度が得られた。また、複写操作を５万回繰り返した
が画像濃度の低下はみられなかった。
実施例３
仕較例２と同一方法、同一条件にて非晶質ケイ素を主体
とする光導電層を形成した後、反応槽を真空にした。次
にエチレン（Ｃ２Ｈ４）ガスを毎分３Ｑｃｃ流入し反応
槽内を０．１Ｔｏｒｒ （６６，７Ｎ ／ｍ’ ）にし
た後、グロー放電分解することにより３０％の水素を含
む非晶質炭素からなる表面層を０．２μ設けた。
とする光導電層を形成した後、反応槽を真空にした。次
にエチレン（Ｃ２Ｈ４）ガスを毎分３Ｑｃｃ流入し反応
槽内を０．１Ｔｏｒｒ （６６，７Ｎ ／ｍ’ ）にし
た後、グロー放電分解することにより３０％の水素を含
む非晶質炭素からなる表面層を０．２μ設けた。
この表面層は表面硬度が高く、耐摩耗性、透明性、及び
耐熱性に優れた膜であった。さらに、このようにして１
）られた感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式を
画質評価したところ、初期時では実用」−問題のない画
像濃度が得られた。また、複写操作を５万回繰り返した
が画像濃度の低下はみられなかった。
耐熱性に優れた膜であった。さらに、このようにして１
）られた感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式を
画質評価したところ、初期時では実用」−問題のない画
像濃度が得られた。また、複写操作を５万回繰り返した
が画像濃度の低下はみられなかった。
本発明の感光体は、表面硬度が高く、耐摩耗性、耐熱性
及び耐摩耗性に優れ、また分光感度域が広く、高い光感
度を有する。さらに、暗減衰が小さいので、電荷保持力
が強く、したがって多数回の複写操作後でも表面電位の
著しい低下を防止することができる。ゆえに、コピーの
濃度、解像度の低下を防止できる。
及び耐摩耗性に優れ、また分光感度域が広く、高い光感
度を有する。さらに、暗減衰が小さいので、電荷保持力
が強く、したがって多数回の複写操作後でも表面電位の
著しい低下を防止することができる。ゆえに、コピーの
濃度、解像度の低下を防止できる。
第１図及び第２図は、本発明を適用可能な電子写真用感
光体の概略断面図である。 １・・・・・・表面層、 ２・・・・・・光導電層、
３・・・・・・導電性基板、 ４・・・・・・電荷注入
阻止層。 第１図 第２図 １−表面層 ２−光導電層 ３− 導電ＶＩＭ板 ４− 上Ｍ表面層 ５− 下層表面層 ６−”−電荷〉主人阻止厘
光体の概略断面図である。 １・・・・・・表面層、 ２・・・・・・光導電層、
３・・・・・・導電性基板、 ４・・・・・・電荷注入
阻止層。 第１図 第２図 １−表面層 ２−光導電層 ３− 導電ＶＩＭ板 ４− 上Ｍ表面層 ５− 下層表面層 ６−”−電荷〉主人阻止厘
Claims (1)
- 導電性基板上に光導電層及び表面層を順次積層して成る
電子写真用感光体において、前記光導電層が水素を含む
非晶質ケイ素を主体としてなり、かつ前記表面層が５０
原子％以下の水素を含む非晶質炭素からなることを特徴
とする電子写真用感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11824185A JPS61275859A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 電子写真用感光体 |
| US07/215,151 US4932859A (en) | 1985-05-31 | 1988-07-05 | Electrophotographic photoreceptor having doped and/or bilayer amorphous silicon photosensitive layer |
| US07/767,751 US5262262A (en) | 1985-05-31 | 1991-09-30 | Electrophotographic photoreceptor having conductive layer and amorphous carbon overlayer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11824185A JPS61275859A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61275859A true JPS61275859A (ja) | 1986-12-05 |
Family
ID=14731729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11824185A Pending JPS61275859A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61275859A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62150355A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-04 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059367A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-04-05 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 調整した無定形ケイ素を含む電子写真装置 |
| JPS6061761A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS60225163A (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-09 | Tdk Corp | 電子写真感光体 |
| JPS61208056A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Toray Ind Inc | 電子写真感光体 |
| JPS61219961A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS61250655A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-07 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真感光体 |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP11824185A patent/JPS61275859A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059367A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-04-05 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 調整した無定形ケイ素を含む電子写真装置 |
| JPS6061761A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS60225163A (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-09 | Tdk Corp | 電子写真感光体 |
| JPS61208056A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Toray Ind Inc | 電子写真感光体 |
| JPS61219961A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS61250655A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-07 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真感光体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62150355A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-04 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
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