JPS61275857A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPS61275857A JPS61275857A JP11823985A JP11823985A JPS61275857A JP S61275857 A JPS61275857 A JP S61275857A JP 11823985 A JP11823985 A JP 11823985A JP 11823985 A JP11823985 A JP 11823985A JP S61275857 A JPS61275857 A JP S61275857A
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- hydrogen
- amorphous silicon
- gas
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08285—Carbon-based
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子写真用感光体、特に非晶質ケイ素を感光層
に用いた電子写真用感光体に関する。
に用いた電子写真用感光体に関する。
電子写真法は、感光体に帯電、像露光を施すことより静
電潜像を形成し、現像剤で現像後、転写紙にトナー像を
転写し、定着して複写物を得る方法である。この電子写
真法に用いられる感光体は、基本構成として導電性基板
」−に感光層を積層してなるものであり、感光層を構成
する材料としては、セレンあるいはセレン合金、硫化カ
ドミウム、酸化亜鉛等の無機感光材料あるいは、ポリビ
ニルカルバソール、トリニトロフルオレノン、ビスアゾ
顔料、フタロシアニン、ピラゾリン、ヒドラゾン等の有
機感光材料が知られ、感光層を単層あるいは積層にして
用いられている。
電潜像を形成し、現像剤で現像後、転写紙にトナー像を
転写し、定着して複写物を得る方法である。この電子写
真法に用いられる感光体は、基本構成として導電性基板
」−に感光層を積層してなるものであり、感光層を構成
する材料としては、セレンあるいはセレン合金、硫化カ
ドミウム、酸化亜鉛等の無機感光材料あるいは、ポリビ
ニルカルバソール、トリニトロフルオレノン、ビスアゾ
顔料、フタロシアニン、ピラゾリン、ヒドラゾン等の有
機感光材料が知られ、感光層を単層あるいは積層にして
用いられている。
近年、この感光層として非晶質ケイ素（アモルファスシ
リコン）を用いた感光体が知られ種々その改善が試みら
れている。この非晶質ケイ素を用いた感光体は、導電性
基板上にシラン（ＳｉＨ＝）ガスをグロー放電分解法等
によりケイ素の非晶質膜を形成したものであって、非晶
質ケイ素膜中に水素原子が取り込まれ光導電性を呈する
ものである。非晶質ケイ素感光体は、感光層の表面硬度
が高く傷つきにくく摩耗にも強く、耐熱性も高く機械的
強度にすぐれ又分光感度域が広く高い光感度を有する如
く感光特性もすぐれたものである。
リコン）を用いた感光体が知られ種々その改善が試みら
れている。この非晶質ケイ素を用いた感光体は、導電性
基板上にシラン（ＳｉＨ＝）ガスをグロー放電分解法等
によりケイ素の非晶質膜を形成したものであって、非晶
質ケイ素膜中に水素原子が取り込まれ光導電性を呈する
ものである。非晶質ケイ素感光体は、感光層の表面硬度
が高く傷つきにくく摩耗にも強く、耐熱性も高く機械的
強度にすぐれ又分光感度域が広く高い光感度を有する如
く感光特性もすぐれたものである。
このように非晶質ケイ素感光体はすぐれた感光特性を示
しかつ暗抵抗も比較的高いけれども、この暗抵抗もまだ
十分ではない。したがって感光層の暗減衰が大きく、感
光体を帯電しても十分な帯電電位が得られないという欠
点を有する。即ち非晶質ケイ素感光体を帯電し、像露光
して静電潜像を形成し、次いでこれを現像する際、感光
体上の表面電荷が像露光までの間に減衰したり、あるい
は現像工程までの間に光照射を受けなかった部分の電荷
までも減衰してしまい、現像に必要な帯電電位が得られ
にくいものである。
しかつ暗抵抗も比較的高いけれども、この暗抵抗もまだ
十分ではない。したがって感光層の暗減衰が大きく、感
光体を帯電しても十分な帯電電位が得られないという欠
点を有する。即ち非晶質ケイ素感光体を帯電し、像露光
して静電潜像を形成し、次いでこれを現像する際、感光
体上の表面電荷が像露光までの間に減衰したり、あるい
は現像工程までの間に光照射を受けなかった部分の電荷
までも減衰してしまい、現像に必要な帯電電位が得られ
にくいものである。
この帯電電位の減衰は、環境条件の影響によっても変化
しやすく、特に高温高温環境では帯電電位が大巾に低下
するものであり更に感光体を繰返し使用すると徐々に帯
電電位が低下してしまう。
しやすく、特に高温高温環境では帯電電位が大巾に低下
するものであり更に感光体を繰返し使用すると徐々に帯
電電位が低下してしまう。
この様な帯電電位の暗減衰の大きな感光体を用いて複写
物を作製すると画像濃度が低く又中間調の再現性に乏し
い複写物となるものである。
物を作製すると画像濃度が低く又中間調の再現性に乏し
い複写物となるものである。
本発明はこの様な非晶質ケイ素感光体における欠点を解
消することを目的としてなされたものであり、帯電電位
の暗減衰の少ない非晶質ケイ素感光体を提供するもので
ある。
消することを目的としてなされたものであり、帯電電位
の暗減衰の少ない非晶質ケイ素感光体を提供するもので
ある。
〔問題点を解決するだめの手段及び作用〕上記問題点を
解決するため、本発明は、導電性基板上に光導電層及び
表面層を順次積層して成る電子写真用感光体において前
記光導電層が水素を含む非晶質ケイ素を主体としてなり
、かつ前記表面層が５０原子％以下の水素と１０−４〜
０．１ 原子％のホウ素とを含む非晶質炭素からなるこ
とを特徴とする。
解決するため、本発明は、導電性基板上に光導電層及び
表面層を順次積層して成る電子写真用感光体において前
記光導電層が水素を含む非晶質ケイ素を主体としてなり
、かつ前記表面層が５０原子％以下の水素と１０−４〜
０．１ 原子％のホウ素とを含む非晶質炭素からなるこ
とを特徴とする。
本発明の電子写真用感光体の構造は第１図に示す通りで
あり、図中、１は５０原子％以下の水素を含む非晶質炭
素から成る表面層、２は非晶質ケイ素を主体とした光導
電層、３は導電性基板である。
あり、図中、１は５０原子％以下の水素を含む非晶質炭
素から成る表面層、２は非晶質ケイ素を主体とした光導
電層、３は導電性基板である。
１の表面層は帯電処理の際、光導電層の表面部から内部
への電荷の注入を阻止する電荷ブロッキング層としての
役割の他に、酸素、水蒸気、空気中の水分、オゾン（０
３）といった環境雰囲気中に一般的に存在する分子種が
光導電層表面に直接接触あるいは吸着するのを防止する
表面保護層としての役割を有することができる。同時に
、上記の表面層は、応力の付加、あるいは反応性化学物
質の付着などの外部要因の作用によって、光導電層自体
の特性が破壊されるのを防止する表面保護層としての役
割を有することができる。
への電荷の注入を阻止する電荷ブロッキング層としての
役割の他に、酸素、水蒸気、空気中の水分、オゾン（０
３）といった環境雰囲気中に一般的に存在する分子種が
光導電層表面に直接接触あるいは吸着するのを防止する
表面保護層としての役割を有することができる。同時に
、上記の表面層は、応力の付加、あるいは反応性化学物
質の付着などの外部要因の作用によって、光導電層自体
の特性が破壊されるのを防止する表面保護層としての役
割を有することができる。
さらには、上記の表面層は、非晶質ケイ素を主体とする
光導電層中に一般的に含まれている水素などの膜構成原
子が光導電層中から離脱していくのを防止する膜構成原
子の離脱防止層としての役割を果たすことができる。
光導電層中に一般的に含まれている水素などの膜構成原
子が光導電層中から離脱していくのを防止する膜構成原
子の離脱防止層としての役割を果たすことができる。
表面層１は、グロー放電法、スハッタリング法、イオン
ブレーティング法、真空蒸着法、ＣＶ Ｄ法などの方法
によって形成することが出来る。中でもグロー放電法に
より、炭化水素化合物を分解して形成した、５０原子％
以下の水素を含む非晶質炭素膜は電子写真感光体として
、要求される高暗抵抗および非晶質ケイ素光導電層の特
徴を損うことのない透明でかつ高硬度等の優れた特性を
有する。
ブレーティング法、真空蒸着法、ＣＶ Ｄ法などの方法
によって形成することが出来る。中でもグロー放電法に
より、炭化水素化合物を分解して形成した、５０原子％
以下の水素を含む非晶質炭素膜は電子写真感光体として
、要求される高暗抵抗および非晶質ケイ素光導電層の特
徴を損うことのない透明でかつ高硬度等の優れた特性を
有する。
本発明の表面層を形成するのに使用される原料は次のも
のが使用される。主体となる炭素の原料としては、メタ
ン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン等のＣ１Ｈ２
ｈ ＋ ２の一般式で示されるパラフィン系炭化水素：
エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンテン等のＣ，、
Ｈ２，、の一般式で示されるオレフィン系炭化水素、ア
セチレン、アリレン、ブチン等のＣｎ Ｈ２、、−２の
一般式で示されるアセチレン系炭化水素等の脂肪族炭化
水素ニジクロプロパン、シクロブタン、シクロペンクン
、シクロヘキサン、シクロブタン、シクロブテン、シク
ロペンテン、シクロヘキセン等の脂環式炭化水素；ベン
ゼン、トルエン、キシレン、ナフタリン、アントラセン
等の芳香族化合物が挙げられる。
のが使用される。主体となる炭素の原料としては、メタ
ン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン等のＣ１Ｈ２
ｈ ＋ ２の一般式で示されるパラフィン系炭化水素：
エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンテン等のＣ，、
Ｈ２，、の一般式で示されるオレフィン系炭化水素、ア
セチレン、アリレン、ブチン等のＣｎ Ｈ２、、−２の
一般式で示されるアセチレン系炭化水素等の脂肪族炭化
水素ニジクロプロパン、シクロブタン、シクロペンクン
、シクロヘキサン、シクロブタン、シクロブテン、シク
ロペンテン、シクロヘキセン等の脂環式炭化水素；ベン
ゼン、トルエン、キシレン、ナフタリン、アントラセン
等の芳香族化合物が挙げられる。
非晶質炭素膜中の水素の含有は、通常原料炭化水素に含
まれる水素によってなされるが、必要に応じて、原＊ミ
）炭化水素と同時に水素ガスを装置に導入しても良い。
まれる水素によってなされるが、必要に応じて、原＊ミ
）炭化水素と同時に水素ガスを装置に導入しても良い。
また、非晶質炭素表面層の暗抵抗の制御あるいは非晶質
ケイ素光導電層との接合特性の制御を目的として、さら
に」１記のガス中にジボラン（＋１２１１６）ガスを混
入させることにより、非晶質炭素中に１０−１〜０．１
原子％のホウ素（Ｂ）を添加する。
ケイ素光導電層との接合特性の制御を目的として、さら
に」１記のガス中にジボラン（＋１２１１６）ガスを混
入させることにより、非晶質炭素中に１０−１〜０．１
原子％のホウ素（Ｂ）を添加する。
原料気体のグロー放電分解は、直流あるいは交流放電い
ずれの場合でも可能であり、周波数はＯ〜３３ Ｍ Ｈ
ｚ好適には５−２０ Ｍ ）−（ｚである。放電時の真
空度は０．１〜５’ｒｏｒｒ （１３，３〜６６．７Ｎ
／ｍ２）、基板加熱温度は１００〜４００℃で行なわれ
る。表面層の膜厚は任意に設定されるが、１０μｍ以下
、特に１μｍ以下が好適である。
ずれの場合でも可能であり、周波数はＯ〜３３ Ｍ Ｈ
ｚ好適には５−２０ Ｍ ）−（ｚである。放電時の真
空度は０．１〜５’ｒｏｒｒ （１３，３〜６６．７Ｎ
／ｍ２）、基板加熱温度は１００〜４００℃で行なわれ
る。表面層の膜厚は任意に設定されるが、１０μｍ以下
、特に１μｍ以下が好適である。
２の非晶質ケイ素を主体とする光導電層は、グロー放電
法、スパッタリング法、イオンブレーティング法、真空
蒸着法などの方法によって基板上に形成することができ
る。中でもプラズマＣＶＤ法によりシラン（Ｓ ｉ Ｈ
＝）ガスをグロー放電分解する方法（グロー放電法）に
よれば、膜中に自動的に適量の水素を含有した仕較的暗
抵抗が高くかつ光感度も高い、電子写真感光体用として
最適な特性を有する光導電層を得ることができる。また
この場合水素の含有を一層効率良く行なうために、プラ
ズマＣＶ Ｄ 装置内にシランガスと同時に水素（Ｎ２
）ガスを導入してもよい。また非晶質ケイ素光導電層膜
の暗抵抗の制御あるいは帯電極性の制御を目的として、
さらに」―記のガス中にジボラン（１３２１−１６）ガ
ス、ホスフィン（ＰＩ−（３）ガスなどのドーパント・
ガスを混入させ、光導電層膜中へのホウ素（Ｂ）あるい
はリン（Ｐ）などの不純物元素の添加（ドーピング）を
行なうこともできる。
法、スパッタリング法、イオンブレーティング法、真空
蒸着法などの方法によって基板上に形成することができ
る。中でもプラズマＣＶＤ法によりシラン（Ｓ ｉ Ｈ
＝）ガスをグロー放電分解する方法（グロー放電法）に
よれば、膜中に自動的に適量の水素を含有した仕較的暗
抵抗が高くかつ光感度も高い、電子写真感光体用として
最適な特性を有する光導電層を得ることができる。また
この場合水素の含有を一層効率良く行なうために、プラ
ズマＣＶ Ｄ 装置内にシランガスと同時に水素（Ｎ２
）ガスを導入してもよい。また非晶質ケイ素光導電層膜
の暗抵抗の制御あるいは帯電極性の制御を目的として、
さらに」―記のガス中にジボラン（１３２１−１６）ガ
ス、ホスフィン（ＰＩ−（３）ガスなどのドーパント・
ガスを混入させ、光導電層膜中へのホウ素（Ｂ）あるい
はリン（Ｐ）などの不純物元素の添加（ドーピング）を
行なうこともできる。
またさらには、膜の暗抵抗の増加、光感度の増加あるい
は帯電能（単位膜厚あたりの帯電能力あるいは帯電電位
）の増加を目的として、非晶質珪素膜中にハロゲン原子
、炭素原子、酸素原子、窒素原子などを含有させてもよ
い。またさらには、長波長域感度の増感を目的として光
導電層膜中にゲルマニウム（Ｇｅ）などの元素を添加す
ることも可能である。」−記の水素以外の元素を非晶質
ケイ素光導電層中に添加含有させるためにはプラズマＣ
ＶＤ装置内に、主原料であるシランガスと共にそれらの
元素のガス化物を導入してグロー放電分解を行なえばよ
い。
は帯電能（単位膜厚あたりの帯電能力あるいは帯電電位
）の増加を目的として、非晶質珪素膜中にハロゲン原子
、炭素原子、酸素原子、窒素原子などを含有させてもよ
い。またさらには、長波長域感度の増感を目的として光
導電層膜中にゲルマニウム（Ｇｅ）などの元素を添加す
ることも可能である。」−記の水素以外の元素を非晶質
ケイ素光導電層中に添加含有させるためにはプラズマＣ
ＶＤ装置内に、主原料であるシランガスと共にそれらの
元素のガス化物を導入してグロー放電分解を行なえばよ
い。
以−ＬのプラズマＣＶＤ法によりシラン（ＳｉＨ，）ガ
スをグロー放電分解する非晶質ケイ素光導電層膜形成法
において有効な放電条件すなわち有効な非晶質ケイ素膜
の生成条件は、例えば交流放電の場合を例とすると、次
の通りである。周波数は通常０．１〜３０Ｍ１ｌｚ、好
適には５〜２０Ｍ１ｔｚ、放電時の真空度は０．１−５
Ｔｏｒｒ （１３，３〜６６．７Ｎ／ｍ２）、基板加熱
温度は１００〜４００℃である。
スをグロー放電分解する非晶質ケイ素光導電層膜形成法
において有効な放電条件すなわち有効な非晶質ケイ素膜
の生成条件は、例えば交流放電の場合を例とすると、次
の通りである。周波数は通常０．１〜３０Ｍ１ｌｚ、好
適には５〜２０Ｍ１ｔｚ、放電時の真空度は０．１−５
Ｔｏｒｒ （１３，３〜６６．７Ｎ／ｍ２）、基板加熱
温度は１００〜４００℃である。
非晶質珪素を主体とする光導電層の膜厚は任意に設定さ
れるが、１μｍ〜２００μｍ１特に１０μｍ〜１００μ
ｍが好適である。
れるが、１μｍ〜２００μｍ１特に１０μｍ〜１００μ
ｍが好適である。
添付図面中３の導電性基板としてはＡＩ、Ｎ１、Ｃｒ、
Ｆｅ、ステンレス鋼、黄銅などの金属からなる基板、あ
るいは■ｎ２．０３、ＳｎＯ２、ＣｕＩ、Ｃｒ Ｏ２な
どの金属間化合物からなる基板などを用いることができ
る。また基板の形状は円筒状、エンドレスベルト我等任
意の形状として得ることが可能である。
Ｆｅ、ステンレス鋼、黄銅などの金属からなる基板、あ
るいは■ｎ２．０３、ＳｎＯ２、ＣｕＩ、Ｃｒ Ｏ２な
どの金属間化合物からなる基板などを用いることができ
る。また基板の形状は円筒状、エンドレスベルト我等任
意の形状として得ることが可能である。
また、第２図に示すように、必要により、光導電層２と
導電性基板３との間に電荷注入阻止層４を設けることが
できる。この層を構成する材料としては、感光体の使用
される帯電符号に応じ、たとえば微量のホウ素を添加し
た水素化アモルファスシリコンあるいは微量のリンを添
加した水素化アモルファスシリコン等が用いられる。
導電性基板３との間に電荷注入阻止層４を設けることが
できる。この層を構成する材料としては、感光体の使用
される帯電符号に応じ、たとえば微量のホウ素を添加し
た水素化アモルファスシリコンあるいは微量のリンを添
加した水素化アモルファスシリコン等が用いられる。
以下、本発明の実施例を比較例と対比しながら説明する
。
。
比較例Ｉ
Ｐ［状基板上へのアモルファスシリコン膜の生成が可能
な容量結合型プラズマＣＶＤ装置を用いて、シラン（Ｓ
ｉ Ｈ４）ガスとジボラン（Ｂ２１−１６）ガスの混
合ガスをグロー放電分解することにより、円筒型Ａｐ基
板上に水素と微量のホウ素を含む仕較的高暗抵抗でいわ
ゆる１型の非晶質ケイ素膜を生成した。この時の非晶質
ケイ素膜の生成条件は次のようであった。
な容量結合型プラズマＣＶＤ装置を用いて、シラン（Ｓ
ｉ Ｈ４）ガスとジボラン（Ｂ２１−１６）ガスの混
合ガスをグロー放電分解することにより、円筒型Ａｐ基
板上に水素と微量のホウ素を含む仕較的高暗抵抗でいわ
ゆる１型の非晶質ケイ素膜を生成した。この時の非晶質
ケイ素膜の生成条件は次のようであった。
プラズマＣＶＤ装置の反応室内の所定の位置に円筒型Δ
ｐ基板を設置し、基板温度を所定の温度である２５０℃
に維持し、反応室内に１００％シラン（ＳｉＨ＜）ガス
を毎分１２ Ｑｃ５水素稀釈の１００ｐｐｍ シボラフ
（Ｂ１１（６）ガスを毎分２０ｃｃ。
ｐ基板を設置し、基板温度を所定の温度である２５０℃
に維持し、反応室内に１００％シラン（ＳｉＨ＜）ガス
を毎分１２ Ｑｃ５水素稀釈の１００ｐｐｍ シボラフ
（Ｂ１１（６）ガスを毎分２０ｃｃ。
さらに１００％水素（Ｈ２）ガスを毎分９［］ｃｃで流
入させ、反応槽内を０．５Ｔｏｒｒ （６６，７Ｎ／ｍ
２） （７）内圧に維持した後、１３．５６ Ｍｌｌｚ
の高周波電力を投入して、グロー放電を生じせしめ、高
周波電力の出力を８５Ｗに１．１（持した。このように
して円筒状のΔβ基板上に厚さ２５μｍの水素と極微量
のホウ素を含む高暗抵抗でいわゆる１型の非晶質ケイ素
感光体を得た。
入させ、反応槽内を０．５Ｔｏｒｒ （６６，７Ｎ／ｍ
２） （７）内圧に維持した後、１３．５６ Ｍｌｌｚ
の高周波電力を投入して、グロー放電を生じせしめ、高
周波電力の出力を８５Ｗに１．１（持した。このように
して円筒状のΔβ基板上に厚さ２５μｍの水素と極微量
のホウ素を含む高暗抵抗でいわゆる１型の非晶質ケイ素
感光体を得た。
この感光体を正帯電させ初期電位を５５０■にした。こ
れを６５０ｎｍの波長の光で露光する操作を毎分４０回
の速度で繰返した。この時の残留電位はＯＶで安定して
いたが、帯電電位は繰返し数の増加とともに減少する傾
向が見られ、１０００回の繰返し操作の後においてその
帯電電位は初期帯電電位の６８％の値まで減少していた
。
れを６５０ｎｍの波長の光で露光する操作を毎分４０回
の速度で繰返した。この時の残留電位はＯＶで安定して
いたが、帯電電位は繰返し数の増加とともに減少する傾
向が見られ、１０００回の繰返し操作の後においてその
帯電電位は初期帯電電位の６８％の値まで減少していた
。
またこの感光体を負帯電させ、同様の操作を行なったと
ころ、正帯電の場合と同様の現象が見られた。さらに、
複写操作を繰返すうちに徐々に画像の解像度が低下した
。
ころ、正帯電の場合と同様の現象が見られた。さらに、
複写操作を繰返すうちに徐々に画像の解像度が低下した
。
実施例１
比較例１と同一方法、同一条件にて非晶質ケイ素を主体
とする光導電層を形成した後、反応槽を真空にした。次
にメタン（ＣＨ，）ガスと］Ｏｐｐｍのジボラン（Ｂ２
Ｈ６）ガスとの混合ガスを毎分５０ｃｃ流入し反応槽内
を０．２Ｔｏｒｒ （２６，７Ｎ ７ｍ２）にした後、
グロー放電分解することにより約４０％の水素を含む非
晶質炭素からなる表面層を０．３μ設けた。
とする光導電層を形成した後、反応槽を真空にした。次
にメタン（ＣＨ，）ガスと］Ｏｐｐｍのジボラン（Ｂ２
Ｈ６）ガスとの混合ガスを毎分５０ｃｃ流入し反応槽内
を０．２Ｔｏｒｒ （２６，７Ｎ ７ｍ２）にした後、
グロー放電分解することにより約４０％の水素を含む非
晶質炭素からなる表面層を０．３μ設けた。
この表面層は表面硬度が高く耐摩耗性、透明性、及び耐
熱性に１優れた膜であった。
熱性に１優れた膜であった。
この感光体を正帯電させ、初期電位を５５０Ｖにした。
これを６５０１ｍの波長の光で露光する操作を毎分４０
回の速度で繰り返した。この時の残留電位は１０■で安
定しており、帯電電位は１０００回の繰り返し操作の後
でも初期帯電電位の９５％を保持していた。また、１０
００回の複写操作後も画像の濃度、解像度に優れたコピ
ーが得られた。
回の速度で繰り返した。この時の残留電位は１０■で安
定しており、帯電電位は１０００回の繰り返し操作の後
でも初期帯電電位の９５％を保持していた。また、１０
００回の複写操作後も画像の濃度、解像度に優れたコピ
ーが得られた。
比較例２
比較例１と同様な装置を用いて、シラン（Ｓｉ１１．）
ガスとジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスの混合ガスをクロー放
電分解することにより、円筒型Ａｌ基板上に水素と微量
のホウ素を含む、いわゆるＰ型の非晶質ケイ素膜と、水
素と極く微量のホウ素を含む、いわゆる１型の非晶質ケ
イ素膜を順次形成した。
ガスとジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスの混合ガスをクロー放
電分解することにより、円筒型Ａｌ基板上に水素と微量
のホウ素を含む、いわゆるＰ型の非晶質ケイ素膜と、水
素と極く微量のホウ素を含む、いわゆる１型の非晶質ケ
イ素膜を順次形成した。
この時の生成条件は次のようであった。
プラズマＣＶＤ装置の反応室内の所定の位置に円筒状Δ
β基板を設置し、基板温度を所定の温度である２５０℃
に維持し、反応室内に１００％シラン（ＳｉＨ＝）ガス
を毎分１２０ｃｃ、水素稀釈の１００ｐｐｍ シボラフ
（Ｂ２１（ｓ）ガスを毎分１００ｃｃさらに１００％
水素（Ｈ２）ガスを毎分９Ｑｃｃで流入させ、反応槽内
を０．５Ｔｏｒｒ （６６，７Ｎ ７ｍ２）の内圧に維
持した後、１３．５６ Ｍ Ｉ−１の高周波電源を投入
して、グロー放電を生じせしめ、高周波電源の出力を８
５Ｗに維持した。このようにして円筒状のΔβ基板上に
厚さ０．２μｍの水素とホウ素を含むいわゆるＰ型の非
晶質ケイ素膜を形成した。
β基板を設置し、基板温度を所定の温度である２５０℃
に維持し、反応室内に１００％シラン（ＳｉＨ＝）ガス
を毎分１２０ｃｃ、水素稀釈の１００ｐｐｍ シボラフ
（Ｂ２１（ｓ）ガスを毎分１００ｃｃさらに１００％
水素（Ｈ２）ガスを毎分９Ｑｃｃで流入させ、反応槽内
を０．５Ｔｏｒｒ （６６，７Ｎ ７ｍ２）の内圧に維
持した後、１３．５６ Ｍ Ｉ−１の高周波電源を投入
して、グロー放電を生じせしめ、高周波電源の出力を８
５Ｗに維持した。このようにして円筒状のΔβ基板上に
厚さ０．２μｍの水素とホウ素を含むいわゆるＰ型の非
晶質ケイ素膜を形成した。
次に、反応室内に、１００％シラン（ＳｉＨ＝）ガスを
毎分１２ Ｑｃｃ、水素稀釈の１００ｐｐｍジボラン（
Ｂ１１（６）ガスを毎分２０ｃ５さらに１００％水素（
Ｈ２）ガスを毎分９０ｃｃで流入させ、反応槽内を０．
５Ｔｏｒｒ （６６，７Ｎ ７ｍ２）の内圧に維持した
後、Ｐ層と同様に放電を行ない厚さ２５μｍの水素と極
く微量のホウ素を含むいわゆる１型層が積層された感光
体を得た。
毎分１２ Ｑｃｃ、水素稀釈の１００ｐｐｍジボラン（
Ｂ１１（６）ガスを毎分２０ｃ５さらに１００％水素（
Ｈ２）ガスを毎分９０ｃｃで流入させ、反応槽内を０．
５Ｔｏｒｒ （６６，７Ｎ ７ｍ２）の内圧に維持した
後、Ｐ層と同様に放電を行ない厚さ２５μｍの水素と極
く微量のホウ素を含むいわゆる１型層が積層された感光
体を得た。
このようにして得られた感光体を複写機に入れ、正のコ
ロナ帯電方式で画質を評価したところ、初期時では実用
上問題のない画像濃度が得られたが、複写操作を繰り返
すうちに徐々に画像濃度は低下した。
ロナ帯電方式で画質を評価したところ、初期時では実用
上問題のない画像濃度が得られたが、複写操作を繰り返
すうちに徐々に画像濃度は低下した。
実施例２
比較例２と同一方法、ｒｉ’Ｆ］−条件にて非晶質ケイ
素を主体とする光導電層を形成した後、反応槽を真空に
した。次にエタン（Ｃ２Ｈ，、）ガスと２０ｐｐｍのジ
ボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスとの混合ガスを毎分２０ＣＣ流
入し反応槽内を０． ＩＴｏｒｒ （６６，７Ｎ ／ｍ
２）にした後、グロー放電分解することにより３０％の
水素を含む非晶質炭素からなる表面層を０．１μ設けた
。
素を主体とする光導電層を形成した後、反応槽を真空に
した。次にエタン（Ｃ２Ｈ，、）ガスと２０ｐｐｍのジ
ボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスとの混合ガスを毎分２０ＣＣ流
入し反応槽内を０． ＩＴｏｒｒ （６６，７Ｎ ／ｍ
２）にした後、グロー放電分解することにより３０％の
水素を含む非晶質炭素からなる表面層を０．１μ設けた
。
この表面層は表面硬度が高く、耐摩耗性、透明性、及び
耐熱性に優れた膜であった。さらに、このようにして得
られた感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式を画
質評価したところ、初期時では実用−に問題のない画像
濃度が得られた。また、複写操作を５万回繰り返したが
画像濃度の低下はみられなかった。
耐熱性に優れた膜であった。さらに、このようにして得
られた感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式を画
質評価したところ、初期時では実用−に問題のない画像
濃度が得られた。また、複写操作を５万回繰り返したが
画像濃度の低下はみられなかった。
実施例３
比較例２と同一方法、同一条件にて非晶質ケイ素を主体
とする光導電層を形成した後、反応槽を真空にした。次
にエチレン（Ｃ２１−（、）ガスと５０ｐｐｍのジボラ
ン（３２Ｈ６）ガスとの混合ガスを毎分３０ｃｃ流入し
反応槽内を０．１Ｔｏｒｒ （６６，７Ｎ ／ｍ２）に
した後、グロー放電分解することにより３０％の水素を
含む非晶質炭素からなる表面層を０．２ ｐ設けた。
とする光導電層を形成した後、反応槽を真空にした。次
にエチレン（Ｃ２１−（、）ガスと５０ｐｐｍのジボラ
ン（３２Ｈ６）ガスとの混合ガスを毎分３０ｃｃ流入し
反応槽内を０．１Ｔｏｒｒ （６６，７Ｎ ／ｍ２）に
した後、グロー放電分解することにより３０％の水素を
含む非晶質炭素からなる表面層を０．２ ｐ設けた。
この表面層は表面硬度が高く、耐摩耗性、透明性、及び
耐熱性に優れた膜であった。さらに、このようにして得
られた感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式を画
質評価したところ、初期時では実用上問題のない画像濃
度が得られた。また、複写操作を５万回繰り返したが画
像濃度の低下はみられなかった。
耐熱性に優れた膜であった。さらに、このようにして得
られた感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式を画
質評価したところ、初期時では実用上問題のない画像濃
度が得られた。また、複写操作を５万回繰り返したが画
像濃度の低下はみられなかった。
本発明の感光体は、表面硬度が高く、耐摩耗性、耐熱性
及び耐摩耗性に優れ、また分光感度域が広く、高い光感
度を有する。さらに、暗減衰が小さいので、電荷保持力
が強く、したがって多数回の複写操作後でも表面電位の
著しい低下を防止することができる。ゆえに、コピーの
濃度、解像度の低下を防止できる。
及び耐摩耗性に優れ、また分光感度域が広く、高い光感
度を有する。さらに、暗減衰が小さいので、電荷保持力
が強く、したがって多数回の複写操作後でも表面電位の
著しい低下を防止することができる。ゆえに、コピーの
濃度、解像度の低下を防止できる。
第１図及び第２図は、本発明を適用可能な電子写真用感
光体の概略断面図である。 １・・・・・・表面層、 ２・・・・・・光導電層
、３・・・・・・導電性基板、 ４・・・・・・電荷注
入阻止層。 第１図 第２図
光体の概略断面図である。 １・・・・・・表面層、 ２・・・・・・光導電層
、３・・・・・・導電性基板、 ４・・・・・・電荷注
入阻止層。 第１図 第２図
Claims (1)
- 導電性基板上に光導電層及び表面層を順次積層して成る
電子写真用感光体において、前記光導電層が水素を含む
非晶質ケイ素を主体としてなり、かつ前記表面層が５０
原子％以下の水素と１０＾−＾４〜０．１原子％のホウ
素とを含む非晶質炭素からなることを特徴とする電子写
真用感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118239A JPH0695219B2 (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 電子写真用感光体 |
| US07/215,151 US4932859A (en) | 1985-05-31 | 1988-07-05 | Electrophotographic photoreceptor having doped and/or bilayer amorphous silicon photosensitive layer |
| US07/767,751 US5262262A (en) | 1985-05-31 | 1991-09-30 | Electrophotographic photoreceptor having conductive layer and amorphous carbon overlayer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118239A JPH0695219B2 (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61275857A true JPS61275857A (ja) | 1986-12-05 |
| JPH0695219B2 JPH0695219B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=14731678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60118239A Expired - Lifetime JPH0695219B2 (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0695219B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61275856A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS61275858A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6194056A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | アモルフアス・シリコン感光体 |
| JPS61208056A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Toray Ind Inc | 電子写真感光体 |
| JPS61275856A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS61275858A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP60118239A patent/JPH0695219B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6194056A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | アモルフアス・シリコン感光体 |
| JPS61208056A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Toray Ind Inc | 電子写真感光体 |
| JPS61275856A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS61275858A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61275856A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS61275858A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0695219B2 (ja) | 1994-11-24 |
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