JP2887553B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- halogen
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子写真用感光体、特に
半導体レーザビームプリンター用電子写真感光体に関す
るものである。
半導体レーザビームプリンター用電子写真感光体に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子写真方式を用いたレーザビー
ムプリンターがパーソナルコンピューター、ワードプロ
セッサー等の出力用端末として急速に普及してきた。こ
のレーザビームプリンターに用いられる感光体として
は、赤外感度を有し、帯電特性に優れている有機感光体
が知られている。しかしながら、この有機感光体は、耐
久性、耐刷性が不足しているという問題があった。一
方、長寿命感光体として、アモルファスシリコンを用い
た感光体が開発され、実用化されている。アモルファス
シリコンの光学吸収は、一般的に用いられている半導体
レーザの７８０ｎｍの波長領域では少なく、結果として
アモルファスシリコン感光体の感度は７５０ｎｍより長
波長領域で急激に低下している。したがって、半導体レ
ーザの発振波長の変動によって感度が変化し、その結果
レーザスポットに対応する静電潜像の大きさが変化する
ため、安定な高画質画像を提供できないという問題があ
った。このため、長波長増感の方法としてゲルマニウム
を含有させたアモルファスシリコンが提案されている
（特開昭５７−１１５５５２号公報、同５８−１７１０
４３号公報、同６１−２４３４６１号公報、同６２−１
８２７４５号公報）。また、電子写真学会討論会：「昭
和５７年、第４９回電子写真学会研究討論会」には、α
−ＳｉＧｅ感光体にホウ素をドープすることが提案され
ている。ところで、電子写真感光体の要求する特性とし
ては、高感度、高暗抵抗であることが望まれるが、上記
の方法で長波長増感したものは、暗抵抗が小さく、また
特有の疲労効果を示すという問題がある。この様な光疲
労は、画像濃度の低下をもたらし、ゴースト画像を発生
して、画質を劣化させる。
ムプリンターがパーソナルコンピューター、ワードプロ
セッサー等の出力用端末として急速に普及してきた。こ
のレーザビームプリンターに用いられる感光体として
は、赤外感度を有し、帯電特性に優れている有機感光体
が知られている。しかしながら、この有機感光体は、耐
久性、耐刷性が不足しているという問題があった。一
方、長寿命感光体として、アモルファスシリコンを用い
た感光体が開発され、実用化されている。アモルファス
シリコンの光学吸収は、一般的に用いられている半導体
レーザの７８０ｎｍの波長領域では少なく、結果として
アモルファスシリコン感光体の感度は７５０ｎｍより長
波長領域で急激に低下している。したがって、半導体レ
ーザの発振波長の変動によって感度が変化し、その結果
レーザスポットに対応する静電潜像の大きさが変化する
ため、安定な高画質画像を提供できないという問題があ
った。このため、長波長増感の方法としてゲルマニウム
を含有させたアモルファスシリコンが提案されている
（特開昭５７−１１５５５２号公報、同５８−１７１０
４３号公報、同６１−２４３４６１号公報、同６２−１
８２７４５号公報）。また、電子写真学会討論会：「昭
和５７年、第４９回電子写真学会研究討論会」には、α
−ＳｉＧｅ感光体にホウ素をドープすることが提案され
ている。ところで、電子写真感光体の要求する特性とし
ては、高感度、高暗抵抗であることが望まれるが、上記
の方法で長波長増感したものは、暗抵抗が小さく、また
特有の疲労効果を示すという問題がある。この様な光疲
労は、画像濃度の低下をもたらし、ゴースト画像を発生
して、画質を劣化させる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の技術
における上記のようなアモルファスシリコン感光体にお
ける問題点を改善することを目的としてなされたもので
ある。すなわち、本発明の目的は、高画質で高速で画像
形成が可能なレーザビームプリンター用の電子写真感光
体を提供することにある。本発明の他の目的は、小型の
レーザビームプリンターに適用でき、高速で画像形成が
可能な、高感度で、疲労が少なく耐久性のある電子写真
感光体を提供することにある。本発明のさらに他の目的
は、耐熱性、化学安定性が高く、かつ機械的強度が高
く、耐摩耗性に優れた電子写真感光体を提供することに
ある。
における上記のようなアモルファスシリコン感光体にお
ける問題点を改善することを目的としてなされたもので
ある。すなわち、本発明の目的は、高画質で高速で画像
形成が可能なレーザビームプリンター用の電子写真感光
体を提供することにある。本発明の他の目的は、小型の
レーザビームプリンターに適用でき、高速で画像形成が
可能な、高感度で、疲労が少なく耐久性のある電子写真
感光体を提供することにある。本発明のさらに他の目的
は、耐熱性、化学安定性が高く、かつ機械的強度が高
く、耐摩耗性に優れた電子写真感光体を提供することに
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、アモルフ
ァスシリコンの低吸収率波長領域の電子写真感度を厚膜
化および／または増感することにより半導体レーザビー
ムプリンター用感光体として適用可能な７８０ｎｍ付近
での汎色感度を有する電子写真感光体が得られることを
見出し、本発明を完成した。
ァスシリコンの低吸収率波長領域の電子写真感度を厚膜
化および／または増感することにより半導体レーザビー
ムプリンター用感光体として適用可能な７８０ｎｍ付近
での汎色感度を有する電子写真感光体が得られることを
見出し、本発明を完成した。
【０００５】本発明の電子写真感光体は、導電性支持体
と、水素および／またはハロゲンを含むアモルファスシ
リコン層と、アモルファスシリコンゲルマニウム層とか
らなる膜厚が３０〜１００μｍの光導電層を有するもの
であって、７８０ｎｍを中心波長として（７８０−Δ
ω）ｎｍおよび（７８０＋Δω）ｎｍに対する４００Ｖ
における帯電電位での半減露光量（ｍＪ／ｍ2 ）をＥ1
およびＥ2 とした場合に、下記式で表される感度の波長
依存性γがΔω＝５０において０．０２（ｍＪ／ｍ2 ・
ｎｍ）以下であることを特徴とする。 γ＝（Ｅ2 −Ｅ1 ）／２Δω
と、水素および／またはハロゲンを含むアモルファスシ
リコン層と、アモルファスシリコンゲルマニウム層とか
らなる膜厚が３０〜１００μｍの光導電層を有するもの
であって、７８０ｎｍを中心波長として（７８０−Δ
ω）ｎｍおよび（７８０＋Δω）ｎｍに対する４００Ｖ
における帯電電位での半減露光量（ｍＪ／ｍ2 ）をＥ1
およびＥ2 とした場合に、下記式で表される感度の波長
依存性γがΔω＝５０において０．０２（ｍＪ／ｍ2 ・
ｎｍ）以下であることを特徴とする。 γ＝（Ｅ2 −Ｅ1 ）／２Δω
【０００６】本発明の電子写真感光体において、光導電
層は、水素および／またはハロゲンを含むものであっ
て、さらに導電性を制御するIII 族元素からなる群より
選択された少なくとも一つを含んでもよいアモルファス
シリコンを主体とする層を有する。また、本発明の電子
写真感光体においては、光導電層の上に表面層が形成さ
れていてもよく、その表面層が、III 族またはＶ族元
素、窒素、酸素および炭素から選択された少なくとも一
つを含有するアモルファスシリコンよりなるか、III族
またはＶ族元素、窒素、酸素および炭素から選択された
少なくとも一つを含み、５０原子％以下の水素および／
またはハロゲンを含有してもよいアモルファス炭素より
なるか、またはそれら両者が積層されてなるものを有す
るものであってもよい。また、表面層は反射防止層を兼
ねることもできる。
層は、水素および／またはハロゲンを含むものであっ
て、さらに導電性を制御するIII 族元素からなる群より
選択された少なくとも一つを含んでもよいアモルファス
シリコンを主体とする層を有する。また、本発明の電子
写真感光体においては、光導電層の上に表面層が形成さ
れていてもよく、その表面層が、III 族またはＶ族元
素、窒素、酸素および炭素から選択された少なくとも一
つを含有するアモルファスシリコンよりなるか、III族
またはＶ族元素、窒素、酸素および炭素から選択された
少なくとも一つを含み、５０原子％以下の水素および／
またはハロゲンを含有してもよいアモルファス炭素より
なるか、またはそれら両者が積層されてなるものを有す
るものであってもよい。また、表面層は反射防止層を兼
ねることもできる。
【０００７】本発明を図面を参照して説明する。図１
は、電子写真感光体の半減露光量を示すグラフである。
また、図２は分光感度を示すグラフであって、図中、点
線Ｂ（ａ−Ｓｉ（Ｉ））は従来のアモルファスシリコン
感光体の分光感度を示し、７８０ｎｍ近傍は感度の低下
が大きく、波長依存性が大きい。実線Ａ（ｓ−Ｓｉ（I
I））は本発明の電子写真感光体の分光感度を示し、７
８０ｎｍ付近の感度の波長依存性が著しく小さいことを
表わしている。本発明の電子写真感光体における感度の
波長依存性については、電子写真感光体の７８０ｎｍを
中心波長とし、７８０ｎｍから５０ｎｍ離れた波長にお
ける半減露光量を指標にして設定される。すなわち、下
記式 γ＝（Ｅ2 −Ｅ1 ）／２Δω で示される感度の波長依存性γが、Δω＝５０μｍにお
いて、０．０２（ｍＪ／ｍ2 ・ｎｍ）以下であるように
設定される。γの値が０．０２（ｍＪ／ｍ2 ・ｎｍ）よ
りも大きくなると、７８０ｎｍ近傍での感度低下が大き
くなり、レーザー光の発振波長の変動によって感度が変
化し、良好な画質の画像を安定して得ることができなく
なる。
は、電子写真感光体の半減露光量を示すグラフである。
また、図２は分光感度を示すグラフであって、図中、点
線Ｂ（ａ−Ｓｉ（Ｉ））は従来のアモルファスシリコン
感光体の分光感度を示し、７８０ｎｍ近傍は感度の低下
が大きく、波長依存性が大きい。実線Ａ（ｓ−Ｓｉ（I
I））は本発明の電子写真感光体の分光感度を示し、７
８０ｎｍ付近の感度の波長依存性が著しく小さいことを
表わしている。本発明の電子写真感光体における感度の
波長依存性については、電子写真感光体の７８０ｎｍを
中心波長とし、７８０ｎｍから５０ｎｍ離れた波長にお
ける半減露光量を指標にして設定される。すなわち、下
記式 γ＝（Ｅ2 −Ｅ1 ）／２Δω で示される感度の波長依存性γが、Δω＝５０μｍにお
いて、０．０２（ｍＪ／ｍ2 ・ｎｍ）以下であるように
設定される。γの値が０．０２（ｍＪ／ｍ2 ・ｎｍ）よ
りも大きくなると、７８０ｎｍ近傍での感度低下が大き
くなり、レーザー光の発振波長の変動によって感度が変
化し、良好な画質の画像を安定して得ることができなく
なる。
【０００８】次に、本発明の電子写真感光体の層構成に
ついて説明する。図３は、本発明の電子写真感光体の模
式的断面図であって、導電性支持体１の上に、電荷注入
阻止層２、アモルファスシリコンを主体とする光導電層
３、アモルファスシリコンゲルマニウムを主体とする増
感層５および表面層４から形成されている。
ついて説明する。図３は、本発明の電子写真感光体の模
式的断面図であって、導電性支持体１の上に、電荷注入
阻止層２、アモルファスシリコンを主体とする光導電層
３、アモルファスシリコンゲルマニウムを主体とする増
感層５および表面層４から形成されている。
【０００９】本発明において、導電性支持体１として
は、アルミニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼等
の合金、導電膜を有するプラスチックシート或いはガラ
ス、導電化処理をした紙等を用いることができる。ま
た、導電性支持体の形状は、円筒状、平板状、エンドレ
スベルト状等、任意の形状として用いることが可能であ
る。ステンレス鋼としては、一般にオーステナイド系ス
テンレス鋼と称されるＣｒ−Ｎｉ含有鋼で形成されてい
るものを用いることができ、さらにまた、これらオース
テナイト系ステンレス鋼よりなる導電性支持体の表面
に、少なくとも、モリブデン、クロム、マンガン、タン
グステンまたはチタンを主成分とする導電層を形成させ
たものが好ましく使用される。また、アルミニウム基板
の上にクロム、チタン、タングステンまたはモリブデン
を主成分として形成された導電層を有するものを用いる
こともできる。これらの導電層は、メッキ、スパッタリ
ングまたは蒸着によって形成することができる。導電性
支持体は、厚さ０．５〜５０ｍｍ、好ましくは２〜２０
ｍｍの範囲のものが使用される。
は、アルミニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼等
の合金、導電膜を有するプラスチックシート或いはガラ
ス、導電化処理をした紙等を用いることができる。ま
た、導電性支持体の形状は、円筒状、平板状、エンドレ
スベルト状等、任意の形状として用いることが可能であ
る。ステンレス鋼としては、一般にオーステナイド系ス
テンレス鋼と称されるＣｒ−Ｎｉ含有鋼で形成されてい
るものを用いることができ、さらにまた、これらオース
テナイト系ステンレス鋼よりなる導電性支持体の表面
に、少なくとも、モリブデン、クロム、マンガン、タン
グステンまたはチタンを主成分とする導電層を形成させ
たものが好ましく使用される。また、アルミニウム基板
の上にクロム、チタン、タングステンまたはモリブデン
を主成分として形成された導電層を有するものを用いる
こともできる。これらの導電層は、メッキ、スパッタリ
ングまたは蒸着によって形成することができる。導電性
支持体は、厚さ０．５〜５０ｍｍ、好ましくは２〜２０
ｍｍの範囲のものが使用される。
【００１０】本発明において、導電性支持体は、その表
面が研磨されているものを用いてもよい。すなわち、バ
フ研磨、砥石研磨等により、研磨剤の粒度を変えなが
ら、繰り返し実施することにより平滑化したものを用い
ることができる。導電性支持体の表面粗さは、Ｒｍａｘ
＝０．１〜１μｍであるのが好ましい。
面が研磨されているものを用いてもよい。すなわち、バ
フ研磨、砥石研磨等により、研磨剤の粒度を変えなが
ら、繰り返し実施することにより平滑化したものを用い
ることができる。導電性支持体の表面粗さは、Ｒｍａｘ
＝０．１〜１μｍであるのが好ましい。
【００１１】導電性支持体の上には、電荷注入阻止層が
設けられる。電荷注入阻止層は、III 族元素またはＶ族
元素が添加されたアモルファスシリコンよりなる。添加
物としてIII 族元素を用いるか、或いはＶ族元素を用い
るかは、感光体の帯電極性によって決められる。電荷注
入阻止層には、第III 族元素または第Ｖ族元素に加え
て、さらに窒素、酸素、炭素およびハロゲンの少なくと
もいずれか一つを含有させてもよい。膜厚は０．０１〜
１０μｍ、好ましくは０．１〜１０μｍの範囲である。
さらにまた、電荷注入阻止層と導電性支持体との間に
は、接着層として作用する補助層を設けてもよい。補助
層は、例えば、窒素、炭素、酸素の元素のうち少なくと
も一種を含有するアモルファスシリコンよりなることが
できる。膜厚は０．０１μｍ〜５μｍ、好ましくは０．
１〜１μｍの範囲である。
設けられる。電荷注入阻止層は、III 族元素またはＶ族
元素が添加されたアモルファスシリコンよりなる。添加
物としてIII 族元素を用いるか、或いはＶ族元素を用い
るかは、感光体の帯電極性によって決められる。電荷注
入阻止層には、第III 族元素または第Ｖ族元素に加え
て、さらに窒素、酸素、炭素およびハロゲンの少なくと
もいずれか一つを含有させてもよい。膜厚は０．０１〜
１０μｍ、好ましくは０．１〜１０μｍの範囲である。
さらにまた、電荷注入阻止層と導電性支持体との間に
は、接着層として作用する補助層を設けてもよい。補助
層は、例えば、窒素、炭素、酸素の元素のうち少なくと
も一種を含有するアモルファスシリコンよりなることが
できる。膜厚は０．０１μｍ〜５μｍ、好ましくは０．
１〜１μｍの範囲である。
【００１２】光導電層は、水素および／またはハロゲン
を含有するアモルファスシリコンを主体とするアモルフ
ァスシリコン層を有する二層構造のものである。膜厚は
３０〜１００μｍの範囲、好適には３５〜７０μｍであ
る。膜厚が３０μｍ以下では、感度の波長依存性が上記
式の関係を満たさなくなって、７８０ｎｍ付近の光吸収
が少なく、感度の波長依存性が大きくなる。水素および
／またはハロゲンの含有量は３〜４０原子％の範囲であ
る。光導電層には、導電性を制御する不純物元素とし
て、III 族元素を含有させるのが好ましい。その添加量
は感光体の帯電符号、必要な分光感度によって決定さ
れ、通常０．０１〜１０００ｐｐｍの範囲で用いられ、
正帯電用には０．１〜１０００ｐｐｍ、負帯電用には
０．０１〜１００ｐｐｍの範囲で含有させる。アモルフ
ァスシリコンを主体とするこの光導電層には、帯電性の
向上、暗減衰の低減、感度の向上等の目的で、さらに窒
素、炭素および酸素から選択した少なくとも１種の元素
を添加することが可能である。
を含有するアモルファスシリコンを主体とするアモルフ
ァスシリコン層を有する二層構造のものである。膜厚は
３０〜１００μｍの範囲、好適には３５〜７０μｍであ
る。膜厚が３０μｍ以下では、感度の波長依存性が上記
式の関係を満たさなくなって、７８０ｎｍ付近の光吸収
が少なく、感度の波長依存性が大きくなる。水素および
／またはハロゲンの含有量は３〜４０原子％の範囲であ
る。光導電層には、導電性を制御する不純物元素とし
て、III 族元素を含有させるのが好ましい。その添加量
は感光体の帯電符号、必要な分光感度によって決定さ
れ、通常０．０１〜１０００ｐｐｍの範囲で用いられ、
正帯電用には０．１〜１０００ｐｐｍ、負帯電用には
０．０１〜１００ｐｐｍの範囲で含有させる。アモルフ
ァスシリコンを主体とするこの光導電層には、帯電性の
向上、暗減衰の低減、感度の向上等の目的で、さらに窒
素、炭素および酸素から選択した少なくとも１種の元素
を添加することが可能である。
【００１３】本発明において、光導電層は、その一部
に、増感層として、アモルファスシリコンゲルマニウム
を主体とするアモルファスシリコンゲルマニウム層を有
している。ゲルマニウムとケイ素の割合は、アモルファ
スシリコン層の膜厚に応じて決定される。アモルファス
シリコン層の吸収と合わせて、９０％以上とすることが
よい。具体的には、ゲルマニウムとケイ素の割合は、
０．０１：１〜１：１の範囲が好ましい。より好ましく
は、ゲルマニウムが１〜２５％、特に５〜２０％の範囲
で含まれるものである。不必要にゲルマニウムの濃度を
高くした場合、暗減衰が増加し、残留電位、サイクル特
性に悪影響を及ぼすので、上記の範囲で含有させる。ア
モルファスシリコンゲルマニウムを主体とする層は、少
なくとも水素および／またはハロゲンを含み、かつ導電
性を制御するIII 族元素を含む。ハロゲンとしては、
Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ等があげられ、特にＦが好ましい。それ
等を光導電性の改善のために単独或いは混合状態で含有
させる。水素および／またはハロゲンは、１原子％〜５
０原子％を含ませることができる。III 族元素として
は、好適にはホウ素が用いられる。その添加量はケイ素
とゲルマニウム量と帯電極性により決定されるが、０．
０１ｐｐｍから１０００ｐｐｍ、好ましくは０．１ｐｐ
ｍから１００ｐｐｍの範囲であり、正帯電用の場合は、
０．１ｐｐｍから１０００ｐｐｍ、負帯電用の場合は、
０．０１ｐｐｍから１００ｐｐｍの範囲である。III族
元素を添加しない場合には暗減衰が大きく、残留電位の
発生、光疲労が大きく実用的ではない。
に、増感層として、アモルファスシリコンゲルマニウム
を主体とするアモルファスシリコンゲルマニウム層を有
している。ゲルマニウムとケイ素の割合は、アモルファ
スシリコン層の膜厚に応じて決定される。アモルファス
シリコン層の吸収と合わせて、９０％以上とすることが
よい。具体的には、ゲルマニウムとケイ素の割合は、
０．０１：１〜１：１の範囲が好ましい。より好ましく
は、ゲルマニウムが１〜２５％、特に５〜２０％の範囲
で含まれるものである。不必要にゲルマニウムの濃度を
高くした場合、暗減衰が増加し、残留電位、サイクル特
性に悪影響を及ぼすので、上記の範囲で含有させる。ア
モルファスシリコンゲルマニウムを主体とする層は、少
なくとも水素および／またはハロゲンを含み、かつ導電
性を制御するIII 族元素を含む。ハロゲンとしては、
Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ等があげられ、特にＦが好ましい。それ
等を光導電性の改善のために単独或いは混合状態で含有
させる。水素および／またはハロゲンは、１原子％〜５
０原子％を含ませることができる。III 族元素として
は、好適にはホウ素が用いられる。その添加量はケイ素
とゲルマニウム量と帯電極性により決定されるが、０．
０１ｐｐｍから１０００ｐｐｍ、好ましくは０．１ｐｐ
ｍから１００ｐｐｍの範囲であり、正帯電用の場合は、
０．１ｐｐｍから１０００ｐｐｍ、負帯電用の場合は、
０．０１ｐｐｍから１００ｐｐｍの範囲である。III族
元素を添加しない場合には暗減衰が大きく、残留電位の
発生、光疲労が大きく実用的ではない。
【００１４】アモルファスシリコンゲルマニウムを主体
とする層にはさらに窒素、酸素および炭素の少なくとも
一つを含有させてもよい。膜厚は０．１〜５０μｍ、好
適には０．５〜２０μｍである。この層構成によりフラ
ットな感度を得ることができる。
とする層にはさらに窒素、酸素および炭素の少なくとも
一つを含有させてもよい。膜厚は０．１〜５０μｍ、好
適には０．５〜２０μｍである。この層構成によりフラ
ットな感度を得ることができる。
【００１５】光導電層の上に形成する表面層は、炭素、
窒素、酸素およびIII 族またはＶ族元素から選択された
少なくとも一種を含有するアモルファスシリコンまたは
アモルファスカーボンから構成される。表面層が、アモ
ルファスシリコンを主体とする場合、アモルファスシリ
コンには３〜４０原子％の水素および／またはハロゲン
が含まれていてもよい。また、アモルファスシリコンカ
ーボンを主体とする場合、アモルファスカーボンには５
〜５０原子％の水素および／またはハロゲンが含まれて
いてもよい。なお、アモルファスカーボンの場合、多量
の水素およびハロゲンが含有されると、膜中に鎖状の−
ＣＨ2 −結合、−ＣＦ2 −結合或いは−ＣＨ3 結合を増
加させ、結果として膜の硬度を損なうことになるため、
膜中の水素およびハロゲンの量は５０原子％以下にする
ことが必要である。
窒素、酸素およびIII 族またはＶ族元素から選択された
少なくとも一種を含有するアモルファスシリコンまたは
アモルファスカーボンから構成される。表面層が、アモ
ルファスシリコンを主体とする場合、アモルファスシリ
コンには３〜４０原子％の水素および／またはハロゲン
が含まれていてもよい。また、アモルファスシリコンカ
ーボンを主体とする場合、アモルファスカーボンには５
〜５０原子％の水素および／またはハロゲンが含まれて
いてもよい。なお、アモルファスカーボンの場合、多量
の水素およびハロゲンが含有されると、膜中に鎖状の−
ＣＨ2 −結合、−ＣＦ2 −結合或いは−ＣＨ3 結合を増
加させ、結果として膜の硬度を損なうことになるため、
膜中の水素およびハロゲンの量は５０原子％以下にする
ことが必要である。
【００１６】表面層にIII 族元素またはＶ族元素を含有
させる場合、これらの元素を感光体の帯電極性に応じて
選択して含有させればよい。すなわち、感光体が正帯電
性の場合にはＶ族元素を、また負帯電性の場合にはIII
族元素を含有させる。Ｖ族元素の量は０．０１ｐｐｍか
ら１０００ｐｐｍｎの範囲で、またIII 族元素の量は５
ｐｐｍから１００００ｐｐｍの範囲で、膜厚に応じて適
宜設定される。表面層の膜厚は、０．０１μｍから１０
μｍ、好ましくは０．１μｍから５μｍである。表面層
は、炭素、酸素、窒素のうち少なくとも一種を含有させ
るのが有効である。これら元素の含有量は、炭素の場
合、１ｐｐｍから９９．９原子％、酸素の場合、１ｐｐ
ｍから６０原子％、窒素の場合１ｐｐｍから６０原子％
である。
させる場合、これらの元素を感光体の帯電極性に応じて
選択して含有させればよい。すなわち、感光体が正帯電
性の場合にはＶ族元素を、また負帯電性の場合にはIII
族元素を含有させる。Ｖ族元素の量は０．０１ｐｐｍか
ら１０００ｐｐｍｎの範囲で、またIII 族元素の量は５
ｐｐｍから１００００ｐｐｍの範囲で、膜厚に応じて適
宜設定される。表面層の膜厚は、０．０１μｍから１０
μｍ、好ましくは０．１μｍから５μｍである。表面層
は、炭素、酸素、窒素のうち少なくとも一種を含有させ
るのが有効である。これら元素の含有量は、炭素の場
合、１ｐｐｍから９９．９原子％、酸素の場合、１ｐｐ
ｍから６０原子％、窒素の場合１ｐｐｍから６０原子％
である。
【００１７】表面層は、複数の層により形成されていて
もよい。表面層が例えば３層構成の場合について見る
と、各層は、次のような構成を有しているのが好まし
い。すなわち、第１の層は、炭素、酸素或いは窒素原子
濃度が、ケイ素原子に対する原子比として０．１〜１．
０の範囲にあり、膜厚が０．０１〜０．１μｍの範囲に
あり、また第２の層は、炭素、酸素或いは窒素原子濃度
が、ケイ素原子に対する原子比として０．１〜１．０の
範囲にあり、膜厚が０．０５〜１μｍの範囲にあり、さ
らに最表層の第３の層は、炭素、酸素或いは窒素原子濃
度が、第２の層におけるものよりも高く、ケイ素原子に
対する原子比として０．５〜１．３の範囲にあり、膜厚
が０．０１〜０．１μｍの範囲にあるのが好ましい。
もよい。表面層が例えば３層構成の場合について見る
と、各層は、次のような構成を有しているのが好まし
い。すなわち、第１の層は、炭素、酸素或いは窒素原子
濃度が、ケイ素原子に対する原子比として０．１〜１．
０の範囲にあり、膜厚が０．０１〜０．１μｍの範囲に
あり、また第２の層は、炭素、酸素或いは窒素原子濃度
が、ケイ素原子に対する原子比として０．１〜１．０の
範囲にあり、膜厚が０．０５〜１μｍの範囲にあり、さ
らに最表層の第３の層は、炭素、酸素或いは窒素原子濃
度が、第２の層におけるものよりも高く、ケイ素原子に
対する原子比として０．５〜１．３の範囲にあり、膜厚
が０．０１〜０．１μｍの範囲にあるのが好ましい。
【００１８】また、本発明において表面層は、反射防止
層を兼ねてもよい。表面層が反射防止層を兼ねる場合、
その組成と膜厚を７８０ｎｍ±Δω内に反射スペクトル
の極小値が得られるように調整するのが望ましい。反射
スペクトルの極小値を７８０ｎｍ±５０ｎｍ内に得るた
めには、その層の屈折率をｎ、中心波長をλとするとλ
／４・（２ｍ＋１）／ｎ（ｍは次数を意味し、０，１，
２，．．．）かつ光導電層の屈折率をｎ1 とするとｎ＝
（ｎ1 ）1/ 2 になるように膜厚を調整すると反射スペク
トルの極小値を０、つまり無反射とすることができる。
表面層の屈折率は波長及び組成によって異なり、例えば
窒化ケイ素（ａ−ＳｉＮx ）の場合、ｘ＝１の場合には
λ＝７８０ｎｍにおいてｎ＝２であり、アモルファスシ
リコンの場合には７８０ｎｍにおいてｎ＝約４である。
したがって、反射スペクトルにおいて７８０±５０ｎｍ
の内に極小値が得られるため感度の波長依存性に影響を
与えなくなると共に、反射がほとんど無くなるために感
度が高くなる。特に低吸収波長の感度が高くなるように
表面層を調整すれば、さらに本発明の効果を高めること
ができる。７８０ｎｍでの屈折率は１〜３の膜が好まし
い。この時膜厚は、０．１μｍ以下では保護層としての
効果が少なくなるため、λ／４・（２ｍ＋１）／ｎ
（ｍ：０，１，２，．．．）となるように設定するのが
好ましい。
層を兼ねてもよい。表面層が反射防止層を兼ねる場合、
その組成と膜厚を７８０ｎｍ±Δω内に反射スペクトル
の極小値が得られるように調整するのが望ましい。反射
スペクトルの極小値を７８０ｎｍ±５０ｎｍ内に得るた
めには、その層の屈折率をｎ、中心波長をλとするとλ
／４・（２ｍ＋１）／ｎ（ｍは次数を意味し、０，１，
２，．．．）かつ光導電層の屈折率をｎ1 とするとｎ＝
（ｎ1 ）1/ 2 になるように膜厚を調整すると反射スペク
トルの極小値を０、つまり無反射とすることができる。
表面層の屈折率は波長及び組成によって異なり、例えば
窒化ケイ素（ａ−ＳｉＮx ）の場合、ｘ＝１の場合には
λ＝７８０ｎｍにおいてｎ＝２であり、アモルファスシ
リコンの場合には７８０ｎｍにおいてｎ＝約４である。
したがって、反射スペクトルにおいて７８０±５０ｎｍ
の内に極小値が得られるため感度の波長依存性に影響を
与えなくなると共に、反射がほとんど無くなるために感
度が高くなる。特に低吸収波長の感度が高くなるように
表面層を調整すれば、さらに本発明の効果を高めること
ができる。７８０ｎｍでの屈折率は１〜３の膜が好まし
い。この時膜厚は、０．１μｍ以下では保護層としての
効果が少なくなるため、λ／４・（２ｍ＋１）／ｎ
（ｍ：０，１，２，．．．）となるように設定するのが
好ましい。
【００１９】次に、導電性支持体上に、上記各層を形成
する方法について説明する。導電性支持体上に形成する
各層は、いずれもプラズマＣＶＤ法によるグロー放電分
解法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真
空蒸着法等の手段によって形成することができる。その
際、原料ガスとしては、光導電層、電荷注入阻止層およ
び補助層の場合は、ケイ素原子を含む主原料ガスが用い
られ、また、表面層の場合は、ケイ素原子を含む主原料
ガスまたは炭化水素またはそのハロゲン置換体を含む主
原料ガスが用いられる。
する方法について説明する。導電性支持体上に形成する
各層は、いずれもプラズマＣＶＤ法によるグロー放電分
解法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真
空蒸着法等の手段によって形成することができる。その
際、原料ガスとしては、光導電層、電荷注入阻止層およ
び補助層の場合は、ケイ素原子を含む主原料ガスが用い
られ、また、表面層の場合は、ケイ素原子を含む主原料
ガスまたは炭化水素またはそのハロゲン置換体を含む主
原料ガスが用いられる。
【００２０】グロー放電分解法の場合を例にとって、そ
の製造法を示すと、次のようになる。原料ガスとして、
上記主原料ガスを用い、それに必要な添加物元素を含む
原料ガスを加えて混合ガスとする。その場合、必要に応
じて、水素、または、ヘリウム、アルゴン、ネオン等の
不活性ガスをキャリアガスとして併用することができ
る。 グロー放電分解は、直流および交流放電のいずれ
を採用してもよく、成膜条件としては、周波数０〜５Ｇ
Ｈｚ、反応器内圧１０-5〜１０Ｔｏｒｒ（０．００１〜
１３３３Ｐａ）、放電電力１０〜３０００Ｗであり、ま
た、支持体温度は３０〜４００℃の範囲で適宜設定する
ことができる。膜厚は、放電時間の調整により適宜設定
することができる。
の製造法を示すと、次のようになる。原料ガスとして、
上記主原料ガスを用い、それに必要な添加物元素を含む
原料ガスを加えて混合ガスとする。その場合、必要に応
じて、水素、または、ヘリウム、アルゴン、ネオン等の
不活性ガスをキャリアガスとして併用することができ
る。 グロー放電分解は、直流および交流放電のいずれ
を採用してもよく、成膜条件としては、周波数０〜５Ｇ
Ｈｚ、反応器内圧１０-5〜１０Ｔｏｒｒ（０．００１〜
１３３３Ｐａ）、放電電力１０〜３０００Ｗであり、ま
た、支持体温度は３０〜４００℃の範囲で適宜設定する
ことができる。膜厚は、放電時間の調整により適宜設定
することができる。
【００２１】アモルファスシリコンからなる層を形成す
る場合は、ケイ素原子を含む主原料ガスとしては、シラ
ン類、特にＳｉＨ4 および／またはＳｉ2 Ｈ6 が使用さ
れる。ハロゲンを含むガス：ＳｉＦ4 、ＳｉＣｌ4 、Ｓ
ｉＨＣｌ3 、ＳｉＨＦ3 、ＳｉＨ2 Ｆ2 、ＳｉＨ2 Ｃｌ
2 等の原料として用いることもできる。また、窒素、酸
素および炭素を含有させるための原料ガスとして、例え
ば次のものが使用できる。すなわち、窒素を含む原料ガ
スとして、Ｎ2 単体ガス、ＮＨ3 、Ｎ2 Ｈ4 、ＨＮ3 等
の水素化窒素化合物のガスを用いることができ、炭素を
含む原料ガスとして、メタン、エタン、プロパン、アセ
チレンのような炭化水素、ＣＦ4 、Ｃ2Ｆ6 のようなハ
ロゲン化炭化水素を用いることができ、さらに、酸素を
含む原料ガスとして、Ｏ2 、Ｎ2 Ｏ、ＣＯ、ＣＯ2 等を
用いることができる。
る場合は、ケイ素原子を含む主原料ガスとしては、シラ
ン類、特にＳｉＨ4 および／またはＳｉ2 Ｈ6 が使用さ
れる。ハロゲンを含むガス：ＳｉＦ4 、ＳｉＣｌ4 、Ｓ
ｉＨＣｌ3 、ＳｉＨＦ3 、ＳｉＨ2 Ｆ2 、ＳｉＨ2 Ｃｌ
2 等の原料として用いることもできる。また、窒素、酸
素および炭素を含有させるための原料ガスとして、例え
ば次のものが使用できる。すなわち、窒素を含む原料ガ
スとして、Ｎ2 単体ガス、ＮＨ3 、Ｎ2 Ｈ4 、ＨＮ3 等
の水素化窒素化合物のガスを用いることができ、炭素を
含む原料ガスとして、メタン、エタン、プロパン、アセ
チレンのような炭化水素、ＣＦ4 、Ｃ2Ｆ6 のようなハ
ロゲン化炭化水素を用いることができ、さらに、酸素を
含む原料ガスとして、Ｏ2 、Ｎ2 Ｏ、ＣＯ、ＣＯ2 等を
用いることができる。
【００２２】III 族元素を含む原料ガスとしては、典型
的にはジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）があげられ、その他ＡｌＨ
3 等も使用できる。また、Ｖ族元素を含む原料ガスとし
ては、典型的にはホスフィン（ＰＨ3 ）が用いられる。
的にはジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）があげられ、その他ＡｌＨ
3 等も使用できる。また、Ｖ族元素を含む原料ガスとし
ては、典型的にはホスフィン（ＰＨ3 ）が用いられる。
【００２３】アモルファスカーボンより構成される膜を
形成するために使用できる原料としては次のものがあげ
られる。主体となる炭素の原料としては、メタン、エタ
ン、プロパン、ブタン、ペンタン等の一般式Ｃn Ｈ2n+2
で示されるパラフィン系炭化水素、エチレン、プロピレ
ン、ブチレン、ペンテン等の一般式Ｃn Ｈ2nで示される
オレフィン系炭化水素、アセチレン、アリレン、ブチン
等の一般式Ｃn Ｈ2n- 2 で示されるアセチレン系炭化水
素等の脂肪族炭化水素、シクロプロパン、シクロブタ
ン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタ
ン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン等
の脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、ナ
フタリン、アントラセン等の芳香族炭化水素、或いはそ
れらの置換体があげられる。これらの炭化水素化合物
は、枝分れ構造があってもよく、また、ハロゲン置換体
であってもよい。例えば、四塩化炭素、クロロホルム、
四フッ化炭素、トリフルオロメタン、クロロトリフルオ
ロメタン、ジクロロジフルオロメタン、ブロモトリフル
オロメタン、パーフルオロエタン、パーフルオロプロパ
ン等のハロゲン化炭化水素を用いることができる。
形成するために使用できる原料としては次のものがあげ
られる。主体となる炭素の原料としては、メタン、エタ
ン、プロパン、ブタン、ペンタン等の一般式Ｃn Ｈ2n+2
で示されるパラフィン系炭化水素、エチレン、プロピレ
ン、ブチレン、ペンテン等の一般式Ｃn Ｈ2nで示される
オレフィン系炭化水素、アセチレン、アリレン、ブチン
等の一般式Ｃn Ｈ2n- 2 で示されるアセチレン系炭化水
素等の脂肪族炭化水素、シクロプロパン、シクロブタ
ン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタ
ン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン等
の脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、ナ
フタリン、アントラセン等の芳香族炭化水素、或いはそ
れらの置換体があげられる。これらの炭化水素化合物
は、枝分れ構造があってもよく、また、ハロゲン置換体
であってもよい。例えば、四塩化炭素、クロロホルム、
四フッ化炭素、トリフルオロメタン、クロロトリフルオ
ロメタン、ジクロロジフルオロメタン、ブロモトリフル
オロメタン、パーフルオロエタン、パーフルオロプロパ
ン等のハロゲン化炭化水素を用いることができる。
【００２４】水素および／またはハロゲンを含むアモル
ファスシリコンゲルマニウムを主体とする層を形成する
ために使用できるゲルマニウムの原料としては、モノゲ
ルマン等の水素化ゲルマニウムおよびハロゲン化ゲルマ
ニウム等が使用できる。ハロゲン化ゲルマニウムガスと
しては、ＧｅＦ4 、ＧｅＣｌ4 、ＧｅＢｒ4 、Ｇｅ
Ｉ4 、ＧｅＦ4 、ＧｅＦ2 、ＧｅＣｌ2 、ＧｅＢｒ2 、
ＧｅＩ2 、ＧｅＨＦ4 、ＧｅＨ2 Ｆ2 、ＧｅＨ3 Ｆ、Ｇ
ｅＨＣｌ3 、ＧｅＨ2 Ｃｌ2 、ＧｅＨ3 Ｃｌ、ＧｅＨＢ
ｒ3 、ＧｅＨ2 Ｂｒ2 、ＧｅＨＩ2 、ＧｅＨ2 Ｉ2 、Ｇ
ｅＨ3 Ｉ等のガスがあげられる。この中で、特にＧｅＦ
2 、ＧｅＦ4 ガスの使用が本発明の実施に際して好適で
あり、それによりアモルファスシリコン膜中にゲルマニ
ウム及びハロゲンを効果的に含有させることができる。
ゲルマニウムを含んだガスとケイ素を含んだガスを混合
して用い光導電層に必要な吸収を得るためのゲルマニウ
ム濃度に調整される。
ファスシリコンゲルマニウムを主体とする層を形成する
ために使用できるゲルマニウムの原料としては、モノゲ
ルマン等の水素化ゲルマニウムおよびハロゲン化ゲルマ
ニウム等が使用できる。ハロゲン化ゲルマニウムガスと
しては、ＧｅＦ4 、ＧｅＣｌ4 、ＧｅＢｒ4 、Ｇｅ
Ｉ4 、ＧｅＦ4 、ＧｅＦ2 、ＧｅＣｌ2 、ＧｅＢｒ2 、
ＧｅＩ2 、ＧｅＨＦ4 、ＧｅＨ2 Ｆ2 、ＧｅＨ3 Ｆ、Ｇ
ｅＨＣｌ3 、ＧｅＨ2 Ｃｌ2 、ＧｅＨ3 Ｃｌ、ＧｅＨＢ
ｒ3 、ＧｅＨ2 Ｂｒ2 、ＧｅＨＩ2 、ＧｅＨ2 Ｉ2 、Ｇ
ｅＨ3 Ｉ等のガスがあげられる。この中で、特にＧｅＦ
2 、ＧｅＦ4 ガスの使用が本発明の実施に際して好適で
あり、それによりアモルファスシリコン膜中にゲルマニ
ウム及びハロゲンを効果的に含有させることができる。
ゲルマニウムを含んだガスとケイ素を含んだガスを混合
して用い光導電層に必要な吸収を得るためのゲルマニウ
ム濃度に調整される。
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【００２８】
【００２９】
【実施例】次に、本発明を実施例及び比較例を示して、
さらに詳細に説明する。 実施例１ 支持体として、表面粗さＲｍａｘが０．２μｍに研磨さ
れた厚さ４ｍｍのＡｌ製円筒状基体を使用し、その上に
ｎ型の電荷注入阻止層、４５μｍの第１の光導電層、３
μｍの第２の光導電層および膜厚０．５μｍのｐ型の電
荷注入阻止層を順次設けたアモルファスシリコン感光体
を作製した。支持体上の電荷注入阻止層の成膜条件は次
の通りであった。 １００％シランガス流量：２０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：２０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：６６．７Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ） 放電電力：１００Ｗ 放電時間：３０ｍｉｎ 電荷注入阻止層の上に、膜厚４５μｍの第１光導電層を
形成した。その際の成膜条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：１８０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１７８ｃｍ3 ／ｍｉｎ ２０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２ｃｍ3 ／ｍｉ
ｎ 反応器内圧：１３３．３Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 放電時間：４５０ｍｉｎ 引き続いてシランガス、モノゲルマンガス及びジボラン
ガス（水素希釈）の混合ガスを用いて膜厚３μｍの第２
の光導電層を形成した。その際の成膜条件は次の通りで
あった。 １００％シランガス流量：１６０ｃｍ3 ／ｍｉｎ ４０％水素希釈モノゲルマンガス流量：１００ｃｍ3 ／
ｍｉｎ ２０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２ｃｍ3 ／ｍｉ
ｎ １００％水素ガス流量：１７８ｃｍ3 反応器内圧：１３３．３Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 光導電層作製の後、反応器内を十分に排気し、次いで、
シランガス、水素ガス、およびエチレンガスの混合体を
導入して、グロー放電分解することにより、光導電層の
上に、電荷注入阻止層を形成した。その際の成膜条件は
次の通りであった。 １００％シランガス流量：５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％エチレンガス流量：５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ ２００ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：１５０ｃｍ3
／ｍｉｎ 反応器内圧：１．０Ｔｏｒｒ 放電電力：２００Ｗ
さらに詳細に説明する。 実施例１ 支持体として、表面粗さＲｍａｘが０．２μｍに研磨さ
れた厚さ４ｍｍのＡｌ製円筒状基体を使用し、その上に
ｎ型の電荷注入阻止層、４５μｍの第１の光導電層、３
μｍの第２の光導電層および膜厚０．５μｍのｐ型の電
荷注入阻止層を順次設けたアモルファスシリコン感光体
を作製した。支持体上の電荷注入阻止層の成膜条件は次
の通りであった。 １００％シランガス流量：２０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：２０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：６６．７Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ） 放電電力：１００Ｗ 放電時間：３０ｍｉｎ 電荷注入阻止層の上に、膜厚４５μｍの第１光導電層を
形成した。その際の成膜条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：１８０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１７８ｃｍ3 ／ｍｉｎ ２０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２ｃｍ3 ／ｍｉ
ｎ 反応器内圧：１３３．３Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 放電時間：４５０ｍｉｎ 引き続いてシランガス、モノゲルマンガス及びジボラン
ガス（水素希釈）の混合ガスを用いて膜厚３μｍの第２
の光導電層を形成した。その際の成膜条件は次の通りで
あった。 １００％シランガス流量：１６０ｃｍ3 ／ｍｉｎ ４０％水素希釈モノゲルマンガス流量：１００ｃｍ3 ／
ｍｉｎ ２０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２ｃｍ3 ／ｍｉ
ｎ １００％水素ガス流量：１７８ｃｍ3 反応器内圧：１３３．３Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 光導電層作製の後、反応器内を十分に排気し、次いで、
シランガス、水素ガス、およびエチレンガスの混合体を
導入して、グロー放電分解することにより、光導電層の
上に、電荷注入阻止層を形成した。その際の成膜条件は
次の通りであった。 １００％シランガス流量：５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％エチレンガス流量：５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ ２００ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：１５０ｃｍ3
／ｍｉｎ 反応器内圧：１．０Ｔｏｒｒ 放電電力：２００Ｗ
【００３０】この感光体の７３０ｎｍと８３０ｎｍの半
減露光量は、帯電電位−４００Ｖのときに２ｍＪ／ｍ2
と３ｍＪ／ｍ2 であった。したがって、感度の波長依存
性γは（Ｅ2 −Ｅ1 ）／１００＝０．０１（ｍＪ／ｍ2
・ｎｍ）であり、半導体レーザーの７８０ｎｍの発振波
長の変動に対しても感度の変動は少なかった。 この感
光体を負帯電用レーザービームプリンター試験機（改造
ＸＰ−１１、富士ゼロックス社製）に装着して画像評価
を行ったところ、解像度に優れ画像濃度にムラのない画
像が得られた。暗減衰はアモルファスシリコンゲルマニ
ウム光導電層を形成しないものと比べて変化はなかっ
た。環境を１０℃から３０℃に変化させてもハーフトー
ン画像に変化はなかった。
減露光量は、帯電電位−４００Ｖのときに２ｍＪ／ｍ2
と３ｍＪ／ｍ2 であった。したがって、感度の波長依存
性γは（Ｅ2 −Ｅ1 ）／１００＝０．０１（ｍＪ／ｍ2
・ｎｍ）であり、半導体レーザーの７８０ｎｍの発振波
長の変動に対しても感度の変動は少なかった。 この感
光体を負帯電用レーザービームプリンター試験機（改造
ＸＰ−１１、富士ゼロックス社製）に装着して画像評価
を行ったところ、解像度に優れ画像濃度にムラのない画
像が得られた。暗減衰はアモルファスシリコンゲルマニ
ウム光導電層を形成しないものと比べて変化はなかっ
た。環境を１０℃から３０℃に変化させてもハーフトー
ン画像に変化はなかった。
【００３１】比較例 光導電層の厚さを２５μｍとした以外は実施例１と同じ
感光体を作製した。この感光体の７３０ｎｍと８３０ｎ
ｍの半減露光量は帯電電位−４００Ｖの時に３．５ｍＪ
／ｍ2 と１．０ｍＪ／ｍ2 であった。感度の波長依存性
γは６．５ｍＪ／ｍ2 ｎｍであった。この感光体を実施
例１と同じ条件で画像評価したところ環境温度によっ
て、ハーフトーンの濃度ドットの再現性が変化した。
感光体を作製した。この感光体の７３０ｎｍと８３０ｎ
ｍの半減露光量は帯電電位−４００Ｖの時に３．５ｍＪ
／ｍ2 と１．０ｍＪ／ｍ2 であった。感度の波長依存性
γは６．５ｍＪ／ｍ2 ｎｍであった。この感光体を実施
例１と同じ条件で画像評価したところ環境温度によっ
て、ハーフトーンの濃度ドットの再現性が変化した。
【００３２】
【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、アモルファ
スシリコン主体とする光導電層が厚膜化されており、７
８０ｎｍ付近での帯電特性が優れており、波長の変動に
対しても安定した感度を示すので、従来一般に使用され
ている半導体レーザーを使用する電子写真装置に好適に
使用される。また、耐熱性、化学安定性が高く、かつ機
械的強度が高く、耐摩耗性に優れている。
スシリコン主体とする光導電層が厚膜化されており、７
８０ｎｍ付近での帯電特性が優れており、波長の変動に
対しても安定した感度を示すので、従来一般に使用され
ている半導体レーザーを使用する電子写真装置に好適に
使用される。また、耐熱性、化学安定性が高く、かつ機
械的強度が高く、耐摩耗性に優れている。
【図１】 電子写真感光体の半減露光量を示すグラフで
ある。
ある。
【図２】 電子写真感光体の分光感度を示すグラフであ
る。
る。
【図３】 本発明の電子写真感光体の一例の模式的断面
図である。
図である。
１…導電性支持体、２…電荷注入阻止層、３…光導電
層、４…表面層、５…増感層、Ａ…本発明の電子写真感
光体、Ｂ…従来のアモルファスシリコン感光体。
層、４…表面層、５…増感層、Ａ…本発明の電子写真感
光体、Ｂ…従来のアモルファスシリコン感光体。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−248057（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−55557（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−255954（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−172344（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−112165（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03G 5/00 - 5/16
Claims (6)
- 【請求項１】 導電性支持体と、水素および／またはハ
ロゲンを含むアモルファスシリコン層と、アモルファス
シリコンゲルマニウム層とからなる膜厚が３０〜１００
μｍの光導電層を有する電子写真用感光体において、７
８０ｎｍを中心波長として（７８０−Δω）ｎｍおよび
（７８０＋Δω）ｎｍに対する４００Ｖにおける帯電電
位での半減露光量（ｍＪ／ｍ2 ）をＥ1 およびＥ2 とし
た場合に、下記式で表される感度の波長依存性γがΔω
＝５０において０．０２（ｍＪ／ｍ2 ・ｎｍ）以下であ
ることを特徴とする電子写真感光体。 γ＝（Ｅ2 −Ｅ1 ）／２Δω - 【請求項２】 光導電層が、水素および／またはハロゲ
ンを含むものであって、さらに導電性を制御するIII 族
元素からなる群より選択された少なくとも一つを含んで
もよいアモルファスシリコンを主体とする層を有するこ
とを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体。 - 【請求項３】 光導電層が、水素および／またはハロゲ
ンを含むものであって、さらに導電性を制御するIII 族
元素からなる群より選択された少なくとも一つを含んで
もよいアモルファスシリコンを主体とする層と、少なく
とも水素および／またはハロゲンを含み、かつ導電性を
制御するIII 族元素の一つ以上を含むアモルファスシリ
コンゲルマニウムを主体とする層を有することを特徴と
する請求項１記載の電子写真感光体。 - 【請求項４】 導電性支持体と、水素および／またはハ
ロゲンを含むアモルファスシリコン層と、アモルファス
シリコンゲルマニウム層とからなる膜厚が３０〜１００
μｍの光導電層と表面層を有し、表面層がIII 族または
Ｖ族元素、窒素、酸素および炭素から選択された少なく
とも一つを含有するアモルファスシリコンよりなるか、
III 族またはＶ族元素、窒素、酸素および炭素から選択
された少なくとも一つを含み、５０原子％以下の水素お
よび／またはハロゲンを含有してもよいアモルファス炭
素よりなるか、またはそれら両者が積層されてなること
を特徴とする請求項１ないし３記載の電子写真感光体。 - 【請求項５】 光導電層の上に反射防止層を設けてな
り、該反射防止層における反射スペクトルが７８０ｎｍ
±Δωに極小値を持つ請求項１ないし４記載の電子写真
感光体。 - 【請求項６】 導電性支持体の表面粗さ：Ｒｍａｘが
０．１〜１μｍであることを特徴とする請求項１ないし
５記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17856193A JP2887553B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17856193A JP2887553B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0713377A JPH0713377A (ja) | 1995-01-17 |
| JP2887553B2 true JP2887553B2 (ja) | 1999-04-26 |
Family
ID=16050641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17856193A Expired - Lifetime JP2887553B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2887553B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09204077A (ja) * | 1995-07-14 | 1997-08-05 | Hitachi Koki Co Ltd | 画像形成装置 |
| JP4588252B2 (ja) * | 2001-06-07 | 2010-11-24 | 京セラ株式会社 | 画像形成装置 |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP17856193A patent/JP2887553B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0713377A (ja) | 1995-01-17 |
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