JP2850745B2 - 電子写真感光体およびその製造方法 - Google Patents
電子写真感光体およびその製造方法Info
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- JP2850745B2 JP2850745B2 JP1496794A JP1496794A JP2850745B2 JP 2850745 B2 JP2850745 B2 JP 2850745B2 JP 1496794 A JP1496794 A JP 1496794A JP 1496794 A JP1496794 A JP 1496794A JP 2850745 B2 JP2850745 B2 JP 2850745B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子写真感光体、特
に、パルス変調をした高周波電界によるグロー放電によ
って形成した非晶質ケイ素よりなる光拡散層を有する電
子写真感光体およびその製造方法に関する。
に、パルス変調をした高周波電界によるグロー放電によ
って形成した非晶質ケイ素よりなる光拡散層を有する電
子写真感光体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子写真法は、感光体に帯電、像露光を
施すことにより静電潜像を形成し、現像剤で現像した
後、転写紙にトナー像を転写し、定着して複写物を得る
方法である。この電子写真法に用いられる電子写真感光
体は、基本構成として、導電性基板上に感光層を積層し
てなるものであり、感光層を構成する材料として、近
年、非晶質ケイ素（水素化アモルファスシリコン）が知
られ、種々の改善が試みられている。この非晶質ケイ素
を用いた感光体は、導電性基板上にシラン（ＳｉＨ4）
ガスのグロー放電分解等によりケイ素の非晶質膜を形成
して製造されるものであって、非晶質ケイ素膜中に水素
原子が取り込まれ、良好な光導電性を呈するものであ
る。非晶質ケイ素感光体は、感光層の表面硬度が高く、
耐摩耗性に優れ、耐熱性も高く、電気的な安定性に優れ
ており、また分光感度が広く、高い光感度を有するいう
特徴を有しているため、電子写真感光体として理想的な
性質を有するものである。
施すことにより静電潜像を形成し、現像剤で現像した
後、転写紙にトナー像を転写し、定着して複写物を得る
方法である。この電子写真法に用いられる電子写真感光
体は、基本構成として、導電性基板上に感光層を積層し
てなるものであり、感光層を構成する材料として、近
年、非晶質ケイ素（水素化アモルファスシリコン）が知
られ、種々の改善が試みられている。この非晶質ケイ素
を用いた感光体は、導電性基板上にシラン（ＳｉＨ4）
ガスのグロー放電分解等によりケイ素の非晶質膜を形成
して製造されるものであって、非晶質ケイ素膜中に水素
原子が取り込まれ、良好な光導電性を呈するものであ
る。非晶質ケイ素感光体は、感光層の表面硬度が高く、
耐摩耗性に優れ、耐熱性も高く、電気的な安定性に優れ
ており、また分光感度が広く、高い光感度を有するいう
特徴を有しているため、電子写真感光体として理想的な
性質を有するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、デジ
タル信号を可視化するプリンターとしてレーザー光を光
源とし、電子写真プロセスを利用するレーザープリンタ
ーが実用化されている。この場合、画像情報によって変
調されたレーザー光を感光体表面に照射する方法が採用
されているが、レーザー光が可干渉性の光であるため、
感光層内部で光の干渉が起こり易い。たとえば７３０〜
８３０ｎｍの波長を有する半導体レーザー光を用いて複
写操作を行うと、表面での反射光と感光層内部あるいは
基板からの反射光が重畳し、互いに干渉現象により光が
強められたり、或いは弱められたりして、感光層内部の
光吸収量が変化する。その結果、露光部電位が変動し、
画像に濃淡の干渉縞が生じるという問題があった。
タル信号を可視化するプリンターとしてレーザー光を光
源とし、電子写真プロセスを利用するレーザープリンタ
ーが実用化されている。この場合、画像情報によって変
調されたレーザー光を感光体表面に照射する方法が採用
されているが、レーザー光が可干渉性の光であるため、
感光層内部で光の干渉が起こり易い。たとえば７３０〜
８３０ｎｍの波長を有する半導体レーザー光を用いて複
写操作を行うと、表面での反射光と感光層内部あるいは
基板からの反射光が重畳し、互いに干渉現象により光が
強められたり、或いは弱められたりして、感光層内部の
光吸収量が変化する。その結果、露光部電位が変動し、
画像に濃淡の干渉縞が生じるという問題があった。
【０００４】一方、可干渉性の光による干渉によって生
じる問題を解決する技術について、種々のものが提案さ
れている。たとえば、基板からの反射光に注目したもの
として、特開昭５８ー１７１０３９号公報および特開昭
５８ー１６２９７５号公報等に記載の技術が提案されて
いる。上記特開昭５８ー１７１０３９号公報に記載のも
のにおいては、基板上にＧｅを添加した光吸収層を設け
て反射光を減少させるものであり、特開昭５８ー１６２
９７５号公報に記載のものにおいては、基板表面を粗面
化することによって、光を散乱させるものである。しか
しながら、上記公報に記載のものを含め、従来公知の技
術では、いずれも完全に干渉縞の発生を抑えることは不
可能であった。例えば、Ｇｅを添加した光吸収層を設け
た場合には、光吸収層により新たな界面が発生してしま
い反射光が生じる。また基板表面を粗面化する場合は、
程度にもよるが、非晶質ケイ素（ａ−Ｓｉ）膜が基板表
面の凹凸に沿って成長するので、基板の突起部で被膜の
異常成長が発生するという問題があった。本発明は、従
来の技術における上記の様な問題点に鑑みてなされたも
のである。したがって、本発明の目的は、レーザー光に
よる干渉縞の発生を長期にわたって防止することができ
る電子写真感光体を提供することにある。
じる問題を解決する技術について、種々のものが提案さ
れている。たとえば、基板からの反射光に注目したもの
として、特開昭５８ー１７１０３９号公報および特開昭
５８ー１６２９７５号公報等に記載の技術が提案されて
いる。上記特開昭５８ー１７１０３９号公報に記載のも
のにおいては、基板上にＧｅを添加した光吸収層を設け
て反射光を減少させるものであり、特開昭５８ー１６２
９７５号公報に記載のものにおいては、基板表面を粗面
化することによって、光を散乱させるものである。しか
しながら、上記公報に記載のものを含め、従来公知の技
術では、いずれも完全に干渉縞の発生を抑えることは不
可能であった。例えば、Ｇｅを添加した光吸収層を設け
た場合には、光吸収層により新たな界面が発生してしま
い反射光が生じる。また基板表面を粗面化する場合は、
程度にもよるが、非晶質ケイ素（ａ−Ｓｉ）膜が基板表
面の凹凸に沿って成長するので、基板の突起部で被膜の
異常成長が発生するという問題があった。本発明は、従
来の技術における上記の様な問題点に鑑みてなされたも
のである。したがって、本発明の目的は、レーザー光に
よる干渉縞の発生を長期にわたって防止することができ
る電子写真感光体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、検討の結
果、プラズマＣＶＤ法によって作製された非晶質ケイ素
感光体において、高周波電界をパルス変調してグロー放
電を行うことにより、光散乱層が形成できることを見出
した。またパルス変調した高周波電界によりグロー放電
をした場合には、変調しない方式（連続放電）に比較し
て、欠陥成長についても低減させることを見出した。ま
たこの光拡散層は、長波長領域の光源に対し非常に高感
度な膜であることを発見した。本発明は、これ等の知見
に基づいて完成されたものである。
果、プラズマＣＶＤ法によって作製された非晶質ケイ素
感光体において、高周波電界をパルス変調してグロー放
電を行うことにより、光散乱層が形成できることを見出
した。またパルス変調した高周波電界によりグロー放電
をした場合には、変調しない方式（連続放電）に比較し
て、欠陥成長についても低減させることを見出した。ま
たこの光拡散層は、長波長領域の光源に対し非常に高感
度な膜であることを発見した。本発明は、これ等の知見
に基づいて完成されたものである。
【０００６】本発明の電子写真感光体は、導電性基板上
に、少なくとも電荷注入阻止層、光導電層および表面保
護層を設けてなるものであって、前記導電性基板と電荷
注入阻止層の間または電荷注入阻止層と光導電層の間
に、パルス変調をした高周波電界によるグロー放電によ
って形成した光拡散層が設けられたことを特徴とする。
本発明の電子写真感光体の製造方法は、導電性基板上
に、電荷注入阻止層、光導電層を順次形成し、その際、
導電性基板と電荷注入阻止層との間、または電荷注入阻
止層と光導電層との間に、パルス変調をした高周波電界
によるグロー放電によって光拡散層を形成することを特
徴とする。
に、少なくとも電荷注入阻止層、光導電層および表面保
護層を設けてなるものであって、前記導電性基板と電荷
注入阻止層の間または電荷注入阻止層と光導電層の間
に、パルス変調をした高周波電界によるグロー放電によ
って形成した光拡散層が設けられたことを特徴とする。
本発明の電子写真感光体の製造方法は、導電性基板上
に、電荷注入阻止層、光導電層を順次形成し、その際、
導電性基板と電荷注入阻止層との間、または電荷注入阻
止層と光導電層との間に、パルス変調をした高周波電界
によるグロー放電によって光拡散層を形成することを特
徴とする。
【０００７】以下、本発明について詳記する。本発明の
電子写真感光体の好ましい実施例は、図１および２に示
す層構成を有する。図中、１は、導電性基板、２は光導
電層、３は表面保護層、４は電荷注入阻止層、５は光拡
散層である。図１においては、電荷注入阻止層４と光導
電層２との間に光拡散層５が形成されており、図２にお
いては、導電性基板１と電荷注入阻止層４との間に光拡
散層５が形成されている。
電子写真感光体の好ましい実施例は、図１および２に示
す層構成を有する。図中、１は、導電性基板、２は光導
電層、３は表面保護層、４は電荷注入阻止層、５は光拡
散層である。図１においては、電荷注入阻止層４と光導
電層２との間に光拡散層５が形成されており、図２にお
いては、導電性基板１と電荷注入阻止層４との間に光拡
散層５が形成されている。
【０００８】本発明において用いられる導電性基板とし
ては、アルミニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼
等の合金、導電膜を有するプラスチックシートおよびガ
ラス、および導電化処理をした紙等があげられる。
ては、アルミニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼
等の合金、導電膜を有するプラスチックシートおよびガ
ラス、および導電化処理をした紙等があげられる。
【０００９】本発明の電子写真感光体において、光拡散
層は、導電性基板と電荷注入阻止層の間、または電荷注
入阻止層と光導電層の間に設けられる。光拡散層は、水
素および／またはハロゲンを含む非晶質ケイ素からなる
ものであって、パルス変調をした高周波電界によるグロ
ー放電によって形成されたものである。光拡散層は、可
干渉性のレーザー光を照射した時、光拡散層内に入射し
た光を内部で拡散させ、干渉縞の発生を防止する役割を
果たす。また、この光拡散層は、パルス変調して非連続
的にグロー放電分解を行い、非晶質ケイ素を形成するこ
とにより形成するものであるから、導電性基板上に形成
する場合には、基板上の切削キズあるいは異物などによ
る凹凸の上に形成されても、椀状の欠陥を成長させるこ
とがなく、欠陥成長を防止する役割を果たす。また、光
拡散層を電荷注入阻止層の上に設ける場合には、光導電
層の一部として機能させてもよい。その場合、この膜は
赤外領域において高感度な膜であるため増感層としての
役割を果たす。また光拡散層は、光導電層の一部として
ではなく、電荷注入阻止層の一部として機能させてもよ
い。
層は、導電性基板と電荷注入阻止層の間、または電荷注
入阻止層と光導電層の間に設けられる。光拡散層は、水
素および／またはハロゲンを含む非晶質ケイ素からなる
ものであって、パルス変調をした高周波電界によるグロ
ー放電によって形成されたものである。光拡散層は、可
干渉性のレーザー光を照射した時、光拡散層内に入射し
た光を内部で拡散させ、干渉縞の発生を防止する役割を
果たす。また、この光拡散層は、パルス変調して非連続
的にグロー放電分解を行い、非晶質ケイ素を形成するこ
とにより形成するものであるから、導電性基板上に形成
する場合には、基板上の切削キズあるいは異物などによ
る凹凸の上に形成されても、椀状の欠陥を成長させるこ
とがなく、欠陥成長を防止する役割を果たす。また、光
拡散層を電荷注入阻止層の上に設ける場合には、光導電
層の一部として機能させてもよい。その場合、この膜は
赤外領域において高感度な膜であるため増感層としての
役割を果たす。また光拡散層は、光導電層の一部として
ではなく、電荷注入阻止層の一部として機能させてもよ
い。
【００１０】光拡散層は、水素および／またはハロゲン
を含む非晶質ケイ素からなるものであって、さらに第II
I 族元素または第Ｖ族元素が含有されていてもよい。主
原料としては、水素化ケイ素化合物およびそのハロゲン
置換体が使用される。例えば、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、
Ｓｉ3 Ｈ8 、Ｓｉ4 Ｈ10、ＳｉＣｌ4 、ＳｉＦ4 、Ｓｉ
ＨＦ3 、ＳｉＨ2 Ｆ2 、ＳｉＨ3 Ｆ、ＳｉＨＣｌ3 、Ｓ
ｉＨ2 Ｃｌ2、ＳｉＨ3 Ｃｌ、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 等があ
げられる。また、第III 族元素および第Ｖ族元素をドー
プさせるための原料としては、Ｂ2 Ｈ6 、Ｂ3 Ｈ8 、Ｂ
4 Ｈ10、ＢＦ3 、ＢＣｌ3 、ＰＨ3 、Ｐ2 Ｈ4 、Ｐ
Ｆ3 、ＰＣｌ3 があげられる。非晶質ケイ素における水
素の含有量は、５〜３５ａｔｍ％の範囲が、また、ハロ
ゲンの含有量は、１〜１０ａｔｍ％の範囲が好ましい。
また、第III 族元素または第Ｖ族元素は、光導電層の一
部として機能させる場合には、０．００１〜１０ｐｐｍ
の範囲が好ましい。また、電荷注入層の一部として機能
させる場合には、５０〜１０００ｐｐｍの範囲が好まし
く用いられる。
を含む非晶質ケイ素からなるものであって、さらに第II
I 族元素または第Ｖ族元素が含有されていてもよい。主
原料としては、水素化ケイ素化合物およびそのハロゲン
置換体が使用される。例えば、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、
Ｓｉ3 Ｈ8 、Ｓｉ4 Ｈ10、ＳｉＣｌ4 、ＳｉＦ4 、Ｓｉ
ＨＦ3 、ＳｉＨ2 Ｆ2 、ＳｉＨ3 Ｆ、ＳｉＨＣｌ3 、Ｓ
ｉＨ2 Ｃｌ2、ＳｉＨ3 Ｃｌ、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 等があ
げられる。また、第III 族元素および第Ｖ族元素をドー
プさせるための原料としては、Ｂ2 Ｈ6 、Ｂ3 Ｈ8 、Ｂ
4 Ｈ10、ＢＦ3 、ＢＣｌ3 、ＰＨ3 、Ｐ2 Ｈ4 、Ｐ
Ｆ3 、ＰＣｌ3 があげられる。非晶質ケイ素における水
素の含有量は、５〜３５ａｔｍ％の範囲が、また、ハロ
ゲンの含有量は、１〜１０ａｔｍ％の範囲が好ましい。
また、第III 族元素または第Ｖ族元素は、光導電層の一
部として機能させる場合には、０．００１〜１０ｐｐｍ
の範囲が好ましい。また、電荷注入層の一部として機能
させる場合には、５０〜１０００ｐｐｍの範囲が好まし
く用いられる。
【００１１】光拡散層を形成する場合、グロー放電分解
は、直流および交流放電のいずれを採用して行ってもよ
い。高周波電界としては、５ＭＨｚ以上の高周波が印加
される電界が使用され、それをパルス変調する範囲は、
０．１Ｈｚから１０Ｈｚの範囲が望ましい。変調周波数
が０．１Ｈｚよりも低い場合には成膜速度の低下を招
き、生産性が低下する。一方１０Ｈｚよりも高い場合に
は、グロー放電が実際上連続放電と同じ状態になり、連
続放電で成膜した膜質と同様のものとなる。また、放電
時の圧力は１３．３〜６６７Ｐａ（０．１〜５Ｔｏｒ
ｒ）、基板加熱温度は１００〜４００℃である。光拡散
層の膜厚は、厚い方が十分な機能をもたらすので好まし
い。しかしながら、条件にもよるが、成膜速度が連続放
電の場合の成膜速度の５〜７割ぐらいに低下するため、
厚すぎる場合には生産性が低下する。したがって、その
膜厚は、通常０．１〜１５μｍの範囲に設定するのが好
ましい。より好適には３〜５μｍの範囲である。
は、直流および交流放電のいずれを採用して行ってもよ
い。高周波電界としては、５ＭＨｚ以上の高周波が印加
される電界が使用され、それをパルス変調する範囲は、
０．１Ｈｚから１０Ｈｚの範囲が望ましい。変調周波数
が０．１Ｈｚよりも低い場合には成膜速度の低下を招
き、生産性が低下する。一方１０Ｈｚよりも高い場合に
は、グロー放電が実際上連続放電と同じ状態になり、連
続放電で成膜した膜質と同様のものとなる。また、放電
時の圧力は１３．３〜６６７Ｐａ（０．１〜５Ｔｏｒ
ｒ）、基板加熱温度は１００〜４００℃である。光拡散
層の膜厚は、厚い方が十分な機能をもたらすので好まし
い。しかしながら、条件にもよるが、成膜速度が連続放
電の場合の成膜速度の５〜７割ぐらいに低下するため、
厚すぎる場合には生産性が低下する。したがって、その
膜厚は、通常０．１〜１５μｍの範囲に設定するのが好
ましい。より好適には３〜５μｍの範囲である。
【００１２】本発明の電子写真感光体において、光導電
層は、水素および／またはハロゲンを含む非晶質ケイ素
を主体として構成され、さらに他の元素を含有させるこ
とができる。例えば、非晶質ケイ素光導電層の暗抵抗の
制御あるいは帯電極性の制御を目的として、第III 族元
素または第Ｖ族元素、例えば、ホウ素（Ｂ）またはリン
（Ｐ）等の不純物元素の添加（ドーピング）を行うこと
もできる。また、膜の暗抵抗の増加、光感度の増加ある
いは帯電能（単位膜厚当りの帯電能力あるいは帯電電
位）の増加を目的として、非晶質ケイ素膜中に炭素原
子、酸素原子あるいは窒素原子等を含有させてもよい。
さらにまた、長波長域感度の増感を目的として光導電層
中にゲルマニウム（Ｇｅ）等の元素を添加することも可
能である。非晶質ケイ素を主体とする光導電層の膜厚
は、任意に設定されるが、１μｍ〜２００μｍ、特に１
０μｍ〜１００μｍの範囲が好適である。
層は、水素および／またはハロゲンを含む非晶質ケイ素
を主体として構成され、さらに他の元素を含有させるこ
とができる。例えば、非晶質ケイ素光導電層の暗抵抗の
制御あるいは帯電極性の制御を目的として、第III 族元
素または第Ｖ族元素、例えば、ホウ素（Ｂ）またはリン
（Ｐ）等の不純物元素の添加（ドーピング）を行うこと
もできる。また、膜の暗抵抗の増加、光感度の増加ある
いは帯電能（単位膜厚当りの帯電能力あるいは帯電電
位）の増加を目的として、非晶質ケイ素膜中に炭素原
子、酸素原子あるいは窒素原子等を含有させてもよい。
さらにまた、長波長域感度の増感を目的として光導電層
中にゲルマニウム（Ｇｅ）等の元素を添加することも可
能である。非晶質ケイ素を主体とする光導電層の膜厚
は、任意に設定されるが、１μｍ〜２００μｍ、特に１
０μｍ〜１００μｍの範囲が好適である。
【００１３】本発明の電子写真感光体においては、電荷
注入阻止層は、水素および／またはハロゲンを含む非晶
質炭化ケイ素、非晶質窒化ケイ素、非晶質酸化ケイ素ま
たは非晶質炭素、および第III 族元素または第Ｖ族元素
をドープしたｐ型あるいはｎ型のａ−Ｓｉ材料から選択
された少なくとも１種より構成される。さらに具体的に
は、電荷注入阻止層は、その感光体の帯電極性に応じ
て、第III 族元素をヘビードープしたｐ型の非晶質ケイ
素または非晶質炭化ケイ素、第Ｖ族元素をヘビードープ
したｎ型の非晶質ケイ素または非晶質炭化ケイ素、また
はＳｉＮx （ｘは０．２＜ｘ＜０．８を満たす）、Ｓｉ
Ｏx （ｘは０．５＜ｘ＜１．５を満たす）、ＳｉＣ
x （ｘは０．５＜ｘ＜４．０を満たす）等の絶縁性薄膜
より構成される。また、電荷注入阻止層の膜厚は、０．
１〜１０μｍの範囲が好ましい。
注入阻止層は、水素および／またはハロゲンを含む非晶
質炭化ケイ素、非晶質窒化ケイ素、非晶質酸化ケイ素ま
たは非晶質炭素、および第III 族元素または第Ｖ族元素
をドープしたｐ型あるいはｎ型のａ−Ｓｉ材料から選択
された少なくとも１種より構成される。さらに具体的に
は、電荷注入阻止層は、その感光体の帯電極性に応じ
て、第III 族元素をヘビードープしたｐ型の非晶質ケイ
素または非晶質炭化ケイ素、第Ｖ族元素をヘビードープ
したｎ型の非晶質ケイ素または非晶質炭化ケイ素、また
はＳｉＮx （ｘは０．２＜ｘ＜０．８を満たす）、Ｓｉ
Ｏx （ｘは０．５＜ｘ＜１．５を満たす）、ＳｉＣ
x （ｘは０．５＜ｘ＜４．０を満たす）等の絶縁性薄膜
より構成される。また、電荷注入阻止層の膜厚は、０．
１〜１０μｍの範囲が好ましい。
【００１４】本発明の電子写真感光体においては、表面
保護層は、水素および／またはハロゲンを含む非晶質炭
化ケイ素、非晶質窒化ケイ素、非晶質酸化ケイ素または
非晶質炭素を主体とする層よりなり、複数の層より形成
されていてもよい。具体的には、ＳｉＮx （ｘは０．５
＜ｘ＜１．３を満たす）、ＳｉＯx （ｘは１．０＜ｘ＜
２．０を満たす）、ＳｉＣx （ｘは０．５＜ｘ＜１０を
満たす）、ａ−Ｃ等の材料で構成され、その膜厚は、
０．０５〜５μｍの範囲に設定することが好ましい。
保護層は、水素および／またはハロゲンを含む非晶質炭
化ケイ素、非晶質窒化ケイ素、非晶質酸化ケイ素または
非晶質炭素を主体とする層よりなり、複数の層より形成
されていてもよい。具体的には、ＳｉＮx （ｘは０．５
＜ｘ＜１．３を満たす）、ＳｉＯx （ｘは１．０＜ｘ＜
２．０を満たす）、ＳｉＣx （ｘは０．５＜ｘ＜１０を
満たす）、ａ−Ｃ等の材料で構成され、その膜厚は、
０．０５〜５μｍの範囲に設定することが好ましい。
【００１５】本発明において、上記光拡散層は上記した
ようにプラズマＣＶＤ法によって形成されるが、その他
の層、すなわち、電荷注入阻止層、光導電層および表面
保護層についても、プラズマＣＶＤ法によって形成する
ことができる。それらの層を構成する非晶質ケイ素層、
非晶質窒化ケイ素層、非晶質炭化ケイ素層、非晶質酸化
ケイ素層、非晶質炭素層等を形成させるためには、原料
として、水素化ケイ素化合物またはそのハロゲン置換
体、炭化水素等が主原料として使用され、所望によっ
て、水素、ヘリウム、アルゴン等のキャリアガスを用い
て形成することができる。それら原料の混合割合は、適
宜設定することができる。より具体的には、例えば、非
晶質ケイ素光導電層中に水素以外の元素を添加含有させ
る場合には、プラズマＣＶＤ装置内に、主原料であるシ
ランガスと共に、それらの元素のガス化合物を導入して
グロー放電分解を行なえばよい。
ようにプラズマＣＶＤ法によって形成されるが、その他
の層、すなわち、電荷注入阻止層、光導電層および表面
保護層についても、プラズマＣＶＤ法によって形成する
ことができる。それらの層を構成する非晶質ケイ素層、
非晶質窒化ケイ素層、非晶質炭化ケイ素層、非晶質酸化
ケイ素層、非晶質炭素層等を形成させるためには、原料
として、水素化ケイ素化合物またはそのハロゲン置換
体、炭化水素等が主原料として使用され、所望によっ
て、水素、ヘリウム、アルゴン等のキャリアガスを用い
て形成することができる。それら原料の混合割合は、適
宜設定することができる。より具体的には、例えば、非
晶質ケイ素光導電層中に水素以外の元素を添加含有させ
る場合には、プラズマＣＶＤ装置内に、主原料であるシ
ランガスと共に、それらの元素のガス化合物を導入して
グロー放電分解を行なえばよい。
【００１６】水素化ケイ素化合物およびそのハロゲン置
換体としては、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｓｉ3 Ｈ8 、Ｓ
ｉ4 Ｈ10、ＳｉＣｌ4 、ＳｉＦ4 、ＳｉＨＦ3 、ＳｉＨ
2 Ｆ2 、ＳｉＨ3 Ｆ、ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、
ＳｉＨ3 Ｃｌ、Ｓｉ（ＣＨ3）4 等があげられる。また
は炭素を含有させるための、あるいは非晶質炭素層を形
成するための原料としては、炭化水素およびハロゲン化
炭化水素等が使用できる。炭化水素としては、例えば、
メタン、エタン、プロパン、ｎ−ブタン等のパラフィン
系炭化水素、エチレン、プロピレン、ブテン−１、ブテ
ン−２、イソブチレン等のオレフィン系炭化水素、アセ
チレン、メチルアセチレン等のアセチレン系炭化水素、
シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シク
ロヘキサン、シクロブテン等の脂環式炭化水素、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、ナフタリン、アントラセン等
の芳香族炭化水素をあげることができる。またハロゲン
化炭化水素としては、例えば、４塩化炭素、クロロホル
ム、４フッ化炭素、トリフルオロメタン、クロロトリフ
ルオロメタン、ジクロロフルオロメタン、ブロモトリフ
ルオロメタン、フルオロエタン、パーフルオロプロパン
等をあげることができる。また、酸素および窒素を含有
させるための原料としては、酸素、一酸化窒素、酸化二
窒素、一酸化炭素、二酸化炭素、アンモニア、窒素、Ｈ
Ｎ3 、Ｎ2 Ｈ4 等をあげることができる。また、光導電
層における第III 族元素および第Ｖ族元素をドープさせ
るための原料としては、Ｂ2 Ｈ6 、Ｂ3 Ｈ8 、Ｂ
4 Ｈ10、ＢＦ3 、ＢＣｌ3 、ＰＨ3 、Ｐ2 Ｈ4 、Ｐ
Ｆ3 、ＰＣｌ3 があげられる。また、光導電層にゲルマ
ニウムを含ませる場合、Ｇｅを添加するための原料とし
ては、ＧｅＨ4 、Ｇｅ2 Ｈ6 、Ｇｅ3 Ｈ8 、Ｇｅ
4 Ｈ10、Ｇｅ5 Ｈ12、ＧｅＦ4 等があげられる。
換体としては、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｓｉ3 Ｈ8 、Ｓ
ｉ4 Ｈ10、ＳｉＣｌ4 、ＳｉＦ4 、ＳｉＨＦ3 、ＳｉＨ
2 Ｆ2 、ＳｉＨ3 Ｆ、ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、
ＳｉＨ3 Ｃｌ、Ｓｉ（ＣＨ3）4 等があげられる。また
は炭素を含有させるための、あるいは非晶質炭素層を形
成するための原料としては、炭化水素およびハロゲン化
炭化水素等が使用できる。炭化水素としては、例えば、
メタン、エタン、プロパン、ｎ−ブタン等のパラフィン
系炭化水素、エチレン、プロピレン、ブテン−１、ブテ
ン−２、イソブチレン等のオレフィン系炭化水素、アセ
チレン、メチルアセチレン等のアセチレン系炭化水素、
シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シク
ロヘキサン、シクロブテン等の脂環式炭化水素、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、ナフタリン、アントラセン等
の芳香族炭化水素をあげることができる。またハロゲン
化炭化水素としては、例えば、４塩化炭素、クロロホル
ム、４フッ化炭素、トリフルオロメタン、クロロトリフ
ルオロメタン、ジクロロフルオロメタン、ブロモトリフ
ルオロメタン、フルオロエタン、パーフルオロプロパン
等をあげることができる。また、酸素および窒素を含有
させるための原料としては、酸素、一酸化窒素、酸化二
窒素、一酸化炭素、二酸化炭素、アンモニア、窒素、Ｈ
Ｎ3 、Ｎ2 Ｈ4 等をあげることができる。また、光導電
層における第III 族元素および第Ｖ族元素をドープさせ
るための原料としては、Ｂ2 Ｈ6 、Ｂ3 Ｈ8 、Ｂ
4 Ｈ10、ＢＦ3 、ＢＣｌ3 、ＰＨ3 、Ｐ2 Ｈ4 、Ｐ
Ｆ3 、ＰＣｌ3 があげられる。また、光導電層にゲルマ
ニウムを含ませる場合、Ｇｅを添加するための原料とし
ては、ＧｅＨ4 、Ｇｅ2 Ｈ6 、Ｇｅ3 Ｈ8 、Ｇｅ
4 Ｈ10、Ｇｅ5 Ｈ12、ＧｅＦ4 等があげられる。
【００１７】上記電荷注入阻止層、光導電層および表面
保護層は、上記の原料物質を、プラズマＣＶＤ装置によ
りグロー放電分解することによって形成することができ
る。グロー放電分解は、直流および交流放電のいずれを
採用して行ってもよい。膜形成の作製条件は、交流放電
の場合を例にとると、周波数は０．１〜３０ＭＨｚ、好
適には５〜２０ＭＨｚであり、放電時の圧力は１３．３
〜６６７Ｐａ（０．１〜５Ｔｏｒｒ）、基板加熱温度は
１００〜４００℃である。
保護層は、上記の原料物質を、プラズマＣＶＤ装置によ
りグロー放電分解することによって形成することができ
る。グロー放電分解は、直流および交流放電のいずれを
採用して行ってもよい。膜形成の作製条件は、交流放電
の場合を例にとると、周波数は０．１〜３０ＭＨｚ、好
適には５〜２０ＭＨｚであり、放電時の圧力は１３．３
〜６６７Ｐａ（０．１〜５Ｔｏｒｒ）、基板加熱温度は
１００〜４００℃である。
【００１８】
【実施例】以下、実施例および比較例によって本発明を
具体的に説明する。 実施例１ 〔電荷注入阻止層〕（非晶質ケイ素層） 容量結合型プラズマＣＶＤ装置の所定の位置に、円筒状
のアルミニウム基板を配置し、反応室内にシラン（Ｓｉ
Ｈ4 ）ガス、水素希釈ジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ／Ｈ 2 ）ガス
よりなる混合ガスを、グロー放電分解することにより、
円筒状アルミニウム基板上に、膜厚３μｍの非晶質ケイ
素からなる電荷注入阻止層を形成した。このときの成膜
条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２００ｃｍ3
／ｍｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：５００Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 基板温度：２５０℃
具体的に説明する。 実施例１ 〔電荷注入阻止層〕（非晶質ケイ素層） 容量結合型プラズマＣＶＤ装置の所定の位置に、円筒状
のアルミニウム基板を配置し、反応室内にシラン（Ｓｉ
Ｈ4 ）ガス、水素希釈ジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ／Ｈ 2 ）ガス
よりなる混合ガスを、グロー放電分解することにより、
円筒状アルミニウム基板上に、膜厚３μｍの非晶質ケイ
素からなる電荷注入阻止層を形成した。このときの成膜
条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２００ｃｍ3
／ｍｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：５００Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 基板温度：２５０℃
【００１９】〔光拡散層〕（非晶質ケイ素層） 電荷注入阻止層の形成後、反応器を十分に排気し、次い
で、シランガス、水素ガス、水素希釈ジボランガスより
なる混合ガスを、グロー放電分解することにより電荷注
入阻止層の上に、膜厚５μｍの非晶質ケイ素からなる光
拡散層を形成した。このときの成膜条件は次の通りであ
った。 １００％シランガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：９５ｃｍ3 ／ｍｉｎ ４０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：５ｃｍ3 ／ｍｉ
ｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：５００Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 基板温度：２５０℃ なお、この光拡散層を次のパルス変調幅の８つの水準で
作製した。すなわち、パルス変調幅を、０．０１Ｈｚ
（実施例１−１）、０．１Ｈｚ（実施例１−２）、０．
５Ｈｚ（実施例１−３）、１Ｈｚ（実施例１−４）、２
Ｈｚ（実施例１−５）、５Ｈｚ（実施例１−６）、１０
Ｈｚ（実施例１−７）、および１００Ｈｚ（実施例１−
８）とした。Ｄｕｔｙは１：１とした。
で、シランガス、水素ガス、水素希釈ジボランガスより
なる混合ガスを、グロー放電分解することにより電荷注
入阻止層の上に、膜厚５μｍの非晶質ケイ素からなる光
拡散層を形成した。このときの成膜条件は次の通りであ
った。 １００％シランガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：９５ｃｍ3 ／ｍｉｎ ４０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：５ｃｍ3 ／ｍｉ
ｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：５００Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 基板温度：２５０℃ なお、この光拡散層を次のパルス変調幅の８つの水準で
作製した。すなわち、パルス変調幅を、０．０１Ｈｚ
（実施例１−１）、０．１Ｈｚ（実施例１−２）、０．
５Ｈｚ（実施例１−３）、１Ｈｚ（実施例１−４）、２
Ｈｚ（実施例１−５）、５Ｈｚ（実施例１−６）、１０
Ｈｚ（実施例１−７）、および１００Ｈｚ（実施例１−
８）とした。Ｄｕｔｙは１：１とした。
【００２０】〔光導電層〕（非晶質ケイ素層） 光拡散層の形成後、反応器を十分に排気し、次いで、シ
ラン（ＳｉＨ4 ）ガス、水素ガス、水素希釈ジボランガ
スよりなる混合ガスを、グロー放電分解することによ
り、光拡散層上に、膜厚２０μｍの非晶質ケイ素からな
る光導電層を形成した。このときの成膜条件は次の通り
であった。 １００％シランガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：９５ｃｍ3 ／ｍｉｎ ４０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：５ｃｍ3 ／ｍｉ
ｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：５００Ｗ 基板温度：２５０℃
ラン（ＳｉＨ4 ）ガス、水素ガス、水素希釈ジボランガ
スよりなる混合ガスを、グロー放電分解することによ
り、光拡散層上に、膜厚２０μｍの非晶質ケイ素からな
る光導電層を形成した。このときの成膜条件は次の通り
であった。 １００％シランガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：９５ｃｍ3 ／ｍｉｎ ４０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：５ｃｍ3 ／ｍｉ
ｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：５００Ｗ 基板温度：２５０℃
【００２１】〔第１の表面保護層〕（非晶質窒化ケイ素
層） 光導電層の形成後、反応器を十分に排気し、次いで、シ
ランガス、水素ガス、アンモニア（ＮＨ3 ）ガスよりな
る混合ガスを、グロー放電分解することにより、光導電
層の上に、膜厚０．３μｍの非晶質窒化ケイ素からなる
第１の表面保護層を形成した。このときの成膜条件は次
の通りであった。 １００％シランガス流量：１５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：１５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 基板温度：２５０℃ 〔第２の表面保護層〕（非晶質窒化ケイ素層） 第１の表面保護層の作製後、反応器を十分に排気し、次
いで、シランガス、水素ガス、アンモニアガスよりなる
混合ガスを、グロー放電分解することにより、第１の表
面保護層の上に、膜厚０．２μｍの非晶質窒化ケイ素か
らなる第２の表面保護層を形成した。このときの成膜条
件は次の通りであった。 １０００％シランガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 基板温度：２５０℃
層） 光導電層の形成後、反応器を十分に排気し、次いで、シ
ランガス、水素ガス、アンモニア（ＮＨ3 ）ガスよりな
る混合ガスを、グロー放電分解することにより、光導電
層の上に、膜厚０．３μｍの非晶質窒化ケイ素からなる
第１の表面保護層を形成した。このときの成膜条件は次
の通りであった。 １００％シランガス流量：１５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：１５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 基板温度：２５０℃ 〔第２の表面保護層〕（非晶質窒化ケイ素層） 第１の表面保護層の作製後、反応器を十分に排気し、次
いで、シランガス、水素ガス、アンモニアガスよりなる
混合ガスを、グロー放電分解することにより、第１の表
面保護層の上に、膜厚０．２μｍの非晶質窒化ケイ素か
らなる第２の表面保護層を形成した。このときの成膜条
件は次の通りであった。 １０００％シランガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 基板温度：２５０℃
【００２２】比較例１ 上記実施例１において、パルス変調を行わずに層を形成
し、さらに同様の光導電層を設けた以外は、実施例１と
同様の条件で電子写真感光体を作製した。
し、さらに同様の光導電層を設けた以外は、実施例１と
同様の条件で電子写真感光体を作製した。
【００２３】実施例２ 実施例１において、アルミニウム基板上に、先ず光拡散
層を成膜し、次いで電荷注入阻止層を成膜した以外は、
実施例１と同様の方法および条件で電子写真感光体を作
製した。このときの光拡散層の成膜条件は次の通りであ
った。 １００％シランガス流量２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００ｐｐｍ水素希釈シボランガス流量：２００ｃｍ3
／ｍｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：５００Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 基板温度：２５０℃ パルス変調幅：０．５Ｈｚ Ｄｕｔｙ：１：１
層を成膜し、次いで電荷注入阻止層を成膜した以外は、
実施例１と同様の方法および条件で電子写真感光体を作
製した。このときの光拡散層の成膜条件は次の通りであ
った。 １００％シランガス流量２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００ｐｐｍ水素希釈シボランガス流量：２００ｃｍ3
／ｍｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：５００Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 基板温度：２５０℃ パルス変調幅：０．５Ｈｚ Ｄｕｔｙ：１：１
【００２４】実施例３ 電荷注入阻止層、光拡散層、光導電層、および表面保護
層を以下の条件で作製した。 〔電荷注入阻止層〕（非晶質窒化ケイ素層） アルミニウム基体上に、電荷注入阻止層を形成した。こ
のときの成膜条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量１５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：１５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 基板温度：２５０℃
層を以下の条件で作製した。 〔電荷注入阻止層〕（非晶質窒化ケイ素層） アルミニウム基体上に、電荷注入阻止層を形成した。こ
のときの成膜条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量１５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：１５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 基板温度：２５０℃
【００２５】〔光拡散層〕（非晶質ケイ素層） 電荷注入阻止層の形成後、反応器を十分に排気し、次い
で、シランガス、水素ガス、水素希釈ジボランガスより
なる混合ガスを、グロー放電分解することにより電荷注
入阻止層の上に、膜厚５μｍの非晶質ケイ素からなる光
拡散層を形成した。このときの成膜条件は次の通りであ
った。 １００％シランガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１８０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２０ｃｍ3 ／ｍｉ
ｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：５００Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 基板温度：２５０℃ パルス変調幅を０．５Ｈｚとした。 Ｄｕｔｙは１：１とした。
で、シランガス、水素ガス、水素希釈ジボランガスより
なる混合ガスを、グロー放電分解することにより電荷注
入阻止層の上に、膜厚５μｍの非晶質ケイ素からなる光
拡散層を形成した。このときの成膜条件は次の通りであ
った。 １００％シランガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１８０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２０ｃｍ3 ／ｍｉ
ｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：５００Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 基板温度：２５０℃ パルス変調幅を０．５Ｈｚとした。 Ｄｕｔｙは１：１とした。
【００２６】〔光導電層〕（非晶質ケイ素層） 光拡散層の形成後、反応器を十分に排気し、次いで、シ
ラン（ＳｉＨ4 ）ガス、水素ガス、水素希釈ジボランガ
スよりなる混合ガスを、グロー放電分解することによ
り、光拡散層上に、膜厚２０μｍの非晶質ケイ素からな
る光導電層を形成した。このときの成膜条件は次の通り
であった。 １００％シランガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：９５ｃｍ3 ／ｍｉｎ １０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２０ｃｍ3 ／ｍ
ｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：５００Ｗ 基板温度：２５０℃ 〔表面保護層〕（非晶質炭化ケイ素層） 光導電層の形成後、反応器を十分に排気し、次いで、シ
ラン（ＳｉＨ4 ）ガス、エチレン（Ｃ2 Ｈ4 ）ガス、水
素ガス、水素希釈ジボランガスよりなる混合ガスを、グ
ロー放電分解することにより、光導電層上に、膜厚１．
０μｍの非晶質炭化ケイ素からなる表面保護層を形成し
た。このときの成膜条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％エチレンガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ ４００ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２００ｃｍ3
／ｍｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 基板温度：２５０℃
ラン（ＳｉＨ4 ）ガス、水素ガス、水素希釈ジボランガ
スよりなる混合ガスを、グロー放電分解することによ
り、光拡散層上に、膜厚２０μｍの非晶質ケイ素からな
る光導電層を形成した。このときの成膜条件は次の通り
であった。 １００％シランガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：９５ｃｍ3 ／ｍｉｎ １０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２０ｃｍ3 ／ｍ
ｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：５００Ｗ 基板温度：２５０℃ 〔表面保護層〕（非晶質炭化ケイ素層） 光導電層の形成後、反応器を十分に排気し、次いで、シ
ラン（ＳｉＨ4 ）ガス、エチレン（Ｃ2 Ｈ4 ）ガス、水
素ガス、水素希釈ジボランガスよりなる混合ガスを、グ
ロー放電分解することにより、光導電層上に、膜厚１．
０μｍの非晶質炭化ケイ素からなる表面保護層を形成し
た。このときの成膜条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％エチレンガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ ４００ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２００ｃｍ3
／ｍｉｎ 反応器内圧：１３３．３２Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ） 放電電力：３００Ｗ 基板温度：２５０℃
【００２７】上記実施例および比較例において作製され
た電子写真感光体を、ユニバーサルスキャナーで電気特
性測定をし、半導体レーザープリンター（ＸＰ−１５
（改造機）、富士ゼロックス（株）製）に装着し、画像
評価を行った。複写機の設置条件は、３０℃／８５％Ｒ
Ｈ、２０℃／５０％ＲＨ、および１０℃／１５％ＲＨの
３種類とした。（以下、これら３種の環境を総称して３
環境という。）
た電子写真感光体を、ユニバーサルスキャナーで電気特
性測定をし、半導体レーザープリンター（ＸＰ−１５
（改造機）、富士ゼロックス（株）製）に装着し、画像
評価を行った。複写機の設置条件は、３０℃／８５％Ｒ
Ｈ、２０℃／５０％ＲＨ、および１０℃／１５％ＲＨの
３種類とした。（以下、これら３種の環境を総称して３
環境という。）
【００２８】その結果を下記表１に示す。
【表１】 表１の結果から、パルス変調周波数は０．１から１０Ｈ
ｚにおいて効果のあることが判明した。また欠陥成長防
止にも効果があることが確認された。
ｚにおいて効果のあることが判明した。また欠陥成長防
止にも効果があることが確認された。
【００２９】
【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、パルス変調
をした高周波電界によるグロー放電によって形成した光
拡散層を有するから、半導体レーザー等の光源に対して
高感度であり、かつ赤外半導体レーザー等のコヒーレン
ト光を光源とするものに使用でき、レーザープリンター
等により画像形成を行った場合、干渉縞の発生が防止さ
れた優れた画質の画像を得ることができる。また、本発
明の電子写真感光体は、欠陥の少ない高品位なアモルフ
ァスシリコン感光体であって、また、耐摩耗性、耐久性
に優れ、長期の複写操作において、白点、黒点や白すじ
等の画像欠陥の発生が少ないという利点を有している。
をした高周波電界によるグロー放電によって形成した光
拡散層を有するから、半導体レーザー等の光源に対して
高感度であり、かつ赤外半導体レーザー等のコヒーレン
ト光を光源とするものに使用でき、レーザープリンター
等により画像形成を行った場合、干渉縞の発生が防止さ
れた優れた画質の画像を得ることができる。また、本発
明の電子写真感光体は、欠陥の少ない高品位なアモルフ
ァスシリコン感光体であって、また、耐摩耗性、耐久性
に優れ、長期の複写操作において、白点、黒点や白すじ
等の画像欠陥の発生が少ないという利点を有している。
【図１】 本発明の電子写真感光体の一例の模式的断面
図である。
図である。
【図２】 本発明の電子写真感光体の他の一例の模式的
断面図である。
断面図である。
１…導電性基板、２…光導電層、３…表面保護層、４…
電荷注入阻止層、５…光拡散層。
電荷注入阻止層、５…光拡散層。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−129377（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−73620（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−248037（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−51753（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−197956（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−204048（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03G 5/00 - 5/16
Claims (7)
- 【請求項１】 導電性基板上に、少なくとも、電荷注入
阻止層、光導電層および表面保護層を順次設けてなる電
子写真感光体において、前記導電性基板と電荷注入阻止
層との間、または電荷注入阻止層と光導電層との間に、
パルス変調をした高周波電界によるグロー放電によって
形成した光拡散層が設けられたことを特徴とする電子写
真感光体。 - 【請求項２】 前記光拡散層が水素および／またはハロ
ゲンを含む非晶質ケイ素からなることを特徴とする請求
項１記載の電子写真感光体。 - 【請求項３】 前記光導電層が水素および／またはハロ
ゲンを含む非晶質ケイ素からなることを特徴とする請求
項１記載の電子写真感光体。 - 【請求項４】 前記電荷注入阻止層が水素および／また
はハロゲンを含む非晶質炭化ケイ素、非晶質窒化ケイ
素、非晶質酸化ケイ素または非晶質炭素、および第III
族元素または第Ｖ族元素をドープしたｐ型あるいはｎ型
のａ−Ｓｉ材料から選択された少なくとも１種よりなる
ことを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体。 - 【請求項５】 前記表面保護層が、水素および／または
ハロゲンを含む非晶質炭化ケイ素、非晶質窒化ケイ素、
非晶質酸化ケイ素または非晶質炭素を主体とする少なく
とも一層よりなることを特徴とする請求項１記載の電子
写真感光体。 - 【請求項６】 導電性基板上に、電荷注入阻止層、光導
電層を順次形成して電子写真感光体を製造するに際し
て、導電性基板と電荷注入阻止層との間、または電荷注
入阻止層と光導電層との間に、パルス変調をした高周波
電界によるグロー放電によって光拡散層を形成すること
を特徴とする電子写真感光体の製造方法。 - 【請求項７】 前記光拡散層を形成するに際し、パルス
変調をした高周波電界のパルス変調周波数が０．１Ｈｚ
から１０Ｈｚの範囲でグロー放電を行なうことを特徴と
する請求項６記載の電子写真感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1496794A JP2850745B2 (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1496794A JP2850745B2 (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07209891A JPH07209891A (ja) | 1995-08-11 |
| JP2850745B2 true JP2850745B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=11875754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1496794A Expired - Lifetime JP2850745B2 (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2850745B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5694896B2 (ja) * | 2011-10-28 | 2015-04-01 | 株式会社ハシモト商会 | 触媒ｃｖｄ法及びその装置 |
-
1994
- 1994-01-14 JP JP1496794A patent/JP2850745B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07209891A (ja) | 1995-08-11 |
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