JPS58171043A - 光導電部材 - Google Patents
光導電部材Info
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- JPS58171043A JPS58171043A JP57053604A JP5360482A JPS58171043A JP S58171043 A JPS58171043 A JP S58171043A JP 57053604 A JP57053604 A JP 57053604A JP 5360482 A JP5360482 A JP 5360482A JP S58171043 A JPS58171043 A JP S58171043A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光(ここでは広義の光で、紫外光線SOT視
光線,赤外光線,X線,γ線等を示す)の様な電磁波に
感受性のある光導電部材K関する。
光線,赤外光線,X線,γ線等を示す)の様な電磁波に
感受性のある光導電部材K関する。
固体撮像装薫、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導@I−を形成する
光導電材料としては、高感度で、8N比〔光電流(Ip
)/晰電流(Id)]が高く、照射する竃磁波のスペク
トル特性にマッチングした吸収スペクトル特性金有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害であること、t!K
は固体撮像装置においては、残儂を所定時間内に容易に
処理することができること等の特性が要求される。殊に
、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内K
組込まれる電子写真用儂形成部材の場合κは、上記の使
用時Kおける無公害性は重要な点である。
形成部材や原稿読取装置における光導@I−を形成する
光導電材料としては、高感度で、8N比〔光電流(Ip
)/晰電流(Id)]が高く、照射する竃磁波のスペク
トル特性にマッチングした吸収スペクトル特性金有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害であること、t!K
は固体撮像装置においては、残儂を所定時間内に容易に
処理することができること等の特性が要求される。殊に
、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内K
組込まれる電子写真用儂形成部材の場合κは、上記の使
用時Kおける無公害性は重要な点である。
この様な点に立脚して鍛近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン(以後m−8iと表記す)があり
、例えば、践ti会開第2746967号公報、同第2
855718号会報Kは電子写真用債形成部材として、
独国会開嬉2933411号公報には光電変換鱈取鋏置
への応用が記載されている。
アモルファスシリコン(以後m−8iと表記す)があり
、例えば、践ti会開第2746967号公報、同第2
855718号会報Kは電子写真用債形成部材として、
独国会開嬉2933411号公報には光電変換鱈取鋏置
への応用が記載されている。
而乍ら、従来のa−Siで構成され九光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値,光感度.光応答性等の電気的
.光学的,光導電的特性,及び耐湿性尋の使用環境特性
の点、更には経時的安定性の点におりて、結合的な特性
向上を図る必要があるという更に改良される町き点が存
するのが実情である。
光導電部材は、暗抵抗値,光感度.光応答性等の電気的
.光学的,光導電的特性,及び耐湿性尋の使用環境特性
の点、更には経時的安定性の点におりて、結合的な特性
向上を図る必要があるという更に改良される町き点が存
するのが実情である。
例えば、電子写真用僧形成部材κ適用した場合に、嵩光
感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残w電位が残る場合が度々
観測され、この種の光専竃部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残僧が
生ずる=副ゴースト現象を発する様になる或いは、一連
で繰返し使用すると応答性が次第に低ドする等の不都合
な点が生ずる場合が少なくなかった。
感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残w電位が残る場合が度々
観測され、この種の光専竃部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残僧が
生ずる=副ゴースト現象を発する様になる或いは、一連
で繰返し使用すると応答性が次第に低ドする等の不都合
な点が生ずる場合が少なくなかった。
史には、a−8iは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半4体レーザとのマッ
チングに於いて、通′縁使用されているハロゲンランプ
や螢光灯を光源とする場合、長波長側の″Lヶ有効に使
用し得ていないという点に於いて、夫々改良される余地
が残っている。
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半4体レーザとのマッ
チングに於いて、通′縁使用されているハロゲンランプ
や螢光灯を光源とする場合、長波長側の″Lヶ有効に使
用し得ていないという点に於いて、夫々改良される余地
が残っている。
又、別には、照射される元が亀導′屯j一中に於い−C
1允分吸収されずに、支持体に到達する光の竃が多くな
ると、支持体自体が光導電層を透過して来る光に対する
反射率が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射κ
よる干渉が起って、iii儂の「ボケ」が生ずる一要因
となる。
1允分吸収されずに、支持体に到達する光の竃が多くな
ると、支持体自体が光導電層を透過して来る光に対する
反射率が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射κ
よる干渉が起って、iii儂の「ボケ」が生ずる一要因
となる。
この影響は、解gIIlを上げる為に、照射スポットを
小さくする根大きくなり、殊K#P導体レーザを光源と
する場合Kは大きな問題となっている。
小さくする根大きくなり、殊K#P導体レーザを光源と
する場合Kは大きな問題となっている。
匿に、a−8i材科で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的,元導電的特性の改良を図るためK1水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気
伝導型の制御の丸めに硼素原子中燐原子等が或いはその
他の特性改良のためκ他の原子が、各々構成原子として
党導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の
仕方如何によっては、形成し九層の電気的或いは光41
K的特性κ問題が生ずる場合がある0 即ち、Hえば、形成し九光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部Kおいて、支持体偵よりの1荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる1合が少なくない。
の電気的,元導電的特性の改良を図るためK1水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気
伝導型の制御の丸めに硼素原子中燐原子等が或いはその
他の特性改良のためκ他の原子が、各々構成原子として
党導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の
仕方如何によっては、形成し九層の電気的或いは光41
K的特性κ問題が生ずる場合がある0 即ち、Hえば、形成し九光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部Kおいて、支持体偵よりの1荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる1合が少なくない。
従ってa−Si材料そのものの特性改良が図られる一方
で光導竃部材を設計する際に、1記し九様な問題の飴て
が解決される様に工夫される必要がある。
で光導竃部材を設計する際に、1記し九様な問題の飴て
が解決される様に工夫される必要がある。
本発明は上記の諸点K鑑み成されたもので、a−8iに
就て竃子写真用像形成部材や固体撮倫装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子(}l)又はハロゲン原
子(X”)のいずれか一方を少なくとも含有するアモル
ファス材科、所祷水素化アモルファスシリコン、ハロゲ
ン化アモルファスシリコン、或いはハロゲンJ有水素化
アモルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記として
[a−8i(H,X)Jを使用する〕から構成され、光
導成性を示す非晶質層を有する光導竃部材の層構成を以
後に説明される様な特定化の下に設計されて作成された
光導竃部材は実用上著しく優れた特性を示すぱかりでな
く、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点におい
て凌駕していること、殊κ竃子写真用の光導電部材とし
て着しく優れた特性を有していること及び長波長側κ於
ける吸収スペクトル特性に優れていることを見出し九点
に基いている。
就て竃子写真用像形成部材や固体撮倫装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子(}l)又はハロゲン原
子(X”)のいずれか一方を少なくとも含有するアモル
ファス材科、所祷水素化アモルファスシリコン、ハロゲ
ン化アモルファスシリコン、或いはハロゲンJ有水素化
アモルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記として
[a−8i(H,X)Jを使用する〕から構成され、光
導成性を示す非晶質層を有する光導竃部材の層構成を以
後に説明される様な特定化の下に設計されて作成された
光導竃部材は実用上著しく優れた特性を示すぱかりでな
く、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点におい
て凌駕していること、殊κ竃子写真用の光導電部材とし
て着しく優れた特性を有していること及び長波長側κ於
ける吸収スペクトル特性に優れていることを見出し九点
に基いている。
本発明は邂気的,光学的,光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、長波長側の光感f特性κ優れると共に耐光疲労に着し
く兼け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んどllIi#Iされない光導竃部材
を提供することを主九る目的とする。
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、長波長側の光感f特性κ優れると共に耐光疲労に着し
く兼け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んどllIi#Iされない光導竃部材
を提供することを主九る目的とする。
本発明の別の目的は、全可視光域κ於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマッチングに優れ、且つ光応答
の速い先導電部材を提供することである。
、殊に半導体レーザとのマッチングに優れ、且つ光応答
の速い先導電部材を提供することである。
本発明の他の目的は、電子写真用の倫形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度K1靜電惨形成の為の帯竃処理の際の竃荷保
持能が充分ある先導電部材を提供することである。
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度K1靜電惨形成の為の帯竃処理の際の竃荷保
持能が充分ある先導電部材を提供することである。
本発明の史に他の目的は、s度が^く、ハーフトーンが
鮮明に出て珪っ解像度の高い、高品質@ilkを得る事
が容易に出来る亀子写真用の先導竃部材を提供すること
である。
鮮明に出て珪っ解像度の高い、高品質@ilkを得る事
が容易に出来る亀子写真用の先導竃部材を提供すること
である。
本発明のくにもう1つの目的は、^光感度性,,48N
比特性を有する光41j1部材を提供することでもある
。
比特性を有する光41j1部材を提供することでもある
。
本発明の光導竃部材は、元導電部材用の支持体と、シリ
コン涼子とゲルマニウム原子とを含む非晶實材科で構成
された、glの1−領域とシリコン原子を含む非晶實材
科で構成され、光導竃性を示す8g2のノー領域とが前
記支持体側よりNAvc設けられた層構成の非晶質J一
とを有し、前記第1の層領域中VC伝尋性會支配する物
質が含有されている#を特徴とする。
コン涼子とゲルマニウム原子とを含む非晶實材科で構成
された、glの1−領域とシリコン原子を含む非晶實材
科で構成され、光導竃性を示す8g2のノー領域とが前
記支持体側よりNAvc設けられた層構成の非晶質J一
とを有し、前記第1の層領域中VC伝尋性會支配する物
質が含有されている#を特徴とする。
L記した様な層構成を取る峰にし7て設計された本発明
の光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決(−得、
極めて優れた電気的,光学的,光導電的特性,耐圧性及
び使用環境特性を示す。
の光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決(−得、
極めて優れた電気的,光学的,光導電的特性,耐圧性及
び使用環境特性を示す。
殊に、電子写真用gII形成部材として適用させた場合
には、画偉形成への残留電位の影響が全くなく、その電
気的特性が安定しており高感度で、高SN比を有するも
のであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が
^く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解儂度の高い、
高品質の画潅を安定して繰返し得ることができる。
には、画偉形成への残留電位の影響が全くなく、その電
気的特性が安定しており高感度で、高SN比を有するも
のであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が
^く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解儂度の高い、
高品質の画潅を安定して繰返し得ることができる。
釘に、本発明の光導電部材は、金町夜光域κ於いて光感
度が尚<、珠に半導体レーザとのマッチングに優れ、且
つ光応答が速い。
度が尚<、珠に半導体レーザとのマッチングに優れ、且
つ光応答が速い。
以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細K
説明する。
説明する。
第1図は、本発明の第1の実施a様偽の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。
第1図に示す光導竃部材100は、光導竃部材用として
の支持体101の上に、非晶質層102を有し、該非品
質層102#i自由表面105を一方の端而に有してい
る。
の支持体101の上に、非晶質層102を有し、該非品
質層102#i自由表面105を一方の端而に有してい
る。
非品質層102は、支持体101側よりゲルマニウム原
子を含有するa−Si(H,X)(以後「a−8i(J
e(H,X)Jと略記する)で構成された第1の層領域
(G)103とa−Si(H,X)テ構成サレ、光導竃
性を有する第2のf一領域(S)104とが順に積層さ
れた1−4p造を有する。
子を含有するa−Si(H,X)(以後「a−8i(J
e(H,X)Jと略記する)で構成された第1の層領域
(G)103とa−Si(H,X)テ構成サレ、光導竃
性を有する第2のf一領域(S)104とが順に積層さ
れた1−4p造を有する。
第l+/)lIi!領域(+−f)103中に含有され
るゲルマニウム原子は、該第1の層領域(G)103の
層厚方向及び支持体l旧の表面と平行な面内方向に連続
的で均一に分布した状態となる様に前記第1の1−領域
(U)103中に含有される。
るゲルマニウム原子は、該第1の層領域(G)103の
層厚方向及び支持体l旧の表面と平行な面内方向に連続
的で均一に分布した状態となる様に前記第1の1−領域
(U)103中に含有される。
本発明の光導竃部材100に於いては、少なくとも第1
の1−領域(G)103に伝導特性を支配する物質(C
)が含有されており、第1の一領域(G)103に所望
の伝導特性が与えられている。
の1−領域(G)103に伝導特性を支配する物質(C
)が含有されており、第1の一領域(G)103に所望
の伝導特性が与えられている。
本発明に於いては、第1の1一′@域(G)103に官
有される伝導特性を支配する物質(C)は、第lの1−
領域((})103の全F一領域に万壜なく均一K含有
されても良く、講Jの’d領域(G)103の一部の・
一領城K偏在する様に含有されても良い。
有される伝導特性を支配する物質(C)は、第lの1−
領域((})103の全F一領域に万壜なく均一K含有
されても良く、講Jの’d領域(G)103の一部の・
一領城K偏在する様に含有されても良い。
本発明に於いて伝導特性を支配する物質(C)會第lの
!−領域(G)の一部の層領域に遍在する様に第1の層
領域(G)中和含有させる場合κは、前記物質(C)の
含有される層領域(PN)は、第1の層領域(G)の端
部層領域として設けられるのが望ましいものである。殊
K1第1の層領域(G)の支持体側の端部層領域として
前記層領城(PN)が設けられる場合[#i、鍍層領域
(PN)中に含有される前記物質(C)の種類及びその
含有量を所望K応じて適宜選択することによって支持体
から非晶質層中への特定の極性の電荷の注入を効果的に
阻止することが出来る。
!−領域(G)の一部の層領域に遍在する様に第1の層
領域(G)中和含有させる場合κは、前記物質(C)の
含有される層領域(PN)は、第1の層領域(G)の端
部層領域として設けられるのが望ましいものである。殊
K1第1の層領域(G)の支持体側の端部層領域として
前記層領城(PN)が設けられる場合[#i、鍍層領域
(PN)中に含有される前記物質(C)の種類及びその
含有量を所望K応じて適宜選択することによって支持体
から非晶質層中への特定の極性の電荷の注入を効果的に
阻止することが出来る。
本発明の光導電部材K於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質(C)を、非品質層の一部を構成する第
1の層領域(G)中K1前記した様に該層領域(G)の
全域に万遍なく、或いは層厚方向に偏在する様に含肴さ
せるものであるが、更には、第1の層領城(G)上κ設
けられる第2の層領域(8)中にも前記物質(C)を含
有させても良いものである。
との出来る物質(C)を、非品質層の一部を構成する第
1の層領域(G)中K1前記した様に該層領域(G)の
全域に万遍なく、或いは層厚方向に偏在する様に含肴さ
せるものであるが、更には、第1の層領城(G)上κ設
けられる第2の層領域(8)中にも前記物質(C)を含
有させても良いものである。
!g2の1領埴(8)中に前記物質(C)を含有させる
場合には、第1の層領域(G)中に含有される前記物質
(C)の種類やその含有量及びその含有の仕方に応じて
、第2の層領域(S)中に含有させる物質(C)の櫨類
やその含有量、及びその含有の仕方が適宜決められる。
場合には、第1の層領域(G)中に含有される前記物質
(C)の種類やその含有量及びその含有の仕方に応じて
、第2の層領域(S)中に含有させる物質(C)の櫨類
やその含有量、及びその含有の仕方が適宜決められる。
本発明に於いては、第2の層領域(S)中に前ml物質
(C)を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第1
の層領域(G)との接触界面を含む層領域中に前記物質
を含有させるのが望ましいものである。
(C)を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第1
の層領域(G)との接触界面を含む層領域中に前記物質
を含有させるのが望ましいものである。
本発明に於いては、前記物iI(C)は@2の層領域(
S)の全J一債域に万遍なく言有させても良いし、或い
は、その一部のノー頭域に均一に含有させても良いもの
である。
S)の全J一債域に万遍なく言有させても良いし、或い
は、その一部のノー頭域に均一に含有させても良いもの
である。
第1の1一領域(U)と第2の層領域(8)の両方に伝
導特性を支配する物質(C)を含有させる場合、第1の
層領域(G)に於ける前記物質(C)が含有されている
一一領域と、第2の1−領域(S)に於ける前記物質(
C)が含有されている層領域とが、互いに接触する様K
設けるのが望ましい。
導特性を支配する物質(C)を含有させる場合、第1の
層領域(G)に於ける前記物質(C)が含有されている
一一領域と、第2の1−領域(S)に於ける前記物質(
C)が含有されている層領域とが、互いに接触する様K
設けるのが望ましい。
父、第1の層領域(G)と第2の層領域(8)とに含有
される前記物質(C)は、第1の層領域(G)と第2の
層領域CB’)とK於いて同種類でも異種類であっても
良く、又、その含有量は各層領域に於いて、同じでも異
っていても良い。
される前記物質(C)は、第1の層領域(G)と第2の
層領域CB’)とK於いて同種類でも異種類であっても
良く、又、その含有量は各層領域に於いて、同じでも異
っていても良い。
而乍ら、本発明に於いては、各層領域K含有される前記
物質(C)が両者に於いて同種類である場合には、第1
の1領域(G)中の含有量を充分多くするか、又は、電
気的特性の異なる種類の物質(C)を、所望の各層領域
−に、夫々含有させるのが好ましいものである。
物質(C)が両者に於いて同種類である場合には、第1
の1領域(G)中の含有量を充分多くするか、又は、電
気的特性の異なる種類の物質(C)を、所望の各層領域
−に、夫々含有させるのが好ましいものである。
本発明に於いては、少なくとも非品質層を構成する第1
の層領域(G)中に、伝導特性を支配する物質(C)を
含有させることにより、該物質(C)の含有される1一
領域〔@lの層領域(G)の一部又は全部の−領域のい
ずれでも良いjの伝導特性を所望に従って任意に制御す
ることが出来るものであるが、この様な物質としては、
所謂、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来
、本発明に於いては、形成される非晶質(一を構成する
a−SiGe(}{,X)に対して、P型伝4特性を与
えるP型不純物及びn型伝導特性を与えるn型不純物を
皐げることが出来る。
の層領域(G)中に、伝導特性を支配する物質(C)を
含有させることにより、該物質(C)の含有される1一
領域〔@lの層領域(G)の一部又は全部の−領域のい
ずれでも良いjの伝導特性を所望に従って任意に制御す
ることが出来るものであるが、この様な物質としては、
所謂、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来
、本発明に於いては、形成される非晶質(一を構成する
a−SiGe(}{,X)に対して、P型伝4特性を与
えるP型不純物及びn型伝導特性を与えるn型不純物を
皐げることが出来る。
具体的には、P型不純物としては周期律表第■族’IC
属する原子(第11族原子)、例えば、B(硼素),A
t(アルミニウム),Ga(ガリウム),in(インジ
ウム)sTlll!(タリウム)等があり、殊に好適に
用いられるのは、H,Gaである。
属する原子(第11族原子)、例えば、B(硼素),A
t(アルミニウム),Ga(ガリウム),in(インジ
ウム)sTlll!(タリウム)等があり、殊に好適に
用いられるのは、H,Gaである。
n型不純物としては、周期律衣AV族に属する原子(硝
■族原子)、例えば、P(燐)、As(砒素)、Sb(
アンチモン)、Bi(ビスマス)等であり、殊に、好適
に用いられるのは、P,Asである。
■族原子)、例えば、P(燐)、As(砒素)、Sb(
アンチモン)、Bi(ビスマス)等であり、殊に、好適
に用いられるのは、P,Asである。
本発明に於いて、伝導特性を山1[御する物質が言何さ
れる1一一域(PN)に於けるその含有量は、該層頑域
(t’N)Fn反ボされる伝導特性、或いは、該ノー領
穢(PN)が支持体に直に接触して設けられる」一合に
は、その支持体との接触界面に於ける特性との関係等、
有機的関連性κ於いて、適宜選択することが出来る。
れる1一一域(PN)に於けるその含有量は、該層頑域
(t’N)Fn反ボされる伝導特性、或いは、該ノー領
穢(PN)が支持体に直に接触して設けられる」一合に
は、その支持体との接触界面に於ける特性との関係等、
有機的関連性κ於いて、適宜選択することが出来る。
又、前記層領域(PN)K直K接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が
適宜選択される。
層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が
適宜選択される。
本発明K於いて、層領域(PN)中κ含有される伝導特
性を制御する物質(C)の含有量としては、通常の場合
、0.01〜5XlO’atomicfIP,好適には
、0.5〜lX10’atomicpP,最適には、1
〜5XIO”atomicPとされるのが望ましい本の
である。
性を制御する物質(C)の含有量としては、通常の場合
、0.01〜5XlO’atomicfIP,好適には
、0.5〜lX10’atomicpP,最適には、1
〜5XIO”atomicPとされるのが望ましい本の
である。
本発明に於いて、伝導特性を支配する物質(C)が含有
される層領域(PN)K於ける該物質(C)の含有皺を
通常は30atomicpp+以上、好適には50at
omicgm以上、最適には、100暑tomicpp
m以上とすることによって、例えば該含有させる物質(
C)が前記のPfi不純物の場合には、非晶質層の自由
表面が■極性に帯電処理を受けたflAK支持体側から
の非晶質層中への電子の注入を効果的に阻止することが
出来、又、前記含有させる物質(C)が前記のn型不純
物の場合には、非品質層の自由表面がe檜性に帯鑞処理
を受けた際に、支持体側から非晶實層中への正孔の注入
を効果的に阻止することが出来る。
される層領域(PN)K於ける該物質(C)の含有皺を
通常は30atomicpp+以上、好適には50at
omicgm以上、最適には、100暑tomicpp
m以上とすることによって、例えば該含有させる物質(
C)が前記のPfi不純物の場合には、非晶質層の自由
表面が■極性に帯電処理を受けたflAK支持体側から
の非晶質層中への電子の注入を効果的に阻止することが
出来、又、前記含有させる物質(C)が前記のn型不純
物の場合には、非品質層の自由表面がe檜性に帯鑞処理
を受けた際に、支持体側から非晶實層中への正孔の注入
を効果的に阻止することが出来る。
上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域(PN
)を除いた部分の1一領埴(Z)には、層領域(PN)
に含有される伝導特性を支配する物質(C)の伝導型の
極性とは別の伝導型の極性の\ 伝導特性を支配する物質(C)を含有させても良いし、
或いは、同極性の伝導型を有すあ伝導特性を支配する物
質(C)を、層領域(PN)に含有させる実際の量より
も一段と少ない量κして含有させても良いものである。
)を除いた部分の1一領埴(Z)には、層領域(PN)
に含有される伝導特性を支配する物質(C)の伝導型の
極性とは別の伝導型の極性の\ 伝導特性を支配する物質(C)を含有させても良いし、
或いは、同極性の伝導型を有すあ伝導特性を支配する物
質(C)を、層領域(PN)に含有させる実際の量より
も一段と少ない量κして含有させても良いものである。
この罎な場合、前記層領域(Z)中に含有される前記伝
導特性を支配する物實(C)の含有量としては、1一領
域(PN)に含有される前記物質(C)の極性や含有量
に応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、通
常の場合、o.oot〜1000atomicppm、
好適には0.05〜500atomicー、最適にはO
.l−200atomicpyaとされるのが望ましい
ものである。
導特性を支配する物實(C)の含有量としては、1一領
域(PN)に含有される前記物質(C)の極性や含有量
に応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、通
常の場合、o.oot〜1000atomicppm、
好適には0.05〜500atomicー、最適にはO
.l−200atomicpyaとされるのが望ましい
ものである。
本発明に於いて、層領域(PN)&び層領域(Z)に同
種の伝導性を支配する物質(C)を含有させる場合には
、層領域(Z)に於ける含有量としては、好ましくは、
30atomic岬以下とするのが望ましいものである
。
種の伝導性を支配する物質(C)を含有させる場合には
、層領域(Z)に於ける含有量としては、好ましくは、
30atomic岬以下とするのが望ましいものである
。
本発明に於いては、非晶質轡中に、一方の極性の伝導型
を有する伝導性を支配する物質を含有させた層領琥と、
他方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含
有させ九層領埴とを直に接触する様に設けて、該接触領
域に所關空乏層を設けることも出来る。
を有する伝導性を支配する物質を含有させた層領琥と、
他方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含
有させ九層領埴とを直に接触する様に設けて、該接触領
域に所關空乏層を設けることも出来る。
詰り、例えば、非品質層中に、前記のP型不純物を含有
する層領域と前記のn型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所一P−n接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。
する層領域と前記のn型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所一P−n接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。
本発明に於いては、第一の層領域(G)上K設けられる
第2の層領域(8’)中には、ゲルマニウム原子はキ有
されてち・らず、この様な1一構造に非晶實層を形成す
ることによって、比較的可視元領域を含む、短波長から
比較的長波長迄の全領域の波長の光に対【7て光感庇が
優れている光4竃部材とし得るものである。
第2の層領域(8’)中には、ゲルマニウム原子はキ有
されてち・らず、この様な1一構造に非晶實層を形成す
ることによって、比較的可視元領域を含む、短波長から
比較的長波長迄の全領域の波長の光に対【7て光感庇が
優れている光4竃部材とし得るものである。
父、4lのi一領域(G)中に於けるゲルマニウム原子
の分布状標は、全1−@域にゲルマニウム原子が連続的
に分布しているので、第1の−領域(U)と4IJ2の
層狽域(S)との間に於ける親和性に優れ、半導体レー
ザ等を使用した場合の、第2の層領域(S)では殆んど
吸収し切れない長波長側の光を第lの1−領域(G)に
於蒐ハて、実質的に完全に吸収することが出来、支持体
面からの反射による干渉を防止することが出来る。
の分布状標は、全1−@域にゲルマニウム原子が連続的
に分布しているので、第1の−領域(U)と4IJ2の
層狽域(S)との間に於ける親和性に優れ、半導体レー
ザ等を使用した場合の、第2の層領域(S)では殆んど
吸収し切れない長波長側の光を第lの1−領域(G)に
於蒐ハて、実質的に完全に吸収することが出来、支持体
面からの反射による干渉を防止することが出来る。
父、本発明の元導成部材に於いては、第1のノー煩域(
G)と第2のJ一領域(S)とfr#Ii成する非晶質
材料の夫々がシリコン原子という共通の構成豐素を有し
ているので、積層界而に於いて化学的な安定性の確保が
充分成されている。
G)と第2のJ一領域(S)とfr#Ii成する非晶質
材料の夫々がシリコン原子という共通の構成豐素を有し
ているので、積層界而に於いて化学的な安定性の確保が
充分成されている。
本発明において、弟lの/m領域(G)中冫ζ含有され
るゲルマニウム原子の含有量としては、本発明の目的が
効果的κ達成される様K所望K従って適宜決められるが
、通常はl〜9.5X10’atomicpIm1好ま
しくは100〜8X10’atomicppI,最適に
は、500〜7×lO易1tomic−とされるのが望
ましいものである。
るゲルマニウム原子の含有量としては、本発明の目的が
効果的κ達成される様K所望K従って適宜決められるが
、通常はl〜9.5X10’atomicpIm1好ま
しくは100〜8X10’atomicppI,最適に
は、500〜7×lO易1tomic−とされるのが望
ましいものである。
本発明に於いて第1の層領域(G)と第2の層領域(8
)との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の
重要な因子の1つであるので形成される光導電部材に所
望の特性が充分与えられる1へ光導電部材の設計の際に
充分なる注意が払われる必要がある。
)との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の
重要な因子の1つであるので形成される光導電部材に所
望の特性が充分与えられる1へ光導電部材の設計の際に
充分なる注意が払われる必要がある。
本発明に於いて、第1の1領域(G)の噛厚T.は、4
Nの場合、30A〜50μ、好ましくは、40五〜40
μ、最適には、50人〜30μとされるのが望ましい。
Nの場合、30A〜50μ、好ましくは、40五〜40
μ、最適には、50人〜30μとされるのが望ましい。
父、第2の層領d(S)の層厚Tは、通常の場合、0.
5〜90μ、好ましくは1〜80μ、蛾適には2〜50
μとされるのが望ましい。
5〜90μ、好ましくは1〜80μ、蛾適には2〜50
μとされるのが望ましい。
第lの1一頻埴((})の−厚T■と第2の層領綾(S
)の噛厚Tの和(Tm+’l’)としては、両層領塘K
景求される特性と非品質1一全体Km求される特性との
相互間の有機的関連性に基いて、光導電部材のf一設計
の際1/!:FfT望Qこ従って、適宜決定される。
)の噛厚Tの和(Tm+’l’)としては、両層領塘K
景求される特性と非品質1一全体Km求される特性との
相互間の有機的関連性に基いて、光導電部材のf一設計
の際1/!:FfT望Qこ従って、適宜決定される。
本発明の尤導4部材に於いては、F記の(Tm十゛V)
の数値範囲としては、應常の場合1−100μ、好適に
は1〜80μ、最適には2〜50μとされるのが望まし
い。
の数値範囲としては、應常の場合1−100μ、好適に
は1〜80μ、最適には2〜50μとされるのが望まし
い。
本発明のより好ましい実施態様例に於いては、−ヒd己
の1@厚Ta及び1一厚Tとしでは、通常は’I’m/
Ill≦1なる関係を満足する際に、夫々に対して』宜
適切な数値が選択されるのが!ましい。
の1@厚Ta及び1一厚Tとしでは、通常は’I’m/
Ill≦1なる関係を満足する際に、夫々に対して』宜
適切な数値が選択されるのが!ましい。
上記の場合に於ける層厚Ill,及び層厚Tの数値の選
択に於いて、より好ましくは、T,/T≦0.9,鍛適
にはT,/T≦0.8なる関係が満足される様に層1v
T,及び14厚Tの値が決定されるのが望ましいもので
ある。
択に於いて、より好ましくは、T,/T≦0.9,鍛適
にはT,/T≦0.8なる関係が満足される様に層1v
T,及び14厚Tの値が決定されるのが望ましいもので
ある。
本発明に於いて、第lのlli領域(G)中に含有さt
]るゲルマニウム原子の含有Vが1x]06atomi
c一以上の場合には、第1の層領域(G)の層厚T.と
じては、町成り薄くされるのが望ましく、好ましくは3
0μ以下、より好ましくは25μ以下、最適には20μ
以下とされるのが望ましいものである。
]るゲルマニウム原子の含有Vが1x]06atomi
c一以上の場合には、第1の層領域(G)の層厚T.と
じては、町成り薄くされるのが望ましく、好ましくは3
0μ以下、より好ましくは25μ以下、最適には20μ
以下とされるのが望ましいものである。
本発明において、必要に応じて非晶質層を構成する第1
の層領域(G)及び第2の層領域(8)中に含有される
ノ・ロゲン原子(X)としては、具体的にはフッ素,塩
素,臭素.ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素,塩素を好適
なものとして挙げることが出来る。
の層領域(G)及び第2の層領域(8)中に含有される
ノ・ロゲン原子(X)としては、具体的にはフッ素,塩
素,臭素.ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素,塩素を好適
なものとして挙げることが出来る。
本発明において、a−8iGe(f{,X)で構成され
る第1の層領域(G)を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンプレーテイング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。
る第1の層領域(G)を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンプレーテイング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。
例えば、グQ一放竃法によって、a−SiGe(H,X
)テ構成される第1の層領域(G)を形成するには、基
本的KFiシリコン原子(Si)を供給し得る8i供給
用の原料ガスとゲルマニウム原子(Ge)を供給し得る
(自)供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子([
{)導入用の庫科ガ−ス又は/及びハロゲ/WL子(X
)導入用の原科ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に
所望のガス圧状趨で導入して、該堆積室内にグロー放イ
を生起させ、予め所定位置に設置されてある所定の支持
体表面.l:にa−8iGe(H,X)からなる1−を
形成させれば良い。父、スパッタリング法で形成する場
合には、列えばAr,He等の不活性ガス又はこれ等の
ガスtペースとした混合ガスの雰囲気中で81で構成さ
れたターゲット、或いは、該ターゲットとjで構成され
たターゲットの二枚を使用して、又ta、8Mと(ト)
の混合されたターゲットを使用して、必要に応じてHe
,Ar等の稀釈ガスで怖釈された侵供給用の原料ガスを
、必要にらじて、水素原子(H)又は/及びハロゲン原
子(X)4人用のガスをスパッタリング用の堆慎室に導
入し、所望のガスプラズマ雰囲気を形成して前記のター
ゲットヲスパッタリングしてやれば良い。
)テ構成される第1の層領域(G)を形成するには、基
本的KFiシリコン原子(Si)を供給し得る8i供給
用の原料ガスとゲルマニウム原子(Ge)を供給し得る
(自)供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子([
{)導入用の庫科ガ−ス又は/及びハロゲ/WL子(X
)導入用の原科ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に
所望のガス圧状趨で導入して、該堆積室内にグロー放イ
を生起させ、予め所定位置に設置されてある所定の支持
体表面.l:にa−8iGe(H,X)からなる1−を
形成させれば良い。父、スパッタリング法で形成する場
合には、列えばAr,He等の不活性ガス又はこれ等の
ガスtペースとした混合ガスの雰囲気中で81で構成さ
れたターゲット、或いは、該ターゲットとjで構成され
たターゲットの二枚を使用して、又ta、8Mと(ト)
の混合されたターゲットを使用して、必要に応じてHe
,Ar等の稀釈ガスで怖釈された侵供給用の原料ガスを
、必要にらじて、水素原子(H)又は/及びハロゲン原
子(X)4人用のガスをスパッタリング用の堆慎室に導
入し、所望のガスプラズマ雰囲気を形成して前記のター
ゲットヲスパッタリングしてやれば良い。
イオンプレーテイング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボートK収容
し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビー
ム法(EB法)等Kよって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外はスパッタ
リングの場合と同様にする事で行う事が出来る。
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボートK収容
し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビー
ム法(EB法)等Kよって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外はスパッタ
リングの場合と同様にする事で行う事が出来る。
本発明において使用される8i供給用の原料ガスと成り
得る物質としては,8g}{4*8t,也,bLm搗,
8i4H1。等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素(シラン類)が有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、8!供給効率の良
さ等の点でSi}l,,8i晶が好ましいものとして挙
げられる。
得る物質としては,8g}{4*8t,也,bLm搗,
8i4H1。等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素(シラン類)が有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、8!供給効率の良
さ等の点でSi}l,,8i晶が好ましいものとして挙
げられる。
由供給用の原科ガスと成り得る物質一としては、(}e
H4,GeJ{,,ue,k4,,Ga,H,。,Ge
,H,,,Ge.H,,,Ge,H,,,(ie,H,
,,Ge,H.。等のガス状態の又はガス化し得る水素
化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、由供給効率の良さ
等の点で、(3eH4,Ge一丸,Ge一丸が好ましい
ものとして挙げられる。
H4,GeJ{,,ue,k4,,Ga,H,。,Ge
,H,,,Ge.H,,,Ge,H,,,(ie,H,
,,Ge,H.。等のガス状態の又はガス化し得る水素
化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、由供給効率の良さ
等の点で、(3eH4,Ge一丸,Ge一丸が好ましい
ものとして挙げられる。
本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原科ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ノ・ロゲ/化吻、ハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換された7ラン誘導体等のガス状噛
の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ノ・ロゲ/化吻、ハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換された7ラン誘導体等のガス状噛
の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。
又、更には、シリコン原子と7・ロゲ/原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。
素とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。
本発明において好適に使用し傅るノ・ロゲン化合物とし
ては、具体的には、フッ素,塩素,某木,ヨウ素ノハア
ゲンガス、BrF,C/Ill”,C/F,,BrF,
,Brh″,,IF.,IF,,IC/,IBr等(D
ハgゲン間化合物を挙げることが出来る。
ては、具体的には、フッ素,塩素,某木,ヨウ素ノハア
ゲンガス、BrF,C/Ill”,C/F,,BrF,
,Brh″,,IF.,IF,,IC/,IBr等(D
ハgゲン間化合物を挙げることが出来る。
ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば8
iF,,8i,F,,8iCZ4,SiBr.等のハロ
ゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが出来る。
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば8
iF,,8i,F,,8iCZ4,SiBr.等のハロ
ゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが出来る。
この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放竃法によって本発明の特徴的な光導竃部材を形成す
る場合には、山供給用の原料ガスと共[8iを供給し得
る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所望の支持体上にハロゲン原子を含むa−SiGeから
成る第1の鳩領域,(G)を形成する事が出来る。
ー放竃法によって本発明の特徴的な光導竃部材を形成す
る場合には、山供給用の原料ガスと共[8iを供給し得
る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所望の支持体上にハロゲン原子を含むa−SiGeから
成る第1の鳩領域,(G)を形成する事が出来る。
グロー放竃法に従って、ノ1ロゲン原子を含む第1の一
領域(G)を作成する場合、基本的KFi、例えば8i
供給用の原科ガスとなるノ1ロゲ/化硅素と(ト)供給
用の原料ガスとなる水素化ゲルマニウムとAr,Flg
,He等のガス等を所定の混合比とガス流量になる様に
して絡lO層領域(G)を形成する堆槓室に導入し、グ
ロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形
成することによって、所望の支持体上κ第1の層領域(
0)を形成し得るものであるが、水素原子の導入割合の
卸1#を一層容易になる様に図る為にこれ等のガスに更
に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望
t混合して;一形成しても良いO 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。
領域(G)を作成する場合、基本的KFi、例えば8i
供給用の原科ガスとなるノ1ロゲ/化硅素と(ト)供給
用の原料ガスとなる水素化ゲルマニウムとAr,Flg
,He等のガス等を所定の混合比とガス流量になる様に
して絡lO層領域(G)を形成する堆槓室に導入し、グ
ロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形
成することによって、所望の支持体上κ第1の層領域(
0)を形成し得るものであるが、水素原子の導入割合の
卸1#を一層容易になる様に図る為にこれ等のガスに更
に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望
t混合して;一形成しても良いO 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。
スバツタリ/グ法、イオングレーテイング法の何れの場
合にも形成される1一中に71ロゲン原子を導入するK
は、前記のノ・ロゲン化合物又は前記のノ・ロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば艮いものである。
合にも形成される1一中に71ロゲン原子を導入するK
は、前記のノ・ロゲン化合物又は前記のノ・ロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば艮いものである。
又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、H,、或いは前記したシラン類又は/
及び水索化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆槓室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。
料ガス、例えば、H,、或いは前記したシラン類又は/
及び水索化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆槓室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。
本発明においては、ノ・ロゲン原子導入用の原料ガスと
してト紀されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他κ、HF,H(4,HBr,HI等のハ0ゲン化
水素、8iHtF,,8iH,I,,8iH,Cz,,
SiHC/,,Sit−1,Br,,8iHt3r,等
17)/NOゲン置換水素化硅素、及びGeHP,,G
eH,F,,GeHsF,(3eHCl!,,Gel−
1,(Jt,GeH,C/,GeHBr,,GeH,B
r,,GeH,&,ueHI,,GeH,I,,GeH
,1等の水素化ハアゲン化ゲルマニウム、等の水素原子
を構成要素の1つとするハOゲン化物、GeF,,(k
cl,,GeBr4,(}eI4,GeF!tGee/
!tGeBr,tGeI,等のハアゲン化ゲルマニウム
、等々のガス状簡の或いはガス化し得る物質も有効な第
1の層領域(G)形成用の出発物質として挙ける事が出
来る。
してト紀されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他κ、HF,H(4,HBr,HI等のハ0ゲン化
水素、8iHtF,,8iH,I,,8iH,Cz,,
SiHC/,,Sit−1,Br,,8iHt3r,等
17)/NOゲン置換水素化硅素、及びGeHP,,G
eH,F,,GeHsF,(3eHCl!,,Gel−
1,(Jt,GeH,C/,GeHBr,,GeH,B
r,,GeH,&,ueHI,,GeH,I,,GeH
,1等の水素化ハアゲン化ゲルマニウム、等の水素原子
を構成要素の1つとするハOゲン化物、GeF,,(k
cl,,GeBr4,(}eI4,GeF!tGee/
!tGeBr,tGeI,等のハアゲン化ゲルマニウム
、等々のガス状簡の或いはガス化し得る物質も有効な第
1の層領域(G)形成用の出発物質として挙ける事が出
来る。
これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物をよ、
@lのJ一憤埴(G)形成の際に層中にハロゲン原子の
導入と同時に藏気的或いは光竃的特性の制uI41vc
極めて有効な水素原子も導入されるので、本発明におい
ては好適なハロゲン導入用の1京料として使用される。
@lのJ一憤埴(G)形成の際に層中にハロゲン原子の
導入と同時に藏気的或いは光竃的特性の制uI41vc
極めて有効な水素原子も導入されるので、本発明におい
ては好適なハロゲン導入用の1京料として使用される。
水素原子f第1の1−領域((j)中に構造的に導入す
るには、L紀の他にH,、或いはS1H4.Si一九,
Si3H,,Si4H,。等の水素化硅素を畿を供給す
る為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或いは
、(}elL4,(}e2H,,(Je,H,,Ge,
H,,,Ue,H,,,GeIlki,,,Oe,H,
,,(}esH,,,(k,}{,。等の水素化ゲルマ
ニウムと8iを供給する為のシリコン又はシリコン化合
物と、を堆槓室中に共存させて放成を生起させる事でも
行う事が出来る。
るには、L紀の他にH,、或いはS1H4.Si一九,
Si3H,,Si4H,。等の水素化硅素を畿を供給す
る為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或いは
、(}elL4,(}e2H,,(Je,H,,Ge,
H,,,Ue,H,,,GeIlki,,,Oe,H,
,,(}esH,,,(k,}{,。等の水素化ゲルマ
ニウムと8iを供給する為のシリコン又はシリコン化合
物と、を堆槓室中に共存させて放成を生起させる事でも
行う事が出来る。
本発明の好ましい例において、形成される光4篭部材の
第1の1一領域(G)中に含有される水素原子(11)
の量又はハロゲン原子(X)の量又は水素原子とハロゲ
ン原子の量の和(H+X)は通常の暢合0.01〜40
atomic%、好tii[は0.05〜3Qatom
ic%、最適には0.1〜25atomicXとさわる
のか望ましい。
第1の1一領域(G)中に含有される水素原子(11)
の量又はハロゲン原子(X)の量又は水素原子とハロゲ
ン原子の量の和(H+X)は通常の暢合0.01〜40
atomic%、好tii[は0.05〜3Qatom
ic%、最適には0.1〜25atomicXとさわる
のか望ましい。
嘔111A4%f’i’%(コ「沖に含有される水素原
子(l1)又11/及びハロゲン原子(X)の駿を制御
するには、例えば支持体ml&父は/及び水素原子(H
)、或いはハロゲン原子(X)をJ有させる為に使用さ
れる出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放竃々力等
を制御してやれば良い。
子(l1)又11/及びハロゲン原子(X)の駿を制御
するには、例えば支持体ml&父は/及び水素原子(H
)、或いはハロゲン原子(X)をJ有させる為に使用さ
れる出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放竃々力等
を制御してやれば良い。
本発明に於いて、a−8i(H,X)で構成される第2
の}一領域(8)を形成するには、藺記した第1の層領
域CCU>形成用の出発物質(I)の中より、Q巴 へ供給用の原科ガスとなる出発書質を除いた出発物質〔
第2の層領域(8)形成用の出発物質(璽)〕を使用し
て、41のノ−領域(G)を形成する場合と、同様の方
法と条件K従って行うことが出来るO 即ち、本発明において、m−8i(H,X)で構成され
る嬉2の1−領域(8)を形成するKFi例えばグロー
放竃法、スパッタリング法syRvuイ*ンプレーテイ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成さ
れる。例えば、グロー放憲法によって、a−Si(H,
X)で構成される第2のノー領域(S)を形成するKは
、基本的には前記したシリコン原子(8i)を供給し得
る8i供給用の原科ガスと共に、必費κ応じて水素原子
(H)導入用の又は/及びハロゲン原子(X)導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、
該堆積室内にグロー放蝋を生起させ、予め所定位置に設
置されてある}9[定の支持体表面トにa−84(H,
X)からなる)一を形成させれば良い。又、スパッタリ
ング法で形成する場合には、例えばAr,He等の不活
性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲
気中でSiで構成されたターゲットをスパッタリングす
る際、水木原子(1{)父は/及びハロゲン原子(X)
導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入してお
けば良い。
の}一領域(8)を形成するには、藺記した第1の層領
域CCU>形成用の出発物質(I)の中より、Q巴 へ供給用の原科ガスとなる出発書質を除いた出発物質〔
第2の層領域(8)形成用の出発物質(璽)〕を使用し
て、41のノ−領域(G)を形成する場合と、同様の方
法と条件K従って行うことが出来るO 即ち、本発明において、m−8i(H,X)で構成され
る嬉2の1−領域(8)を形成するKFi例えばグロー
放竃法、スパッタリング法syRvuイ*ンプレーテイ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成さ
れる。例えば、グロー放憲法によって、a−Si(H,
X)で構成される第2のノー領域(S)を形成するKは
、基本的には前記したシリコン原子(8i)を供給し得
る8i供給用の原科ガスと共に、必費κ応じて水素原子
(H)導入用の又は/及びハロゲン原子(X)導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、
該堆積室内にグロー放蝋を生起させ、予め所定位置に設
置されてある}9[定の支持体表面トにa−84(H,
X)からなる)一を形成させれば良い。又、スパッタリ
ング法で形成する場合には、例えばAr,He等の不活
性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲
気中でSiで構成されたターゲットをスパッタリングす
る際、水木原子(1{)父は/及びハロゲン原子(X)
導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入してお
けば良い。
本発明に於いて、形成される非品質層を構成する第2の
ノー領域(8’)中に含有される水素原子01)の瞳又
はハロゲン原子(X)の駿又は水素涼子とハロゲン原子
の妙の4tj(H+X)は、通常の場合、1〜40at
omicy(、好適には5〜30atomicX,最適
には5−25atomic%とされるのが溢ましい。
ノー領域(8’)中に含有される水素原子01)の瞳又
はハロゲン原子(X)の駿又は水素涼子とハロゲン原子
の妙の4tj(H+X)は、通常の場合、1〜40at
omicy(、好適には5〜30atomicX,最適
には5−25atomic%とされるのが溢ましい。
非晶實ノーを構成する1一領ψ中に、伝導特性を制御す
る物質(C)、例えば、第m族原子或いは第■族原子を
構造的に導入して前記物質(C)の含有された層領域(
PN)を形成するには、層形成の際に、ill族原子導
入用の出発物質或いは第V族原子導入用の出発物質をガ
ス状態で堆積室中に、非品質層を形成する為の他の出発
物質と共に導入してやれば良い。この様な第厘族原子導
入用の出発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガ
ス状の又は、少なくとも層形成条件Fで答易にガス化し
得るものが採用されるのが望ましい。その様な第璽族原
子導入用の出発物質として具体的には硼素原子導入用と
しては、BIH4sB41Hl(1,BIHI−BsH
o−BsHs*.BJ{*t,B.κm轡の水素化硼素
、BF,,BC/,,BBr.等のハClゲン化一素等
が挙げられる。この他、Az(4m,iJaclm*G
a(CH,),,InC/,,T/C/,等も挙り゛る
ことが出来る。
る物質(C)、例えば、第m族原子或いは第■族原子を
構造的に導入して前記物質(C)の含有された層領域(
PN)を形成するには、層形成の際に、ill族原子導
入用の出発物質或いは第V族原子導入用の出発物質をガ
ス状態で堆積室中に、非品質層を形成する為の他の出発
物質と共に導入してやれば良い。この様な第厘族原子導
入用の出発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガ
ス状の又は、少なくとも層形成条件Fで答易にガス化し
得るものが採用されるのが望ましい。その様な第璽族原
子導入用の出発物質として具体的には硼素原子導入用と
しては、BIH4sB41Hl(1,BIHI−BsH
o−BsHs*.BJ{*t,B.κm轡の水素化硼素
、BF,,BC/,,BBr.等のハClゲン化一素等
が挙げられる。この他、Az(4m,iJaclm*G
a(CH,),,InC/,,T/C/,等も挙り゛る
ことが出来る。
第■j!k:原子導入用の出発愉質として、本尭明にお
いて有効に使用されるの,Fi、燐原子導入用としては
、Pi−1,,P,84等の水素化燐、P搗I,PF畠
,PF,,PC/.,PC/,,PBr,,PBr,,
PI,等の八〇ゲン化燐が挙げられる。この他、AsH
,,AsF,,AsC/,,AsHr,,AsF,,S
bk4,,SbF,,Sbh”,,SbC/,,sbc
/,,SjH,,8iCI!3,Bier,等もSV族
原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げることが
出来る。
いて有効に使用されるの,Fi、燐原子導入用としては
、Pi−1,,P,84等の水素化燐、P搗I,PF畠
,PF,,PC/.,PC/,,PBr,,PBr,,
PI,等の八〇ゲン化燐が挙げられる。この他、AsH
,,AsF,,AsC/,,AsHr,,AsF,,S
bk4,,SbF,,Sbh”,,SbC/,,sbc
/,,SjH,,8iCI!3,Bier,等もSV族
原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げることが
出来る。
本発明において使用される支持体としては、導電性でも
竃気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、Nicr,ステンレス,A/,Cr,Mo,Au
,Nb,Ta,V,Ti,Pi,Pd等の金属又はこれ
等の合金が挙げられる。
竃気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、Nicr,ステンレス,A/,Cr,Mo,Au
,Nb,Ta,V,Ti,Pi,Pd等の金属又はこれ
等の合金が挙げられる。
竃気絶縁性支持体としては、ポリエステル,ポリエチレ
ン,ポリヵーボネート,セルローズアセテート,ポリプ
ロピレン,ポリ塩化ビニル,ポリ塩化ビニリデン,ポリ
スチレ/,ボリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト,ガラス,セラミック,紙等が通常便用される。これ
等の′一気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導く処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。
ン,ポリヵーボネート,セルローズアセテート,ポリプ
ロピレン,ポリ塩化ビニル,ポリ塩化ビニリデン,ポリ
スチレ/,ボリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト,ガラス,セラミック,紙等が通常便用される。これ
等の′一気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導く処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。
例えば、ガラスであれば、その表面に、NrCr,A/
,Cr,Mo,Au,Ir,Nb,Ta,V,Ti,P
i,Pd,In,0,,SnOt,ITO(In,0,
+StiO*)等から成る薄膜を設けることによって導
電性が付与され、或いはポリエステルフイルム等の合成
樹脂フイルムテあれば、NiCr,A/,Ag,Pb,
Zn,Ni,▲U,Cr,Mo,Ir,Nb,Ta,V
,Ti,Pi等の金属の薄膜を真空蒸着.11c子ビー
ム蒸着.スパッタリング等でその表面に設け、又は前記
金属でその表面をラミネート処理して、その表面に導電
性が付与される。支持体の形せとしては、円筒状,ベル
ト状,板状等任意の形状とし得、所望によって、その形
状は決定されるが、例えば、第1図の光導電部材100
を竃子写真用儂形成部材として使用するのであれば連続
^速複写の場合κは、無趨ベルト状又は円筒状とするの
が望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が
形成される様に適宜決定されるが、光導電部材として町
撓性が畳求される場合には、支持体としての機能が充分
発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。而乍
ら、この様な場合支持体の製1’ifI:及び取汲いヒ
、機械的強度等の点から、通′粛は、lOμ以上とされ
る。
,Cr,Mo,Au,Ir,Nb,Ta,V,Ti,P
i,Pd,In,0,,SnOt,ITO(In,0,
+StiO*)等から成る薄膜を設けることによって導
電性が付与され、或いはポリエステルフイルム等の合成
樹脂フイルムテあれば、NiCr,A/,Ag,Pb,
Zn,Ni,▲U,Cr,Mo,Ir,Nb,Ta,V
,Ti,Pi等の金属の薄膜を真空蒸着.11c子ビー
ム蒸着.スパッタリング等でその表面に設け、又は前記
金属でその表面をラミネート処理して、その表面に導電
性が付与される。支持体の形せとしては、円筒状,ベル
ト状,板状等任意の形状とし得、所望によって、その形
状は決定されるが、例えば、第1図の光導電部材100
を竃子写真用儂形成部材として使用するのであれば連続
^速複写の場合κは、無趨ベルト状又は円筒状とするの
が望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が
形成される様に適宜決定されるが、光導電部材として町
撓性が畳求される場合には、支持体としての機能が充分
発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。而乍
ら、この様な場合支持体の製1’ifI:及び取汲いヒ
、機械的強度等の点から、通′粛は、lOμ以上とされ
る。
次に本発明の先導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。
て説明する。
第2図に光導屯部材の製造装置の一例を示す。
図中の202〜206のガスボンベには、本発明の光導
屯部材を形成するだめの原料ガスが密封されており、そ
の1例としてたとえば202は、Heで稀釈されたSI
}{4ガス(純度99.999N,以ドSI}′L4/
蚤1eと略す。)ボンベ、203は山で希釈されたGe
l14ガス(純度99.999N,以FGaH4/He
ト略す。)ボンベ、204は出で希釈されたSIF,ガ
ス(純[99.99%,以下SrF,/Heと略す。)
ボンベ、205は山で稀釈されたB,H,ガス(純度9
9.9999N,以},H,}lll/Heと略す。)
ボ/ぺ、206はII,ガス(純度99.999%)ボ
ンベである。
屯部材を形成するだめの原料ガスが密封されており、そ
の1例としてたとえば202は、Heで稀釈されたSI
}{4ガス(純度99.999N,以ドSI}′L4/
蚤1eと略す。)ボンベ、203は山で希釈されたGe
l14ガス(純度99.999N,以FGaH4/He
ト略す。)ボンベ、204は出で希釈されたSIF,ガ
ス(純[99.99%,以下SrF,/Heと略す。)
ボンベ、205は山で稀釈されたB,H,ガス(純度9
9.9999N,以},H,}lll/Heと略す。)
ボ/ぺ、206はII,ガス(純度99.999%)ボ
ンベである。
これらのガスを反応室201に流入させるにはガスボン
ベ202〜206のバルブ222〜226、リークバル
プ235が閉じられていることを確認し、父、流入バル
ブ212〜216、流出パルプ217〜22l,補助パ
ルプ232,233が開かれていることを確一して、先
ずメインバルプ234を開いて反応室20l1及び各ガ
ス配管内を排気する。次に真空計236の読みが約5X
10torrになつ九時点で補助バルプ232,233
、流出バルプ217〜221を閉じる。
ベ202〜206のバルブ222〜226、リークバル
プ235が閉じられていることを確認し、父、流入バル
ブ212〜216、流出パルプ217〜22l,補助パ
ルプ232,233が開かれていることを確一して、先
ずメインバルプ234を開いて反応室20l1及び各ガ
ス配管内を排気する。次に真空計236の読みが約5X
10torrになつ九時点で補助バルプ232,233
、流出バルプ217〜221を閉じる。
次にシリンダー状基体237上K非晶質層を形成する場
合の1例をあげると、ガスボンベ202より8iH4/
Heガス、ガスボンベ203よ!)GeH,/Heガス
、ガスポンベ205よりBIH./Heガスをパルプ2
22,223,225を夫A!開いて出口圧ゲージ22
7,228.230の圧をlKt/cdKA整し、流入
パルブ212,213,215を徐々K#!けて、マス
フロコントローラ207,208,210内に夫々を流
入させる。引き続いて流出パルプ217,218,22
0、補助バルプ232を徐々に開いて夫々のガスを反応
室201iC6k人させる。こめときの8tH4/He
ガスatとGe域/i−1eガス流量とB,H,/He
ガス流量との比が所望の値になるようK流出パルブ2l
7.218,220を凋整し、又、反応室201内の圧
力が所望の値になるように真空計236の読みを見なが
らメインバルプ234の開口を調整する。そして基体2
37のmltが加熱ヒーター238により50〜400
℃の範囲の謳度に設定されていることを確認された優、
竃源240を所望の電力に設定し2て反応室201内に
グロー放電を生起させて基体237上にatの1−領域
(G)を形成する。
合の1例をあげると、ガスボンベ202より8iH4/
Heガス、ガスボンベ203よ!)GeH,/Heガス
、ガスポンベ205よりBIH./Heガスをパルプ2
22,223,225を夫A!開いて出口圧ゲージ22
7,228.230の圧をlKt/cdKA整し、流入
パルブ212,213,215を徐々K#!けて、マス
フロコントローラ207,208,210内に夫々を流
入させる。引き続いて流出パルプ217,218,22
0、補助バルプ232を徐々に開いて夫々のガスを反応
室201iC6k人させる。こめときの8tH4/He
ガスatとGe域/i−1eガス流量とB,H,/He
ガス流量との比が所望の値になるようK流出パルブ2l
7.218,220を凋整し、又、反応室201内の圧
力が所望の値になるように真空計236の読みを見なが
らメインバルプ234の開口を調整する。そして基体2
37のmltが加熱ヒーター238により50〜400
℃の範囲の謳度に設定されていることを確認された優、
竃源240を所望の電力に設定し2て反応室201内に
グロー放電を生起させて基体237上にatの1−領域
(G)を形成する。
所望の!−厚に@lの1−領域(G)が形成された時点
に於いて、流出バルプ218を完全に閉じること及び必
要に応じて放電条件を変えること以外は、同様な条件と
手順に従って、所望時間グロー放竃を維持することで、
f*記の第1の層領域(G)トにゲルマニウム原子が実
質的に含有されてない第20m領域(8)を形成するこ
とが出来るO 第2のノー領域(S)中に、伝導性を支配する物質(C
)を含有させるには、第2のl一領域(8)の形成の際
に、例えばBtH,,PH,等のガスを堆積室201の
中に導入する他のガスに加えてやれば良い。
に於いて、流出バルプ218を完全に閉じること及び必
要に応じて放電条件を変えること以外は、同様な条件と
手順に従って、所望時間グロー放竃を維持することで、
f*記の第1の層領域(G)トにゲルマニウム原子が実
質的に含有されてない第20m領域(8)を形成するこ
とが出来るO 第2のノー領域(S)中に、伝導性を支配する物質(C
)を含有させるには、第2のl一領域(8)の形成の際
に、例えばBtH,,PH,等のガスを堆積室201の
中に導入する他のガスに加えてやれば良い。
この様にして、弟1の層領埴(G)と第2の噛憤域(s
)とで構成された非晶質l#Iが基一体237上VC形
成される。
)とで構成された非晶質l#Iが基一体237上VC形
成される。
−形成を行っている間Fi珊形成の均一化を図るため基
体237はモータ239により一定速度で回転させてや
るのが望ましい。
体237はモータ239により一定速度で回転させてや
るのが望ましい。
以下実施例について説明する。
実施例1
lI2図K示した製造装置によシ、シリンダー状の▲1
基体上に、第1表に示す条件で層形成を行って電子写真
用像形成部材を得九。
基体上に、第1表に示す条件で層形成を行って電子写真
用像形成部材を得九。
こうしで得られた儂形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し■5.OKVでJ541@C間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した光儂はタングステンランプ光源を
用い、2ノuX1●Cの光量を透過型のテストチャート
を通して照射させ友。
置し■5.OKVでJ541@C間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した光儂はタングステンランプ光源を
用い、2ノuX1●Cの光量を透過型のテストチャート
を通して照射させ友。
その後直ちに、O荷電性の現像剤(トナーとキャリアー
を含む)を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、儂形成部材表面上に喪好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー一儂を、■5.0κVのコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性のよ
い鮮明な嶌濃度の画儂が得られた。
を含む)を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、儂形成部材表面上に喪好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー一儂を、■5.0κVのコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性のよ
い鮮明な嶌濃度の画儂が得られた。
実施例2
第2図κ示した製造装置Kより、第2表に示す粂件にし
た以外は実施例1と同様にして、層形成を行って電子写
真用儂形成部材を得九.こうして得られ九會形成部材κ
就いて帯電極性と現倫削の荷電極性の夫々を夷施911
と反対にしえ以外は夷施例1と同様の条件及び手願で転
写紙上に画倫を形成し九とζろ極めて鮮明な画質が得ら
れ友. 実施例5 第2図K示した製造懐置Kより、′s51!!K示す条
件κし九以外は実施例1と同様Kして、層形成を行って
電子写真用II形成部材を得え.こうして得られ友儂形
成部材κ就いて、夷論例1と同様の条件及び手順で転写
紙上κ画像を形成したところ極めて鮮@な画質が得られ
丸.実施例4 実施例1K於いて、G@H4/菖●ガストllilν1
●ガスのガス流量比を変えて第1層中に含有されるゲル
マニウ五原子の含有量を第4表κ示す様κ変え九以外は
、実施例1と四様κして電子写真用儂形成部材を夫々作
成した. ζうして得られた偉形成部材K就いて、夷施例1と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第4
表に示す結果が得られ九。
た以外は実施例1と同様にして、層形成を行って電子写
真用儂形成部材を得九.こうして得られ九會形成部材κ
就いて帯電極性と現倫削の荷電極性の夫々を夷施911
と反対にしえ以外は夷施例1と同様の条件及び手願で転
写紙上に画倫を形成し九とζろ極めて鮮明な画質が得ら
れ友. 実施例5 第2図K示した製造懐置Kより、′s51!!K示す条
件κし九以外は実施例1と同様Kして、層形成を行って
電子写真用II形成部材を得え.こうして得られ友儂形
成部材κ就いて、夷論例1と同様の条件及び手順で転写
紙上κ画像を形成したところ極めて鮮@な画質が得られ
丸.実施例4 実施例1K於いて、G@H4/菖●ガストllilν1
●ガスのガス流量比を変えて第1層中に含有されるゲル
マニウ五原子の含有量を第4表κ示す様κ変え九以外は
、実施例1と四様κして電子写真用儂形成部材を夫々作
成した. ζうして得られた偉形成部材K就いて、夷施例1と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第4
表に示す結果が得られ九。
実施例5
実施例1に於いて第1層の層厚を第5表に示す様K変え
る以外は、実施例1と同様にして各電子写真用儂形成部
材を作成した。
る以外は、実施例1と同様にして各電子写真用儂形成部
材を作成した。
こうして得られ九各像形成部材に就いて、実施例1と同
様の条件及び手順で転写紙上K画像を形成し九ところ第
5表に示す結果が得られた。
様の条件及び手順で転写紙上K画像を形成し九ところ第
5表に示す結果が得られた。
実施例6
第2図に示した製造装置によシ、シリンダー状の▲l基
体上に、第6表K示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。
体上に、第6表K示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。
こうして得られた儂形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し■s,oKvで0.5@8(!間コロナ帯電を行い
、直ちに光偉を照射した光儂はタングステンランプ光源
を用い、2jux・一●Cの光量を透過型のテストチャ
ートを通して照射させ九。
置し■s,oKvで0.5@8(!間コロナ帯電を行い
、直ちに光偉を照射した光儂はタングステンランプ光源
を用い、2jux・一●Cの光量を透過型のテストチャ
ートを通して照射させ九。
Q
その後直ちに、ら荷電性の現像剤(トナーとキャリアー
を含む)を儂形成部材表面をカスケードすることによっ
て、儂形成部材表面上に良好なトナー′ri儂を得た。
を含む)を儂形成部材表面をカスケードすることによっ
て、儂形成部材表面上に良好なトナー′ri儂を得た。
儂形成部材上のトナー画倫を、■5,OKVのコロナ帯
電で転写紙上に転写し九所、解像力に優れ、階調再現性
のよい鮮明な嶌濃度の画儂が得られえ. 実施例7 第2図に示した製造装置によヤ、シリンダー状の▲!基
体上K1第7表κ示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た. こうして得られた倫形威部材を、帯電露光集験装置に設
置し05.0κ▼で(3ssea間コロナ帯電を行い、
直ちK光儂を照射し九光偉はタングステンランプ光源を
用い、24ux1eaの光量を透過型のテストチャート
を通して照射させえ.その後直ちに、■荷電性の現像剤
(トナーとキャリアーを含む)を倫形成部材**をカス
ケードするととKよって、gIIs成部材表向上FCI
L好なトナーliii(aを得え.儂形成部材上のトナ
ー画儂を、os,ocvのコ四ナ帯電で転写紙上に転写
した所、解偉力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃変
の画偉が得られ友. 実m例8 第2図K示し丸製造装置により、シリンダー状の▲1基
体上に、第8表に示す条件で層形成を行って電子写真用
儂形成部材を得だ。
電で転写紙上に転写し九所、解像力に優れ、階調再現性
のよい鮮明な嶌濃度の画儂が得られえ. 実施例7 第2図に示した製造装置によヤ、シリンダー状の▲!基
体上K1第7表κ示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た. こうして得られた倫形威部材を、帯電露光集験装置に設
置し05.0κ▼で(3ssea間コロナ帯電を行い、
直ちK光儂を照射し九光偉はタングステンランプ光源を
用い、24ux1eaの光量を透過型のテストチャート
を通して照射させえ.その後直ちに、■荷電性の現像剤
(トナーとキャリアーを含む)を倫形成部材**をカス
ケードするととKよって、gIIs成部材表向上FCI
L好なトナーliii(aを得え.儂形成部材上のトナ
ー画儂を、os,ocvのコ四ナ帯電で転写紙上に転写
した所、解偉力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃変
の画偉が得られ友. 実m例8 第2図K示し丸製造装置により、シリンダー状の▲1基
体上に、第8表に示す条件で層形成を行って電子写真用
儂形成部材を得だ。
こうして得られた儂形成部材を、帯電露光集験装置に設
置し05.0κVでOjsea間コロナ帯電を行い、直
ちに光儂を照射し九光惜はタングステンランプ光源を用
い、2lux1●Cの光量を透過型のテストチャートを
通して照射させた。
置し05.0κVでOjsea間コロナ帯電を行い、直
ちに光儂を照射し九光惜はタングステンランプ光源を用
い、2lux1●Cの光量を透過型のテストチャートを
通して照射させた。
その後直ちK,■荷電性の現儂剤(トナーとキャリアー
を含む)を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材f1面上に良好なトナー画像を得た。像
形成部材上のトナーm+象を、C)5,OKVのコロナ
帯電で転写紙上に転写した所、解像力K優れ、階調再現
性のよい鮮明な高濃度の画儂が得られた。
を含む)を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材f1面上に良好なトナー画像を得た。像
形成部材上のトナーm+象を、C)5,OKVのコロナ
帯電で転写紙上に転写した所、解像力K優れ、階調再現
性のよい鮮明な高濃度の画儂が得られた。
実施例9
第2図に示した製造装置によシ、iJt表に示す条件に
し九以外は実施例1と同様にして、層形成を行って電子
写真用儂形成部材を得九。′こうして得られ九*形成部
材K就いて、夷施例1と同様の条件及び手順で転写紙上
κ画儂を形成し九ところ極めて鮮明な画質が得られた。
し九以外は実施例1と同様にして、層形成を行って電子
写真用儂形成部材を得九。′こうして得られ九*形成部
材K就いて、夷施例1と同様の条件及び手順で転写紙上
κ画儂を形成し九ところ極めて鮮明な画質が得られた。
実施例10
第2図に示し友製造装置κよク、第10表κ示す条件に
した以外は実施例1と一様κして、層形成を行って電子
写真用侭形成部材を得え.こうして得られ九俸形成部材
κ就いて、sm例1と同様の条件及び手順で転写紙上に
一倫を形成し九ところ極めて鮮明な画質が得られ九.実
施例11 実施例1K於いて光源をタングステンランプの代りに8
10nmのGa▲●系半導体レーザ(10mW)を用い
て、静電儂の形成を行つ九以外は、1 実施例と同様のトナー画儂形成条件にして、実△ 施例1と同様の条件で作成し九電子写真用gI形成部材
K就いてトナー転写画儂の画質評価を行ったところ、解
儂力に優れ、階調再現性の曳い鮮明な高品位の画偉が得
られた. −307− 以1,の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以
ドに示す。
した以外は実施例1と一様κして、層形成を行って電子
写真用侭形成部材を得え.こうして得られ九俸形成部材
κ就いて、sm例1と同様の条件及び手順で転写紙上に
一倫を形成し九ところ極めて鮮明な画質が得られ九.実
施例11 実施例1K於いて光源をタングステンランプの代りに8
10nmのGa▲●系半導体レーザ(10mW)を用い
て、静電儂の形成を行つ九以外は、1 実施例と同様のトナー画儂形成条件にして、実△ 施例1と同様の条件で作成し九電子写真用gI形成部材
K就いてトナー転写画儂の画質評価を行ったところ、解
儂力に優れ、階調再現性の曳い鮮明な高品位の画偉が得
られた. −307− 以1,の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以
ドに示す。
基体温度:ゲルマニウム原F(Ge)含イ1層一一−一
一約200℃ゲルマニウム原子(Ge)非含有層一一一
約250℃放電周波数:13.58M}lz 反応時反応室内圧+0.3Torr
一約200℃ゲルマニウム原子(Ge)非含有層一一一
約250℃放電周波数:13.58M}lz 反応時反応室内圧+0.3Torr
第1図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、42図社、夷施例に於いて本発明の光
導電11社を作製する為κ使用され九装置の模式的説明
図であゐ。 100・・・光導電部材 101・・・支持体 102・・・非晶質層 −309−
模式的層構成図、42図社、夷施例に於いて本発明の光
導電11社を作製する為κ使用され九装置の模式的説明
図であゐ。 100・・・光導電部材 101・・・支持体 102・・・非晶質層 −309−
Claims (5)
- (1)光導電部材用の支持体と、該支持体上に、シリコ
ン原子とゲルマニウム原子とを含む非品質材料で構成さ
れた、第1の層領賊とシリコン原子を含む非晶質材料で
構成され、光導電性を示す第2の層領域とが前記支持体
側より順に設けられた層構成の非晶質層とを有し、前記
第1の層領域κ伝導性を支配する物質が含有されている
事を特徴とする光導電部材。 - (2)第1の層領域及び第20層領域の少なくともいず
れか一方に水素原子が含有されている特許請求の範囲,
ill項に記載の光導電部材。 - (3)第1の層餉域及び第2の−領域の少なくともいず
れか一方にノ・ロゲン原子が含有されている特許一求の
範囲第1項及び同第2項K記載の光導電部材。 - (4)伝導性を支配する物質が周期律表第厘族に属する
原子である特許請求の範囲第1項に記械の光導゛鑞部材
。 - (5)伝導性を支配する物質が)i!il期律表@V族
に属する原子である特許請求の範囲第1項に記載の光導
電部材。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57053604A JPS58171043A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 光導電部材 |
US06/479,316 US4490450A (en) | 1982-03-31 | 1983-03-28 | Photoconductive member |
FR8305341A FR2524661B1 (fr) | 1982-03-31 | 1983-03-31 | Element photoconducteur |
DE19833311835 DE3311835A1 (de) | 1982-03-31 | 1983-03-31 | Fotoleitfaehiges aufzeichnungselement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57053604A JPS58171043A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 光導電部材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58171043A true JPS58171043A (ja) | 1983-10-07 |
JPH0546537B2 JPH0546537B2 (ja) | 1993-07-14 |
Family
ID=12947484
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57053604A Granted JPS58171043A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 光導電部材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58171043A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5514507A (en) * | 1993-05-27 | 1996-05-07 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor with amorphous Si-Ge layer |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP57053604A patent/JPS58171043A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5514507A (en) * | 1993-05-27 | 1996-05-07 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor with amorphous Si-Ge layer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0546537B2 (ja) | 1993-07-14 |