JPS61243461A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
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- JPS61243461A JPS61243461A JP8506085A JP8506085A JPS61243461A JP S61243461 A JPS61243461 A JP S61243461A JP 8506085 A JP8506085 A JP 8506085A JP 8506085 A JP8506085 A JP 8506085A JP S61243461 A JPS61243461 A JP S61243461A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoreceptor
- sensitivity
- charge
- amorphous silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。
ある。
口、従来技術
従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡｓ ｓ
Ｔｅ ｓ Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄ
Ｓを樹脂バインダーに゛分散させた感光体等が知られて
いる。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱
的安定性、機械的強度の点で問題がある。
Ｔｅ ｓ Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄ
Ｓを樹脂バインダーに゛分散させた感光体等が知られて
いる。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱
的安定性、機械的強度の点で問題がある。
一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと称する
。）を母体として用いた電子写真感光体が近年になって
提案されている。ａ−３ｉは、５ｉ−３ｉの結合手が切
れたいわゆるダングリングボンドを有しており、この欠
陥に起因してエネルギーギャップ内に多くの局在準位が
存在する。このために、熱励起担体のホッピング伝導が
生じて暗抵抗が小さく、また光励起担体が局在準位にト
ラップされて光導電性が悪くなっている。そこで、上記
欠陥を水素原子（Ｈ）で補償してＳｉにＨを結合させる
ことによって、ダングリングボンドを埋めることが行わ
れる。
。）を母体として用いた電子写真感光体が近年になって
提案されている。ａ−３ｉは、５ｉ−３ｉの結合手が切
れたいわゆるダングリングボンドを有しており、この欠
陥に起因してエネルギーギャップ内に多くの局在準位が
存在する。このために、熱励起担体のホッピング伝導が
生じて暗抵抗が小さく、また光励起担体が局在準位にト
ラップされて光導電性が悪くなっている。そこで、上記
欠陥を水素原子（Ｈ）で補償してＳｉにＨを結合させる
ことによって、ダングリングボンドを埋めることが行わ
れる。
このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｔ：Ｈと称する。）は、光感度が良好である上に無公害
性、良耐剛性等の面で注目されている。しかし、ａ−３
ｔ：）Ｉは７５０〜８００ｒｖ （近赤外）の波長の
光に対しては可視域の光に対するより１ケタ程感度が悪
いことが知られている。従って、情報信号を電気□的に
処理してハードコピーとして出力するための情報末端処
理機において半導体レーザーを記録光源として用いる場
合には、実用的な情報記録用の半導体レーザーはＧａＡ
Ｉ Ａｓを構成材料としたものであってその発振波長
は７６０〜Ｂ２Ｏｎｍであるから、この種の情報記録に
とってａ−３ｉ：Ｈは感度不十分となり、不適当りあ、
る。
ｔ：Ｈと称する。）は、光感度が良好である上に無公害
性、良耐剛性等の面で注目されている。しかし、ａ−３
ｔ：）Ｉは７５０〜８００ｒｖ （近赤外）の波長の
光に対しては可視域の光に対するより１ケタ程感度が悪
いことが知られている。従って、情報信号を電気□的に
処理してハードコピーとして出力するための情報末端処
理機において半導体レーザーを記録光源として用いる場
合には、実用的な情報記録用の半導体レーザーはＧａＡ
Ｉ Ａｓを構成材料としたものであってその発振波長
は７６０〜Ｂ２Ｏｎｍであるから、この種の情報記録に
とってａ−３ｉ：Ｈは感度不十分となり、不適当りあ、
る。
Ｓｅ系の感光体の場合には、有機光導電材料１からなる
感光体に比べて感度が大きいものの、処理速度の高速化
に対応するためには長波長領域での感度がやはり不十分
である。
感光体に比べて感度が大きいものの、処理速度の高速化
に対応するためには長波長領域での感度がやはり不十分
である。
そこで、ａ−３ｔ：Ｈの優れた光導電性又は光感度を生
かしつつ長波長領域の感度を向上させるために、アモル
ファス水素化シリコンゲルマニウム（以下、ａ−３ｉＧ
ｅ：Ｈと称する。）を光導電層に用いることが考えられ
る。つまり、ａ−ＳｉＧｅ：Ｈは６００〜８５０ｎ−の
波長域で光感度が良好である。しかしながら、逆に言え
ば、ａ−３ｉＧｅ：Ｈ単独では、可視領域での感度がａ
−３ｉ：Ｈに昆べて悪い。しかも、ａ−３ｉＧｅ：Ｈ層
のみでは、暗抵抗は１０”〜１０９Ω−１にすぎず、電
荷保持能に乏しい。しかも、ａ−３ｉＧｅ：Ｈは支持体
（基板）に対する膜付き又は接着性が悪く、また機械的
、熱的性質がａ−３ｉ：Ｈよりも劣るために、電子写真
感光体として実用化する上で難がある。
かしつつ長波長領域の感度を向上させるために、アモル
ファス水素化シリコンゲルマニウム（以下、ａ−３ｉＧ
ｅ：Ｈと称する。）を光導電層に用いることが考えられ
る。つまり、ａ−ＳｉＧｅ：Ｈは６００〜８５０ｎ−の
波長域で光感度が良好である。しかしながら、逆に言え
ば、ａ−３ｉＧｅ：Ｈ単独では、可視領域での感度がａ
−３ｉ：Ｈに昆べて悪い。しかも、ａ−３ｉＧｅ：Ｈ層
のみでは、暗抵抗は１０”〜１０９Ω−１にすぎず、電
荷保持能に乏しい。しかも、ａ−３ｉＧｅ：Ｈは支持体
（基板）に対する膜付き又は接着性が悪く、また機械的
、熱的性質がａ−３ｉ：Ｈよりも劣るために、電子写真
感光体として実用化する上で難がある。
近時、半導体レーザー等による記録機能の他に可視光を
光源とする記録機能（例えば通常の電子写真複写機とし
ての機能）も併せ持つ多機能機器が注目されているが、
上記のａ−３ｉ：Ｈ及びａ−３ｉＧｅ：Ｈ共にそうした
要求を満足し得ない。
光源とする記録機能（例えば通常の電子写真複写機とし
ての機能）も併せ持つ多機能機器が注目されているが、
上記のａ−３ｉ：Ｈ及びａ−３ｉＧｅ：Ｈ共にそうした
要求を満足し得ない。
これを解決するために、支持体上に、電荷保持を行なえ
る充分な厚さのａ−３ｔ：Ｈ層を形成し、更にこの上に
ａ−３ｉＧｅｚＨ層を形成して、２層構造からなる電荷
発生層（光照射に応じてキャリアを発生する層）とした
感光体が提案されている。
る充分な厚さのａ−３ｔ：Ｈ層を形成し、更にこの上に
ａ−３ｉＧｅｚＨ層を形成して、２層構造からなる電荷
発生層（光照射に応じてキャリアを発生する層）とした
感光体が提案されている。
この構造によればａ−３ｉ：Ｈ及びａ−３ｉ、Ｇｅ：Ｈ
の各層によって可視光及び近赤外光の両領域の感度が良
好となる。しかし、この感光体はいくつかの問題点（特
に次の３点）を有している。
の各層によって可視光及び近赤外光の両領域の感度が良
好となる。しかし、この感光体はいくつかの問題点（特
に次の３点）を有している。
（１）、ａ−３ｉＧｅ：Ｈ層が表面側に存在している構
造であるため、ａ−３ｔと比べて化学構造的に弱くなり
、耐剛性が不良となる。
造であるため、ａ−３ｔと比べて化学構造的に弱くなり
、耐剛性が不良となる。
（２）、ａ−３ｉＧｅ：Ｈ層が厚い場合、可視光領域で
の感度が不充分となる。これは、ａ ５ｉＧｅ：Ｈ層
の存在が、可視光領域におけるａ−３ｔ：Ｈ層での光キ
ャリアの発生を阻害するからであると思われる。
の感度が不充分となる。これは、ａ ５ｉＧｅ：Ｈ層
の存在が、可視光領域におけるａ−３ｔ：Ｈ層での光キ
ャリアの発生を阻害するからであると思われる。
（３）、帯電時に、支持体基板側からａ−３ｉ：Ｈ層へ
の不要な電荷の注入が生じ易く、これによって表面電位
を良好に保持することができず、しかもａ−３ｔ：Ｈと
支持体との接着性も不充分である。
の不要な電荷の注入が生じ易く、これによって表面電位
を良好に保持することができず、しかもａ−３ｔ：Ｈと
支持体との接着性も不充分である。
ハ０発明の目的
本発明の目的は、可視及び近赤外の両領域での感度に優
れ、かつ帯電電位、暗減衰等の電荷保持特性や耐剛性、
機械的強度が良く、耐光疲労に優。
れ、かつ帯電電位、暗減衰等の電荷保持特性や耐剛性、
機械的強度が良く、耐光疲労に優。
れて繰返し使用時の電気的特性が安定であり、しかも電
気的・光学的特性が常時安定して使用環境（温度、湿度
等）の影響を受けにくい感光体を提供することにある。
気的・光学的特性が常時安定して使用環境（温度、湿度
等）の影響を受けにくい感光体を提供することにある。
二０発明の構成及びその作用効果
即ち、本発明による感光体は、
（ａ）、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコ
ンゲルマニウムから、なる第１層と、アモルファス水素
化及び／又はフッ素化シリコンからなる第２層との積層
体によって構成された光導電層と、 中）、この光導電層上に形成され、アモルファス水素化
及び／又はフッ素化窒化シリコンからなる表面改質層と
、 （ｃ）、前記光導電層下に形成され、アモルファス水素
化及び／又はフッ素化炭化又は窒化シリコンからなり、
かつ周期表第ＩＩＩａ族又は第Ｖａ族元素がドープされ
た電荷ブロッキング層と を有する感光体である。
ンゲルマニウムから、なる第１層と、アモルファス水素
化及び／又はフッ素化シリコンからなる第２層との積層
体によって構成された光導電層と、 中）、この光導電層上に形成され、アモルファス水素化
及び／又はフッ素化窒化シリコンからなる表面改質層と
、 （ｃ）、前記光導電層下に形成され、アモルファス水素
化及び／又はフッ素化炭化又は窒化シリコンからなり、
かつ周期表第ＩＩＩａ族又は第Ｖａ族元素がドープされ
た電荷ブロッキング層と を有する感光体である。
本発明によれば、光導電層がアモルファス水素化及び／
又はフッ素化シリコンゲルマニウムからなる第１層と、
アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからな
る第２層との積層体で構成されているので、前者による
近赤外領域での感度向上と後者による可視域での感度向
上との双方を実現した感光体を提供できる。しかも、後
者を前者の上又は下に形成することができるが、上に形
成した場合には表面側にはａ−５ｉが存在していて可視
域での感度が著しく向上すると同時に、下に形成した場
合でも耐剛性は最上層の表面改質層の存在により良好と
なる。かつａ−３ｉＧｅ自体の膜厚を薄くして高感度が
保持される。例えば、ａ−３ｉＣ；ｅ：Ｈの有する比較
的長波長域（例えば６００〜８５０ｎｍ）での高感度特
性を生かしながら、安定した電荷保持性及び耐剛性等の
機械的強度を特に表面改質層でかせぎ、かつ高い電荷保
持性や膜付き等を特に電荷ブロッキング層で実現してお
り、これまで知られているものに比べてすべての特性を
充分に満足した有用な感光体を提供することができる。
又はフッ素化シリコンゲルマニウムからなる第１層と、
アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからな
る第２層との積層体で構成されているので、前者による
近赤外領域での感度向上と後者による可視域での感度向
上との双方を実現した感光体を提供できる。しかも、後
者を前者の上又は下に形成することができるが、上に形
成した場合には表面側にはａ−５ｉが存在していて可視
域での感度が著しく向上すると同時に、下に形成した場
合でも耐剛性は最上層の表面改質層の存在により良好と
なる。かつａ−３ｉＧｅ自体の膜厚を薄くして高感度が
保持される。例えば、ａ−３ｉＣ；ｅ：Ｈの有する比較
的長波長域（例えば６００〜８５０ｎｍ）での高感度特
性を生かしながら、安定した電荷保持性及び耐剛性等の
機械的強度を特に表面改質層でかせぎ、かつ高い電荷保
持性や膜付き等を特に電荷ブロッキング層で実現してお
り、これまで知られているものに比べてすべての特性を
充分に満足した有用な感光体を提供することができる。
また、本発明の感光体は、特にアモルファス水素化及び
／又はフッ素化炭化又は窒化シリコン層がブロッキング
層として基体側に存在することから基体からのキャリア
の注入を効果的に防止でき、かつ他の層の暗抵抗を不純
物ドーピングによって高くすれば帯電電位の保持、暗減
衰の減少を図れる。更に、最表面のアモルファス窒化シ
リコン表面改質層の存在によって耐久性、安定性等が向
上する。
／又はフッ素化炭化又は窒化シリコン層がブロッキング
層として基体側に存在することから基体からのキャリア
の注入を効果的に防止でき、かつ他の層の暗抵抗を不純
物ドーピングによって高くすれば帯電電位の保持、暗減
衰の減少を図れる。更に、最表面のアモルファス窒化シ
リコン表面改質層の存在によって耐久性、安定性等が向
上する。
なお、本発明に使用する上記のアモルファス窒化シリコ
ンは、酸化物や炭化物に比べ、低熱膨張係数、高熱伝導
率のために熱衝撃に強く、機械的強度や硬度は高温でも
低下が少ない、また、溶融Ｎａ０ＨＪ？３ＨＦ以外の薬
品に対してはきわめて高い耐食性を示す。
ンは、酸化物や炭化物に比べ、低熱膨張係数、高熱伝導
率のために熱衝撃に強く、機械的強度や硬度は高温でも
低下が少ない、また、溶融Ｎａ０ＨＪ？３ＨＦ以外の薬
品に対してはきわめて高い耐食性を示す。
ホ、実施例
以下、本発明による感光体を詳細に説明する。
本発明による感光体は、例えば第１図に示す如く、導電
性支持基板１上に、ａ−３ｉＣ：Ｈ又番よａ−５ｉＮ：
Ｈからなる電荷ブロッキング層２、ａ−３ｔ：Ｈ層３及
びａ−３ｉＧｅ：Ｈ層５からなる積層構造の光導電層６
、ａ−３ｉＮ：Ｈ層からなる表面改質層４が順次積層せ
しめられたものからなっている。
性支持基板１上に、ａ−３ｉＣ：Ｈ又番よａ−５ｉＮ：
Ｈからなる電荷ブロッキング層２、ａ−３ｔ：Ｈ層３及
びａ−３ｉＧｅ：Ｈ層５からなる積層構造の光導電層６
、ａ−３ｉＮ：Ｈ層からなる表面改質層４が順次積層せ
しめられたものからなっている。
電荷ブロッキング層２は基板１からのキャリアの注入を
防止して表面電位を充分に保持するのに大いに寄与し、
そのためにＶａ族元素の含有によってＮ型導電特性を、
或いはＩＩＩａ族元素の含有によってＰ型導電特性を示
すことが重要である。また、その厚みは４００人〜２μ
ｍであるのが望ましい。
防止して表面電位を充分に保持するのに大いに寄与し、
そのためにＶａ族元素の含有によってＮ型導電特性を、
或いはＩＩＩａ族元素の含有によってＰ型導電特性を示
すことが重要である。また、その厚みは４００人〜２μ
ｍであるのが望ましい。
一方、光導電層６を形成するａ−３ｉＧｅ：Ｈ層５は光
照射に応じて電荷担体（キャリア）を発生させるもので
あって、特に６００〜８５０ｎｎ＋の長波長域で高感度
を示し、その厚みは１μｍ以上であればよい。この層６
は全体の厚みが１０〜５０μｍであるのが望ましい。一
方、ａ−３ｉ：Ｈ層３は可視光域で高感度を示すキャリ
ア発生層として機能し、１μｍ以上の厚みに設けられて
いる。
照射に応じて電荷担体（キャリア）を発生させるもので
あって、特に６００〜８５０ｎｎ＋の長波長域で高感度
を示し、その厚みは１μｍ以上であればよい。この層６
は全体の厚みが１０〜５０μｍであるのが望ましい。一
方、ａ−３ｉ：Ｈ層３は可視光域で高感度を示すキャリ
ア発生層として機能し、１μｍ以上の厚みに設けられて
いる。
更に、ａ−３ｉＮ：Ｈ層４はこの感光体の表面電位特性
の改善、長期に亘る電位特性の保持、耐環境性の維持（
湿度や雰囲気、コロナ放電で生成される化学種の影響防
止）、炭素含有による結合エネルギーの向上で表面硬度
が高くなることによる機械的強度及び耐剛性の向上、感
光体使用時の耐熱性の向上、熱転写性（特に粘着転写性
）の向上等の機能を有し、いわば表面改質層として働く
ものである。そして、このａ−３ｉＮ：）（層４の厚み
を４００〜５０００人に選択することが重要である。
の改善、長期に亘る電位特性の保持、耐環境性の維持（
湿度や雰囲気、コロナ放電で生成される化学種の影響防
止）、炭素含有による結合エネルギーの向上で表面硬度
が高くなることによる機械的強度及び耐剛性の向上、感
光体使用時の耐熱性の向上、熱転写性（特に粘着転写性
）の向上等の機能を有し、いわば表面改質層として働く
ものである。そして、このａ−３ｉＮ：）（層４の厚み
を４００〜５０００人に選択することが重要である。
次に、本発明による感光体の各層を更に詳しく説明する
。
。
ａ −Ｓ ｉ Ｎ ： Ｈ層
このａ −Ｓ ｉ Ｎ ： Ｈ層４は感光体の表面を改
質してａ−Ｓｔ系悪感光体実用的に優れたものとするた
めに必須不可欠なものである。即ち、表°面での電荷保
持と、光照射による表面電位の減衰という電子写真感光
体としての基本的な動作を可能とするものである。従っ
て、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり、長
期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な電位
特性を再現できる。これに反し、ａ−３ｉ：ｌ（を表面
とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気等
の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる。
質してａ−Ｓｔ系悪感光体実用的に優れたものとするた
めに必須不可欠なものである。即ち、表°面での電荷保
持と、光照射による表面電位の減衰という電子写真感光
体としての基本的な動作を可能とするものである。従っ
て、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり、長
期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な電位
特性を再現できる。これに反し、ａ−３ｉ：ｌ（を表面
とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気等
の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる。
また、ａ−３ｉＮ：Ｈは表面硬度が高いために、現像、
転写、クリーニング等の工程における耐摩耗性に優れ、
数十ガロの耐剛性があり、更に耐熱性も良いことから粘
着転写等の如く熱を付与するプロセスを適用することが
できる。
転写、クリーニング等の工程における耐摩耗性に優れ、
数十ガロの耐剛性があり、更に耐熱性も良いことから粘
着転写等の如く熱を付与するプロセスを適用することが
できる。
このような優れた効果を総合的に奏するためには、ａ−
３ｉＮ：８層４の膜厚を上記した４ｏｏ〜５０００人の
範囲内に選択することが重要である。即ち、その膜厚を
５０００人を越えた場合には、残留電位が高くなりすぎ
かつ感度の低下も生じ゛、ａ−３ｉ系感光体としての良
好な特性を失なうことがある。
３ｉＮ：８層４の膜厚を上記した４ｏｏ〜５０００人の
範囲内に選択することが重要である。即ち、その膜厚を
５０００人を越えた場合には、残留電位が高くなりすぎ
かつ感度の低下も生じ゛、ａ−３ｉ系感光体としての良
好な特性を失なうことがある。
また、膜厚を４００人未満とした場合には、暗減衰の増
大や光感度の低下が生じてしまう。
大や光感度の低下が生じてしまう。
また、このａ−３ｉＮ：８層４については、上記した効
果を発揮する上でその炭素組成を選択することも重要で
あることが分った。組成比をａ−３Ｌ ｘＮｘ：Ｈと
表わせば、Ｘを０．１〜０．７とすること（Ｓｉ ＋Ｎ
＝１００ ａｔｏｍｉｃ％としたときに窒素原子含有量
が１０ａｔｏｍｉｃ％〜７０ａｔｏｍｉｃ％であること
）が望ましい。
果を発揮する上でその炭素組成を選択することも重要で
あることが分った。組成比をａ−３Ｌ ｘＮｘ：Ｈと
表わせば、Ｘを０．１〜０．７とすること（Ｓｉ ＋Ｎ
＝１００ ａｔｏｍｉｃ％としたときに窒素原子含有量
が１０ａｔｏｍｉｃ％〜７０ａｔｏｍｉｃ％であること
）が望ましい。
なお、このａ−３ｉＮｓＨ層は、他の層と同様に水素を
含有することが必須であり、その水素含有量は通常１〜
４０ａｔｏｍｉｃ％、更に１０〜３０ａｔｏｏ＋ｉｃ％
とするのがよい。
含有することが必須であり、その水素含有量は通常１〜
４０ａｔｏｍｉｃ％、更に１０〜３０ａｔｏｏ＋ｉｃ％
とするのがよい。
ｌ且ズ旦ヱ土ｌ１１
この層２はブロッキング及び下びき層として用いられ、
その膜厚は４００人〜２μｍとすることが望ましい、即
ち、４００人未満では電荷のプロンキング効果が少なく
、また膜付き及び基板との接着性を良（するにも４００
Å以上にするのがよい。他方、膜厚が２μｍを越えると
、プロンキング効果は良いが、逆に感光体全体としての
光□感度が悪くなり、また製膜時間が長くなり、コスト
的にみて不利である。
その膜厚は４００人〜２μｍとすることが望ましい、即
ち、４００人未満では電荷のプロンキング効果が少なく
、また膜付き及び基板との接着性を良（するにも４００
Å以上にするのがよい。他方、膜厚が２μｍを越えると
、プロンキング効果は良いが、逆に感光体全体としての
光□感度が悪くなり、また製膜時間が長くなり、コスト
的にみて不利である。
このプロフキング層の炭素又は窒素含有量は５〜３０ａ
ｔｏｍｉｃ％、好ましくは１０〜２０ａｔｏｇ＊ｉｃ％
とするのがよい。即ち、層２をａ−３ｉ、−ｘＣｘ：Ｈ
又はａ−３ｉｔ−３７Ｎ）’ ： ）Ｉと表わした□ト
き、０．０５≦Ｘ≦０．３．０．０５≦ｙ≦０．３（炭
素又は窒素原子含有量がＳｉ＋Ｃ（又はＮ） ＝１００
ａｔｏａｉｉｃ％としたときに５〜３０ａｔｏｍｉｃ
％、より好ましくは１０〜２０ａｔｏｎ＋ｉｃ％）とす
るのが望ましい、 ０．０５≦ｘ、０．０５≦ｙとすれ
ば層２の電気的、光学□的特性をａ−ＳｉＧｅ：Ｈ層５
とは全く異なったものにできる。
ｔｏｍｉｃ％、好ましくは１０〜２０ａｔｏｇ＊ｉｃ％
とするのがよい。即ち、層２をａ−３ｉ、−ｘＣｘ：Ｈ
又はａ−３ｉｔ−３７Ｎ）’ ： ）Ｉと表わした□ト
き、０．０５≦Ｘ≦０．３．０．０５≦ｙ≦０．３（炭
素又は窒素原子含有量がＳｉ＋Ｃ（又はＮ） ＝１００
ａｔｏａｉｉｃ％としたときに５〜３０ａｔｏｍｉｃ
％、より好ましくは１０〜２０ａｔｏｎ＋ｉｃ％）とす
るのが望ましい、 ０．０５≦ｘ、０．０５≦ｙとすれ
ば層２の電気的、光学□的特性をａ−ＳｉＧｅ：Ｈ層５
とは全く異なったものにできる。
ｘ ＞０．３ 、ｙ＞０．３のときは層の半導体特性が
低下するので、Ｘ≦０．３．７≦０．３とするのがよい
。
低下するので、Ｘ≦０．３．７≦０．３とするのがよい
。
叉皇里１
ａ−３ｉＧｅ：Ｈ層５は、近赤外波長の光に対しして第
２図の如く高い光導電性を示すことが分っテオリ、ａ−
３ｉ：Ｈに比ヘルと、特ニア５０〜８ｏ。
２図の如く高い光導電性を示すことが分っテオリ、ａ−
３ｉ：Ｈに比ヘルと、特ニア５０〜８ｏ。
ｎｌ１１の光に対して充分な光感度（半減露光量（ｅｒ
ｇ／ｃｊ）の逆数）を有している。他方、ａ−３ｉ：Ｈ
Ｊｉｉ３は可視光に対して第２図の如（充分な感度を示
すものである。従って、これら両層（ａ ５ｉＧｅ：
Ｈ，ａ−３ｉ：Ｈ）を積層すると、第２図の如く、近赤
外及び可視の両層に亘って広く高感度を示す感光体が得
られ、所期の目的を達成することができる。これら両層
の積層順序は、上記のようにａ−３ｉＧｅ：Ｈが上、ａ
−３ｔ：Ｈが下であってよいし、・或いはその逆であっ
てもよい。ａ−３ｉＧｅ：Ｈが上にあっても、その膜厚
を薄くすれば可視域の光はａ−３ｔ：Ｈへ効果的に到達
する。
ｇ／ｃｊ）の逆数）を有している。他方、ａ−３ｉ：Ｈ
Ｊｉｉ３は可視光に対して第２図の如（充分な感度を示
すものである。従って、これら両層（ａ ５ｉＧｅ：
Ｈ，ａ−３ｉ：Ｈ）を積層すると、第２図の如く、近赤
外及び可視の両層に亘って広く高感度を示す感光体が得
られ、所期の目的を達成することができる。これら両層
の積層順序は、上記のようにａ−３ｉＧｅ：Ｈが上、ａ
−３ｔ：Ｈが下であってよいし、・或いはその逆であっ
てもよい。ａ−３ｉＧｅ：Ｈが上にあっても、その膜厚
を薄くすれば可視域の光はａ−３ｔ：Ｈへ効果的に到達
する。
光導電層６の厚みは、特に１０〜５０μｍとするのがよ
い、膜厚が１０゛μｍ未満であると、現像に必要な表面
電位、表面電荷が得られ難く、またａ−３ｉＧｅ：Ｈ及
びａ−３ｔ：Ｈ層自体は電位保持性の点で感光層６とし
ては上限は５０μｍあれば充分である。ａ−３ｉＧｅ：
Ｈ５及びａ−３ｔ：Ｈ３は夫々、１μｍ以上の厚みにし
ないと光を充分に吸収できない。
い、膜厚が１０゛μｍ未満であると、現像に必要な表面
電位、表面電荷が得られ難く、またａ−３ｉＧｅ：Ｈ及
びａ−３ｔ：Ｈ層自体は電位保持性の点で感光層６とし
ては上限は５０μｍあれば充分である。ａ−３ｉＧｅ：
Ｈ５及びａ−３ｔ：Ｈ３は夫々、１μｍ以上の厚みにし
ないと光を充分に吸収できない。
また、この光導電層（上記した層４も同様）にはその電
荷保持性を高めるために、その製膜時に例えば周期表第
ＩＩＩａ族元素（８％ Ａｌ、Ｇａ ％ Ｉｎ等）をド
ープして抵抗を高めておくのが有効である。ａ−３ｉＧ
ｅ：Ｈ層５の膜特性は、後述する製造方法における基板
温度、高周波放電パワー等の製膜条件によって大きく異
なる。組成的にみれば、Ｇｅ含有量は０．１〜５０ａｔ
ｏｍｉｃ％（Ｓ ｉ ＋Ｇｅ ＝１００ａ ｔｏＩＩＩ
ｉ ｃ％）に設定するのがよい。即ち、０．１ ａｔｏ
ｍｉｃ％未満では長波長感度がそれ程向上せず、５０ａ
ｔｏｍｉｃ％を越えると感度低下が生じ、膜の機械的特
性、熱的特性が劣化する。また、ａ−３ｉＧｅ：Ｈ及び
ａ−３ｆ：ＨのＳｉとＨの結合については、Ｓｉと結合
するＨの量はＳｉに対して１〜４０ａｔｏｍｉｃ％であ
るのがよい。これらの条件が満たされたとき、ρ。／ρ
、の大きい感光体となるので望ましい。
荷保持性を高めるために、その製膜時に例えば周期表第
ＩＩＩａ族元素（８％ Ａｌ、Ｇａ ％ Ｉｎ等）をド
ープして抵抗を高めておくのが有効である。ａ−３ｉＧ
ｅ：Ｈ層５の膜特性は、後述する製造方法における基板
温度、高周波放電パワー等の製膜条件によって大きく異
なる。組成的にみれば、Ｇｅ含有量は０．１〜５０ａｔ
ｏｍｉｃ％（Ｓ ｉ ＋Ｇｅ ＝１００ａ ｔｏＩＩＩ
ｉ ｃ％）に設定するのがよい。即ち、０．１ ａｔｏ
ｍｉｃ％未満では長波長感度がそれ程向上せず、５０ａ
ｔｏｍｉｃ％を越えると感度低下が生じ、膜の機械的特
性、熱的特性が劣化する。また、ａ−３ｉＧｅ：Ｈ及び
ａ−３ｆ：ＨのＳｉとＨの結合については、Ｓｉと結合
するＨの量はＳｉに対して１〜４０ａｔｏｍｉｃ％であ
るのがよい。これらの条件が満たされたとき、ρ。／ρ
、の大きい感光体となるので望ましい。
なお、上記において、ダングリングボンドを補償するた
めには、ａ−３ｔに対しては上記したＨの代りに、或い
はＨと併用してフッ素を導入し、ａ−８ｉＧｅ： Ｆ、
ａ −５ｉＧｅ： Ｈ： Ｆ％ ａ−３ｉ：Ｆ、ａ−３
ｉ ：Ｈ：Ｆ％ ａ−３ｉＣ：Ｆ、ａ−５ｉＣ：Ｈ：Ｆ
等とすることもできる。この場合のフッ素量は０．０１
〜２０ａｔｏｍｉｃ％がよ＜、０．５〜ｌＯａｔｏｍｉ
ｃ％が更によい。
めには、ａ−３ｔに対しては上記したＨの代りに、或い
はＨと併用してフッ素を導入し、ａ−８ｉＧｅ： Ｆ、
ａ −５ｉＧｅ： Ｈ： Ｆ％ ａ−３ｉ：Ｆ、ａ−３
ｉ ：Ｈ：Ｆ％ ａ−３ｉＣ：Ｆ、ａ−５ｉＣ：Ｈ：Ｆ
等とすることもできる。この場合のフッ素量は０．０１
〜２０ａｔｏｍｉｃ％がよ＜、０．５〜ｌＯａｔｏｍｉ
ｃ％が更によい。
次に、本発明による感光体を製造するのに使用可能な装
置、例えばグロー放電分解装置を第３図について説明す
る。
置、例えばグロー放電分解装置を第３図について説明す
る。
この装置６１の真空槽６２内では、ドラム状の基板１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター６５で基板１を
内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基板
１に対向してその周囲に、ガス導出口６３付きの円筒状
高周波電極６７が配され、基板１との間に高周波電源６
６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図中の７
２はＳ ｉ Ｈａ又はガス状シリコン化合物の供給源、
７３はＮｚ、ＮＨ３等の窒素化合物ガスの供給源、７４
はＣＨａ等の炭化水素ガスの供給源、７５はＡｒ等のキ
ャリアガス供給源、７６は不純物ガス（例えばＢ ｚ
Ｈｈ又はＰＨ３）供給源、７７は各流量計である。この
グロー放電装置において、まず支持体である例えばＡ１
基板１の表面を清浄化した後に真空槽６２内に配置し、
真空槽６２内のガス圧が１０− ’Ｔｏｒｒとなるよう
に調節して排気し、かつ基板１を所定温度、特に１００
〜３５０℃（望ましくは１５０〜３００℃）に加熱保持
する。次いで、高純度の不活性ガスをキャリアガスとし
て、Ｓ ｉ Ｈａ又はガス状シリコン化合物、ＧｅＨ，
又はガス状ゲルマニウム化合物、ＢｚＨｂ（又はＰＨ３
） 、ＣＨ４、又はＮ２を適宜真空槽６２内に導入し、
例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源
６６により高周波電圧（例えば１３．５６ ＭＨｚ）を
印加する。これによって、上記各反応ガスを電極６７と
基板１との間でグロー放電分解し、ボロン又はリンドー
プドａ−３ｉＣ：Ｈ，ボロンドープドａ−３ｔ：Ｈ，ボ
ロンドープドａ−３ｉＧｅ：Ｈ，ａ−ＳｉＮ：Ｈを上記
の層２．３．５．４として基板上に連続的に（即ち、第
１図の例に対応して）堆積させる。
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター６５で基板１を
内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基板
１に対向してその周囲に、ガス導出口６３付きの円筒状
高周波電極６７が配され、基板１との間に高周波電源６
６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図中の７
２はＳ ｉ Ｈａ又はガス状シリコン化合物の供給源、
７３はＮｚ、ＮＨ３等の窒素化合物ガスの供給源、７４
はＣＨａ等の炭化水素ガスの供給源、７５はＡｒ等のキ
ャリアガス供給源、７６は不純物ガス（例えばＢ ｚ
Ｈｈ又はＰＨ３）供給源、７７は各流量計である。この
グロー放電装置において、まず支持体である例えばＡ１
基板１の表面を清浄化した後に真空槽６２内に配置し、
真空槽６２内のガス圧が１０− ’Ｔｏｒｒとなるよう
に調節して排気し、かつ基板１を所定温度、特に１００
〜３５０℃（望ましくは１５０〜３００℃）に加熱保持
する。次いで、高純度の不活性ガスをキャリアガスとし
て、Ｓ ｉ Ｈａ又はガス状シリコン化合物、ＧｅＨ，
又はガス状ゲルマニウム化合物、ＢｚＨｂ（又はＰＨ３
） 、ＣＨ４、又はＮ２を適宜真空槽６２内に導入し、
例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源
６６により高周波電圧（例えば１３．５６ ＭＨｚ）を
印加する。これによって、上記各反応ガスを電極６７と
基板１との間でグロー放電分解し、ボロン又はリンドー
プドａ−３ｉＣ：Ｈ，ボロンドープドａ−３ｔ：Ｈ，ボ
ロンドープドａ−３ｉＧｅ：Ｈ，ａ−ＳｉＮ：Ｈを上記
の層２．３．５．４として基板上に連続的に（即ち、第
１図の例に対応して）堆積させる。
このようにグロー放電分解で各層を形成するに際し、ジ
ポラン又はホスフィンガスとシリコン化合物（例えばモ
ノシラン）の流量比を適切に選ぶことが必要である。負
帯電用の感光体とする場合、ａ−３ｉＣ：Ｈ電荷ブロッ
キング層２の形成に際し、ＰＨ３（ホスフィン）とＳｉ
Ｈ４（モノシラン）との流量比を変えた場合、ＰＨ，に
よるリンドープの結果、Ｎ型の導電性が安定化する領域
に於いて、上記した基板からのキャリアの注入を充分に
防止できるブロッキング層とするにはＰＨ。
ポラン又はホスフィンガスとシリコン化合物（例えばモ
ノシラン）の流量比を適切に選ぶことが必要である。負
帯電用の感光体とする場合、ａ−３ｉＣ：Ｈ電荷ブロッ
キング層２の形成に際し、ＰＨ３（ホスフィン）とＳｉ
Ｈ４（モノシラン）との流量比を変えた場合、ＰＨ，に
よるリンドープの結果、Ｎ型の導電性が安定化する領域
に於いて、上記した基板からのキャリアの注入を充分に
防止できるブロッキング層とするにはＰＨ。
／ Ｓ ｉ Ｈａの流量比は１〜１０００容量ｐｐｍに
するのがよい。この比は、ａ−３ｉＮ：Ｈ電荷ブロッキ
ング層の場合には１〜１０容量ｐｐｍとするのがよい。
するのがよい。この比は、ａ−３ｉＮ：Ｈ電荷ブロッキ
ング層の場合には１〜１０容量ｐｐｍとするのがよい。
また、ボロンドープによる正帯電用のＰ型化の場合、Ｂ
ｚ Ｈｂ ／ Ｓ ｉ Ｈａ ＝２０〜５０００容量
ｐｐｍ （ａ−３ｉＣ：Ｈのとき）、１０３〜１０６
容量ｐｐｍ （ａ−３ｉＮ：Ｈのとき）としてグロー
放電分解するのがよい。
ｚ Ｈｂ ／ Ｓ ｉ Ｈａ ＝２０〜５０００容量
ｐｐｍ （ａ−３ｉＣ：Ｈのとき）、１０３〜１０６
容量ｐｐｍ （ａ−３ｉＮ：Ｈのとき）としてグロー
放電分解するのがよい。
一方、上記の層６の形成時に行なうボロンドーピング量
については、所望の暗抵抗値を得るために適切に選択す
る必要があり、ジボランの流量で表わしたときにＢｚＨ
ｂ／Ｓ ｉ Ｈａ ＝０．１〜１０容量ｐｐｍとしてよ
い。Ｈ５と３とでドーピング量が異なっていてよい。ま
た、表面改質層４にも、同様にボロンドープをＢｔＨｈ
／ Ｓ ｔ Ｈａ ”０．１〜１０容量ｐｐ−で行な
うこともできる。
については、所望の暗抵抗値を得るために適切に選択す
る必要があり、ジボランの流量で表わしたときにＢｚＨ
ｂ／Ｓ ｉ Ｈａ ＝０．１〜１０容量ｐｐｍとしてよ
い。Ｈ５と３とでドーピング量が異なっていてよい。ま
た、表面改質層４にも、同様にボロンドープをＢｔＨｈ
／ Ｓ ｔ Ｈａ ”０．１〜１０容量ｐｐ−で行な
うこともできる。
但し、上記した不純物ドーピング量の最適範囲は、層の
Ｎ、Ｃ，Ｈ含有量に依存するので、上記した範囲に必ず
しも限定されるものではない。
Ｎ、Ｃ，Ｈ含有量に依存するので、上記した範囲に必ず
しも限定されるものではない。
なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、蒸着法やスパッタリング法、イオンブレーティ
ング法等によっても上記感光体の製造が可能である。使
用する反応ガスはＳ ｉ Ｈａ以外にもＳ １ｚＨｈ
、Ｓ １ＨＦｓ 、Ｓ ｉＦｍ又はその誘導体ガス、Ｃ
Ｈａ以外のＣ＊Ｈｂ 、Ｃ５Ｈｓ等の低級炭化水素ガス
が使用可能である。更にドーピングされる不純物は上記
ボロン、アルミニウム以外にもガリウム、インジウム等
の他の周期表第ＩＩＩａ族元素、リン以外のヒ素、アン
チモン等の他の周期表第Ｖａ族元素が使用可能である。
あるが、蒸着法やスパッタリング法、イオンブレーティ
ング法等によっても上記感光体の製造が可能である。使
用する反応ガスはＳ ｉ Ｈａ以外にもＳ １ｚＨｈ
、Ｓ １ＨＦｓ 、Ｓ ｉＦｍ又はその誘導体ガス、Ｃ
Ｈａ以外のＣ＊Ｈｂ 、Ｃ５Ｈｓ等の低級炭化水素ガス
が使用可能である。更にドーピングされる不純物は上記
ボロン、アルミニウム以外にもガリウム、インジウム等
の他の周期表第ＩＩＩａ族元素、リン以外のヒ素、アン
チモン等の他の周期表第Ｖａ族元素が使用可能である。
次に、本発明を電子写真感光体に適用した例を具体的に
説明する。
説明する。
グロー放電分解法によりＡｎ支持体上に第１図の構造の
電子写真感光体を作製した。先ず平滑な表面を持つ清浄
なＡＩ支持体をグロー放電装置の反応（真空）槽内に設
置した。反応槽内を１０−’Ｔｏｒｒ台の高真空度に排
気し、支持体温度を２００℃に加熱した後、高純度Ａｒ
ガスを導入し、Ｑ、５ Ｔｏｒｒの背圧のもとて周波数
１３．５６ ＭＨｚ、電力密度０．０４Ｗ／艷の高周波
電力を印加し、１５分間の予備放電を行った０次いで、
Ｓ ｉ Ｈ，とＣＨ，からなる反応ガスを導入し流量比
３ ： １ ： ０．５〜０．０５の（Ａｒ＋ Ｓ ｉ
Ｈａ ＋ ＣＨａ ）混合ガス及びＰＨｓ又はＢ ｔ
Ｈ＆ガスをグロー放電分解することにより、キャリア
注入を防止するａ−３ｉＣ：Ｈ層を１０００人／−１％
の堆積速度で製膜した０反応槽を一旦排気した後、ＣＨ
，は供給せず、ＡｒをキャリアガスとしてＳ ｉ Ｈ，
及び／又はＧｅＨ４及びＢ ！ Ｈ＆を放電分解し、ボ
ロンドープドａ−３ｔ：Ｈ及びａ −３ｉＧｅ：Ｈ光導
電層を形成した（ａ−３Ｌ：Ｈ層ではＡｒ ：５ｉＨｓ
−５＝１、ａ−３ｔＧｅ：Ｈ層ではＡｒ ： ＳｉＨ４
：ＧｅＨａ ＝２５： ４ ：ＩＬ Ｌ／かる後、Ｎ８
を供給し、今度は流量比５：１：４〜０．５の（Ａｒ
＋ Ｓ ｉ Ｈａ ＋ Ｎｚ ）の混合ガス及びＢ、Ｈ
，をグロー放電分解し、ａ−３ｉＮ：Ｈ表面改質層を更
に設け、電子写真感光体を完成させた。このａ−３ｉＮ
：Ｈ表面改質層の光学的エネルギーギャップは２．５〜
２．ＯｅＶであった。また、窒素組成が４０〜６０ａｔ
ｏ■ｉｃ％であることが分析によりわかった。
電子写真感光体を作製した。先ず平滑な表面を持つ清浄
なＡＩ支持体をグロー放電装置の反応（真空）槽内に設
置した。反応槽内を１０−’Ｔｏｒｒ台の高真空度に排
気し、支持体温度を２００℃に加熱した後、高純度Ａｒ
ガスを導入し、Ｑ、５ Ｔｏｒｒの背圧のもとて周波数
１３．５６ ＭＨｚ、電力密度０．０４Ｗ／艷の高周波
電力を印加し、１５分間の予備放電を行った０次いで、
Ｓ ｉ Ｈ，とＣＨ，からなる反応ガスを導入し流量比
３ ： １ ： ０．５〜０．０５の（Ａｒ＋ Ｓ ｉ
Ｈａ ＋ ＣＨａ ）混合ガス及びＰＨｓ又はＢ ｔ
Ｈ＆ガスをグロー放電分解することにより、キャリア
注入を防止するａ−３ｉＣ：Ｈ層を１０００人／−１％
の堆積速度で製膜した０反応槽を一旦排気した後、ＣＨ
，は供給せず、ＡｒをキャリアガスとしてＳ ｉ Ｈ，
及び／又はＧｅＨ４及びＢ ！ Ｈ＆を放電分解し、ボ
ロンドープドａ−３ｔ：Ｈ及びａ −３ｉＧｅ：Ｈ光導
電層を形成した（ａ−３Ｌ：Ｈ層ではＡｒ ：５ｉＨｓ
−５＝１、ａ−３ｔＧｅ：Ｈ層ではＡｒ ： ＳｉＨ４
：ＧｅＨａ ＝２５： ４ ：ＩＬ Ｌ／かる後、Ｎ８
を供給し、今度は流量比５：１：４〜０．５の（Ａｒ
＋ Ｓ ｉ Ｈａ ＋ Ｎｚ ）の混合ガス及びＢ、Ｈ
，をグロー放電分解し、ａ−３ｉＮ：Ｈ表面改質層を更
に設け、電子写真感光体を完成させた。このａ−３ｉＮ
：Ｈ表面改質層の光学的エネルギーギャップは２．５〜
２．ＯｅＶであった。また、窒素組成が４０〜６０ａｔ
ｏ■ｉｃ％であることが分析によりわかった。
こうした感光体について、各層の組成を第４図の如くに
変化させ、夫々次の測定を行なった。
変化させ、夫々次の測定を行なった。
帯電電位Ｖｏ（Ｖ）：感光体流れ込み電流２００μＡ露
光なしの条件で３６０ ＳＸ型 電位計（トレック社製）で 測定した現像直前の感光体 表面電位。
光なしの条件で３６０ ＳＸ型 電位計（トレック社製）で 測定した現像直前の感光体 表面電位。
半減露光量 ：強度１μＷ／ｃｓｌ、波長７５０ｎ
■Ｅ ’Ａ （ｅｒｇ／ｃｄ） の光照射により表
面電圧を５００ｖから２５０ｖに半減す るのに必要な露光量。
■Ｅ ’Ａ （ｅｒｇ／ｃｄ） の光照射により表
面電圧を５００ｖから２５０ｖに半減す るのに必要な露光量。
残留電位Ｖｌ（Ｖ）：露光後、４００ｎ−にピークを持
つ光除電光３０１ ｕｘ・ｓｅｃ 照射後の表面電位。
つ光除電光３０１ ｕｘ・ｓｅｃ 照射後の表面電位。
画 質 ：感光体に１０μＷ／ｃｓｉ、波長７
５０ｎ−の露光を行ない、静 電増像を形成した後、帯電 極性に対応して、負あるい は正極性トナーで２成分磁 気ブラシ現像し、転写紙に 転写、定着したところ、画 像濃度が高くカブリのない 鮮明な画像を得ることかで きた。繰り返しコピー操作 を２０万回行なった後のコピ 、−の画質
を判定した。
５０ｎ−の露光を行ない、静 電増像を形成した後、帯電 極性に対応して、負あるい は正極性トナーで２成分磁 気ブラシ現像し、転写紙に 転写、定着したところ、画 像濃度が高くカブリのない 鮮明な画像を得ることかで きた。繰り返しコピー操作 を２０万回行なった後のコピ 、−の画質
を判定した。
Ｏ画像濃度が十分高（、解像
度、階調性がよく、鮮明で
画像上に白スジや白ポチが
ない、即ち、画像極めて血
好。
０ 画像良好。
Δ 画像実用上採用可能。
× 画像実用上採用不可能。
本発明に基く感光体は、第４図のように、露光時の半減
露光量は少なく、残留電位は少なく、帯電・露光の繰返
し特性も非常に良好であった。
露光量は少なく、残留電位は少なく、帯電・露光の繰返
し特性も非常に良好であった。
図面は本発明を例示するものであって、第１図は電子写
真感光体の一部分の断面図、第２図は光の波長による各
感光体の光感度を示すグラフ、 第３図は上記感光体を製造するグロー放電装置の概略断
面図、 第４図は電子写真感光体の特性を比較して示す図 である。 なお、図面に示されている符号において、１ −−−−
−−−−一支持体（基板）２−・−−−−−・電荷ブロ
ッキング層３−−−−−−−−−ａ −Ｓ ｉ ： Ｈ
層４−−−−−−−−−一表面改質層 ５ ・−−−−−−−−ａ −Ｓ ｉ Ｇｅ ： Ｈ層
６ ・−−−−−−−−・光導電層 である。
真感光体の一部分の断面図、第２図は光の波長による各
感光体の光感度を示すグラフ、 第３図は上記感光体を製造するグロー放電装置の概略断
面図、 第４図は電子写真感光体の特性を比較して示す図 である。 なお、図面に示されている符号において、１ −−−−
−−−−一支持体（基板）２−・−−−−−・電荷ブロ
ッキング層３−−−−−−−−−ａ −Ｓ ｉ ： Ｈ
層４−−−−−−−−−一表面改質層 ５ ・−−−−−−−−ａ −Ｓ ｉ Ｇｅ ： Ｈ層
６ ・−−−−−−−−・光導電層 である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ （ａ）、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シ
リコンゲルマニウムからなる第１層と、アモルファス水
素化及び／又はフッ素化シリコンからなる第２層との積
層体によって構成された光導電層と、 （ｂ）、この光導電層上に形成され、アモルファス水素
化及び／又はフッ素化窒化シリコンからなる表面改質層
と、 （ｃ）、前記光導電層下に形成され、アモルファス水素
化及び／又はフッ素化炭化又は窒化シリコンからなり、
かつ周期表第IIIａ族又は第Ｖａ族元素がドープされた
電荷ブロッキング層と を有する感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8506085A JPS61243461A (ja) | 1985-04-20 | 1985-04-20 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8506085A JPS61243461A (ja) | 1985-04-20 | 1985-04-20 | 感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61243461A true JPS61243461A (ja) | 1986-10-29 |
Family
ID=13848090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8506085A Pending JPS61243461A (ja) | 1985-04-20 | 1985-04-20 | 感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61243461A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5514507A (en) * | 1993-05-27 | 1996-05-07 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor with amorphous Si-Ge layer |
-
1985
- 1985-04-20 JP JP8506085A patent/JPS61243461A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5514507A (en) * | 1993-05-27 | 1996-05-07 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor with amorphous Si-Ge layer |
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