JPS62211660A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡｓ　ｓ
　Ｔｅ　ｓ　Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄ
Ｓを樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られてい
る。　しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱
的安定性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−８ｔと称する
。）を母体として用いた電子写真感光体が近年になって
提案されている。　ａ−８ｔは、５ｔ−８ｉの結合手が
切れたいわゆるダングリングボンドを有しており、この
欠陥に起因してエネルギーギャップ内に多くの局在準位
が存在する。

このために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵
抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされ
て光導電性が悪くなっている。　そこで、上記欠陥を水
素原子（Ｈ）で補償してＳＬにＨな結合させることによ
って、ダングリングボンドを埋めることが行われる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
ｔ：Ｈと称する。）は、光感度が良好である上に無公害
性、良耐刷性等の面で注目されている。　　しかし、ａ
−８ｔ：Ｈは７５０〜８００　ｎｍ（近赤外）の波長の
光に対しては可視域の光に対するより１ケタ程感度が悪
いことが知られている。

従りて、情報信号を電気的に処理してハードコピーとし
て出力するための情報末端処理機において半導体レーザ
ーを記録光源として用いる場合には、実用的な情報記録
用の半導体レーザーはＧａＡＩＡａを構成材料としたも
のであってその発振波長は７６０〜８２０ｎｍ′ｃある
から、この種の情報記録にとりてａ−８ｔ：Ｈは感度不
十分となり、不適当である。　Ｓｅ系の感光体の場合に
は、有機光導電材料からなる感光体に比べて感度が大き
いものの、処理速度の高速化に対応するためには長波長
領域での感度がやはり不十分である。

そこで、ａ−８ｔ：Ｈの優れた光導電性又は光感度を生
かしつつ長波長領域の感度を向上させるために、アモル
ファス水氷化シリコンゲルマニウム（以下、ａ−８ｉＧ
ｅ：Ｈと称する。）を光導電層に用いることが考えられ
る。　つまり、ａ　−Ｓ　ｉＧｅ：Ｈは６００〜８５０
　ｎｍの波長域で光感度が良好である。　　ａ−８ｉＧ
ｅを使用した例として、ａ−８ｉＧｅ層上に電荷輸送層
を形成し、これら両層間の境界領域の組成を連続的に変
化させたものがあるが、これでは、製膜の制御性が困難
になる。

ハ０発明の目的 本発明の目的は、特に近赤外の領域での感度に優れ、か
つ帯電電位、暗減衰等の電荷保持特性や耐久性の良い感
光体を提供することにある。

二１発明の構成及び作用効果 即ち、本発明は、炭素原子と窒素原子と酸素原子とのう
ち少なくとも１種を含有するアモルファス水素化及び／
又はハロゲン化シリコンからなる電荷輸送層と、アモル
ファス水素化及び／又はハロゲン化シリコンゲルマニウ
ムからなる電荷発生層とを有し、前記電荷輸送層と前記
電荷発生層との間に少なくとも１つの中間層がこの１層
中ではほぼ均一組成に設けられ、この中間層とこれに隣
接する層との間のφ（但し、φはフェルミ準位と価電子
帯とのエネルギーギャップである。）の差が０．１ｅＶ
以下である感光体に係る。

本発明によれば、電荷発生層がアモルファス水素化及び
／又はハロゲン化シリコンゲルマニウムからなりている
ので、近赤外領域での感度向上を実現した感光体を提供
できる。　例えば、ａ　−８ｉＧｅ　：　ＩＩの有する
比較的長波長域（例えば６００〜８５０　ｎｍ　）での
高感度特性を生かしながら、高い電荷保持性や膜付き等
を特に電荷輸送層で実現しており、これまで知られてい
るものに比べて特性を十分に満足した有用な感光体を提
供することができる。

また、本発明の感光体は、電荷発生層と電荷輸送層とを
分離した機能分離型のものであり、特に電荷輸送層はＣ
，Ｎ、０の少なくとも１種を含有するアモルファスシリ
コン層で形成されているので、電荷輸送能等が良好とな
り、帯電電位を高くし、暗減衰を少なくできる。

更に、本発明では、上記の中間層の存在によって、隣接
層間のエネルギーギャップが小さくなり、スパイク（バ
ンドの不連続化）等の発生を少なくできる。　この結果
、キャリアの移動をスムーズにして高感度化、低残留電
位を実現でき、かつ各層間の接着性も良くなり、耐久性
が大きく向上する。　このために−上記のφの差を０．
１ｅＶ以下とすることが必須不可欠である。　また、上
記φの差が小さ過ぎると、キャリアがスムーズに移動し
難くなるので、上記φの差は０．０１　ｅＶ以上とする
のが望ましい。

しかもこの中間層は１層中ではほぼ均一組成に形成され
ているので、後述する製膜な非常に行ない易いという優
れた利点がある。　通常、ａ−８ｔ系材料で連続製膜し
、積層する場合、０．０２μｍ程度の境界層が存在する
。　これを考慮し、中間層厚としてはこの境界層を含め
てＯ，ＯＳ〜２μｍが好ましい。　更に好適には０．１
〜１μｍとするのが望ましい。

ホ、実施例 以下、本発明による感光体を詳細に説明する。

本発明による感光体は、例えば第１図に示す如く、導電
性支持基板１上に、Ｃ，Ｎ及び０の少なくとも１種を含
有する例えばａ−８ｉＣ：Ｈ又はａ−８ｉＮ：Ｈからな
る電荷輸送層２、中間層６、ａ　　５ｉＧｅ：Ｈ層３、
Ｃ，Ｎ、０又はＧｅを含有する例えばａ−８ｉＣ：Ｈか
らなる表面改質層４が順次積層せしめられたものからな
っている。

また、基板１からのキャリアの注入を防止して表面電位
を十分に保持するのに、Ｃ，Ｎ又はＯを含有する例えば
ａ−８ｉＣ：Ｈ又はａ−８ｉＮ：Ｈからなる電荷ブロッ
キング層８を破線の如くに形成し、周期表第ＶＡ族元素
の含有によってＮ型導電特性を、或いはＩＩＩＡ族元素
の含有によりてＰ型導電特性を示すのがよい。　また、
その厚みは４００八〜２μｍであるのが望ましい。　電
荷輸送層２は主として電位保持、電荷輸送機能を有し、
１０〜３０μｍの厚みに形成されるのがよい。

一方、電荷発生層であるａ−８ｉＧｅ：Ｈ層３は光照射
に応じ【電荷担体（キャリア）を発生させるものであっ
て、特に６００〜８５０　ｎｍの長波長域で高感度を示
し、その厚みは１μｍ以上であればよい。　この層３は
全体の厚みは２〜１０μｍであるのが望ましい。

更に、ａ−８ｉＣ：Ｈ層４はこの感光体の表面電位特性
の改善、長期に亘る電位特性の保持、耐環境性の維持（
湿度や雰囲気、コロナ放電で生成される化学種の影響防
止）、炭素含有による結合エネルギーの向上で表面硬度
が高くなることによる機械的強度及び耐刷性の向上、感
光体使用時の耐熱性の向上、熱転写性（特に粘着転写性
）の向上等の機能を有し、いわば表面改質層として働く
ものである。　そして、このａ−８ｉＣ：Ｈ層４の厚み
を４００〜５０００ＡＶＣ選択することが重要である。

本実施例の感光体において注目すべきことは、層２−３
間に中間層６を設け、この中間層によって各層間のφを
０．１ｅ’Ｖ以下に設定していることである。　このた
めに、中間層６を両層２−３の中間組成で形成している
。

次に、本例による第１図の感光体の各層を更に詳しく説
明する。

ａ−８ｉＣ：Ｈ層（表面改質層）４ このａ−８ｉＣＳＨ層４は感光体の表面を改質してａ　
−Ｓ　ｉ系感光体を実用的に優れたものとするために必
須不可欠なものである。　即ち、表面での電荷保持と、
光照射による表面電位の減衰という電子写真感光体とし
ての基本的な動作を可能とするものである。　従りて、
帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり、長期間
（例えば１力月以上）放置しておいても良好な電位特性
を再現できる。　これに反し、ａ−８ｔ：Ｈを表面とし
た感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影
響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる。　ま
た、ａ−８ｉＣ：Ｈは表面硬度が高いために、現像、転
写、クリーニング等の工程における耐摩耗性に優れ、数
十刃口の耐刷性かあり、更に耐熱性も良いことから粘着
転写等の如く熱を付与するプロセスを適用することがで
きる。

このような優れた効果を総合的に奏するためには、ａ−
８ｉＣ：Ｈ層４の膜厚を上記した４００〜５０００　Ａ
の範囲内に選択することが重要である。

即ち、その膜厚を５ｏｏｏ　Ａを越えた場合には、残留
電位が高くなりすぎかつ感度の低下も生じ、ａ　−Ｓ　
ｉ系感光体としての良好な特性を失なうことがある。　
また、膜厚を４００Ａ未満とした場合には、暗減衰の増
大や光感度の低下が生じてしまう。

また、このａ−８ｉＣ：Ｈ層４　については、上記した
効果を発揮する上でその炭素組成を選択することも重要
であることが分った。　組成比をａ−８ｉ＋−ｘｃｘ　
：Ｈと表わせば、Ｘを０．２〜０．８とすること（Ｓｔ
　＋　Ｃ＝　１００　ａｔｏｍｉｃ　１％としたときに
炭素原子含有量が２０　ａｔｏｍｉｃチ〜８０　ａｔｏ
ｍｉｃチであること）が望ましい。

なお、このａ−８ｉＣＳＨ層は、他の層と同様に水素を
含有することが必須であり、その水素含有量は通常１〜
４０　ａｔｏｍｉｃ％、更に１０〜３０ａｔｏｍｉｃチ
とするのがよい。

また、表面改質層４は、上記以外にも、Ｃに代えてＮ又
はＯを含有し、更にはＧｅも含有するものであってよく
、この場合でもＳｔ　は２０〜８０ａｔｏｍｉｃチとす
る。

電荷輸送層２ この層２は電位保持及び電荷輸送の両機能を担い、暗所
抵抗率か１０　Ω−ｃｍ以上であって、耐高電界性を有
し、単位膜厚当りに保持される電位が大きく、しかも感
光層から注入される電子又はホールが大きな移動度と寿
命を示すので、電荷担体を効率良く支持体１側へ輸送す
る。　また、炭素又は窒素の組成によってエネルギーギ
ャップの大きさを調整できるため、感光層において光照
射に応じて発生した電荷担体に対し障壁を作ることなく
、効率良く注入させることができる。　従りて、この層
２は実用レベルの高い表面電位を保持し、感光層で発生
した電荷担体を効率良く速やかに輸送し、高感度で残留
電位のない感光体とする働きがある。

こうした機能を果すために、層２の膜厚は、例えばカー
ルソン方式による乾式現像法を適用するためには１０〜
３０μｍであることが望ましい。　この膜厚が１０μｍ
０μｍ未満と現像に必要な表面電位が得られず、また３
０μｍを越えると電荷発生層で発生したキャリアの基板
への到達率が低下してしまう。　但、このａ−８ｉＣ：
Ｈ又はａ−８ｉＮ：Ｈ層の膜厚は、Ｓｅ感光体と比較し
て薄くしても（例−えば十数μｍ）実用レベルの表面電
位が得られる。

また、この層２をａ−８ｈ％−ｘｃｘ　：Ｈ又はａ−８
ｈ−ｙＮｙ　：　Ｈと表わしたとき、０．１≦Ｘ≦０．
６．０．１≦ｙ≦０．６（炭素又は窒素原子含有量がＳ
ｉ　＋Ｃ（又はＮ　）　＝　１００　ａｔｏｍｉｃ　’
４としたときに１０〜６゜ａｔｏｍｉｃ　％　）とする
のが望ましい。　　ｏ、ｉ≦ｘ１０．１≦ｙとすれば層
２の電気的、光学的特性をａ−８ｉＧｅ：Ｈ層３とは全
く異なったものＫできる。　！＞０．６、ｙ＞０．６の
ときは層の電荷輸送能が低下するので、Ｘ≦０．６、ｙ
≦０．６とするのがよい。

なお、電荷輸送層２は、ａ　−Ｓ　ｉ　Ｏで形成して良
い。　また、ａ−８ｉＣ，ａ−８ｉＮに更にＯを含有せ
しめたもので形成して良い。　更にＧｅを０〜３０　ａ
ｔｏｍｉｃチ含有して良い。

また、電荷輸送層２には、硼素等周期表第ｍＡ族元素を
５００−以下、好ましくは０．５〜５００　ｐｌｌｌを
ドープして（このドープ量は後述のグロー放電時のガス
流量比で示す：以下同じ）光感度の向上を図るのが良い
。

電荷ブロッキング層８ この層８はブロッキング及び下びき層として用いられ、
その膜厚は４００＾〜２μｍとすることが望ましい。　
即ち、４００Ａ未満では電荷のブロッキング効果が少な
く、また膜付き及び基板との接着性を良くするにも４０
０　Ｘ以上にするのがよい。

他方、膜厚が２μｍを越えると、ブロッキング効果は良
いが、逆に感光体全体としての光感度が悪くなり、また
製膜時間が長くなり、コスト的にみて不利である。　周
期表第ｍＡ族元素は５０〜１０．０００　ｐｐｍ、第Ｖ
Ａ族元素は１０〜１０，０００−含有し、Ｓ　ｉ　ｎ　
４０〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％とするのがよい。

このブロッキング層の炭素又は窒素含有量も層２と同じ
く５〜３０　ａｔｏｍｉｃチ、好ましくは１０〜２゜ａ
ｔｏｍｉｃ　％とするのがよい。

電荷発生層３ ａ−８ｉＧｅ：Ｈ層３は、近赤外波長の光に対して第３
図の如く高い光導電性を示すことが分っており、ａ−８
ｔ：Ｈｋ比べると、特に７５０〜８ｏ。

ｎｍの光に対して十分な光感度（半減露光量（ｅｒｇ　
／ｃ＋ａ　）の逆数）を有している。

電荷発生層全体の厚みは、特に２〜１０μｍとするのが
よい。　膜厚が２μｍ未満であると、照射された光は効
率良く吸収されず、一部分は下地の層２１Ｃ到達するた
め光感度が低下する。　またａ　　５ｉＧｅ：Ｈ層自体
は電位保持性を有していなくてよいから感光層としては
必要以上の厚さにす光を十分ＶＣ吸収できない。

ａ−８ｈＧｅ層３は、Ｓｉ　：　Ｇ＝　（０，９：　０
．１　）〜（０，４：　０．６　）としてよい。　層３
には、周期表第ＨＡ族元素θ〜５０ｐｐｌをドープした
り、Ｃ１Ｎ又は０が５　ａｔｏｍｉｃ　Ｔｏ以下含有さ
れていてもよい。

また、この電荷発生層（上記した層２．４も同様）には
その電荷保持性を高めるために、その製膜時に例えば周
期表第１ＩＩＡ族元素（Ｂ、ＡＩ、Ｇａ。

Ｉｎ等）をドープして抵抗を高めておくのが有効である
。　ａ−８ｉＧｅ：Ｈ層３の膜特性は、後述する製造方
法における基板温度、高周波放電ノζワー等の製膜条件
によって大きく異なる。　組成的にみれば、Ｇｅ含有量
は０．１〜５０　ａｔｏｍｉｃ　’／ｂ　（Ｓ　ｉ＋　
Ｇｏ　＝　１００　ａｔｏｍｉｃ％）に設定するのがよ
い。

即ち、０．１　ａｔｏｍｉｃ　４未満では長波長感度が
それ稚内上せず、５０　ａｔｏｍｉｃ　％を越えると感
度低下が生じ、膜の機械的特性、熱的特性が劣化する。

また、ａ−８ｉＧｅ：Ｈ及びａ−８ｔ：ＨのＳｔとて多
いことが望ましい。　Ｓｔと結合するＨの量はＳＬに対
して１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％であるのがよい。

これらの条件が満たされたとき、ρＤ／ρ１０大きい感
光体となるので望ましい。

中間層に れらの中間層は、両層２−３間のφの差をみかけ上０．
１ｅＶ以下としてキャリアを動き易くするために極めて
重要である。　このために、中間層６は、電荷輸送層２
の化学組成とａ−８ｉＧｅ：Ｈ層３の化学組成との中間
の化学組成を有するものとする。　例えば中間層６中に
ドープする不純物としては、周期表第■Ａ族元素を１０
０〜４００騨ドープする。

そのほか、中間層６は次のように選択できる。

（以下余白、次頁に続く） なお、上記の中間層６は、単一層からなっているが、複
数層からなっていて良い。

上記のφについては、第４図に示すように、隣接する第
１層（例えば上述の３）と第２層（例えハ上述の６）と
についてそのフェルミ準位と価電子帯のレベルとの差で
あるφ１、φ、とし【定義する。　φ１、φ２は公知の
方法によって暗状態の電気伝導度の温度依存性の測定に
基いて求められる。　また、元素含有量の定量は、アル
パック−７アイ株式会社製の走査型オージェ電子分光分
析装置「マルチプローブ６００」を用いて行った。

この装置を用いて、Ａｒ　　（４ｋｅＶ）イオンビーム
を０．２μＡとしてスパッタを行い、電子ビーム（３ｋ
ｅＶ、０．１ａＡ）を励起としてオージェ電子を通常の
方法により測定した。　元素含有量の算出に当たりては
、ＰＨＩオージェハンドブックの感度係数の値を用い、
主要元素Ｓｉ＋Ｃ＋Ｎ＋Ｇｅ　＋　０　＝＝　１００　
ａｔｏｍｉ　ｃ　％として行った。

なお、上記において、ダングリングボンドを補償するた
めには、ａ　−Ｓ　ｉに対しては上記したＨの代りに、
或いはＨと併用してフッ素等のハロゲン原子を導入し、
例えばａ−８ｉＧｅ　：Ｆ、ａ−５ｉＧｅ　：Ｈ：Ｆ％
ａ−８ｔ　：Ｆ、ａ−８ｉ　：Ｈ：Ｆ。

ａ−８ｔＣ：　Ｆ、ａ−８ｉＣ：Ｈ：　Ｆ等とすること
もできる。　　この場合のフッ素量は０．０１〜２０ａ
ｔｏｍｉｃ％がよく、０．５〜１０　ａｔｏｍｉｃ　％
が更によい。

第２図は他の例による感光体を示すが、第１図の感光体
とは異なり、電荷輸送層２が表面側に存在しており、こ
の下側にａ　　５ｉＧｅ層３及び中間層６が夫々形成さ
れている。　このような構成でも、上記と同様の作用効
果が得られる上に、電荷輸送層が表面側にあるために耐
久性、耐刷性が良くなる。　表面には更に、破線で示す
表面改質層４を形成するとなお良い。　ブロッキング層
８は必ずしも設けなくてもよい。

次に、本発明による感光体を製造するのに使用可能な装
置、例えばグロー放電分解装置を第５図について説明す
る。

この装置６１の真空槽６２内では、ドラム状の基板１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター６５で基板１を
内側から所定温度に加熱し得るようになっている。　基
板１に対向してその周囲に、ガス導出口６３付きの円筒
状高周波電極６７が配され、基板１との間に高周波電源
聞によりグロー放電が生ぜしめられる。　なお、図中の
７２はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の供給源、７
３はＧ　ｅ　Ｈ４又はガス状ゲルマニウム化合物の供給
源、７４はＮ３、ＮＨ，等の窒素化合物ガスの供給源、
７５はＯＨ，等の炭化水素ガスの供給源、７６はＯ１供
給源、７７はＮ１等のキャリアガス供給源、７８は不純
物ガス（例えばＢ、Ｈ，）供給源、７９は不純物ガス（
例えばＰＨ，）供給源、（資）は各流量計である。　こ
のグロー放電装置において、まず支持体である例えばＡ
Ｉ基板１の表面を清浄化した後に真空槽６２内に配置し
、真空槽６２内のガス圧が１０”−’Ｔｏｒｒとなるよ
うに調節して排気し、かつ基板１を所定温度、特に１０
０〜３５０℃（望ましくは１５０〜３００℃）に加熱保
持する。　次いで、高純度の不活性ガスをキャリアガス
として、５ｉＨ＝又はガス状シリコン化合物、Ｇ　ｅ　
Ｈａ又はガス状ゲルマニウム化合物、Ｂ、Ｈ，、ＣＨ，
、又はＮ、を適宜真空槽６２内に導入し、例えば０．０
１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源器により高周
波電圧（例えば１３．５６　ＭＨｚ　）を印加する。　
これによって、上記各反応ガスを電極６７と基板１との
間でグロー放電分解し、ボロンドープドａ−８ｉＧｅ　
：　Ｈ（Ｓｔ　：　Ｇｅ＝０．６　：　０．４　）、ボ
ロンドープドａ　　Ｓ　ｉ　ＣＧ　ｅ　：　Ｈ％ボロン
ドープドミー８ｉＣ：Ｈを上記の層３．６．２として基
板上に連続的に（即ち、第２図の例に対応して）堆積さ
せる。　これを層構成Ａとする。

また、上記の各層の順を変え、基板上に層２、層６、層
３、層４の順に連続的に（即ち、第１図の例に対応して
）堆積させ、これを層構成りとする。

このようにグロー放電分解で各層を形成するに際し、ジ
ボランとシリコン化合物（例えばモノシラン）の流量比
を適切に選ぶことが必要である。

負帯電用の感光体とする場合ａ−３ｉＣ：Ｈ電荷ブロッ
キング層８を形成するのがよいが、この際に、ＰＨ，（
ホスフィン）と５ｉ）（、（モノシラン）との流量比を
変えた場合、ＰＨ，によるリンドープの結果、Ｎ型の導
電性が安定化する領域に於いて、上記した基板からのキ
ャリアの注入を十分に防止できるブロッキング層とする
にはＰ　Ｈａ　／ｓ　ｔ　ａ　４の流量比は１０〜１０
，０００容量騨にするのがよい。

また、ボロンドープによる正帯電用のＰ型化の場合、Ｂ
　＊　Ｈａ　／　Ｓ　ｉ　Ｈ４＝　５０〜１０，０００
容量−としてグロー放電分解するのがよい。

一方、上記の層２．３の形成時に行なうボロンドーピン
グ量については、所望の暗抵抗値を得るために適切に選
択する必要があり、ジボランの流量で表わしたときに層
２ではＢ＊Ｈ＊　／ＳｉＨ４≦５００容量四であるのが
望ましく、層３ではＢ、Ｈ。

／ＳｉＨ，≦５０容量−としてよい。　中間層６のドー
ピング量にライては、Ｂ＊　Ｈｌ　／　Ｓ　ｉＨａ　＝
１００〜４００酵としてよい。　電荷輸送層２又はａ−
８ｉＧｅ：Ｈ層３のドーピング量と中間層６のドーピン
グ量との関係は、層間でφの差を０．１ｅＶ以下とする
ためｋは、以下のようにすればよい。

層２のドーピング量を：Ｌ：＊、層３のドーピング量を
３ｃ、、層６のドーピング量をＸ、とじたとき、Ｘ、≦
ｘ１≦１００　：ｃ− ２、≦Ｘ・≦１００　ｘ＝ の範囲になるように、３：１、Ｘ３、Ｘ、を設定すれば
よい。

また、表面改質層４にも、同様にボロンドープをＢＡＨ
＠　／ＳｉＨ４＝０．１〜１０容量−で行なうこともで
きる。

但し、上記した不純物ドーピング量の最適範囲は、層の
Ｎ、Ｃ，Ｈ含有量に依存するので、上記した範囲内で適
宜選択する。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、蒸着法やスパッタリング法、イオンブレーティ
ング法等によっても上記感光体の製造が可能である。　
使用する反応ガスは５ｉＨａ以外にもＳｉ＊Ｈａ、５ｉ
ＨＦ、、ＳｉＦ４又はその誘導体ガス、ＣＨ，以外のＣ
，Ｈ，、Ｃ，Ｈ，等の低級炭化水素ガスが使用可能であ
る。　更にドーピングされる不純物は上記ボロン以外に
も、アルミニウム、ガリウム、インジウム等の他の周期
表第ＨＡ族元素、ブロッキング層の不純物としてはリン
以外のヒ素、アンチモン等の他の周期表第ＶＡ族元素が
使用可能である。

次に、上記の如くにしてグロー放電分解により形成した
層構成Ａ及びＢの感光体について、ボロンドープ量（９
１１ｍ）、各層間のφの差（Δφ）を第６図に示し、か
つ次の各特性も併せて示す。

但し、いずれの感光体も、電荷発生層３を厚さ３μｍの
ａ−８ｉ　　Ｇｅ”Ｈ層とし、中間層６０．６　　　０
．４　　。

を厚さ０．５μｍの’−８’０．５６Ｃ０，０６ＧｅＯ
０３８層とし、電荷輸送層２を厚さ１９μｍの＆　　Ｓ
ｔ　ｏ、　ｓＣｏ、　１：Ｈ層としている。　層構成り
の感光体には、最浅に厚さ０．２μｍのａ　−Ｓ　ｉ　
Ｃ表面改質層を設けである。

帯電電位Ｖｏ（Ｖ）：感光体流れ込み電流２００μＡ、
露光なしの条件で３６０８Ｘ匿 電位計（トレック社製）で 測定した現像直前の感光体 表面電位。

半減露光量 ｇ％　（１ｕｘ１１ｓｅｃ）　：強度１μＷ　／　ｃＪ
、波長７５０ｎｍの光照射により表面電圧を ５００ｖから２５０ｖに半減す るのに必要な露光量。

耐刷性：小西六社製の複写機Ｕ　−Ｂ　ｉ　ｘ　２５０
０　ＭＲ改造機を用いて、２０万コピーの実写を行い、
画質を判定するととにより耐刷性を判断した。

○：画質良行（２０万コピー後） Δ：若干膜はがれ、キズ発生（２０万コピー後）×：膜
はがれ、キズが著しい（２０万コピー後）残留電位：感
光体に２２１ｕｘｅｓｅｃ　（５５５ｍｍピーク）の光
量を照射後の感光体表面電位。

この結果から、本発明に基いて、ΔφをＯ，ｉｅＶ以下
とした感光体は、高帯電能であって、高感度、良耐刷性
を示すことが明らかである。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明を例示するものであって、第１図及び第２
図は電子写真感光体の一部分の断面図、 第３図は光の波長による各感光体の光感度を示すグラフ
、 第４図は隣接し合う層の各エネルギーノ（ンド図、第５
図は上記感光体を製造するグロー放電装置の概略断面図
、 第６図は電子写真感光体の特性を比較して示す図 である。 なお、図面に示されている符号において、１・・・・・
・・・・支持体（基板） ２・・・・・・・・・電荷輸送層 ３・・・・・・・・・ａ−８ｉＧｅ：Ｈ層４・・・・・
・・・・表面改質層 ６・・・・・・・・・中間層 ８・・・・・・・・・電荷ブロッキング層である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、炭素原子と窒素原子と酸素原子とのうち少なくとも
   １種を含有するアモルファス水素化及び／又はハロゲン
   化シリコンからなる電荷輸送層と、アモルファス水素化
   及び／又はハロゲン化シリコンゲルマニウムからなる電
   荷発生層とを有し、前記電荷輸送層と前記電荷発生層と
   の間に少なくとも１つの中間層がこの１層中ではほぼ均
   一組成に設けられ、この中間層とこれに隣接する層との
   間のφ（但し、φはフェルミ準位と価電子帯とのエネル
   ギーギャップである。）の差が０．１ｅＶ以下である感
   光体。