JPS62184465A

JPS62184465A - 感光体

Info

Publication number: JPS62184465A
Application number: JP61027341A
Authority: JP
Inventors: Shigeki Takeuchi; 茂樹竹内; Yoshihide Fujimaki; 藤巻　義英
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1986-02-10
Filing date: 1986-02-10
Publication date: 1987-08-12

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】イ、産業上の利用分野本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

口、従来技術従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡ　ｓ　
ＳＴ　ｅ　ｓ　Ｓ　ｂ等をドープした感光体、ＺｎＯや
Ｃ，ｄＳを樹脂バインダーに分散させた感光体等が知ら
れている。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性
、熱的安定性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと称する
。）を母体として用いた電子写真感光体が近年になって
提案されている。ａ−３ｉは、５ｔ−３ｉの結合手が切
れたいわゆるダングリングボンドを有しており、この欠
陥に起因してエネルギーギャップ内に多くの局在準位が
存在する。

このために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵
抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされ
て光導電性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素
原子（Ｈ）で補償してＳｉにト■を結合させることによ
って、ダングリングボンドを埋めることが行われる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｉ：Ｈと称する。）は、光感度が良好である上に無公害
性、良耐剛性等の面で注目されている。しかし、ａ−３
ｉ：Ｈは７５０〜８００　ｎｍ　（近赤外）の波長の光
に対しては可視域の光に対するより１ケタ程感度が悪い
ことが知られている。従って、情報信号を電気的に処理
してハードコピーとして出力するための情報末端処理機
において半導体レーザーを記録光源として用いる場合に
は、実用的な情報記録用の半導体レーザーはＧａＡ７！
Ａｓを構成材料としたものであってその発振波長は７６
０〜８２０　ｎｍであるから、この種の情報記録にとっ
てａ−３ｉ：Ｈは感度不十分となり、不適当である。

Ｓｅ系の感光体の場合には、有機光導電材料からなる感
光体に比べて感度が大きいものの、処理速度の高速化に
対応するためには長波長領域での感度がやはり不十分で
ある。

そこで、ａ−３ｉ：Ｈの優れた光導電性又は光感度を生
かしつつ長波長領域の感度を向上させるために、アモル
ファス水素化シリコンゲルマニウム（以下、ａ−３ｉＧ
ｅ：Ｈと称する。）を光導電層に用いることが考えられ
る。つまり、ａ　−３ｉＧｅ：Ｈは６００〜８５０　ｎ
ｍの波長域で光感度が良好である。ａ−３ｉＧｅを使用
した例として、ａ−３ｉＧｅ層上に電荷輸送層を形成し
、これら両層間の境界領域の組成、を連続的に変化させ
たものがあるが、これでは、製膜の制御性が困難になる
。

ハ９発明の目的本発明の目的は、特に近赤外の領域での感度に優れ、か
つ帯電電位、暗減衰等の電荷保持特性や耐久性の良い感
光体を提供することにある。

二０発明の構成及びその作用効果即ち、本発明は、炭素原子と窒素原子と酸素原子とのう
ち少なくとも１種を含有するアモルファス水素化及び／
又はハロゲン化シリコンからなる電荷輸送層と、アモル
ファス水素化及び／又はハロゲン化シリコンゲルマニウ
ムからなる電荷発生層とを有し、前記電荷輸送層と前記
電荷発生層との間に少なくとも１つの中間層がこの１層
中ではほぼ均一組成に設けられ、この中間層とこれに隣
接する層との間のＥｇ、ｏｐｔ及び／又はχ　（但し、
Ｅｇ、ｏｐｔは光学的エネルギーギャップ、χは真空準
位と価電子帯とのバンドギャップである。）の差が０．
２ｅＶ以下である感光体に係るものである。

本発明によれば、電荷発生層がアモルファス水素化及び
／又はハロゲン化シリコンゲルマニウムからなっている
ので、近赤外領域での感度向上を実現した感光体を提供
できる。例えば、ａ−３ｉＧｅ：Ｈの有する比較的長波
長域（例えば６００〜８５０　ｎｍ）での高感度特性を
生かしながら、高い電荷保持性や膜付き等を特に電荷輸
送層で実現しており、これまで知られているものに比べ
て特性を十分に満足した有用な感光体を提供することが
できる。

また、本発明の感光体は、電荷発生層と電荷輸送層とを
分離した機能分離型のものであり、特に電荷輸送層はＣ
，Ｎ、Ｏの少なくとも１種を含有するアモルファスシリ
コン層で形成されているので、電荷輸送能等が良好とな
り、帯電電位を高くし、暗減衰を少なくできる。

更に、本発明では、上記の中間層の存在によって、隣接
層間のエネルギーギャップが小さくなり、スパイク（バ
ンドの不連続化）等の発生を少なくできる。この結果、
キャリアの移動をスムーズにして高感度化、低残留電位
を実現でき、かつ各層この中間層は１層中ではほぼ均一
組成に形成されているので、後述するｉ膜を非常に行い
易いという優れた利点がある。通常、ａ−３ｉ系材料で
連続製膜し、積層する場合、０・、０２μｍ程度の境界
層が存在する。これを考慮し、中間層厚としてはこの境
界層を含めて０．０５〜２μｍが好ましい。更に好適に
は０．１〜１μｍとするのが望ましい。

ホ、実施例以下、本発明による感光体を詳細に説明する。

本発明による感光体は、例えば第１図に示す如く、導電
性支持基板１上に、Ｃ，Ｎ及びＯの少なくとも１種を含
有する例えばａ−５ｉＣ：Ｈ又はａ　−Ｓ　ｉ　Ｎ　：
　Ｈからなる電荷輸送層２、中間層６、ａ−３ｉＧｅ：
８層３、Ｃ，Ｎ、０又はＧｅを含有する例えばａ−３ｉ
Ｃ：Ｈからなる表面改質層４が順次積層せしめられたも
のからなっている。

また、基板１からのキャリアの注入を防止して表面電位
を十分に保持するのに、Ｃ，Ｎ又は０を含有する例えば
ａ−３ｉＣ：Ｈ又はａ−３ｉＮ：Ｈからなる電荷ブロッ
キング層８を破線の如くに形成し、周期表第ＶＡ族元素
の含有によってＮ型導電特性を、或いはＩＩＩＡ族元素
の含有によってＰ型導電特性を示すのがよい。また、そ
の厚みは４００人〜２μｍであるのが望ましい。電荷輸
送層２は主として電位保持、電荷輸送機能を有し、１０
〜３０μｍの厚みに形成されるのがよい。

一方、電荷発生層であるａ−３ｉＧｅ：８層３は光照射
に応じて電荷担体（キャリア）を発生させるものであっ
て、特に６００〜８５０　ｎｍの長波長域で高感度を示
し、その厚みは１μｍ以上であればよい。この層３は全
体の厚みは２〜ＩＯμｍであるのが望ましい。

更に、ａ−３ｉＣ：Ｈ層４はこの感光体の表面電位特性
の改善、長期に亘る電位特性の保持、耐環境性の維持（
湿度や雰囲気、コロナ放電で生成される化学種の影響防
止）、炭素含有による結合エネルギーの向上で表面硬度
が高くなることによる機械的強度及び耐刷性の向上、感
光体使用時の耐熱性の向上、熱転写性（特に粘着転写性
）の向上等の機能を有し、いわば表面改質層として（ｆ
ｈ　＜ものである。そして、このａ−３ｉ　Ｃｒ　Ｈ層
４の厚みを４００〜５０００人に選択することが重要で
ある。

本実施例の感光体において注目すべきことは、層シー３
間に中間層６を設け、この中間層によって各層間のＥｇ
、ｏｐｔ及び／又はχを０．２ｅ■以下に設定している
ことである。このために、中間層６を両層２−３の中間
組成で形成している。

次に、本例による第１図の感光体の各層を更に詳しく説
明する。

ａ−３ｉＣ：Ｈｗ（−７”” このａ−３ｉＣ：Ｈ層４は感光体の表面を改質してａ−
３ｉ系感光体を実用的に優れたものとするために必須不
可欠なものである。即ち、表面での電荷保持と、光照射
による表面電位の減衰という電子写真感光体としての基
本的な動作を可能とするものである。従って、帯電、光
減衰の繰返し特性が非常に安定となり、長期間（例えば
１力月以上）放置しておいても良好な電位特性を再現で
きる。これに反し、ａ−３ｉ：Ｈを表面とした感光体の
場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響を受は易
く、電位特性の経時変化が著しくなる。また、ａ−３ｉ
Ｃ：Ｈは表面硬度が高いために、現像、転写、クリーニ
ング等の工程における耐摩耗性に優れ、数十万回の耐刷
性があり、更に耐熱性も良いことから粘着転写等の如く
熱を付与するプロセスを適用することができる。

このような優れた効果を総合的に奏するためには、ａ−
３ｉＣ：Ｈ屓４の膜厚を上記した４００〜５０００人の
範囲内に選択することが重要である。即ち、その膜厚を
５ｏｏｏ八を越えた場合には、残留電位が高くなりすぎ
かつ感度の低下も生じ、ａ−３ｉ系感光体としての良好
な特性を失うことがある。

また、膜厚を４００人未満とした場合には、暗減衰の増
大や光感度の低下が生じてしまう。

また、このａ−ＳｉＣ：Ｈ層４については、上記した効
果を発揮する上でその炭素組成を選択することも重要で
あることが分かった。組成比をａ−３ｉ　１−ｘＣｘ　
：　Ｈと表せば、Ｘを０．２〜０．８とすること（Ｓ　
ｉ　＋　Ｃ＝　１００　ａｔｏｍｉｃ％としたときに炭
素原子含有量が２０ａｔｏｍｉｃ％〜８０ａｔｏｍｉｃ
％であること）が望ましい。

なお、このａ−ＳｉＣ：Ｈ層は、他の層と同様に水素を
含有することが必須であり、その水素含有量は通常１〜
４０ａｔｏｍｉｃ％、更に１０〜３０ａｔｏｍｉｃ％と
するのがよい。

また、表面改質層４は、上記以外にも、Ｃに代えてＮ又
は０を含有し、更にはＧｅも含有するものであってよく
、この場合でもＳｉは２０〜８０ａ　ｔｏｍ　ｉｃ％と
する。

１玉１ｂ贋」えこの層２は電位保持及び電荷輸送の両機能を担い、暗所
抵抗率が１０″Ω−ｃｍ以上であって、耐高電界性を有
し、単位膜厚光たりに保持される電位が大きく、しかも
感光層から注入される電子又はホールが大きな移動度と
寿命を示すので、電荷担体を効率良く支持体１側へ輸送
する。また９、炭素又は窒素の組成によってエネルギー
ギャップの大きさを調整できるため、感光層において光
照射に応じて発生した電荷担体に対し障壁を作ることな
く、効率良く注入させることができる。従って、この層
２は実用レベルの高い表面電位を保持し、感光層で発生
した電荷担体を効率良く速やかに輸送し、高感度で残留
電位のない感光体とする−働きがある。

こうした機能を果たすために、層２の膜厚は、例えばカ
ールソン方式による乾式現像法を通用するためには１０
〜３０μｍであることが望ましい。この膜厚が１０μｍ
未満であると現像に必要な表面電位が得られず、また３
０μｍを越えると電荷発生層で発生したキャリアの基板
への到達率が低下してしまう。但し、このａ−３ｉＣ：
Ｈ又はａ−３ｉＮ：Ｈ層の膜厚は、Ｓｅ感光体と比較し
て薄くしても（例えば十数μｍ）実用レベルの表面電位
が得られる。

また、この層２をａ−３ｉ　□−ｘＣｘ　：　Ｈ又はａ
−３ｉ　１−ｙＮｙ　：Ｈと表したとき、０．１　≦Ｘ
≦０．６．０．１≦ｙ≦０．６（炭素又は窒素原子含有
量がＳｉ＋Ｃ（又はＮ）　＝１００　ａｔｏｍｉｃ％と
しもときに１０〜６０ａｔｏｍｉｃ％）とするのが望ま
しい。０．１≦ｘ、０．１≦ｙとすれば屓２の電気的、
光学的特性をａ−３ｉＧｅ：Ｈ層３とは全（異なったも
のにできる。ｘ　＞０．６　、ｙ　＞ｏ、ｅのときは層
の電荷輸送能が低下するので、Ｘ≦０．６　、ｙ≦０．
６とするのがよい。

なお、電荷輸送層２は、ａ−３ｉＯで形成してよい。ま
た、ａ−３ｉＣ，、ａ−３ｉＮに更に０を含有せしめた
もので形成してよい。また、更にＧｅをＯ〜３０ａｔｏ
ｍｉｃ％含有してよい。

また、電荷輸送層２には、ホウ素等、周期表第１１１Ａ
族を５００　ｐｐｍ以下、又は第ＶＡ族元素を２００ｐ
ｐｍ以下ドープして（このドープ量は後述のグロー放電
時のガス流量比で示す二以下同じ）光感度の向上を計る
のが良い。

７″丁プロ・・キングこの層８はブロッキング及び下びき層として用いられ、
その膜厚は４００人〜２μｍとすることが望ましい。即
ち、４００人未満では電荷のブロッキング効果が少なく
、また膜付き及び基板との接着性を良くするにも４００
Å以上にするのがよい。他方、膜厚が２μｍを越えると
、ブロッキング効果は良いが、逆に感光体全体としての
光感度が悪くなり、また製膜時間が長くなり、コスト的
にみて不利である。周期表第１［Ａ族元素は５０〜１１
００００ｐｐ。

第ＶＡ族元素は１０〜１１００００ｐｐ含有し、Ｓｔは
４０〜９０ａｔｏｍｉｃ％とするのがよい。

このブロッキング層の炭素又は窒素含有量も層２と同じ
＜　５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、好ましくはｌＯ〜２０ａ
ｔｏｍｉｃ％とするのがよい。

」予じヒ且清Ｊ− ａ−５ｉＧｅ：Ｈ層３は、近赤外波長の光に対して第３
図の如く高い光導電性を示すことが分かっており、ａ−
３ｉ：Ｈに比べると、特に７５０〜８００　ｎｍの光に
対して十分な光感度（半減露光量（ｅｒｇ　／ｃａｌ）
の逆数）を有している。

電荷発生層全体の厚みは、特に２〜１０μｍとするのが
よい。膜厚が２μｍ未満であると、照射された光は効率
良く吸収されず、一部分は下地の層２に到達するため光
感度が低下する。またａ−３ｉＧｅｓＨ層自体は電位保
持性を有していな（てよいから感光層としては必要以上
の厚さにする必要はなく、上限は１０μｍあれば十分で
ある。ａ−３ｉＧｅ：Ｈ３は１μｍ以上の厚みにしない
と光を十分に吸収できない。

ａ−３ｉＧｅＪｉｆ３は、Ｓ　ｉ　：　Ｇｅ＝　（０，
９：０．１　）から（０，４：０．６　）としてよい。

層３には、周期表第ｍＡ族元素又は第ＶＡ族元素を５０
ｐｐｍ以下ドープしたり、Ｃ，Ｎ又はＯが５ａｔｏｍｉ
ｃ％以下含有されていてもよい。

また、この電荷発生Ｉ’ｄ（上記した石２．４も同様）
にはその電荷保持性を高めるために、その製膜時に例え
ば周期表第ＤＩＡ族元素（Ｂ、ＡＮ、Ｇａ、Ｉｎ等）を
ドープして抵抗を高めておくのが有効である。ａ−３ｉ
Ｇｃ：Ｈ層３の膜特性は、後述する製造方法における基
板温度、高周波放電パワー等の製膜条件によって大きく
異なる。組成的にみれば、Ｇｅ含有量は０．１〜５０ａ
ｔｏｍｉｃ％（Ｓｉ十Ｇ　ｅ　＝１００　ａｔｏｍｉｃ
％）に設定するのがよい。即ち、０．１　ａｔｏｍｉｃ
％未満では長波長感度がそれ程向上せず、５０ａｔｏｍ
ｉｃ％を越えると感度低下が生じ、膜の機械的特性、熱
的特性が劣化する。また、ａ　−５ｉＧｅ：Ｈ及びａ−
３ｉ：ＨのＳｉとＨの結合については、５ｉ−ＨがＳｉ
　　に比べて多いことが望ましい。Ｓｉと結合するＨの
量はＳｉに対して１〜４０ａｔｏｍｉｃ％であるのがよ
い。これらの条件が満たされたとき、ρＤ／ρＬの大き
い感光体となるので望ましい。

生皿五■ これらの中間層は、両層２−３間のＥｇ、ｏｐｔ又はχ
の差をみかけ上０，２ｅＶ以下としてキャリアを動き易
くするために極めて重要である。このために、中間層６
は次のように選択できる。

なお、上記の中間層６は単一層からなっているが、複数
層からなっていてよい。この中間層には、周期表第１［
［Ａ族又は第ＶＡ族元素が前記した電荷輸送層と同様の
範囲で含有されていてよい。

なお、上記のＥｇ、ｏｐｔの測定方法としては、単層膜
での光吸収係数αの測定より知られる。ａ−Ｓｉ系材料
のαのλ（照射光波長）依存性を測定すると刀；Ｔτｏ
ｃ（ｈ　ｖ　−Ｅｇ、ｏｐｔ　）　０）関係カ成立する
範囲があり、この式に基づきＥｇ、ｏｐｔが求められる
。但し、α：吸収係数、ｈニブランク定数、シ：光の振
動数である。

また、上記のχについては、第４図に示すように、隣接
する第１層（例えば上述の３）と第２層（例えば上述の
６）とについてその各真空準位（電子がフリーな状態）
と価電子帯のレベルとの差であるχ１、χ２として定義
する。このχの測定方法は、ケルビン・メソッド・フォ
ツ・コンタクト・ディファレンス（Ｋｅｌｖｉｎ　ｍｅ
ｔｈｏｄ　ｆｏｒｃｏｎｔａｃｔ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｃ
ｅ）　、電子線回折、電子線遅延法（ｒｅｔｏｒｄａｔ
ｉｏｎ　）　、二次電子エネルギー分析（ｐｈｏｔｏｅ
ｍｉｓｓｉｏｎ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｅｎｅｒｇｇ　ａ
ｎａｌｙｓｉｓ）の如き公知の方法による。なお、第４
図中、φ１、φ２はフェルミレベルと価電子帯とのギャ
ップであり、公知の方法によって暗状態の電気伝導度の
温度依存性の測定に基づいて求められる。第４図のバン
ド図は、走行キャリアがホールの場合であるが、走行キ
ャリアが電子の場合には伝導電子帯端を揃えておく。

また、元素含有量の定量は、アルバック−ファイ株式会
社製の走査型オージェ電子分光分析装置「マルチプロー
ブ６００」を用いて行った。この装置を用いて、Ａｒ＋
（４ＫｅＶ）イオンビームを０．２μＡとしてスパッタ
を行い、電子ビーム（３ＫｅＶ、０．１μＡ）を励起と
してオージェ電子を通常の方法により測定した。元素含
有量の算出に当たっては、ＰＨＩオージェハンドブック
の感度係数の値を用い、主要元素Ｓｉ十Ｃ＋Ｎ＋Ｇｅ＋
０＝１００ａｔ％として行った。

なお、上記において、ダングリングボンドを補償するた
めには、ａ−５ｉに対しては上記したＨの代わりに、或
いはＨと併用してフッ素等のハロゲン原子を導入し、例
えばａ−３ｉＧｅ　：　Ｆ、　ａ−３ｉＧｅ　：Ｈ：Ｆ
、ａ−３ｉ　：Ｆ、ａ−Ｓｉ　二Ｈ：Ｆ、ａ−３ｉＣ：
Ｆ、ａ−３ｉＣ：Ｈ：Ｆ等とすることもできる。この場
合のフッ素量は０．０１〜２０ａｔｏｍｉｃ％がよ＜　
、０．５〜１０ａｔｏｍｉｃ％が更に良い。

第２図は他の例による感光体を示すが、第１図の感光体
とは異なり、電荷輸送Ｍ２が表面側に存在しており、こ
の下側にａ−３ｉＧｅ層３及び中間層６が夫々形成され
ている。このような構成でも、上記と同様の作用効果が
得られる上に、電荷輸送層が表面側にあるために耐久性
、耐刷性が良くなる。表面には更に、破線で示す表面改
質一層４を形成するとなお良い。ブロッキング層８は必
ずしも設けなくてもよい。

次に、本発明による感光体を製造するのに使用可能な装
置、例えばグロー放電分解装置を第５図について説明す
る。

この装置６１の真空槽６２内では、ドラム状の基板１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター６５で基板１を
内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基板
１に対向してその周囲に、ガス導出口６３付きの円筒状
高周波電極６７が配され、基板１との間に高周波電源６
６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図中の７
２はＳ　ｉ　Ｈ４又はガス状シリコン化合物の供給源、
７３はＧ　ｅ　Ｈ４又はガス状ゲルマニウム化合物の供
給源、７４はＮ２、ＮＨ３等の窒素化合物ガスの供給源
、７５はＣＨ４等の炭化水素ガスの供給源、７６はＡｒ
等のキャリアガス供給源、７７は不純物ガス（例えばＢ
２Ｈ２又はＰＨ３）供給源、７８は各流量計である。こ
のグロー放電装置において、まず支持体である例えばＡ
Ａ基板１の表面を清浄化した後に真空槽６２内に配置し
、真空槽６２内のガス圧が１０’Ｔｏｒｒとなるように
調節して排気し、かつ基板１を所定温度、特に１００〜
３５０℃（望ましくは１５０〜３００℃）に加熱保持す
る。

次いで、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、Ｓ
ｉＨ４又はガス状シリコン化合物、ＧｅＨ４又はガス状
ゲルマニウム化合物、Ｂ２Ｈ６（又はＰＨ３）　、ＣＨ
４、又はＮ２を適宜真空槽６２内に導入し、例えば０．
０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧化で高周波電源６６により
高周波電圧（例えば１３．５６　ＭＨｚ）を印加する。

これによって、上記各反応ガス電極６７と基板１との間
でグロー放電分解し、ボロンドープドａ−３ｉＧｅ　：
　Ｈ（Ｓ　ｉ　：　Ｇｅ＝０．６　　：０．４　）　、
ボｏ７ドーブドａ−３ｉＣＧｅ：Ｈ、ボロンドープドａ
−３ｉＣ：Ｈを上記の層３．６．２として基板上に連続
的に（即ち、第２図の例に対応して）堆積させる。これ
を層構成Ａとする。

また、上記の各層の順を変え、基板上に層２、層６、層
３、層４の順に連続的に（即ち、第１図の例に対応して
）堆積させ、これを層構成りとする。

このようにグロー放電分解で各層を形成するに際し、ジ
ポラン又はホスフィンガスとシリコン化合物（例えばモ
ノシラン）の流量比を適切に選ぶことが必要である。負
帯電用の感光体とする場合、ａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈ電
荷ブロッキング旧８を形成するのがよいが、この際、Ｐ
Ｈ３（ホスフィン）と５ｉｒ（、＋（モノシラン）との
流量比を変えた場合、ＰＨ，＋によるリンドープの結果
、Ｎ型の導電性が安定化する領域に於いて、上記した基
板からのキャリアの注入を十分に防止できるブロッキン
グ層とするにはＰ　Ｈ３／　Ｓ　ｉ　Ｈｈの流量比は１
０〜１００００容量ｐｐｍにするのがよい。また、ボロ
ンドープによる正帯電用のＰ型化の場合、ＢｚＨａ／５
ｉＨ４＝５０−１００００容量ｐｐｍとしてグロー放電
分解するのがよい。

一方、上記の層２．３の形成時に行うボロンドーピング
量については、所望の暗抵抗値を得るために適切に選択
する必要があり、ジボランの流量で表したときに層２で
はＢ　２　Ｈａ　／　Ｓ　ｉ　Ｈ４≦５００容量ｐｐｍ
であるのが望ましく、層３ではＢ２Ｈ６／　Ｓ　ｉ　Ｈ
４≦５０容ｌｐｐｍとしてよい。また、表面改質層４に
も、同様にボロンドープをＢ２Ｈ６／Ｓ　ｉ　Ｈ４＝０
．１〜１０容量ｐｐｍで行うこともできる。

ホスフィンをドープする場合、層２ではＰＨ３／　Ｓ　
ｉ　Ｈ４≦２００容量ｐｐｍ、Ｆｉ３ではＰＨ３／Ｓ　
ｉ　Ｈ４≦５０容量ｐｐｍがよい。

但し、上記した不純物ドーピング量の最適範囲は、層の
Ｎ、Ｃ，Ｈ含有量に依存するので、上記した範囲に必ず
しも限定されるものではない。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、蒸着法やスパッタリング法、イオンブレーティ
ング法等によっても上記感光体の製造が可能である。使
用する反応ガスはＳ　ｔｔ−ｔ４以外にもＳ　ｉ　２　
Ｈ６，３ｉ　）ｆ　Ｆ　３、Ｓ　ｉ　Ｆ　、）又はその
誘導体ガス、ＣＨ４以外のＣ２Ｈ，、Ｃ３Ｈ８等の低級
炭化水素ガスが使用可能である。更にドーピングされる
不純物は上記ボロン、アルミニウム以外にもガリウム、
インジウム等の他の周期表第ｍＡ族元素、リン以外のヒ
素、アンチモン等の他の周期表第ＶＡ族元素が使用可能
である。

次に、上記の如くにしてグロー放電分解により形成した
層構成Ａ及びＢの感光体について、各層間のχ、Ｅｇ、
ｏｐｔＯ差（Δχ、ΔＥｇ、ｏｐｔ　）を第６図に示し
、かつ次の各特性も併せて示す。

帯電電位Ｖｏ　（Ｖ）：感光体流れ込み電流２０〇−μ
Ａ、ｆ；光なしの条件で３６０ＳＸ型電位計（トレック
社製）で測定した現像直前の感光体表面電位。

半減露光量Ｅ％　（Ｉｌｕｘ／ｓｅｃ　）　　：強度１
μＷ／ｃｎｌ、波長７５０ｎｍの光照射により表面電圧
を５００ｖから２５０ｖに半減するのに必要な露光量。

耐刷性：小西六社製の複写機Ｕ　−ＢｉＸ　２５００Ｍ
　Ｒ改造機を用いて、２０万コピーの実写を行い、画質
を判定することにより耐刷性を判断した。

○：画質良好　　　　　　　　（２０万コピー後）Δ：
若干膜はがれ、キズ発生（〃） ×：膜はがれ、キズが著しい（〃）残留電位：感光体に２２／ｕｘ−ｓｅｃ　　（５５５ｎ
ｍピーク）の光量を照射後の感光体表面電位この結果から、本発明に基づいて、Δχ、らかである。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明を例示するものであって、第１図及び第２
図は電子写真感光体の一部分の断面図、第３図は光の波長による各感光体の光感度を示すグラフ
、第４図は隣接し合う層の各エネルギーバンド図、第５図
は上記感光体を製造するグロー放電装置の概略断面図、第６図は電子写真感光体の特性を比較して示す図である。なお、図面に示されている符号において、１・・・・・
・・・・支持体（基板）２・・・・・・・・・電荷輸送層３−・・・−・・ａ　−Ｓ　ｉ　Ｇ　ｅ　：　Ｈｊｉｉ
４・・・・・・・・・表面改質層６・・・・・・・・・中間層８・・・・・・・・・電荷ブロッキング層である。

Claims

【特許請求の範囲】

１、炭素原子と窒素原子と酸素原子とのうち少なくとも
１種を含有するアモルファス水素化及び／又はハロゲン
化シリコンからなる電荷輸送層と、アモルファス水素化
及び／又はハロゲン化シリコンゲルマニウムからなる電
荷発生層とを有し、前記電荷輸送層と前記電荷発生層と
の間に少なくとも１つの中間層がこの１層中ではほぼ均
一組成に設けられ、この中間層とこれに隣接する層との
間のＥｇ，ｏｐｔ及び／又はχ（但し、Ｅｇ，ｏｐｔは
光学的エネルギーギャップ、χは真空準位と価電子帯と
のバンドギャップである。）の差が０．２ｅＶ以下であ
る感光体。