JPS62211662A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡｓ　、
、Ｔｅ　ｓ　Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄ
Ｓを樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られてい
る。　しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱
的安定性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−３Ｌと称する
。）を母体として用いた電子写真感光体が近年になって
提案されている。　　ａ−３ｉは、５ｉ−５Ｌの結合手
が切れたいわゆるダングリングボンドを有しており、こ
の欠陥に起因してエネルギーギャップ内に多くの局在準
位が存在する。

このために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵
抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされ
て光導電性が悪くなっている。　そこで、上記欠陥を水
素原子（Ｈ）で補償してＳｉにＨを結合させることによ
って、ダングリングボンドを埋めることが行われる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｔ：Ｈと称する。）は、光感度が良好である上に無公害
性、良耐剛性等の面で注目されている。　　しかし、ａ
−３ｉ：Ｈは７５０〜８００ｎｍ　（近赤外）の波長の
光に対しては可視域の光に対するより１ケタ程感度が悪
いことが知られている。

従って、情報信号を電気的に処理してハードコピーとし
て出力するための情報末端処理機において半導体レーザ
ーを記録光源として用いる場合には、実用的な情報記録
用の半導体レーザーはＧａＡ　ＩＡｓを構成材料とした
ものであってその発振波長は７６０〜８２０ｎｍである
から、この種の情報記録にとってａ−３ｉ：Ｈは感度不
十分となり、不適当である。　Ｓｅ系の感光体の場合に
は、有機光導電材料からなる感光体に比べて感度が大き
いものの、処理速度の高速化に対応するためには長波長
領域での感度がやはり不十分である。

そこで、ａ−３ｉ：Ｈの優れた光導電性又は光感度を生
かしつつ長波長領域の感度を向上させるために、アモル
ファス水素化シリコンゲルマニウム（以下、ａ−３ｉＣ
ｅ：Ｈと称する。）を光導電層に用いることが考えられ
る。　つまり、ａ−３ｉＧｅ：Ｈは６００〜８５０ｎｍ
の波長域で光感度が良好である。　　ａ−ＳｔＧｅを使
用した例として、ａ−３ｉＣｅ層上に電荷輸送層を形成
し、これら両層間の境界領域の組成を連続的に変化させ
たものがあるが、これでは、製膜の制御性が困難になる
。

ハ０発明の目的 本発明の目的は、特に近赤外の領域での感度に優れ、か
つ帯電電位、暗減衰等の電荷保持特性や耐久性の良い感
光体を提供することにある。

二０発明の構成及び作用効果 即ち、本発明は、炭素原子と窒素原子と酸素原子とのう
ち少なくとも１種を含有するアモルファス水素化及び／
又はハロゲン化シリコンからなる電荷輸送層と、アモル
ファス水素化及び／又はハロゲン化シリコンゲルマニウ
ムからなる電荷発生層とを有し、前記電荷輸送層と前記
電荷発生層との間に少な（とも１つの中間層がこの１Ｍ
中ではほぼ均一組成に設けられ、この中間層とこれに隣
接する層との間のφ（但し、φはフェルミ準位と伝導電
子帯とのエネルギーギャップである。）の差がＯ，ｌｅ
　Ｖ以下である感光体に係る。

本発明によれば、電荷発生層がアモルファス水素化及び
／又はハロゲン化シリコンゲルマニウムからなっている
ので、近赤外領域での感度向上を実現した感光体を提供
できる。　例えば、ａ　−３ｉＧｅ：Ｈの有する比較的
長波長域（例えば６００〜８５０ｎｍ）での高感度特性
を生かしながら、高い電荷保持性や膜付き等を特に電荷
輸送層で実現しており、これまで知られているものに比
べて特性を十分に満足した有用な感光体を提供すること
ができる。

また、本発明の感光体は、電荷発生層と電荷輸送層とを
分離した機能分離型のものであり、特に電荷輸送層はＣ
，Ｎ、０の少なくとも１種を含有するアモルファスシリ
コン層で形成されているので、電荷輸送能等が良好とな
り、帯電電位を高くし、暗減衰を少なくできる。

更に、本発明では、上記の中間層の存在によって、隣接
層間のエネルギーギャップが小さくなり、スパイク（バ
ンドの不連続化）等の発生を少なくできる。　この結果
、キャリアの移動をスムーズにして高感度化、低残留電
位を実現でき、かつ各層間の接着性も良くなり、耐久性
が大きく向上する。　このために、上記のφの差を０．
１ｅＶ以下とすることが必須不可欠である。　また、上
記φΦ差が小さ過ぎると、キャリアがスムーズに移動し
難くなるので、上記φの差はＯ，Ｑｌ　ｅＶ以上とする
のが望ましい。　しかもこの中間層は１層中ではほぼ均
一組成に形成されているので、後述する製膜を非常に行
ない易いという優れた利点がある。

通常、ａ−３ｔ系材料で連続製膜し、積層する場合、０
．０２μｍ程度の境界層が存在する。　これを考慮し、
中間層厚としてはこの境界層を含めて０．０５〜２μｍ
が好ましい。　更に好適には０．１〜１μｍとするのが
望ましい。

ホ、実施例 以下、本発明による感光体を詳細に説明する。

本発明による感光体は、例えば第１図に示す如く、導電
性支持基板１上にＣ，Ｎ及びＯの少なくとも１種を含有
する例えばａ−３ｉＣ：Ｈ又はａ−３ｉＮ：Ｈからなる
電荷輸送層２、中間層６、ａ−３ｉＧｅ：Ｈ層３、Ｃ，
、Ｎ、Ｏ又はＧｅを含有する例えばａ−３ｉＣ：Ｈから
なる表面改質層４が順次積層せしめられたものからなっ
ている。

また、基板１からのキャリアの注入を防止して表面電位
を十分に保持するのに、Ｃ，Ｎ又はＯを含有する例えば
ａ−ＳｉＣ：Ｈ又はａ−３ｉＮ：Ｈからなる電荷ブロッ
キング層８を破線の如くに形成し、周期表第ＶＡ族元素
の含有によってＮ型導電特性を、或いはｍＡ族元素の含
有によってＰ型導電特性を示すのがよい。　また、その
厚みは４００人〜２μｍであるのが望ましい。　電荷輸
送層２は主として電位保持、電荷輸送機能を有し、１０
〜３０μｍの厚みに形成されるのがよい。

一方、電荷発生層であるａ−３ｉＧｅ：Ｈ層３は光照射
に応じて電荷担体（キャリア）を発生させるものであっ
て、特に６００〜８５０ｎｍの長波長域で高感度を示し
、その厚みは１μｍ以上であればよい。　この層３は全
体の厚みは２〜１０μｍであるのが望ましい。

更に、ａ−３ｉＣ：Ｈ層４はこの感光体の表面電位特性
の改善、長期に亘る電位特性の保持、耐環境性の維持（
湿度や雰囲気、コロナ放電で生成される化学種の影響防
止）、炭素含有による結合エネルギーの向上で表面硬度
が高くなることによる機械的強度及び耐剛性の向上、感
光体使用時の耐熱性の向上、熱転写性（特に粘着転写性
）の向上環の機能を有し、いわば表面改質層として働く
ものである。　そして、このａ−３ｉＣ：Ｈ層４の厚み
を４００〜５０００人に選択することが重要である。

本実施例の感光体において注目すべきことは、層２−３
間に中間層６を設け、この中間層によって各層間のφを
０．１ｅＶ以下に設定していることである。　このため
に、中間層６を両層２−３の中間組成で形成している。

次に、本例による第１図の感光体の各層を更に詳しく説
明する。

ａ−３ｉＣ：Ｈ（）４ このａ−３ｉＣ：Ｈ層４は感光体の表面を改質してａ−
３ｔ系悪感光を実用的に優れたものとするために必須不
可欠なものである。　即ち、表面での電荷保持と、光照
射による表面電位の減衰という電子写真感光体としての
基本的な動作を可能とするものである。　従って、帯電
、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり、長期間（例
えば１力月以上）放置しておいても良好な電位特性を再
現できる。　これに反し、ａ−３ｉ：Ｈを表面とした感
光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響を
受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる。　また、
ａ−３ｉＣ：Ｈは表面硬度が高いために、現像、転写、
クリーニング等の工程におけ°る耐摩耗性に優れ、数十
万国の耐剛性があり、更に耐熱性も良いことから粘着転
写等の如く熱を付与するプロセスを適用することができ
る。

このような優れた効果を総合的に奏するためには、ａ−
ｓｔｃ：）Ｉ層４の膜厚を上記した４００〜５０００人
の範囲内に選択することが重要である。

即ち、その膜厚を５０００人を越えた場合には、残留電
位が高くなりすぎかつ感度の低下も生じ、ａ−３ｔ系怒
光体としての良好な特性を失うことがある。　また、膜
厚を４００人未満とした場合には、暗減衰の増大や光感
度の低下が生じてしまう。

また、このａ−３ｉＣｓＨ層４については、上記した効
果を発揮する上でその炭素組成を選択することも重要で
あることが分った。　組成比をａ−３ｉ１−ｘＣｘ：Ｈ
と表わせば、Ｘを０．２〜０．８とすること（Ｓ　ｉ　
＋　Ｃ＝　１００１００ａｔｏ％としたときに炭素原子
含有量が２０ａ　ｔｏＩＩＩｉ　ｃ％〜８Ｑａｔｏｍｉ
ｃ％であること）が望ましい。

なお、このａ−３ｉＣ：Ｈ層は、他の層と同様に水素を
含有することが必須であり、その水素含有量は通常１〜
４０ａｔｏｍｉｃ％、更に１０〜３０ａｔｏｍｉｃ％と
するのがよい。

また、表面改質層４は、上記以外にも、Ｃに代えてＮ又
はＯを含有し、更にはＧｅも含有するものであってよく
、この場合でもＳｉは２０〜８０ａｔｏｍｉｃ％とする
。

１Ｍ この層２は電位保持及び電荷輸送の両機能を担い、暗所
抵抗率が１０′！Ω−ｃｍ以上であって、耐高電界性を
有し、単位膜厚光りに保持される電位が大きく、しかも
感光層から注入される電子又はホールが大きな移動度と
寿命を示すので、電荷担体を効率良く支持体ｌ側へ輸送
する。　また、炭素又は窒素の組成によってエネルギー
ギャップの大きさを調整できるため、感光層において光
照射に応じて発生した電荷担体に対し障壁を作ることな
く、効率良（注入させることができる。　従って、この
層２は実用レベルの高い表面電位を保持し、感光層で発
生した電荷担体を効率良く速やかに輸送し、高感度で残
留電位のない感光体とする働きがある。

こうした機能を果すために、層２の膜厚は、例えばカー
ルソン方式による乾式現像法を適用するためには１０〜
３０μｍであることが望ましい。　この膜厚が１０８ｍ
未満であると現像に必要な表面電位が得られず、また３
０μｍを越えると電荷発生層で発生したキャリアの基板
への到達率が低下してしまう。　但、このａ−３ｉＣ：
Ｈ又はａ−３ｔＮ：Ｈ層の膜厚は、Ｓｅ感光体と比較し
て薄くしても（例えば十数μｍ）実用レベルの表面電位
が得られる。

また、この層２をａ−３ｉ１−ｘＣｘ：Ｈ又はａ−３ｉ
ｌ−ｙＮｙ　：　Ｈと表わしたとき、０．１≦Ｘ≦０．
６．０．１≦ｙ≦０．６（炭素又は窒素原子含有量がＳ
ｉ　＋Ｃ（又はＮ　）　−１００ａｔｏｍｉｃ％とした
ときに１０〜６０ａｔｏｍｉｃ％）とするのが望ましい
。　０．１≦Ｘ、０．１≦ｙとすれば層２の電気的、光
学的特性をａ−３ｉＧｅ：Ｈ層３とは全く異なったもの
にできる。　　ｘ　＞０．６　、ｙ　＞０．６のときは
層の電荷輸送能が低下するので、Ｘ≦０．６　、ｙ″５
０．６とするのがよい。

なお、電荷輸送層２は、ａ−３ｉＯで形成して良い。　
また、ａ−３ｉＣ，ａ−３ｉＮに更に０を含有せしめた
もので形成して良い。　更にＧｅをＯ〜３０ａｔｏｍｉ
ｃ％含有して良い。

また、電荷輸送層２には、燐等周期表第ＶＡ族元素（但
し窒素を除く）をＯ〜２００ｐｐｍドープして（このド
ープ量は後述のグロー放電等のガス流量比で示す：以下
向じ）光感度の向上を図るのが良い。

；ブロッキング　８ この層８はブロッキング及び下びき層として用いられ、
その膜厚は４００人〜２μｍとすることが望ましい。　
即ち、４００人未満では電荷のブロッキング効果が少な
く、また膜付き及び基板との接着性を良くするにも４０
０Å以上にするのがよい。

他方、膜厚が２μｍを越えると、ブロッキング効果は良
いが、逆に感光体全体としての光感度が悪くなり、また
製膜時間が長くなり、コスト的にみて不利である。　周
期表第ｎ［Ａ族元素は５０〜１１００００ｐｐ、第ＶＡ
族元素は１０〜１１００００ｐｐ含有し、Ｓｉは４０〜
９０ａｔｏｍｉｃ％とするのがよい。

このブロッキング層の炭素又は窒素含有量も層２と同じ
＜　５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは１０〜２０ａ
ｔｏｍｉｃ％とするのがよい。

ｌ五兄ユ五ユ ａ−３ｉＧｅ：Ｈ層３は、近赤外波長の光に対して第３
図の如く高い光導電性を示すことが分っており、ａ−３
ｔ：Ｈに比べると、特ニア５０〜８００ｎｍの光に対し
て十分な光感度（半減露光ｆｉ　（ｅｒｇ／ｃｍ２）の
逆数）を有している。

電荷発生層全体の厚みは、特に２〜１０μｍとするのが
よい。　膜厚が２μｍ未満であると、照射された光は効
率良く吸収されず、一部分は下地の層２に到達するため
光感度が低下する。　またａ−３ｉＧｅｓＨ層自体は電
位保持特性を有していなくてよいから感光層としては必
要以上の厚さにする必要はなく、上限は１０μｍあれば
十分である。

ａ−３ｉＧｅ：Ｈ層３は１μｍ以上の厚みにしないと光
を十分に吸収できない。

ａ−３ｉＧｅ層３は、Ｓｉ　　：　Ｇ＝　（０，９：　
　０．１）〜（０，４：　　０．６）としてよい。　層
３には、周期表第ＶＡ族元素（但し窒素を除＜）Ｏ〜５
０ｐｐｍをドープしたり、ＣＳＮ又は０が５ａｔｏｍｉ
ｃ％以下含有されていても良い。

また、この電荷発生層（上記した層２．４も同様）には
その電荷保持性を高めるために、その製膜時に例えば周
期表第ＶＡ族元素（Ｐ、Ａｓ　、Ｓｂ、Ｂｉ等）をドー
プして抵抗を高めておくのが有効である。　ａ−３ｉＧ
ｅ　：　Ｈ＠３の膜特性は、後述する製造方法における
基板温度、高周波放電パワー等の製膜条件によって大き
く異なる。　組成的にみれば、Ｇｅ含有量は０．１〜５
０ａｔｏｍｉｃ％（Ｓｔ＋Ｇｅ　＝１００ａｔｏｍｉｃ
％）に設定するのがよい。

即ち、０．１ａｔｏｍｉｃ％未満では長波長感度がそれ
稚内上せず、５０ａｔｏｍｉｃ％を越えると感度低下が
生じ、膜の機械的特性、熱的特性が劣化する。　また、
ａ−３ｉＧｅ：Ｈ及びａ−８ｉ　：ＨのＳｉとＨのこと
が望ましい。　Ｓｉ　と結合するＨの量はＳｉに対して
１〜４０ａｔｏｍｉｃ％であるのがよい。　これらの条
件が満たされたとき、ρ。／ρ、の大きい感光体となる
ので望ましい。

主皿皿工 これらの中間層は、両層２−３間のφの差をみかけ上０
．１ｅＶ以下としてキャリアを動き易くするために極め
て重要である。　このために、中間層６は、電荷輸送Ｎ
２の化学組成とａｓｉＧｅ：８層３の化学組成との中間
の化学組成を有するものとする。　例えば中間層６中に
ドープする不純物としては、周期表第ＶＡ族元素を１０
０〜１６０ｐｐｍドープする。

そのほか、中間層６は次のように選択できる。

なお、上記の中間層６は、単一層からなっているが、複
数層からなっていて良い。

上記のφについては、第４図（ａ）に示すように、隣接
する第１層（例えば上述の３）と第２層（例えば上述の
６）とについてそのフェルミ準位と価電子帯のレベルと
の差であるφ１、φ２として定義する。　φ１、φ２は
公知の方法によって暗状態の電気伝導度の温度依存性の
測定に基いて求められる。　第４図（ａ）のバンド図は
、走行キャリアが電子の場合であるが、ホール走行の感
光体とし、でも使用できるよう、上記φ１、φ２のほか
に、第４図（ｂ）のように、フェルミ準位と価電子帯の
レベルとの差Φ５、Φ２の値をも近い値（例えばφ１、
Φ２の差が０．１ｅＶ以下）とするのが良い。

このようにするためには、前記周期表第ＶＡ族元素に併
せて硼素等の周期表第１１１Ａ族元素を、例えば、層２
には５００ｐｐｍ以下（好ましく　ハ０．５〜５００ｐ
ｐｍ　）　、層３にはＯ〜５０ｐｐｍ　、層６にはｌｏ
Ｏ〜４ｏ。

ｐｐｍ　　ドープする。

また、元素含有量の定量は、アルバッターファイ株式会
社製の走査型オージェ電子分光分析装置「マルチプロー
ブ６００」を用いて行った。　この装置を用いて、Ａｒ
’″　（４ｋｅＶ）イオンビームを０．２μＡとしてス
パッタを行い、電子ビーム（３ｋｅＶ、０．１μＡ）を
励起としてオージェ電子を通常の方法により測定した。

　元素含を量の算出に当たっては、ＰＨＩオージェハン
ドブックの感度係数の値を用い、主要元素Ｓｉ　＋Ｃ＋
Ｎ＋Ｇｅ　＋０　＝　１００ａｔｏｏ＋ｔｃ％として行
った。

なお、上記において、ダングリングボンドを補償するた
めには、ａ−３ｔに対しては上記したＨの代りに、或い
はＨと併用してフッ素等のハロゲン原子を導入し、例え
ばａ−３ｔＧｅ　　：　Ｆｓ　ａ−３ｉＧｅ　　：Ｈ：
Ｆｓ　ａ−３ｔ　　：Ｆ、、ａ−３ｔ　　：Ｈ：Ｆ、ａ
−３ｉＣ：Ｆ、ａ−３ｉＣ：Ｈ：Ｆ等とすることもでき
る。　この場合のフッ素量は０．０１〜２Ｑａｔｏｍｉ
ｃ％がよ＜　、０．５〜１０ａｔｏｍｉｃ％が更に良い
。

第２図は他の例による感光体を示すが、第１図の感光体
とは異なり、電荷輸送層２が表面側に存在しており、こ
の下側にａ−３ｉＧｅ層３及び中間層６が夫々形成され
ている。　このような構成でも、上記と同様の作用効果
が得られる上に、電荷輸送層が表面側にあるために耐久
性、耐剛性が良くなる。　表面には更に、破線で示す表
面改質層４を形成するとなお良い。　ブロッキング層８
は必ずしも設けなくてもよい。

次に、本発明による感光体を製造するのに使用可能な装
置、例えばグロー放電分解装置を第５図について説明す
る。

この装置６１の真空槽６２内では、ドラム状の基板ｌが
垂直に回転可能にセントされ、ヒーター６５で基板１を
内側から所定温度に加熱し得るようになっている。　基
板１に対向してその周囲に、ガス導出口６３付きの円筒
状高周波電極６７が配され、基板１との間に高周波電源
６６によりグロー放電が生ぜしめられる。　なお、図中
の７２はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の供給源、
７３はＧ　ｅ　Ｈ４又はガス状ゲルマニウム化合物の供
給源、７４はＮ２、Ｎ　Ｈｘ等の窒素化合物ガスの供給
源、７５はＣＨ。

等の炭化水素ガスの供給源、７６は０２供給源、７７は
Ｎ２等のキャリアガス供給源、７８は不純物ガス（例え
ばＰＨ３）供給源、７９は不純物ガス（例えばＳｉＨ６
）供給源、８０は各流量計である。　このグロー放電装
置において、まず支持体である例えば／１基板１の表面
を清浄化した後に真空槽６２内に配置し、真空槽６２内
のガス圧が１０−　ｈＴ　ｏｒｒとなるように調節して
排気し、かつ基板１を所定温度、特に１００〜３５０℃
（望ましくは１５０〜３００℃）に加熱保持する。　次
いで、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、Ｓ　
ｉ　Ｈ４又はガス状シリコン化合物、ＧｅＨ，又はガス
状ゲルマニウム化合物、ＰＨ２（又はＢｚＨｂ　）　、
ＣＨａ　、又はＮ２を適宜真空槽６２内に導入し、例え
ば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源６６
により高周波電圧（例えば１３．５６　Ｍ）（ｚ　）を
印加する。　これによって、上記各反応ガスを電極６７
と基板ｌとの間でグロー放電分解し、ボロンドープドａ
−３ｉＧｅ：Ｈ（Ｓｉ　　：　Ｇｅ　＝０．６　　：　
　０．４）　、ボロンドープドａＳ　ｉＣＧ　ｅ　　：
　Ｈ％ボロンドープドミー５ｉＣ：Ｈを上記のＮ３．６
．２として基板上に連続的に（即ち、第２図の例に対応
して）堆積させる。

これを層構成Ａとする。

また、上記の各層の順を変え、基板上に層２、層６、Ｎ
３、層４の順に連続的に（即ち、第１図の例に対応して
）堆積させ、これを層構成りとする。

このようにグロー放電分解で各層を形成するに際し、ジ
ボラン又はホスフィンガスとシリコン化合物（例えばモ
ノシラン）の流量比を適切に選ぶことが必要である。　
負帯電用の感光体とする場合、ａ−３ｉＣ：　Ｈ電荷ブ
ロッキング層８を形成するのがよいが、この際、ＰＨ３
（ホスフィン）と５ｉＨｎ　　（モノシラン）との流量
比を変えた堪性が安定化する領域に於いて、上記した基
板からのキャリアの注入を十分に防止できるブロッキン
グ層とするにはＰＨ３／ＳｉＨ４の流量比は１０〜１０
０００容Ｍ　ｐ　ｐｔａにするのがよい。　また、燐ド
ープによる負帯電用のＮ型化の場合、ＰＨ３／５ｉＨ４
＝２０〜５０００容ｌｐｐｍとしてグロー放電分解する
のがよい。

一方、上記の層２．３の形成時に行なう燐ドーピング量
については、所望の暗抵抗値を得るために適切に選択す
る必要があり、ホスフィンの流量で表わしたときに層２
ではＰＨ３／ＳｉＨ４≦２００容量ｐｐｍであるのが望
ましく、層３ではＰＨ，／５ｉＨａ≦５０容１ｐｐｎ＋
としてよい。　中間層６のドーピング量については、Ｐ
　Ｈ３／　Ｓ　１Ｈ４−１００〜１６０ｐｐｍとして良
い。　電荷輸送Ｎ２又はａ−３ｉＧｅ：Ｈ層３のドーピ
ング量と中間Ｎ６のドーピング量との関係は、眉間でφ
Φ差を０．１ｅＶ以下とするためには、以下のようにす
ればよい。　層２のドーピング量をＸｔ、層３のドーピ
ング量をＮ３、層６のドーピング量をＸ＆としたとき、
ｘ２≦ｘ３≦５０ｘｚ ｘ３≦ｘ６≦５０ｘ。

の範囲になるようにｘ２　、ｘ３　、Ｘｌｌを設定すれ
ばよい。

また、表面改質Ｎ４にも、同様に燐ドープをＰ　Ｈ３／
　５ｉＨ−＝０．１〜１０容量ｐｐｍで行なうこともで
きる。

但し、上記した不純物ドーピング量の最適範囲は、層の
Ｎ、Ｃ，Ｈ含有量に依存するので、上記した範囲内で適
宜選択する。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、蒸着法やスパッタリング法、イオンブレーティ
ング法等によっても上記感光体の製造が可能である。　
使用する反応ガスはＳ　ｔ　Ｈａ以外にもＳｉ２Ｈ６、
ＳｉＨＦ３．５ｉＦａ又はその誘導体ガス、ＣＨ４以外
のＣｚＨｂ　、Ｃ３Ｈ１１等の低級炭化水素ガスが使用
可能である。　更にドーピングされる不純物は上記燐基
外にも、砒素、アンチモン、ビスマス等信の周期表第Ｖ
Ａ族元素、ブロッキング層等の不純物としては前記の硼
素以外にもアルミニウム、ガリウム、インジウム等の他
の周期表第１Ｉ［Ａ族元素が使用可能である。

次に、上記の如くにしてグロー放電分解により形成した
層構成Ａ及びＢの感光体について、燐ドープＮ　（ｐｐ
ｍ）、各層間のφの差（Δφ）を第６図に示し、かつ次
の各特性も併せて示す。

但し、いずれの感光体も、電荷発生層３を厚さ３ｐｍの
ａ　−Ｓｉｏ、ｈＧｅｏ、４：　Ｈ層とし、中間層６を
厚さ０．５　μｍのａ　　Ｓｉｏ、５ａＣｏ、ｏｂＧｅ
ｏ、＊ｓ層とし、電荷輸送層２を厚さ１９μｍのａ　　
Ｓｉｏ、ｑｃＯ，Ｉ：）（層としている。　層構成りの
感光体には、最浅に厚さ０．２μ信のａ−３ｉＣ表面改
質層を設けである。

帯電電位■。（■）：感光体流れ込み電流２００μＡ、
露光なしの条件で３６０ＳＸ 型電位計（トレック社製） で測定した現像直前の感光 体表面電位。

半減露光量　　　　：強度１　μＷ／Ｃｍ２　、波長７
５０Ｅ　Ｉ／２（１！　ｕｘ　−５ｅｃ）　　　ｎｍの
光照射により表面電圧を５００　Ｖから２５０Ｖニ半減 するのに必要な露光量。

耐刷性　　　　　　：小西六社製の複写機Ｕ　−Ｂ　ｉ
ｘ２５００Ｍ　Ｒ改造機を用いて、 ２０万コピーの実写を行い、 画質を判定することにより 耐剛性を判断した。

Ｏ：画質良好（２０万コピー後） △：若干膜はがれ、キズ発生（〃） ×：膜はがれ、キズが著しい（〃） 残留電位　　　　　：感光体に２２１　ｕｘ　−ｓｅｃ
（５５５ｎｍピーク）の光量を照射後の 感光体表面電位。

この結果から、本発明に基いて、Δφを０．１ｅＶ以下
とした感光体は、高帯電能であって、高感度、良耐剛性
を示すことが明らかである。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明を例示するもであって、 第１図及び第２図は電子写真感光体の一部分の断面図、 第３図は光の波長による各感光体の光感度を示すグラフ
、 第４図（ａ）及び（ｂ）は隣接し合う層の各エネルギー
バンド図、 第５図は上記感光体を製造するグロー放電装置の概略断
面図、 第６図は電子写真感光体の特性を比較して示す図 である。 なお、図面に示されている符号において、１・・−・・
・・−・・・支持体（基板）２・−−−−−−−−−・
−電荷輸送層３−−−−−−−−−−＝　ａ　−Ｓ　ｉ
　Ｇ　ｅ　　：　Ｈｌｉ４・−・・〜・・・・表面改質
層 ６−・・−・−・中間層 ８・−−一−−−−−−−・電荷ブロッキング層である
。 代理人　弁理士　逢　坂　　　宏 第１図 第４図 （ｂ）　　第１層　好２漫

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、炭素原子と窒素原子と酸素原子とのうち少なくとも
   １種を含有するアモルファス水素化及び／又はハロゲン
   化シリコンからなる電荷輸送層と、アモルファス水素化
   及び／又はハロゲン化シリコンゲルマニウムからなる電
   荷発生層とを有し、前記電荷輸送層と前記電荷発生層と
   の間に少なくとも１つの中間層がこの１層中ではほぼ均
   一組成に設けられ、この中間層とこれに隣接する層との
   間のφ（但し、φはフェルミ準位と伝導電子帯とのエネ
   ルギーギャップである。）の差が０．１ｅＶ以下である
   感光体。