JPS61250653A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡ　ｓ　
ｓ　Ｔ　ｅ　ＳＳ　ｂ等をドープした感光体、ＺｎＯや
ＣｄＳを樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られ
ている。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、
熱的安定性、機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ）を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。 ａ−３ｔは、５ｉ−５ｔの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多（め局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が小
さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光導
電性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子（
Ｈ）で補償してＳｔにＨを結合させることによって、ダ
ングリングボンドを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、１０”〜１０
９Ω−■であって、アモルファスＳｅと比較すれば約１
万分の１も低い。従って、ａ−ｓｉ。 の単層からなる感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく
、初期帯電電位が低いという問題点を有している。 しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。 しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで十分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下１．ａ−３ｉＣ：
Ｈと称する。）について、その製法や存在がＰｈ１１．
　　Ｍａｇ、　Ｖｏｌ、　３５″　（１９７８）等に記
載されており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高
いこと、ａ−３ｉ：）（と比較して高い暗所抵抗率（１
０”〜１０Ｉ３Ω−ｅ１ｍ）を有すること、炭素量にＨ
より光学的エネルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶの
範囲に亘って変化すること等が知られている。 但、炭素の含有によりバンドギャップが拡がるために長
波長感度が不良となるという欠点がある。 こうしたａ−３ｉＣ：Ｈとａ−３ｔ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。これによれば、ａ−３ｉｚＨ
層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下にａ
−３ｉＣニ−Ｈ層を電荷輸送層として設けた機能分離型
の２層構造を作成し、上層のａ’−３ｔ：Ｈにより広い
波長域での光感度を得、かつａ−３ｔ：Ｈ層とへテロ接
合を形成する下層のａ−３ｔＣ：Ｈにより帯電電位の向
上を図っている。しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈ層の暗減
衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不充分であって
実用性のあるものとはならない上に、表面にａ−３ｉ：
Ｈ層が存在していることにより化学的安定性や機械的強
度、耐熱性等が不良となる。 一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−３ｉ：
ｌ（からなる電荷発生層上に第１のａ−３ｉＣ：Ｈ層を
表面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第
２のａ−８ｉＣ：ｌ（層を電荷輸送層として形成してい
る。この公知の感光体に関しては、表面改質層によって
減衰の防止、表面の化学的安定性等の効果は期待できる
ものの、次の如き問題点があることが判明した。 即ち、この公知の感光体においては、 ａ−ＳｉＣ：Ｈ電荷輸送層について、その電荷輸送能（
キャリアレンジ（μτ）＝モビリティ×ライフタイム）
及び電荷保持能（暗抵抗ρＤ）は一応充分ではあるが、
ρ。の温度依存性が大きく、このために高温では帯電電
位の保持特性が劣化し、実用に供し得なくなる。 ハ０発明の目的 本発明の目的は、表面の化学的安定性、機械的強度、耐
熱性等に優れ、光感度も良好であり、かつ帯電電位の保
持能が良く、沿面放電も生じ難く、しかも高い帯電電位
を安定に（特に高温又は高湿下で）保持でき、かつ光疲
労特性社優れる感光体を提供することにある。 二０発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明による感光体は、アモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層上に、絶縁
物質からなる表面改質層が設けられ、かつ前記電荷発生
層下に、酸素を０．０５〜５ａｔｏｎ＋ｉｃ％（但し、
シリコン原子と炭素原子と酸素原子との合計原子数を１
００　ａｔｏｍｉｃ％とする。）含有するアモルファス
水素化及び／又はフッ素化炭化シリコンからなる電荷輸
送層が設けられている感光体である。 本発明によれば、機能分離型の感光体であって、その電
荷輸送層に０．０５〜５　ａｔｏｍｉｃ％（以下、ｒ　
ａ　ｔｏｗ　ｉ　ｃ％」を単に％と記す、）の酸素゛を
含有せしめているので、電荷輸送能（μτ）を低下させ
ることなしにρ。を効果的に上昇させてρＤの温度依存
性（ｄｐｎ／ｄＴ）、を小さく抑えることができる。こ
のため、帯電電位の保持特性が向上し、感光体の使用可
能な上限温度（上限湿度も同様）を高めることができる
のである。仮に、上記酸素含有量が０．０５％未満であ
ると酸素含有による効果（比抵抗の向上、温度依存性の
抑制）が発揮されず、また５％を越えると酸素が多すぎ
てキャリアのモビリティ、即ち（μτ）が著しく低下し
、感度低下、残留電位の上昇を生じてしまう、従って、
酸素含有量を０．０５〜５％に設定することが必須不可
欠であり、特に０．１〜３％とするのが望ましい。 このように、電荷輸送層のａ−３ｉＣ中に０．０５〜５
％と比較的多めに酸素を含有せしめることによって、上
記した効果が得られ、特に繰返し使用時の電位低下環が
却って抑えられることは意外である。特に酸素含有量を
０．１〜３％とすれば効果が顕著となる。 また、電荷発生層上の表面改質層（例えばアモルファス
水素化炭化シリコン）の存在によって、ａ−３ｉ系感光
体の表面特性についての欠点を解消することができる。 即ち、この表面改質層はａ−３ｉ系感光体の表面電位特
性の改善、長期に亘る電位特性の保持、耐環境性の維持
（湿度や雰囲気、コロナ放電で生成される化学種の影響
防止）、表面硬度が高いことによる耐剛性の向上、感光
体使用時の耐熱性の向上、熱転写性（特に粘着転写性）
の向上環の機能を有するものである。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第１図は、本実施例による、例えば正帯電用のａ−３ｔ
系電子写真感光体３９を示すものである。 この感光体３９は、１等のドラム状導電性支持基板４１
上に、周期表第ｍａ族元素（例えばホウ素）がヘビード
ープされた酸素含有ａ−３ｉＣ：Ｈ（ａ−３ｉＣＯ：Ｈ
）からなるＰ壁電荷ブロッキングＷｉ４４と、酸素含有
ａ−３ｉＣ：Ｈ（ａ−３ｉＣＯ：Ｈ）からなる電荷輸送
層４２と、ａ−３ｉ：Ｈからなる電荷発生層（光導電層
）４３と、ａ−３ｉＣ：Ｈからなる表面改質層４５とが
積層された構造からなっている。この表面改質層４５は
ａ　−Ｓ　ｉ　Ｎ　：　ＨｌＳｔｏｗ等から形成されて
もよい、光導電Ｊｉ４３は暗所抵抗率ρ。と光照射時の
抵抗率ρＬとの比が電子写真感光体として充分大きく光
感度（特に可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好
である。 この感光体３９においては、本発明に基いて、ａ−３ｉ
Ｃ：Ｈからなる電荷輸送層４２に猷素原子をＳｉ＋Ｃ＋
Ｏの総原子数１００　ａｔｏａ＋ｉｃ％に対し０．０５
〜５％含有せしめているが、この含有量範囲の酸素によ
って、電荷輸送層４２のρ。が高温（又は高温）下でも
高くなり、感光体としての帯電電位保持能が安定に保持
される。 表面改質層４５は感光体の表面を改質してａ−３ｉ系感
光体を実用的に優れたものとするために必須不可欠なも
のである。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表
面電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動
作を可能とするものである。 従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、ａ−Ｓｉ：Ｈを表
面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気
等の影響を受は易（、電位特性の経時変化が著しくなる
。 また、ａ−３ｉＣ：Ｈ等の無機物質は表面硬度が高いた
めに、現像、転写、クリーニング等の工程における耐摩
耗性があり、更に耐熱性も良いことから粘着転写等の如
く熱を付与するプロセスを適用することができる。 電荷輸送層４２の炭素原子含有量は３０％以下、好まし
くは１０〜３０％（Ｓ　ｉ　＋Ｃ＋Ｏの総原子数を１０
０１００ａｔｏ％とする。）であるのが望ましく、また
その膜厚は１０〜３０μｍとするのが適切である。 また、電荷発生層４３は１〜１０μｍとするのがよい。 電荷菟生層４３が１μｍ未満であると光感度が充分でな
く、また１０μｍを越えると残留電位が上昇し、実用上
不充分である。 表面改質層４５を構成するａ−５ｉＣ：Ｈ又はａ−３ｉ
Ｎ：、Ｈの炭素又は窒素組成を選択することが重要であ
る。即ち、炭素又は窒素原子含有量がＳｉ＋Ｃ（又はＮ
）　−１００％としたとき１０〜９０、更には１０−．
７０％であることが望ましい。Ｃ又はＮ含有量が１０％
以上であると、上記した比抵抗が所望の値となり、かつ
光学的エネルギーギャップがほぼ２゜ＯｅＶ以上となり
、可視及び赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果
により照射光はａ−３ｔｓＨ層（電荷発生層）４３に到
達し易くなる。しかし、Ｃ又はＮ含有量が１０％未満で
は、比抵抗が所望の値以下となり易く、かつ一部分の光
は表面層４５に吸収され、感光体の光感度が低下し易く
なる。また、Ｃ又はＮ含有量が７０％を越えると層の炭
素又は窒素量が多くなり、半導体特性が失われ易い上に
ａ−３ｉＣ：Ｈ膜又はａ−３ｉＮ：Ｈ膜をグロー放電法
で形成するときの堆積速度が低下し易いので、Ｃ又はＮ
含有量は９０％以下とするのがよい。 また、表面改質層４５の膜厚を４００人≦ｔ≦５０００
人の範囲内（特に４００人≦ｔ≦２０００人）に選択す
ることも重要である。即ち、その膜厚が５０００人を越
える場合には、残留電位Ｖｌが高くなりすぎかつ光感度
の低下も生じ、ａ−５ｔ系感光体としての良好な特性を
失い易い。また、膜厚を４００人未満とした場合には、
トンネル効果によって電荷が表面上に帯電されなくなる
ため、暗減衰の増大や光感度の低下が生じてしまう。 また、上記電荷ブロッキング層４４は、正帯電用として
、基板４１からの電子の注入を充分に防ぐには、周期表
第ｍａ族元素（例えばボロン）を流量比Ｂ、　Ｈ，／Ｓ
　ｉ　Ｈ，”　１００〜５０００ｐｐｍでドープして、
Ｐ型（更にはＰ中型）化するとよい、また、負帯電用と
して、周期表第Ｖａ族元素（例えばリン）をヘビードー
プしてＮ型（更にはＮ十型）化してもよい。電荷ブロッ
キング層４４は負帯電使用の場合には必ずしも設けるこ
とを要しないが、設ける場合には正帯電用及び負帯電用
を問わず、酸素を０．０５〜５％、更には０．１〜３％
含有せしめたａ−３ｉＣ：Ｈで形成するのが望ましい、
このａ−≦ｌｃ：Ｈの炭素量は３０％以下、好ましくは
１０〜３０％としてよい。 このブロッキング層４４は５００人未満であるとブロッ
キング効果が弱く、また２μｍを越えると電荷輸送能が
悪くなり易い。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 特に、光導電層４３中の水素含有量は、ダングリングボ
ンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させるた
めに必須不可欠であって、１０〜３０％であるのが望ま
しい。この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッキング
層４４及び電荷輸送層４２も同様である。また、ブロッ
キング層４４の導電型を制御するための不純物として、
Ｐ型化のためにボロン以外にもＡＩ、Ｇ　ａ　−Ｉ　ｎ
　−、Ｔ　ｊ！等の周期表ｍａ族元素を使用でき、Ｎ型
化の不純物もリン以外のＡ　Ｓ　％　Ｓ　ｂ等の周期表
第Ｖａ族元素を使用できる。 なお、本例の感光体の層構成を使用、形態に応じてまと
めると次の如くである。 〔正帯電使用の場合〕 電荷ブロッキング層４４： 周期表第ｍａ族元素をヘビードープ。例えばＢｔ　ＨＡ
　／　ｓ　ｔ　Ｈ４＝１００〜５０００ｐｐｍ　（容量
比）なる条件下でグロー放電分解する。 電荷輸送層４２： 周期表第ｍａ族元素をライトドープ、例えばＢｚ　Ｈｂ
　／　Ｓ　ｔ　Ｈａ　＝０．１〜２０ｐｐｏ＋　（容量
比）なる条件下でグロー放電分解する。 表面改質層４５： 炭素含有量について感光体膜厚方向に濃度勾配を持たせ
てもよい。 電荷発生層４３： 何らドープしな（てもよい。帯電電位及び感度を向上さ
せるため、場合によっては周期表第ｍａ族元素をライト
ドープしてもよい。例えばＢ□Ｈｂ／ＳｉＨ４≦２０ｐ
ｐｍ（容量比）なる条件下でグロー放電分解する。 〔負帯電使用の場合〕 電荷ブロッキング層４４： 特に電荷ブロッキング層を設けなくてもよい。 帯電能を向上させるため、場合によっては周期表第Ｖａ
族元素をドープしたａ−３ｉＣＯ：Ｈ又はａ−３ｉＣＯ
：Ｆからなる電荷ブロッキング層を設けてもよい０例え
ばＰＨｓ／５ｉＨａ≦２０００ｐｐｍ　（容量比）なる
条件下でグロー放電分解する。 電荷輸送層４２： 何らドープしなくてもよい。帯電電位及び感度を向上さ
せるため、場合によっては周期表第■ａ族元素をライト
ドープしてもよい。例えばＢｚＨａ／ＳｉＨ４≦２０ｐ
ｐｍ＋　（容量比）なる条件下でグロー放電分解する。 電荷発生層４３： 何らドープしなくてもよい。帯電電位及び感度を向上さ
せるため、場合によっては周期表第ｍａ族元素をう゛イ
トドープしてもよい。°例えばＢｚＨｂ／５ｉＨａ≦２
０ｐｐｍ　（容量比）なる条件下でグロー放電分解する
。 表面改質層４５： 炭素含有量について感光体膜厚方向に濃度勾配を持たせ
てもよい。 次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第２図について説明す
る。 この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の６２はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の供給源
、６３はＯｌ又はガス状酸素化合物の供給源、６４はＣ
Ｈ４等の炭化水素ガス供給源、６５はＮＨ３、Ｎｚ等の
窒素化合物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス
供給源、６７は不純物ガス（例えばＢｚ　Ｈａ　、Ｐ　
Ｈ３）供給源、６８は各流量計である。このグロー放電
装置において、まず支持体である例えばＡＪ基板４１の
表面を清浄化した後に真空槽５２内に配置し、真空槽５
２内のガス圧が１０−’Ｔｏｒｒとなるように調節して
排気し、かつ基板４１を所定温度、特に１００〜３５０
℃（望ましくは１５０〜３００℃）に加熱保持する。次
いで、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、Ｓｉ
Ｈ４又はガス状シリコン化合物、ＣＨ４、Ｏ，、ＢｇＨ
ｂ（又はＰＨ３）を適宜真空槽５２内に導入し、例えば
０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源５６に
より高周波電圧（例えば１３．５６　ＭＨｚ）を印加す
る。これによって、上記各反応ガスを電極５７と基板４
１との間でグロー放電分解し、０含有Ｐ型ａ−５ｉＣ：
Ｈ，Ｏ含有量　　Ｓ　ｉＣ：　Ｈ％ａ−３ｔ　：Ｈ，ａ
−３ｉＣ：Ｈを上記の層４４．４２．４３．４５として
基板上に連続的に（即ち、第１図の例に対応して）堆積
させる。 上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｔ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。 なお、上記ａ−８ｉ系感光体感光層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフッ素をＳ　ｉ　Ｆ４等
の形で導入し、ａ−３ｔ：Ｆ。 ａ−３ｔ　：Ｈ：ＦＳａ−３ｉＮ：Ｆｓａ−３ｉＮ：Ｈ
：ＦＳａ−３ｉＣ：Ｆ。 ａ−３ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる。この場合のフ
ッ素量は０．５〜１０％が望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法にょるもので
あるが、これ以外にもスパッタリング法、イオンブレー
ティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化された
水素導入下でＳｔを蒸発させる方法（特に、本出願人に
よる特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２４
５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可能
である。 次に、本発明を具体的な例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状／ｌ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず、支持体である例えば平滑な表面を持つドラ
ム状ＡＩ基板４１の表面を清浄化した後に、第２図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０′″
’　Ｔ　ｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板
４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１
５０〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度のＡ
ｒガスをキャリアガスとして導入し、０．５　Ｔｏｒｒ
の背圧のもとて周波数１３．５６　Ｍ）Ｉｚの高周波電
力を印加し、１０分間の予備放電を行った。 次いで、ＳｉＨ４とＢｘ　Ｈｈとからなる反応ガスを導
入し、流量比４：ｌ：１：　　（１，０Ｘ１０−す）：
（１，５Ｘ１０−″）の（Ａ　ｒ　＋　Ｓ　ｉＨ４＋　
ＣＨ４＋　Ｏ２＋ＢｚＨａ）混合ガスをグロー放電分解
することにより、電荷ブロッキング機能を担うＰ型の０
含有ａ−３ｉＣ：Ｈ層４４を６ｕｍ／ｈｒの堆積速度で
所定厚さに製膜した。電荷輸送層４２も同°様にして形
成した。引き続き、Ｂｘ　Ｈ，及びＣＨ，を供給停止し
、Ｓ　ｉ　Ｈａを放電分解し、所定厚さのａ−３ｉ：Ｈ
層４３を形成した。引続いて、流量比４：１：６の（Ａ
　ｒ　＋Ｓ　ｉ　Ｈａ　＋ＣＨ＊）　　混合ガスと共に
グロー放電分解し、所定厚さのａ−３ｉＣ表面保護層４
５を更に設け、電子写真感光体を完成させた。この感光
体を用いて、次の測定を行なった。 帯電電位Ｖ０（ｖ）： Ｕ　−Ｂ　１ｘ２５００改造機（小西六写真工業■製）
を用い、感光体流れ込み電流１５０μＡ、露光なしの条
件で３６０ＳＸ型電位計（トレック社製）で測定した現
像直前の表面電位。 半減露光量Ｅ　＋／ｚ＜　ｌ　ｕｘ−ｓｅｃ）　：上記
の装置を用い、表面電位を５００ｖから２５０ｖに半減
するのに必要な露光量。像露光は、グイクロイックミラ
ーにより６２０ｎｍ以上の長波長成分をカットした。 （露光量は５５０−１型光量計（ＥＧａｎｄＧ社製）に
て測定） 残留電位ｖｌｌ（Ｖ）： 上記の装置を用い、５００ｖに帯電させた後、４００ｎ
ｍにピークをもつ除電光を３０１　ｕｘ　−ｓｅｃ照射
後の表面電位。 ：Ｈ２０万コピー実写： Ｕ　−Ｂ　１ｘ２５００改造機（小西六写真工業■製）
を用τまた０画質の評価は次の通りである。 ◎；画像濃度が十分高（、解像度、階調性がよ（、鮮明
で画像上に白スジや白ポチがない。 即ち画像極めて良好。 ○：画像良好。 Δ；画像実用上採用可能。 ×：画像実用上採用不可能。 種々の層構成の感光体について第３図の結果が得られた
。この結果から次のことが明らかである。 （１）、電荷輸送層の酸素含有量が０．０５ａｔ％より
少ないと、高温環境下での帯電電位が充分でない。 （２）、電荷輸送層の酸素含有量が５ａｔ％より多いと
、光感度が悪（なり、残留電位が上昇する。 （３）。５０℃で２０万コピーを行っても良好な画質を
得るためには、電荷輸送層の酸素含有量を０．０５ａｔ
％く

〔０〕　≦　５ａｔ％とすることが必要である。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−３ｔ系悪感光の断面図、 第２図はグロー放電装置の概略断面図、第３図は感光体
の特性を比較して示す図である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・ａ−３ｉ系悪感光 ４１・・・・支持体（基板） ４２・・・・電荷輸送層 ４３・・・・電荷発生層 ４４・・・・電荷ブロッキング層 ４５・・・・表面改質層 である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンか
   らなる電荷発生層上に、絶縁物質からなる表面改質層が
   設けられ、かつ前記電荷発生層下に、酸素を０．０５〜
   ５ａｔｏｍｉｃ％（但し、シリコン原子と炭素原子と酸
   素原子との合計原子数を１００ａｔｏｍｉｃ％とする、
   ）含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
   シリコンからなる電荷輸送層が設けられている感光体。 ２、電荷輸送層下に、酸素を０．０５〜５ａｔｏｍｉｃ
   ％（但し、シリコン原子と炭素原子と酸素原子との合計
   原子数を１００ａｔｏｍｉｃ％とする。）含有するアモ
   ルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコンからな
   る電荷ブロッキング層が設けられている、特許請求の範
   囲の第１項に記載した感光体。