JPS6283762A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口０発明の背景 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡｓ　％
　Ｔｅ　、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳ
を樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている
。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安
定性、機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン（以下、ａ　　Ｓｉと称す
る。）を母体として用いた電子写真感光体が近年になっ
て提案されている。ａ−Ｓｔは、５ｉ−３ｉの結合手が
切れたいわゆるダングリングボンドを有しており、この
欠陥に起因してエネルギーギャップ内に多くの局在準位
が存在する。このために、熱励起担体のホッピング伝導
が生じて暗抵抗が小さく、また光励起担体が局在準位に
トラップされて光導電性が悪（なっている。そこで、上
記欠陥を水素原子（Ｈ）で補償してＳｉにＨを結合させ
ることによって、ダングリングボンドを埋めることが行
われる。 このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、１０”〜１０
”Ω−ｃｍであって、アモルファスＳｅと比較すれば約
１万分の１も低い。従って、ａ−３ｔ：Ｈの単層からな
る感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電
位が低いという問題点を有している。しかし他方では、
可視及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大きく減少
するため、感光体の感光層として橿めて優れた特性を有
している。 また、ａ−３ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長期に亘っ
て大気や湿気に曝されることによる影響、コロナ放電で
生成される化学種の影響等の如き表面の化学的安定性に
関して、これまで十分な検討がなされていない。例えば
１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、受容電位
が著しく低下することが分っている。一方、アモルファ
ス炭化シリコン（以下、ａ−３ｉＣ：Ｈと称する。）に
ついて、その製法や存在が“フィロソフィカル・マガジ
ン（Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ　　Ｍａｇａｚｉｎｅ
）、　Ｖｏｌ、　３５”（１９７Ｂ）等に記載されてお
り、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと、ａ
−３ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０１２〜１０
′３Ω−ｃｍ）を有すること、炭素量により光学的エネ
ルギーギヤツブが１．６〜２．８　ｅＶの範囲に亘って
変化すること等が知られている。 こうしたａ−３ｉＣ：Ｈとａ−３ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５７−１７９５２号におい
て提案されている。これによれば、ａ　−３ｉ：Ｈ層を
電荷発生層とし、この受光面上に第１のａ−３ｉＣ：Ｈ
層を形成し、裏面上（支持体電極側）に第２のａ　　Ｓ
ｉＣ：Ｈ層を形成して、３層構造の感光体としている。 本発明者は、特にａ−３ｉＣ：Ｈを使用した感光体につ
いて検討を加えた結果、従来の感光体には次の如き欠点
があることを見出した。即ち、光照射時に電荷輸送層（
上記第２のａ−３ｉＣ：Ｈ石）にまで光が到達すると、
電荷輸送層に光疲労が生じてキャリアをトラップする局
在準位が形成され、黒紙電位の変動、白紙電位の変動、
残留電位上昇の原因となるため、電荷輸送層へ光が到達
しないように電荷発生層の膜厚を大きくする必要がある
が、このように電荷発生層の膜厚が大となれば、電荷発
生層と電荷輸送層との界面の状態が電荷発生層中の光生
成キャリアの移動に大きく影響を与えることになる。具
体的に言えば、電荷発生層自体は感度等の面から不純物
（例えばボロン）のドーピング量を少なめにしであるた
め、本来キャリア（ホール）が移動しにくいが、これに
加えて電荷発生層の膜厚が大きくなれば所定位置ヘホー
ルが一層移動しにくくなり、特に上記両層の界面状態が
悪いとホールの到達率が大きく減少してしまうと考えら
れる。しかも、両層間に存在する光学的エネルギーギツ
プが大きいと、光照射時に光導電層内で発生したキャリ
アが電荷発生層と電荷輸送層との間に存在するエネルギ
ー障壁を充分に乗越えることができず、光感度が不十分
となってしまうことがある。しかし、上記光学的エネル
ギーギヤツブが小さくても（０，３ｅＶ以下でも）、上
記した理由からホールの移動度が不十分となることは回
避できない問題である。 これまでに提案されている感光体として、例えば実開昭
５７−２３５４３号、同５７−２３５４４号等のように
、電荷発生層と電荷輸送層との間に、炭素量を連続変化
させた傾斜層を設けたものが知られている。しかし、実
際には、再現性よく組成を連続的に変化させるのは困難
であり、また量産時３こは、組成を再現性よく連続的変
化させることは更に困難である。また、感光体の表面に
表面改質層を設けたものも知られているが、単層の表面
改質層の場合には、高感度と機械的強度の点で満足のゆ
く性能が得られず、上記した両層′の界面でのキャリア
注入の向上や、電荷発生層−表面改質層間のハンドベン
ディング及び接着性の向上が望まれている。 ハ０発明の目的 本発明の目的は、高感度化（特に低電場下での裾切れの
改善）を図り、かつまた残留電位が低く、電荷発生層−
電荷輸送層間の接着性を向上させ、機械的強度を高めて
高耐久化を可能となす怒光体を提供することにある。 二１発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、窒素原子及び酸素原子のうち少な（と
も窒素原子を含有するアモルファス水素化及び／又はハ
ロゲン化シリコンからなり、かつ周期表第ＩＩＩａ族元
素がドープされた電荷輸送層と；この電荷輸送層上に設
けられ、かつアモルファス水素化及び／又はハロゲン化
シリコンからなる電荷発生層と；前記電荷輸送層と前記
電荷発生層との間に設けられ、窒素原子及び酸素原子の
うち少なくとも窒素原子を含有するアモルファス水素化
及び／又はハロゲン化シリコンからなり、かつ窒素原子
及び／又は酸素原子の含有量が前記電荷輸送層よりも少
ない中間層（この中間層は複数の層からなっていてよい
。）と（望ましくは更に、前記電荷発生層上に設けられ
、かつ無機系の絶縁性物質からなる表面保護層と）を有
する感光体に係るものである。 本発明によれば、電荷輸送層と電荷発生層との間に中間
の組成の中間層（特に組成が連続的に変化Ｌ７ないでほ
ぼ一定の組成の中間層）を設けているので、光照射によ
り電荷発生層中で発生したキャリアを高い注入効率で電
荷輸送層へ注入することができ、かつそうした中間層の
形成を容易にして量産性の両立を図れる。また、電荷発
生層上に、無機系の絶縁物質からなる表面保護層を設け
ると、機械的損傷に対して強くなり、白スジ発生等によ
る画質の劣化がなく、耐剛性が優れたものとなる。 更に、本発明においては、表面保護層と電荷発生層との
間にも中間層を設けると、機械的強度と画像ボケに対し
て高性能の感光体を提供でき、これにより、高感度、高
耐久性及び高画質の感光体が得られる。なお、ブロッキ
ング層を更に設ければ、高帯電能を実現し、実用化する
上でプロセスおよび現像特性に負担をかけず、かつ一層
の高画質、高耐久性が可能となる。更に、電荷輸送層も
窒素原子及び酸素原子のうち少なくとも窒素原子を含有
する上に、周期表第ＩＩＩａ族元素がドープされている
ので、電位保持能が良好となり、かつ光キャリアの移動
度も向上する。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第１図は、本実施例による正帯電用のａ−３ｉ系電子写
真感光体３９を示すものである。この感光体３９はＡ１
等のドラム状導電性支持基板４１上に、Ｐ゛型ブロッキ
ング層４４と、電荷輸送層４２と、中間層４７と、電荷
発生層４３と、表面保護層４５とが積層された構造から
なっている。電荷プロツキソゲ層４４は、周期表第ＩＩ
Ｉａ族元素（例えばホウ素）がヘビードープされかつＮ
及びＯのうち少なくともＮを含有するアモルファス水素
化及び／又はハロゲン化シリコン（ａ−３ｉＮ：Ｈ／Ｘ
又はａ−３ｉＮＯ：Ｈ／Ｘ）からなっている。電荷輸送
層４２は、周期表第ＩＩＩａ族元素（例えばホウ素）が
ライトドープされ、かつＮ及びＯのうち少なくともＮを
含有するアモルファス水素化及び／又はハロゲン化シリ
コン（ａ−３ｉＮ：Ｈ／Ｘ又はａ−３ｉＮＯ：Ｈ／Ｘ）
からなっている。中間層４７は、電荷輸送層４２と同様
のａ−３ｉＮ：Ｈ／Ｘ又はａ−３ｉＮＯ：Ｈ／Ｘからな
るが、Ｎ又はＯの含有量が電ｒＴ輸送Ｆｆ４２よりも少
なくなっている。電荷発生ｌＩ４３は、必要あれば周期
表第ＩＩＩａ族元素（例えばホウ素）がライトドープさ
れたアモルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコン
（ａ−Ｓｉ　　：Ｈ／Ｘ）からなっている。表面保護層
４５は、絶縁性の無機物質、例えばＡｌ２Ｏ３、Ｔａｘ
ｅｓ、Ｃｅ０ｚ、Ｚｒ０ｚ　、Ｔｉ１ｔ　、ＭｇＯ，Ｚ
ｎＯ，ｐｂｏ。 Ｍｇ　Ｆ　ｚ　、Ｚ　ｎ　Ｓ等からなっている。 次に、上記の各層について更に詳述する。 上記の層４５は感光体の表面を改質してａ−３ｉ系悪光
体を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。 従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、ａ−３ｉ：Ｈを表
面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気
等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる
。 また、層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱
性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセ
スを適用することができる。 また、表面層４５の膜厚は４００人≦ｔ≦５ｏｏｏ人の
範囲内（特に４００人　≦ｔ≦２０００人に選択するの
がよい。即ち、その膜厚が５０００人を越える場合には
、残留電位■□が高（なりすぎかつ光感度の低下も生じ
、ａ−３ｔ系怒晃体としての良好な特性を失い易い。ま
た、膜厚を４００人未満とした場合には、トンネル効果
によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減衰
の増大や光感度の低下が生じてしまう。 電荷発生層４３については、帯電能を向上する為には、
電荷発生層の高抵抗化とキャリアの移動度の向上とを図
ってもよい、その為には、電荷発生層を真性化しても良
い。この場合、後述のグロー放電分解時に（ＢｇＨ＆　
）／　（ＳｉＨｎ　）＝０．０１〜１０容量ｐｐｒａと
するのがよ＜、０．０５〜５容量ｐｐｒａが更によ＜　
、０．０７〜３容量ｐｐａ＋が最適である。 また、電荷発生層は２〜１５μｍとするのがよい。 電荷発生層４３が２μｍ未満であると光感度が充分でな
く、下層へ光が浸透し易く、また１５μｍを越えると残
留電位が上昇し、実用上不充分である。 中間層４７は、キャリアの注入効率を高めるために設け
られるものであって、その組成としては、０．５％≦（
Ｎ）５５０％、０．０５％≦［０）５１０％がよく、２
％≦　（Ｎ）　　５１０％、０．０５％≦　〔０〕　≦
４％が更によく、３％≦（Ｎ）≦８％、０．０５％≦（
０）≦２％が最適である。但し、Ｎ又は０の含有量は、
電荷輸送層４２より少なく　（望ましくは、電荷輸送層
の含有量の１／６〜５／６）なっている。 この中間層４７には、周期表第ＩＩＩａ族元素をライト
ドープするのがよく、例えば後述のグロー放電分解時に
（ＢｚＨｈ）／　（ＳｉＨａ　）＝０．１〜５０容量ｐ
ｐｍとするのがよ＜、０．５〜３０容量ｐｐｍが更によ
く、５〜１５容ｆｆｉｐｐｍが最適である。 また、中間層４７の膜厚は０．０１〜２μｍとするのが
よいが、０．０１μｍ未満だとその効果が弱く、２μ儂
を越えると却って感度が低下し易くなる。この中間層は
２層以上で形成することもできる。 電荷輸送層４２については、帯電能、感度を最適化する
為には、真性化してもよい。真性化の為のドープ量は、
ＣＢｚＨｂ　）／　（ＳｉＨ４）＝０．１〜５０容ｌｐ
ｐｍがよ＜、０．５〜３０容ｉｔ　ｐ　ｐｔａが更によ
く、５〜１５容量ｐｐｍが最適である。電荷輸送層の膜
厚は５〜５０μｍとするのがよく、電荷発生層４３より
も厚くするのがよい。 また、電荷輸送層４２の組成は、５％≦（Ｎ）５５０％
、好ましくは７％≦（Ｎ）　　５２０％がよく、８％≦
（Ｎ）５１４％が最適である。また、０．０５％≦〔０
〕　５１０％がよ（、好ましくは０．０５％≦〔０３５
４％であり、０．０５％≦〔０〕≦２％が最適である。 また、上記電荷ブロッキング層４４は、基Ｆｉ４１から
の電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のため
には、周期表第ＩＩＩａ族元素（例えばボロン）をグロ
ー放電分解でドープして、Ｐ型（更にはＰ゛型）化する
。ドーピング量は、例えばＣＢＺＨ６）／　（ＳｔＨ４
）＝１０−１０，０００容ｌｐｐｍがよく、１００〜５
０００容量ｐｐｒａが更によ＜、５００〜３０００容量
ｐｐｍが最適である。 また、電荷ブロッキングＦｊ４４の組成は電荷輸送層４
２と同様に、５％≦（Ｎ）５５０％、０．０５％≦〔０
〕≦１０％がよく、更に７％≦（Ｎ）５２０％、０．０
５％≦　〔０〕　≦４％がよく、８％≦〔Ｎ〕≦１４％
、０．０５％≦〔０〕≦２％が最適である。 また、ブロッキング層４４の膜厚は０．０１〜１０μｍ
がよい。０．０１μｍ未満であるブロッキング効果が弱
く、また１０μｍを越えると電荷輸送能が悪くなり易い
。 なお、上記の各層は水素又はハロゲン（例えばフッ素）
を含有することが必要である。特に、電荷発生層４３中
の水素含有量は、ダングリングボンドを補償して光導電
性及び電荷保持性を向上させるために必須不可欠であっ
て、１０〜３０％であるのが望ましい。この含有量範囲
は表面改質層４５、中間層４７、ブロッキング層４４及
び電荷輸送層４２も同様である。また、導電型を制御す
るための不純物として、Ｐ型化のためにボロン以外にも
Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ　、ＴＮ等の周期表ＩＩＩａ族元素を
使用できる。 次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第２図について説明す
る。 この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセントされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒状高廟波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の６２はＳ　ｉ　Ｈａ又はガス状シリコン化合物の供
給源、６３はＣＨ，等の炭化水素ガスの供給源、６４は
Ｎ２等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０２等の酸素
化合物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給
源、６７は不純物ガス（例えばＢｚＨａ）供給源、６８
は各流量計である。このグロー放電装置において、まず
支持体である例えばＡｌ基［４１の表面を清浄化した後
に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０
−　ｈＴ　ｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基
板４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは
１５０〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度の
不活性ガスをキャリアガスとして、Ｓ　ｉ　Ｈａ又はガ
ス状シリコン化合物、Ｎ２．０□等を適宜真空槽５２内
に導入し、例えば０．０１”１ＯＴｏｒｒの反応圧下で
高周波電源５６により高周波電圧（例えば１３．５６Ｍ
Ｈｚ　）を印加する。これによって、上記各反応ガスを
電極５７と基板４１との間でグロー放電分解し、Ｐ３型
ａ　　５ｉＮＯ：　Ｈｓ　ｉ型５ｉＮＯ：Ｈ，ｉ型５ｉ
ＮＯ：Ｈ，ａ−３ｔ　　：Ｈを上記の層４４．４２．４
７．４３、として基板上に連続的に（即ち、例えば第１
図の例に対応して）堆積させる。そして、最表面には、
公知の真空蒸着法によってＡｌ２Ｏ２層４５を被着する
。 上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。 なお、上記ａ−３ｉ系感光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してハロゲン原子、例えばフ
ン素をＳｉＦ４等の形で導入し、ａ−３ｔ　　：Ｆ、ａ
−３ｉ　　：Ｈ：Ｆ％　　ａ−３ｉＮ：Ｆ、ａ−３ｉＮ
：Ｈ：Ｆ等とすることもできる。 この場合のフン素置は０．５〜１０％が望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状Ａｌ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａｌ基板４１の表面を清浄化した後に、第２図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−’
Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を
所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０〜
３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度のＡｒガス
をキャリアガスとして導入し、０．５Ｔｏｒｒの背圧の
もとで周波数１３．５６　ＭＨｚの高周波電力を印加し
、１０分間の予備放電を行った。次いで、Ｓ　ｉ　Ｈ４
とＮ２．０□、Ｂ２Ｈ４からなる反応ガスを導入し、流
量比１：ｌ：ｌ：　　（１，５Ｘ１０−ゴ）の（Ａｒ　
＋５ｉＨａ　＋Ｎｚ　＋０２　＋ＢＺＨ＆　）混合ガス
をグロー放電分解することにより、電荷ブロッキング機
能を担うＰ′型のａ　　５ｉＮＯ：　Ｈ層４４と、ａ−
５ｉＮＯ：　Ｈ電荷輸送層（但、ＣＢＺＨ＆）／　ＣＳ
　ｉ　Ｈａ　）　＝　５容量ｐｐｍ　、　　（Ｎ）　＝
１０％、〔０〕＝０．２％）４２、ａ−３ｉＮＯ：Ｈ中
間層（但、（ＢｚＨｈ）／　（ＳｉＨ４）＝８容量ｐｐ
ｍ、ＩＮＮ）＝５％、（０）＝０．２％）４７を６層ｍ
／ｈｒの堆積速度で順次所定厚さに製膜した。引き続き
、Ｎ２及び０２を供給停止し、５ｉＨａ及びＢ　ｚ　Ｈ
ｂを放電分解し、厚さ５μｍのａ−３ｉ：８層（但、（
ＢｚＨ６）／　（ＳｉＨ４）＝０．１容ｆｔｐｐｍ　）
　４３を形成した。引続いて、真空蒸着装置を用い、Ａ
１を蒸発源とし、０□ガス導入下での反応蒸着により、
Ａ　ｌ　ｚ　０３表面保護層４５を更に設け、電子写真
感光体を完成させた。比較例として、中間層のない感光
体を作成した。 こうして作成された感光体の構成を第３図にまとめた。 そしてこれらの各感光体を使用して各種のテストを次の
ように行なった。 ・テスト条件 ・Ｕ−Ｂｉｘ　１６００　ＭＲ（小西六写真工業社製）
を以下のように改善した機械を用いた。 １）グイクロイックミラー（光伸光学社製）により像露
光、波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成分をシャープ
カット。 ２）帯電極への流れ込み電流は長野愛知社製、ＴＲ−Ｎ
５型高圧電源から出力。 ・測定環境：室温２０℃、相対湿度５０％。 ・測定条件 ・感光層中の元素含有量の測定は、以下の条件でＡＥＳ
　（Ａｕｇｅｒ　　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　５ｐｅｃｔｒｏ
ｓｃｏｐｙ）分析を行った。 １）測定機：パーキンエルマ社製ＰＨＩφ−６００型Ａ
ＥＳ分析装置。 ２）感度係数：ＰＨ１社オージェハンドブック記載の値
使用。 ３）測定方法：３ｋＶの加速電圧、ビーム電流０．１μ
への電子ビーム照射時のオー ジェ電子を測定。３ｋＶの加速型 圧、ビーム電流０．１２ｃｒＡのＡｒ スパッタにより膜厚方向の分布 を求めた。 ・Ｖｗ　　：上記Ｕ　−Ｂ　ｉｘ１６００Ｍ　Ｒ改造機
で、感光体ドラムを１２時間暗順応後で像露光直前で感
光体の表面電位が５５０Ｖとなるようにセットし、２．
７　ｊ２ｕｘ・ｓｅｃの像露光を行った直後の感光体の
表面電位 （露光量は５５０−１型光量計（ＥＣ＆Ｇ社製）にて測
定）。 ・帯電能： 感光体流れ込み電流１５０μＡ１露光なしの条件で３６
０ＳＸ型電位計（トレソク社製）で測定した現像直前の
表面電位。 画像ボケ：Ｘ５，５ポイント英字がつぶれて判読できな
い。 ○鮮明な細線再現性。 耐久性　：×２０万コピーで傷の発生が多い。 ０２０万コピー中、傷の発生なし。 △傷の発生１〜１０ケ所 結果を第３図にまとめて示した。この結果から、本発明
に基いて感光体を作成すれば、電子写真用として各性能
に優れた感光体が得られることが分る。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−３ｉ系感光体の断面図、 第２図はグロー放電装置の概略断面図、第３図は各感光
体の特性を示す表 である。 なお、図面に示された符号において、 ３９−・−・・・・ａ−３ｉ系感光体 ４１・・−・・・−・・−支持体（基板）４２−・−・
・−電荷輸送層 ４３−・・・・−・−・−電荷発生層 ４４−・−・−・−電荷プロフキング層４５・−・−−
−一−−−−表面改質層４７・−−一一−−−−−−中
間層 である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、窒素原子及び酸素原子のうち少なくとも窒素原子を
   含有するアモルファス水素化及び／又はハロゲン化シリ
   コンからなり、かつ周期表第IIIａ族元素がドープされ
   た電荷輸送層と；この電荷輸送層上に設けられ、かつア
   モルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコンからな
   る電荷発生層と；前記電荷輸送層と前記電荷発生層との
   間に設けられ、窒素原子及び酸素原子のうち少なくとも
   窒素原子を含有するアモルファス水素化及び／又はハロ
   ゲン化シリコンからなり、かつ窒素原子及び／又は酸素
   原子の含有量が前記電荷輸送層よりも少ない中間層とを
   有する感光体。