JPH01289962A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

口、従来技術 従来、電子写真感光体として、アモルファスシリコン（
ａ−Ｓｉ）を母体として用いた電子写真感光体が近年に
なって提案されている。

このようなａ−３ｉ　はいわゆるダングリングボンドを
有しているため、この欠陥を水素原子で補償して暗抵抗
を大としかつ光導電性も向上させたアモルファス水素化
シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）が提案されている。

しかしながら、ａ−Ｓｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で４生成される化学種の影響等の如き表面の化学
的安定性に関して、これまで十分な検討がなされていな
い。例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け
、受容電位が著しく低下することが分っている。一方、
アモルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−３ｉＣ：
ｌ（と称する。）について、その製法や存在が“Ｐｈ１
１．　Ｍａｇ。

Ｖｏｗ、　３５　”　（１９７８）等に記載されており
、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと、ａ　
−３ｉ　：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０′２〜１
０′３Ω−ｃｍ）を有すること、炭素量により光学的エ
ネルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶの範囲に亘って
変化すること等が知られている。但し、炭素の含有によ
りハンドギヤツブが拡がるために長波長感度が不良とな
るという欠点がある。

こうしたａ−３ｉＣ：Ｉ（とａ−３ｉ：Ｔ（とを組合せ
た電子写真感光体は例えば特開昭５７−１１５５５９号
公報において提案されている。これによれば、ａ−３ｉ
：Ｈからなる電荷発生層上にａ　−Ｓｉ　Ｃ：　Ｈ層を
表面改質層として形成している。

しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けても、未だ回持
した程には効果がなく、特に繰り返し使用時の耐スクラ
ッチ性や耐画像流れ性に問題があることが判明した。

ハ１発明の目的 本発明の目的は、繰り返し使用に耐え、良好な画像を得
ることのできる感光体を提供することにある。

二１発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、アモルファス水素化及び／又はハロゲ
ン化シリコンからなる電荷発生層と、アモルファス水素
化及び／又はハロゲン化炭化シリコンからなる電荷輸送
層と、炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうち少なくと
も炭素原子及び窒素原子を含有するアモルファス水素化
及び／又はハロゲン化シリコンからなる表面改質層とを
有し、この表面改質層の炭素含有量（〔Ｃ〕）及び窒素
含有量（（Ｎ　〕）が夫々、 ３０ａｔｏｍｉｃ％　≦　〔Ｃ）　＜　　１００１００
ａｔｏ％Ｏａｔｏｍｉｃ％　〈　〔Ｎ］　≦　５０ａｔ
ｏｍｉｃ％（イ旦し、３０ａｔｏｍｉｃ％＜　〔Ｃ十Ｎ
）　＜　１００１００ａｔｏ％とする。） であり、前記表面改質層についてＳｉ　　ＣＨ３に起因
する赤外吸収曲線の波数１２００〜１３００ｃｍ−’で
の積分面積（Ｓ）が、 〔但し、ａ（ω〕−−ユｌｏｇ１ｏ」展で表され、ＬＯ
ｔＩ。

ωは赤外波数（ｃｍ−’）　、ｄは表面改質層の膜厚（
ｃｍ）、■（ω）は透過光強度、Ｔｏは入射光強度であ
る。〕 で示される範囲にあり、かつ前記表面改質層の光学的バ
ンドギャップが２．４ｅＶ以上である感光体に係るもの
である。

本発明によれば、表面改質層は炭素原子、窒素原子及び
酸素原子の少なくとも炭素原子及び窒素原子を含有して
いるだけでなく、この表面改質層の赤外吸収面積を上記
したＳ≦１０，０００（ｃｍ−２）に特定することによ
って、はじめて満足すべき耐スクラッチ性が得られ、白
スジ発生等による画質の劣化がなく、耐剛性が優れたも
のとなるのである。

また、表面改質層の光学的バンドギャップ（Ｅｇ、ｏρ
ｔ）を２．４ｅＶ以上と特定範囲に限定しているので、
上記に加えて画像流れが大きく減少し、高画質化が更に
現実可能となる。

また、上記の電荷発生層と上記の電荷輸送層とを設けて
機能分離型の積層構造としているので、電荷発生層によ
って広い波長域での光感度を得、かつこの電荷発生層と
へテロ接合を形成する電荷輸送層によって電荷輸送能と
帯電電位の向上とを図ることができる。

ボ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第１図は、本実施例によるａ−Ｓｉ系電子写真感光体３
９を示すものである。この感光体３９はＡ４２等のドラ
ム状導電性支持基板４１上に、必要に応じて設けられる
ａ−３ｔ系の電荷ブロッキング層４４と、アモルファス
水素化炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）からなる電荷輸
送層４２と、ａ　−Ｓｉ　：Ｈからなる電荷発生層（不
純物Ｉ・−ピングなし又はｌ真性化されたもの）４３と
、Ｃ，Ｎ及びＯの少なくともＣ及びＮを含有するａ　−
８ｉ　ＣＮ　：　Ｈ又はａ　−３ｉ　ＣＮ○ニドＩから
なる表面改質層４５とが積層された構造からなっている
。電荷ブロンキング層４４ば、ａＳｉ：）（、ａ−３ｉ
Ｃ：Ｈ又は、ａ−ＳｉＮ：Ｈからなっていてよく、また
周期表第１ＩＩＡ族又は第ＶＡ族元素がドープされてい
てよい。また、電荷輸送層４２、電荷発生層４３にも同
様の不純物がトープされていてよい。電荷発生層４３は
、暗所抵抗率ρ。と光照射時の抵抗率ρ、との比が電子
写真感光体として充分大きく光感度（特に可視及び赤外
領域の光に対するもの）が良好である。なお、上記の層
４５−４３間にはａ　−３ｉＣ等の中間層を設けてもよ
い。

ここで注目すべきことは、表面改質層４５がＣ１Ｎ、Ｏ
の少なくともＣ及びＮを含有するａ　−ＳｉＣＮ：Ｈ又
はａ　−３ｉ　〔ＣＮＯ）：　Ｈからなっているだけで
なく、そのＣ及びＨの含有によるＳｉ−Ｃｔ１３に起因
する赤外波数１２４０ｃ＋ｎ−’近傍の赤外吸収面積（
上記したＳ）を１０．０００ｃｍ−２以下、望ましくは
、６＋０００ｃｍ−”以下、更に望ましくは３＋０００
ｃｍ−２以下と特定範囲に設定していることである。

このように表面改質層４５のＳｉ　　Ｃ１＋３に起因す
る波数近傍での赤外吸収面積を特定範囲に限定したこと
によって、表面改質層４５の機械的強度、特に耐スクラ
ッチ性が著しく向上することがはじめて判明したのであ
る。

表面改質層４５の組成については、 ３０ａｔｏｍｉｃ％≦ＣＣ〕＜　１００１００ａｔｏ％
Ｏａｔｏｍｉｃ％＜〔Ｎ〕≦５０ａｔｏｍｉｃ％３０ａ
ｔｏｍｉｃ％＜［Ｃ−１−Ｎ］又は（ｃ　＋　Ｎ　−１
−０：］＜　１００１００ａｔｏ％ （但し、　（Ｓｉ　：］千〔Ｃ〕斗（Ｎ　：ｌ−１１−
１Ｏ０ａｔｏ％又は（Ｓｉ　）＋［Ｃ：ｌ＋（Ｎ　）＋
（０）　−１００ａｔｏｍｉｃ％とし、 ４０ａｔｏｍｉｃ％≦〔Ｃ〕≦６５ａ　ｔｏｍｉｃ％ｌ
ａｔｏｍｉｃ％　≦（Ｎ）≦３５ａｔｏｍｉｃ％４０ａ
ｔｏｍｉｃ％≦［：ＣｆＮ）又は［：Ｃ＋Ｎ＋Ｏ：１≦
７０ａｔｏｍｉｃ％ とするのがｉｖｌ望ましい。（ここで、ａｔｏｍｉｃ％
は原子数の百分率を表わす）。Ｃ＋　Ｎ又はＣｆＮ十〇
の含有量が少なすぎても多ずぎても上記した耐スクラッ
チ性向上の効果に乏しくなる。この場合、〔Ｃ）が３０
ａｔｏｍｉｃ％未満では耐スクラッチ性が出す、また（
Ｎ）の含有によって画像流れを防ぐが、その上限を５０
ａｔｏｍｉｃ％としないと耐スクラッチ性が不良となる
。

表面改質層４５の帯電能を向上させるには、後述のグロ
ー放電法において例えば（Ｂ２Ｈ６）／　［Ｓｉｔ１４
：］−ＩＯ−’　〜１０’容量ｐｐｍ　、望ましくはＩ
Ｏ″１〜１０２容量ｐｐｍの周期表第１ｔ（Ａ族元素、
或いはＣＰＩ＋３’ｌ／（ＳｉＨ４：］　−１０−’〜
１０’容量ｐｐｍ　、望ましくは１０−’〜１０２容量
ｐｐｍの周期表第ＶＡ族元素をドープするのがよい。

これらの周期表第１Ｉ［Ａ族元素と第ＶＡ族元素とは表
面改質層中に共に含有せしめてもよい。

また、表面改質層４５の膜厚は２００〜３０，０００人
とすることが望ましく、　１　、０００〜１ｏ、ｏｏｏ
人とするのが更に望ましい。膜厚が大きすぎると、残留
電位■８が高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−
３ｉ系感光体としての良好な特性を失い易い。

また、膜厚が小さずぎると、トンネル効果によって電荷
が表面上に帯電されなくなるため、暗減衰の増大や光感
度の低下が生じてしまう。

電荷発生層４３はａ　−３ｉ　：　Ｈからなっていてよ
く、その組成としては、Ｈを５〜４０ａｔｏｍｉｃ％と
するのがよく、Ｈに代えて或いは併用してハロゲンを含
有するときにはハロゲン５〜４０ａｔｏｍｉｃ％、或い
はＩ−１とハロゲンとの合計量は５〜４０ａｔｏｍｉｃ
％とするのがよい。この電荷発注層４３は帯電能向上の
ために不純物、特に周期表第１１１Ａ族又はＶＡ族元素
をドープするとよい。例えば、後述のグロー放電時に、
ｃＢ、ｌ／（ｓｉ＋＋４）　−１ｏ−３〜１００（好ま
しくは１０’　〜１０）容量ｐｐｍ、（Ｐ　Ｈ３）／　
（ＳｉＨ４：ｌ　〜１０−３〜１００（好ましくは１０
−２〜１０）容量ｐｐｍとしてよい。

また、この層４３の厚みは１〜５０μｍ、好ましくは５
〜３０μｍとするのがよい。層４３の厚みが小さずぎる
と十分な光感度が得られず、また大きすぎると残留電位
が上昇し、実用上不充分である。

電荷輸送層４２は電位保持及び電荷輸送の両機能を担い
、暗所抵抗率が好ましくは１０１２Ω−ｃｍ以上あって
、耐高電界性を有し、単位ｌｌａ厚当りに保持される電
位が高く、しかも電位を大きな移動度と寿命を以て効率
よく支持体４１側へ輸送する。

また、炭素含有Ｍ（特に５〜３０ａｔｏｍｉｃ％）によ
ってエネルギーギャンプの大きさを調節できるため、電
荷発生層４３において光照射に応じて発生した電子に対
し障壁を作ることなく、効率よく注入させることができ
る。従ってこのａ−ＳｉＣ：８層４２は実用レヘルの高
い表面電位を保持し、ａ　−３ｉ　：Ｈ層４３で発生し
た電荷担体を効率よく速やかに輸送し、高感度で残留電
位のない感光体とする働きがある。

この電荷輸送層４２の炭素原子含有量を５〜３０ａｔｏ
ｍｉｃ％（更には５〜２０ａｔｏｍｉｃ％）にするのが
よい（但し、ＳｉとＣとの合計原子数は１００１００ａ
ｔｏ％）。

即ち、炭素原子含有量が５ａｔｏｍｉｃ％未満では、ａ
　−３ｉＣ：８層４２の比抵抗が、電位保持能に必要な
１０１２Ω−Ｃｍを下潮るために特に帯電電位が不充分
となり易い。また、炭素原子含有量が３０ａｔｏｍｉｃ
％を越えると、比抵抗がやはり低下すると同時に、炭素
原子が多ずぎてａ−３ｉＣ：０層中での欠陥が増えてキ
ャリア輸送能自体が悪くなり易い。

この層４２には、水素原子が５〜５０ａｔｏｍｉｃ％含
有されているのがよく、Ｈに代えて或いは併用してハロ
ゲンを含有するときには、ハロゲン５〜５０ａｔｏｍｉ
ｃ％、或いはＨとハロゲンとの合計量は５〜５０ａｔｏ
ｍｉｃ％とするのがよい。この層４２は電荷輸送能向上
のために不純物、特に周期表第１１１Ａ族又はＶＡ族元
素をトープするとよい。例えば、後述のグロー放電時に
、［ＢＪ＋、：］／［ＳｉｌｌＪ　＝ＩＱ−”〜１００
０（好ましくは１０−２−１００　）容量ｐｐｍ、（Ｐ
ｌｈｌ／（ＳｉｔＬ）　−１０−”〜１．０００　（好
ましくは１０−２〜１００）容量ｐｐｍとしてよい。

更に、この電荷輸送層４２の膜厚は、例えばカールソン
方式による乾式現像法を適用するためには５μｍ〜３０
μｍであることが望ましい。この膜厚が５μｍ未満であ
ると薄ずぎるために現像に必要な表面電位が得られず、
また３０μｍを越えるとキャリアの支持体４１への到達
率が低下してしまう。

また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第■Δ族元素（例えばボロン）をグロー放電
分解でドープして、Ｐ型（更にはＰ“型）化する。ブロ
ッキング層の組成によって、次のようにドーピング量を
制御するのが望ましい。

ａ−Ｓｉ：Ｈ（Ｈ含有量５〜４０ａｔｏｍｉｃ％）・（
Ｂｚｔ１６］／　（Ｓｉｌ１４）　−１０−３〜］、０
’容量ｐｐｍ（更には１０−１〜１０２容量ｐｐｍ　）
ＣＰ　Ｈ：ｌ：］／　〔ｓ＋Ｈ４）　−１０−３〜１０
’容ｆ？ｔｐｐｍ（更には１０−１〜１０２容量ｐｐｍ
　）ａ−３ｉＣ：　Ｈ（Ｈ含有Ｉｔ　５〜５０ａ　ｔｏ
ｍ　ｉ　ｃ％、Ｃ含有量５〜１００　ａｔｏｍｉｃ％）
： （ｈｌｌａ：ｌ／　（Ｓｉｌｌ＜）　＝１０−３〜１０
６容量ｐｐｍ（更には１０−１〜１０４容量ｐｐｍ　）
［Ｐ　１１３　］／　（Ｓ＋ｆｌａ　）　＝＝　１０−
３〜１０６容！ｐｐｍ（更には］Ｏ−’　〜１０’容量
ｐｐｍ　）ａ　−３ｉＮ　：　Ｈ（Ｈ含有ｉｆ　５〜５
０ａｔｏｍｉｃ％、Ｎ含有量５〜６０ａｔｏｍｉｃ％）
： （Ｂｚｌ１６）／　（Ｓ１＋１４３　＝１０−’〜１０
６容量ｐｐｍ（更には１０−１〜１０４容量ｐｐｍ　）
［Ｐ　１１３）／　（Ｓ＋ｔ１４）　＝１０−３〜１．
０６容ＩＪｐｐｍ（更には１０−１〜１０４容量ｐｐｍ
　）また、ブロッキング層４４は膜厚１００人〜２μｍ
がよい。厚めが小さずぎるとブロッキング効果が弱く、
また大きすぎると電荷輸送能が悪くなり易い。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。

特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必要である。

また、ドープする不純物としては、ボロン以外にも、八
！、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｎ等の周期表第ｍＡ族元素を使用で
きるし、またリン以外にも、Ａｓ、ｓｂ等の周期表第Ｖ
Ａ族元素を使用できる。

次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第２図について説明す
る。

この装置５１の真空槽５２内では、トラム状の基板４１
が垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４
１を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。

基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの
円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周
波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、
図中の６２ばＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の供給
源、６３ばＣＨ，等の炭化水素ガスの供給源、６４はＮ
２等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０２等の酸素化
合物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給源
、６７は不純物ガス（例えばＢ２１１６）供給源、６８
は各流量計である。このグロー放電装置において、まず
、支持体である例えばＡｐ、基板４１の表面を清浄化し
た後に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が
１Ｏ−６Ｔｏｕｒとなるように調節して排気し、かつ基
板４１を所定温度、特に］０００〜３５０°Ｃ望ましく
は１５０〜３００°Ｃ）に加熱保持する。次いで、高純
度の不活性ガス又はＢ２をキャリアガスとして、Ｓｉｌ
（＜又はガス状シリコン化合物、ＣＩ（４、Ｎ２、ＮＨ
３、ＣＯ２，０２等を適宜真空槽５２内に導入し、例え
ば０．０１〜１０ＴｏＷｒの反応圧下で高周波電源５６
により高周波電圧（例えば１３．５６ＭＢ２　）を印加
する。これによって、上記各反応ガスを電極５７と基板
４１との間でグロー放電分解し、ａ−３ｉＣ○：Ｈ，ａ
−ＳｉＣ：Ｔ（、ａ−Ｓｉ：Ｉ（、ａ−３ｉＣＮ：Ｈを
上記の層４４．４２．４３．４５として基板上に連続的
に（即ち、例えば第１図の例に対応して）堆積させる。

」二記製造方法においては、支持体」二にａ−３ｉ系の
層を製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０°Ｃと
しているので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良く
することができる。

なお、上記ａ−３１−３１体感光層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記した■］
の代わりに、或いは■］と併用してフッ素等のハロゲン
をＳｉＦａ等の形で導入し、ａｓｌ：Ｆ、、ａ−３ｉ：
Ｈ：Ｆ、、ａ−３ｉＮ：Ｆ、、ａ−３ｉＮ：Ｈ：Ｆ、、
ａ−ＳｉＣ：Ｆ、、ａ−ＳｉＣ：Ｉ（：Ｆ等とすること
もできる。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する。

グロー放電分解法により、ドラム状Ａｐ、支持体上に第
１図の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を内のガス
圧が１０”’Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、か
つ基板４１を所定温度、特に１００〜３５０°Ｃ（］７
） （望ましくは１５０〜３００’Ｃ）に加熱保持する。次
いで、高純度のＡｒガスをキャリアガスとして導入し、
Ｑ、５Ｔｏｒｒの背圧のもとて周波数１３．５６ＭＢ２
の高周波電力を印加し、１０分間の予備放電を行った。

次いで、Ｓｉｒ（４とＣＨ，とＢ２Ｈ６とからなる反応
ガスを導入し、流量比１．　：　１　：　］、　：　　
（１，５Ｘ１．０−３）の（Ａｒ　＋ＳｉＨａ　＋ＣＨ
４＋　Ｂ２Ｈ６）混合ガスをグロー放電分解することに
より、電荷ブロッキング機能を担うＰ′″型のａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ層４４を６μｍ／ｈｒの堆積速度で所定厚さに製
膜した。

次いで、Ｓｉ）＋４に対するＢ　２Ｈ６の流量比を１：
（６Ｘ１０−６）として電荷輸送層４２を６μｍ／ｈｒ
の堆積速度で順次所定厚さに製膜した。引き続き、Ｂ　
２１−１６及びＣＨ４を供給停止し、ＳｉＨ４を放電分
解し、所定厚さのａ　−３ｉ　：　Ｈ層４３を形成した
。

更に、流量比４０：３：９０の（Ａｒ：Ｓｉ　Ｈ４：　
ＣＨ４）混合ガスを反応圧力Ｐ　＝０．５Ｔｏｒｒ　、
放電パワーＲｆ−４００ｗでグロー放電分解し、所定厚
さの中間層を形成し、更に、流量比４０：　３　：９Ｑ
：　１の（Ａｒ：ＳｉＨ、：　ＣＨ４：　Ｎ　ｌ−＋　
３）混合ガスを反応圧力Ｐ　＝　１　、０Ｔｏｒｒ、放
電パワーＲｆ＝４００ｗでグロー放電分解して表面保護
層４５を更に設け、電子写真感光体を完成させた。

なお、表面層４５をａ−３ｉＣＮＯとするときには、酸
素源としてＣＯ２を使用した。

又、組成比をコントロールするためには、ガス流量比、
反応圧力、放電パワーを適宜に設定した。

次に、上記の各感光体を使用して各種のテストを次のよ
うに行った。

強ＩＬ会しにテヌ」□ 電子写真複写機Ｕ−Ｂｉｘ　２５００（コニカ株式会社
製）改造機を用い、次のステップでジャムテストを行っ
た。

■　分離電流をゼロにし、強制的にジャムを発生させる
。

■　紙づまりの状態で３０秒空電わしする。

■　■、■を３０回くり返ず。

■　画出しによりジャム傷の有無を判断。

○　ジャム傷　なし △　ジャム傷　数本発生 ×　ジャム傷　多数発生 」１にれ 温度３３°Ｃ１相対湿度８０％の環境下で、感光体を電
子写真複写機Ｕ−Ｂｉｘ　２５００（コニカ株式会社製
）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、ブレ
ードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った後、
画像出しを行い、以下の基準で画像流れの程度を判定し
た。

◎：画像流れが全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。

○：５．５ポイントの英字がやや太くなる。

△；５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。

Ｘ：５．５ポイントの英字判読不能。

結果を下記表−１にまとめて示した。この結果から、本
発明に基いて感光体（Ｎｏ、２〜７）を作成すれば、電
子写真用として特に耐スクラッチ性に優れた感光体が得
られることが分る。

（以下余白） 表−１ ＊既述したＳｉ−ＣＨ３に起因する 波数１２４０ｃｍ”　’付近での赤外吸収面積Ｓ 上記の感光体Ｎｏ、　１〜９の各赤外吸収面積Ｓは、実
際には、各表面改質層の膜材料をＳｉ　ウェハ上に上述
した方法で堆積させ、得られた各試料を赤外分光器にか
けて赤外吸収スペクトルを測定し、これから算出したも
のである。

なお、上記した方法において、Ｓｔ　　Ｃ１＋３の赤外
吸収強度は反応圧力を低くすることによって低下ずＣＨ
４流景による影響は、次の条件下で測定し、下記表−２
に示した。

条ｌ ＳｉＨ４＝　　１５　ＳＣＣＭ　、　　ＮＨ４−ＩＳＣ
ＣＭＡｒ　　＝　２００３ＣＣＭ Ｒｆ＝４００Ｗ Ｐ　　　＝　０．５　Ｔｏｒｒ 表−２ ＊反応圧力は０．７５Ｔｏｒｒ また、反応圧力によるコントロールを次に示す。

条件 ＳｉＨａ　＝　　１５　ＳＣＣＭ、　ＮＨ３＝ＩＳＣ（
ＪＣＨ４＝　４５０　ＳＣＣＭ Ａｒ　　＝　２００５ＣＣＭ Ｒｆ＝４００Ｗ 表−３ また、上記において、表面改質層の［ｉｇ、ｏｐｔは反
応条件をコントロールすることによって種々に設定でき
るが、このＥｇ、ｏｐｔは膜の特性、特に画像流れを大
きく左右することが分った。これを第３図で示ずが、Ｅ
ｇ、ｏｐｔを本発明に従って２．４ｅＶ以上とすれば、
画像流れが急激に減少することが判明した。即ち、上述
のＳを１００１００Ｏ０’、かつＥｇ、ｏｐｔを２．４
ｅＶ以上とすることによって、耐スクラッチ性だけでな
く、画像流れも向上させることができ、これら両特性を
同時に満足することができる。

本発明では、上記のＥｇ、ａｐｔを更に２．６ｅＶ以上
とするのがよく、２，７ｅＶ以上が極めて満足な領域で
ある。

但し、第５図に上記表−２で示した条件から得られたＥ
ｇ、ｏｐｔとＳとの関係を示す。

次に、本発明に基く機能分離型の感光体は実験の結果、
帯電特性に優れていることが分った。測定は次の通りに
行い、結果を下記表−４に示した。

強ｊハ１ｔＮ上ハリ□ Ｕ−Ｂｉｘ　２５００改造機を使った電位測定で、４０
０ｎｍにピークをもつ除電光３０ノｕｘｓｅｃを照射し
た後も残っている感光体表面電位。

滞１１市易し℃句− Ｕ−Ｂｉｘ　２５００改造機（コニカ株式会社製）を用
い、感光体流れ込み電流２００〃Ａ、露光なしの条件で
３６０ＳＸ型電位計（トレック社製）で測定した現像直
前の表面電位。

表−４ 但し、上記表の各データ中、左側（＊１）は下記の本発
明に基づく機能分離型感光体、右側（＊２）は下記の単
層型感光体のデータを示す。

＊１）支持体：Ａｌ、ブロッキング層：厚さ１μｍのボ
ロンドープトａ−３ｉＣ：　Ｈ。

電荷輸送層：厚さ１２μｍのポロンドープドａ−３ｉＣ
：Ｈ１電荷発生層：厚さ７μｍのボロンドープドａ−３
ｉ　：　Ｈ。

表面改質層：厚さ０．３　ｐ　ｍのａ　−３ｉＣＮＯ：
Ｈ ＊２）支持体：Ａｌ、ブロッキング層：厚さ１μ「のボ
ロンドープトａ−３ｉＣ：　Ｈ。

光導電性層：厚さ１９μｍのポロンドープドａ　−３ｉ
　：　Ｈ１表面改質層；厚さ０．３μｍのａ−３ｉＣＮ
Ｏ：Ｈ

【図面の簡単な説明】

第１図〜第４図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−３ｉ系悪感光の断面図、 第２図はグロー放電装置の概略断面図、第３図は光学的
ハンドギャップによる画（＆流れの状況を示すグラフ、 第４図は光学的バンドギャップと赤外吸収面積との関係
を示すグラフ である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・ａ−３ｉ光感光体４１・・・・
・・・・・支持体（基板）４２・・・・・・・・・電荷
輸送層 ４３・・・・・・・・・電荷発生層 ４４・・・・・・・・・電荷ブロッキング層４５・・・
・・・・・・表面改質層 である。 代理人　　　弁理士　　逢坂　宏 ■−悼享ＴＪ　’ｉｉ　　−年 （２声〕）Ｓ１叩釉）」６−′

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アモルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコン
   からなる電荷発生層と、アモルファス水素化及び／又は
   ハロゲン化炭化シリコンからなる電荷輸送層と、炭素原
   子、窒素原子及び酸素原子のうち少なくとも炭素原子及
   び窒素原子を含有するアモルファス水素化及び／又はハ
   ロゲン化シリコンからなる表面改質層とを有し、この表
   面改質層の炭素含有量（〔Ｃ〕）及び窒素含有量（〔Ｎ
   〕）が夫々、３０ａｔｏｍｉｃ％≦〔Ｃ〕＜１００ａｔ
   ｏｍｉｃ％０ａｔｏｍｉｃ％＜〔Ｎ〕≦５０ａｔｏｍｉ
   ｃ％（但し、３０ａｔｏｍｉｃ％＜〔Ｃ＋Ｎ〕＜１００
   ａｔｏｍｉｃ％とする。） であり、前記表面改質層についてＳｉ−ＣＨ＿３に起因
   する赤外吸収曲線の波数１２００〜１３００ｃｍ＾−＾
   １での積分面積（Ｓ）が、 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、ａ（ω）＝−１／ｄｌｏｇ＿１＿０Ｉ（ω）／
   Ｉ＿０で表され、ωは赤外波数（ｃｍ＾−＾１）、ｄは
   表面改質層の膜厚（ｃｍ）、Ｉ（ω）は透過光強度、Ｉ
   ＿０は入射光強度である。〕 で示される範囲にあり、かつ前記表面改質層の光学的バ
   ンドギャップが２．４ｅＶ以上である感光体。