JPH02262665A - アモルファスシリコン系感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は電子写真感光体に関する。

（発明の背景） 従来、電子写真感光体として、アモルファスシリコン（
ａ−５ｉ）を母体として用いた電子写真感光体が近年に
なって提案されている。

このようなａ−５ｉはいわゆるダングリングボンドを有
しているため、この欠陥を水素原子で補償して暗所抵抗
を大としかつ光導電性も向上させた水素化アモルファス
シリコン（ａ−Ｓｔ：Ｈ）が提案されでいる（特開昭５
４−７８１３５号、同５４−８６３４１号）が暗所抵抗
は未だ充分ではない。

また、ａ−Ｓｉ：Ｈを表面とする感光体は、経時による
大気や湿気、或はコロナ放電で生成される活性物質によ
る劣化等に対する表面の化学的安定性に関して、これま
で十分な対策が施されないままであって、例えば１力月
以上放置したものは湿気の影響を受け、受容電位が著し
く低下し画像流れが生じ、また光照射による構造変化を
起す。

一方、水素化アモルファス炭化シリコン（以下、ａ−５
ｉＣ：Ｈと標記する。）について、その存在や製法が“
Ｐｈ１１．Ｍａｇ−３５”（１９７８）等に記載されて
おり、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと、
ａ−３ｉ：Ｈと比較して高い暗件抵抗率（１０”　〜１
０”Ω−ｃｍ）を有するコト、炭素量ニＪ：り光学的エ
ネルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶの範囲に亘って
変化すること等が知られている。但、炭素の含有により
バンドギャップが拡がるｔ；めに長波長感度が不良とな
るという欠点がある。

更に水素より陰性度の強い弗素を導入することによって
ダングリングボンドの排除をより大きく促進し、またド
ーピング剤のドーピング効果を上げ、機械強度と光照射
安定性を上げることができる。

こうしたａ−ＳｉＣ：Ｈとａ−５ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５８−１９２０４６号にお
いて提案されている。この技術では水素化−弗素化アモ
ルファスシリコン（以後ａ−３ｉ：Ｈ，Ｆと標記する）
からなる電荷発生層上にａ−ＳｉＣ：Ｈ又はａ−５ｉＣ
：Ｆ層を表面改質層として形成している。

更にａ−３ｉ系悪感光の表面改質層としてａ−５ｉＮ：
Ｈ等が用いられてきているが、高温高温中で画像流れが
発生しドラムヒータを使用し支障を回避しているのが現
状である。　又、ａ−Ｃ系表面改質層についての研究報
告は電子写真学会誌第２７巻第１号（２４）等に記載が
ある。

しかしながら、上記の公知の表面改質層を設けた感光体
について本発明者が検討を加えたところ、表面改質層を
設けても、未だ期待した程には効果がなく、機械的強度
が不充分であり、また画°像流れが生じ易く、画像流れ
と耐スクラッチ性の両立には成功していない。

（発明の目的） 本発明の目的は、繰返し使用に耐え、良好な耐スクラッ
チ性、画像流れ防止の両立した電子写真感光体を提供す
ることにある。

（発明の構成及び作用効果） 前記の本発明の目的は、少くとも水素化されたアモルフ
ァスシリコンからなる電荷発生層と、少なくとも水素化
されたアモルファス炭化シリコンからなる電荷輸送層と
を積層した感光層上に、ＩＩＩａ族元素の少くとも１つ
によってドーピングされた水素化−弗素化アモルファス
カーボンからなる表面改質層の水素及び弗素の含有量が
５〜４０ａｔ、％、かつ弗素の含有量が１〜３０ａｔ、
％であるアモルファスシリコン系感光体によって達成さ
れる。

本発明によれば、表面改質層は機械的強度が大となり、
白スジ発生等による画質の劣化がなく、耐刷性が優れた
ものとなる。

また、上記の電荷発生層と上記の電荷輸送層とを設けて
Ｗ＆能分離型の積層構造としているので、電荷発生層に
よって広い波長域での光感度を得、かつこの電荷発生層
とへテロ接合を形成する電荷輸送層によって電荷輸送能
と帯電電位の向上とを図ることができる。

尚本発明において、電荷発生層の水素化アモルファスシ
リコン及び電荷輸送層の水素化アモルファス炭化シリコ
ンは更にハロゲン化してもよく、ハロゲン化に適用する
ハロゲンには弗素が好ましい。

また前記アモルファス水素化−弗素化カーボン（ａ−Ｃ
：　Ｈ：　Ｆと標記する）表面改良層の１−Ｓｉ：Ｈま
たはａ−５ｉ：Ｈ：Ｆを含む感光層上への付設は、ハイ
ドロカーボン及びフルオルカーボンの混合ガスを用い、
ガス温度及び感光体基体温度が比較的低く電子温度の高
いグロー放電によるプラズマＣＶＤ法に拠ることが好ま
しい。

本発明に用いられるハイドロカーボンとしては、ＣＨ４
％Ｃ！Ｈ＠、Ｃ３Ｈ１ＣａＨ＋　ａ、ＣＪａ、　Ｃ５Ｈ
ａ、　Ｃ４Ｈａ％Ｃ２Ｈｚ、Ｃ５Ｈａ　−Ｃ，Ｈ＠、Ｃ
，Ｈいが挙げられ、またフルオルカーボンとしてはＣＦ
、−１ＣＨＦ、、Ｃ，ＦいＣ，Ｆ、等が用いられる。

これらガスの流量比を制御した混合ガスによって、ａ−
Ｃ：Ｈ，Ｆの組成が、 かつ　　１　≦　　　　　×１００≦３０　　（ａｔ、
％）Ｃ＋Ｈ十Ｆ に制御されることによって、耐スクラッチ性が向上する
。

尚上記範囲には水素含有量が０の場合も含まれる。また
ａｔ、％は元素原子数による％である。

更にＢ、ＡＱ、Ｇａ、Ｉ　ｎ５Ｔ１２元素の少くとも１
つをドーピング剤として表面改質層中に１０−３〜１０
’容量ｐｐｍ添加することにより画像流れを防止するこ
とができる。

尚本発明に係る弗素化が併用されてもよい水素化アモル
ファスシリコンａ−３ｉ：Ｈ（：Ｆ）を含む感光層にも
前記ドーピング剤を１０−’〜１０’容量ｐｐｍ添加し
てもよい。

ドーピングにはグロー放電プラズマによる外、イオン注
入法などの技法を用いてもよい。

以下、本発明を図を用いて詳細に説明する。

第１図は、本発明の態様によるａ−５ｉ系電子写真感光
体３９を示すものである。この感光体３９はＡ１２等の
ドラム状導電性支持基体４１（基体と略す）上に、必要
に応じて設けられるａ−３ｉ系の電荷ブロッキング層４
４と、ａ−３ｉ　：Ｈ（：Ｆ）からなる電荷発生層４３
と、ａ−３ｉＣ：　Ｈ（：　Ｆ）からなる電荷輸送層４
２とａ−Ｃ：Ｈ：Ｆ表面改質層４５からなっている。

電荷ブロッキング層４４は、ａ−Ｓｉ；Ｈ，ａ“−５ｉ
Ｃ：Ｈ又はａ−３ｉＮ：Ｈからなっていてよく、また周
期表第ｎｌａ族又は第Ｖａ族元素がドープされていてよ
い。また電荷発生層４３と電荷輸送層４２にも同様の元
素がドープされていてよい。

電荷発生層４３は暗所抵抗率ρゎと光照射時の抵抗率１
”Ｌとの比が電子写真感光体として十分大きく光感度（
特に可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好である
。

本発明の特徴は、表面改質層４５がａ−Ｃ：Ｈ：Ｆから
なっており■ａ族元素をドープし又、作成にあたりフル
オルカーボンとハイドロカーボンの流量比を適宜選定し
Ｈ，Ｆの組成がコントロールされていることである。こ
れによって、表面改質層４５の機械的強度及び画像流れ
特性が向上する。

膜中（Ｈ）、ＣＦ）濃度は高すぎると耐スクラッチ性が
不良となる。

また、この感光体の他の注目点は、後述のグロー放電法
において例えば（ｓｚＨｓ）　／　（ＣＨ４）　＋（ｃ
Ｆｔ）　〜１０−’　〜１０’容量ｐｐｍ（望ましくは
１０−’　〜１０”容量ｐｐｍ）の周期表第■ａ族元素
を表面改質層４５中にドープしていることである。こう
した不純物元素の含有によって、画像流れを大幅に減少
させることができる。即ち、不純物元素の量がｌＯ′−
３容量ｐｐｍ未満または１０４容量ｐｐｍを超えると共
に十分な表面抵抗が得られず、画像流れが顕著に生ずる
。

なお、表面改質層４５には、周期表第Ｖａ族元素、例え
ば燐を用いてもよい。

また、表面改質層４５の膜厚は２００〜３０，０００人
とすることが望ましく、Ｉ、０００〜１０．０００人と
するのが更に望ましい。膜厚が大きすぎると、残留電位
Ｖ１が高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−５ｉ
系感光体としての良好な特性を失い易い。

また、膜厚が小さすぎると、トンネル効果によって電荷
が表面上に帯電されなくなるため、暗減衰の増大や光感
度の低下が生ずる。

感光層としての電荷発生層４３はａ−３ｉ：Ｈからなっ
ていてよく、その組成としては、Ｈを５〜４０ａｔ、％
とするのがよく、併用してハロゲンを含有するときには
Ｈとハロゲンとの合計量を５〜４０ａｔ、％とするのが
よい。この電荷発生層４３は帯電能向上のために不純物
、特に周期表第Ｈａ族またはＶａ族元素をドープすると
よい。例えば、後述のグロー放電時に、（ＢｚＨｉ）　
／　Ｃ５ｉ　Ｈ４）　−１０−３−１００（好ましくは
ｔｏ−２〜１０）容量ｐｐｍ、　（Ｐ　Ｈ３）／　（Ｓ
　ｉ　Ｈ４）　−１０−３〜１００（好ましくはｌｏ−
２〜１０）容量ｐｐｍとしてよい。

また、この層４３の厚みは５〜１００μｍが好ましく、
更に好ましくは１０〜３０μｍである。電荷発生層４３
の厚みが小さすぎると十分な帯電電位が得られず、また
大きすぎると残留電位が上昇し、実用上不利である。

電荷輸送層４２は電位保持及び電荷輸送の両機能を担い
、暗所抵抗率が好ましくは１０１２Ω−Ｃｍ以上あって
、耐高電界性を有し、単位膜厚光りに保持される電位が
高く、しかも電子を大きな移動度と寿命によって効率よ
く基体４１側へ輸送する。

また、炭素含有量（特に５〜３０ａｔ、％）によってエ
ネルギーギャップの大きさを調節できるため、電荷発生
層４３において光照射に応じて発生した電子に対し障儲
を作ることなく、効率よく注入させることができる。従
ってこのａ−３ｉＣ：　ＨＣ：　Ｆ）層４２は実用レベ
ルの高い表面電位を保持し、ａ−３ｉ：Ｈ（：Ｆ）層４
３で発生した電荷担体を効率良く速やかに輸送し、高感
度で残留電位のない感光体とする働きがある。

この電荷輸送層４２の炭素原子含有量を５〜３０ａｔ。

％（更には１０〜２Ｑａｔ、％）にするのがよい（但、
ＳｉとＣとの合計原子数は１００ａｔ、％）。

即ち、炭素原子含有量が５　ａｔ、％未満では、ａ−Ｓ
ｉＣ：Ｈ層４２の比抵抗が電位保持能に必要な１ｏｉｎ
Ω−ｃｍを下廻るために特に帯電電位が不充分となり易
い。また、炭素原子含有量が３０ａｔ、％を越えると、
比抵抗がやはり低下すると同時に、炭素原子が多すぎて
ａ−ＳｉＣ：Ｈ（：Ｆ）層中での欠陥が増えてキャリア
輸送能自体が悪くなり易い。

この層４２には、水素原子が５〜５０ａｔ、％含有され
ているのがよく、併用してハロゲンを含有するときには
Ｈとハロゲンとの合計量を５〜５Ｑａｔ、％とするのが
好ましい。この層４２は帯電能向上のために不純物、特
に周期表第ＩＩＩａ族又はＶａ族元素をドープするとよ
い。例えば、後述のグロー放電時に、 （Ｂ　ｚＨｓ）　　／　　（Ｓ　　ｉ　　Ｈ４）　　＝
　１０−３〜１０００（好ましくは１０−”　〜１００
）容量ｐｐｍ５Ｃｐ　Ｈ，）／　　（ｓ　　Ｉ　Ｈ，）
　　＝ｌＯ−３〜１０００（好ましくは１０−’〜１０
０）容量ｐｐｌＴ１１としてよい。

更に、この電荷輸送層４２の膜厚は、例えばカールソン
方式による乾式現像法を適用するためには５μｍ〜３０
μｍであることが望ましい。この膜厚が５μｍ未満であ
ると薄すぎるために現像に必要な表面電位が得られず、
まｌ；３０μｍを越えるとキャリアの基体４１への到達
率が低下してしまう。

また、上記電荷ブロッキング層４４は、基体４■からの
電子の注入を十分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第ＩＩＩａ族元素（例えばポロン）をグロー
放電分解でドープして、Ｐ型（更にはＰ＋型）化する。

ブロッキング層の組成によって、次のようにドーピング
量を制御するのが望まじい。

（１）　ａ−５ｉ　：　Ｈ（Ｎ含有量５〜４０ａｔ、％
）：（ＢｚＨｓ）　／　（Ｓ　１Ｈ４）　−１０−３〜
１０’容量ｐｐｍ（更には１０−’−１０”容量ｐｐｍ
）（Ｐ　Ｈｓ）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　＝ｌＯ−３〜
１０１容量ｐｐＩＩ＋（更には１０−’〜１０”容量ｐ
ｐｍ）（２）　　　ａ−３ｉＣ：Ｈ（Ｈ含有量５〜５Ｑ
ａｔ、％、Ｃ含有量５〜１ＯＯａｔ、％）： （Ｂ２ＨＩ）　／　Ｉ：Ｓ　ｉ　Ｈ４）　−１０−”　
〜１０’容量ｐｐｍ（更には１０−’　〜１０’容量ｐ
ｐｍ）ＣＰ　Ｈ３：ｌ　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　−１０
−”−１０＠容量ｐｐｍ（更には１０−’〜１０’容量
ｐｐｍ）（３）　　ａ−３ｉＮ：Ｈ（Ｈ含有量５〜５Ｑ
ａｔ、％、Ｎ含有量５〜６０ａｔ、％）： ＣＢｚ）ｆａ）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　−１０−３〜
１０’容量ｐｐｍ（更には１０−’　〜１０’容量ｐｐ
ｍ）（Ｐ　Ｈ３）　／　Ｃ５ＩＨ４）　＝ｌＯ”〜ｌＯ
＠容量ｐｐｍ（更には１０−’　〜１０’容量ｐｐｍ）
また、ブロッキング層４４は膜厚１００人〜２μｍがよ
い。厚みが小さすぎるとブロッキング効果が弱く、また
大きすぎると電荷輸送能が悪くなり易い。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。

特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必要である。尚、水素の他にハロゲンを含有して
も良い。

また、ドープする不純物としては、ポロン以外にも、Ａ
Ｑ、Ｇａｖ　　Ｉｎ、ＴＱ等の周期表第１ｉｒａ族元素
を使用できるし、また燐以外にも、Ａ’ｓ。

ｓｂ等の周期表第Ｖａ族元素を使用できる。

次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第２図について説明す
る。

この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基体４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒータ５５で基体４１を
内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基体
４１に対向してその周囲に、ガス噴出口５３付きの円筒
状高周波電極５７が配され、基体４１との間に高周波電
源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図中
の６２はＳｉＨ，又はガス状シリコン化合物の供給源、
６３はＣＨ，等の炭化水素ガスの供給源、６４はＮ２等
の窒素化合物ガスの供給源、６５はＯ３等の酸素化合物
ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給源、６
７は不純物ガス（例えばＢｚＨａ）供給源、６８は各流
量計である。

このグロー放電装置において、まず支持体である例えば
ＡＩ２基体４１の表面を清浄化した後に真空槽５２内に
配置し、真空槽５２内のガス圧が１０”’Ｔｏｒｒとな
るように調節して排気し、かつ基体４１を所定温度、特
に１００〜３５０’Ｃ！　（望ましくは１５０〜３００
°Ｃ）に加熱保持する。次いで、高純度の不活性ガス又
はＨ２をキャリアガスとして、ＳｉＨ，又はガス状シリ
コン化合物、ＣＨいＮ１、ＮＨｓ、ＣＯ，、Ｏ３等を適
宜真空槽５２内に導入し、例えば０．Ｏ１〜１０Ｔｏｒ
ｒの反応圧下で高周波電源５６により高周波電圧（例え
ば１３．５６　Ｍ　Ｈｚ）を印加する。これによって、
上記各反応ガスを電極５７と基体４１との間でグロー放
電分解し、ａ−３ｉＣ：Ｈｔ　ａ−５ｉＣ：１（、ａ−
Ｓｉ：Ｈ及びａ−Ｃ：Ｈ：Ｆを上記の層４４．４２．４
３及び４５として基体上に連続的に（即ち、例えば第１
図の例に対応して）堆積させる。

上巳製造方法においては、基体上にａ−５ｉ系の層を製
膜する工程で基体温度を１００〜３５０℃としているの
で、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くすることが
できる。

なお、上記ａ−３ｉ系感光体感光層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨ或
いはＨと併用して弗素等のハロゲンをＳｉＦ、等・の形
で導入し、　ａ−３ｉ　：　Ｈ，ａ　−５ｉ　：Ｈ：Ｆ
、ａ−５ｉＮ：Ｈ，ａ−５ｉＮ：Ｈ。

Ｆ、ａ−５ｉＣ：ＨＳａ−５ｉＣ：Ｈ：Ｆ等とすること
もできる。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にもスパッタリング法、イオンブレー
ティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化された
水素導入でＳｉを蒸発させる方法（特に、特開昭５６−
７８４１３号の方法）等によっても上記感光体の製造が
可能のである。

（実施例） 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。

グロー放電分解法により、ドラム状ＡＱ基体上に第１図
の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状ＡＱ基体４１の表面を清浄化した後に、第２図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−’
Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基体４１を
所定温度、とくに１００〜３５０℃（望ましくは１５０
〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度のＡｒガ
スをキャリアガスとして導入し、Ｑ、５Ｔｏｒｒの背圧
のもとて周波数１３．５６　Ｍ　Ｈｚの高周波電力を印
加し、１０分間の予備放電を行った。次いで、ＳｉＨ，
とＢ　、Ｈ、からなる反応ガスを導入し、流量比１　：
、ｌ　：　１　：　（１，５Ｘ１０−３）の（Ａｒ：Ｓ
ｉＨ４：　ＣＨ４：　Ｂ２Ｈ６）混合ガスをグロー放電
分解することにより、電荷ブロッキング機能を担うＰ＋
型の　ａ−５ｉＣ：Ｈ層４４を５μｍ／ｈｒの堆積速度
で所定厚さに製膜した。

次いでＳｉＨ，に対するＢ、Ｈ，の流量比をｌ：（６Ｘ
ｌＯ−″）として電荷輸送層４２を６μｍ／ｈｒの堆積
速度で順次所定厚さに製膜した。引き続き、Ｂ　ｚ　）
（ａ及びＣＨ，を供給停止し、ＳｉＨ，を放電分解し、
引続き、流量比１　：　１　：　（５ｘｌＯ−’）の（
Ａ　ｒ　：　Ｓ　ｉ　Ｈ４：　ＢｚＨａ）混合ガスを放
電分解し、所定厚さのボロンドープドａ−３ｉ：Ｈ層４
３を形成した。引き続いて、流量比４０：　３　：　９
０：　ｌ。

５Ｘ　１０−’の（Ａ　ｒ　：　Ｓ　ｉ　Ｈ４：　ＣＨ
，：　Ｂ、Ｈ，）混合ガスを反応圧力Ｐ　＝　０．５Ｔ
ｏｒｒ、放電パワーＲｆ−４００ｗでグ・ロー放電分解
し、所定厚さの中間層を形成した。

該中間層の上に本発明に係るａ−Ｃ：Ｈ：Ｆ表面改質層
４５を、表１に掲げた原料ガス流入及び反応条件に基き
、表２に示す組成をもつ厚み０．３μｍの層として付設
し、比較感光体試料（１）〜（５）及び本発明実施例感
光体試ｉｔ〜５を作製し、下記評価テストにかけた。そ
の結果を表２に併記する。

尚、層の組成はＳＩＭＳによって分析した。

強制ジャムテスト 電子写真複写機Ｕ−Ｂｉｘ２５００（コニカ株式会社製
）改造機を用い、次のステップでジャムテストを行った
。

■分離電流をゼロにし、強制的にジャムを発生させる。

０紙づまりの状態で３０秒空まわしする。

■−■、■を３０回繰返す。

０画出しによりジャム傷の有無を判断。

Ｏジャム傷なし ×　ジャム傷　多数発生 画像流れ 温度３３°Ｃ１相対湿度８０％の環境下で、感光体を電
子写真複写機Ｕ−Ｂｉｘ２５００（コニカ株式会社製）
改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、ブレー
ドとは非接触で１時間窓回しを行った後、画像出しを行
い、以下の基準で画像流れの程度を判定した。

Ｏ：画像流れが全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。

表１ （註）　＊　ｐｐｍ：　（ドーピング剤）／（（ＣＨ４
）　＋　（ｏ”ｔ））表に明らかなようにＩ［Ｉａ族元
素の適正なドーピングにより画像流れが改善され表面改
質層の水素及び弗素の含有量を５〜５５ａｔ−％の範囲
に抑える事により良好な耐スクラッチ性を実現できる。

又、ハイドロカーボン及びフルオロカーボンの混合ガス
を用いる事によりアモルファスカーボン瞑の組成を自由
に変える事が可能となり上記組成をコントロールするこ
とが可能となる。

次に、本発明に基づく機能分離型の感光体は実験の結果
、光感度や帯電特性に優れていることが分った。測定は
次の通りに行い、結果を下記衣２に示した。

残留電位Ｖ＊（Ｖ） Ｕ−Ｂｉｘ１６００改造機（コニカ（株）製）を使った
電位測定で、４００ｎｍにピークをもつ除電光３０１２
ｕｘ　。

ｓｅｃを照射した後も残っている感光体表面電位。

帯電電位Ｖ。（ｖ） Ｕ−Ｂｉｘ１６００改造機（コニカ（株）製）を用い、
感光体流れ込み電流１５０μＡ１露光なしの条件で３６
０ＳＸ型電位計（トリック社製）で測定した現像直前の
表面電位。

上記の装置を用い、ダイクロイックミラー（光伸光学社
製）により像露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成
分をシャープカットし、表面電位を５００ｖから２５’
ＯＶに半減するのに必要な露光量。

（露光量は５５０−１型光量計（Ｅ　Ｇ　ａｎｄＧ社製
）にて測定） 感度（半減露光量Ｅｌ／□） 上記の装置を用い、ダイクロイックミラー（光伸光学社
製）により像露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成
分をシャープカットし、表面電位を５００Ｖから２５０
Ｖに半減するのに必要な露光量。

（露光量は５５０−１型光量計（ＥＧａｎｄＧ社製）に
質層：厚さ０．３ｔｔ　ｍのａ−Ｃ：Ｈ，Ｆ但し、上記
表の各データ中、左側（＊Ｉ）は下記の本発明に基づく
機能分離を感光体、右側（＊２）は下記の単層型感光体
のデータを示す。

＊ｌ）基体：ＡＱ、ブロッキング層：厚さ１ｐＩ１１の
ポロンドープドａ−３ｉＣ：Ｈ，電荷輸送層：厚さ１２
／７＋１１のポロンドープドａ　　Ｓ　ｓ　Ｃ：　Ｈｓ
電荷発生層：厚さ７μｍのポロンドープドａ−５ｉ：Ｈ
１表面改買：厚さ０．３ｐ　ｍのａ−Ｃ：Ｈ，Ｆ＊２）
基体：ＡＱ、ブロッキング層：厚さ１／Ｊ１１のボロン
ドープドａ−５ｉＣ：Ｈ，光導電性層：厚さ１９μｍの
ポロンドープドａ−Ｓｉ：Ｈ，表面数

【図面の簡単な説明】

第１図〜第２図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−５ｉ系悪感光の断面図、 第２図はグロー放電装置の概略断面図 である。 ３９・・・ａ−３ｉ系悪感光 ４１・・・支持体（基板） ４２・・・電荷輸送層 ４３・・・電荷発生層 ４４・・・電荷ブロッキング層 ４５・・・表面改質層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）少くとも水素化されたアモルファスシリコンから
   なる電荷発生層と、少なくとも水素化されたアモルファ
   ス炭化シリコンからなる電荷輸送層とを積層した感光層
   上に、IIIａ族元素の少くとも１つによってドーピング
   された水素化−弗素化アモルファスカーボンからなる表
   面改質層の水素及び弗素の含有量が５〜４０ａｔ．％、
   かつ弗素の含有量が１〜３０ａｔ．％であるアモルファ
   スシリコン系感光体。