JPH01289959A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

嘲 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、アモルファスシリコン（
ａ−３ｉ）を母体として用いた電子写真感光体が近年に
なって提案されている。

このような、ａ−３ｉはいわゆるダングリングボンドを
有しているため、この欠陥を水素原子で補償して暗抵抗
を大としかつ光導電性も向上させたアモルファス水素化
シリコン（ａ−３ｉ：Ｈ）が提案されている。

しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されるこ七による影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで十分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分かっている。一方、
アモルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−３ｉＣ：
Ｈと称する。）について、その製法や存在が”Ｐｈ１１
．Ｍａｇ、Ｖｏｌ、３５”（１９７８）等に記載されて
おり、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと、
ａ　−’Ｓ　ｉ　：　Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１
０”〜１０′３Ω−ｃｍ）を有すること、炭素量により
光学的エネルギーギャップが１６〜２．８ｅＶの範囲に
亘って変化すること等が知られている。但し、炭素の含
有によりハンドギャンプが拡がるために長波長感度が不
良となるという欠点がある。

こうしたａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈとａ−３ｉ：Ｈとを組
め合わせた電子写真感光体は例えば特開昭５７−１．１
５５５９号公報において提案されている。これによれば
、ａ−３ｉ：Ｈからなる電荷発生層上にａ−３ｉ　Ｃ：
　Ｉ−（層を表面改質層として形成している。

しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けても、未だ期待
した程には効果がなく、特に画像流れが生し易く、耐ス
クラッチ性も悪いことが判明した。

ハ１発明の目的 本発明の目的は、繰り返し使用に耐え、良好な画像を得
ることのできる感光体を提供することにある。

二０発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、アモルファス水素化及び／又はハロゲ
ン化シリコンからなる電荷発生層と、アモルファス水素
化及び／又はハロゲン化炭化シリコンからなる電荷輸送
層と、前記電荷発生層又は電荷輸送層の表面に被着され
た表面改質層とを有し、この表面改質層が炭素原子、窒
素原子及び酸素原子のうち少なくとも炭素原子及び窒素
原子を含有しかつ周期表第ＶＡ族の不純物元素も含有す
るアモルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコンか
らなり、この表面改質層の炭素含有量（〔Ｃ））及び窒
素含有量（（Ｎ））が夫々、３０ａｔｏｍｉｃ％≦ＣＣ
）　＜１００　ａｔｏｍｉｃ％Ｑａｔｏｍｉｃ％〈〔Ｎ
〕≦５０ａｔｏｍｉｃ％（但し、３Ｑａｔｏｍｉｃ％＜
　〔Ｃ＋　Ｎ　）　＜１００　ａｔｏｍｉｃ％とする。

） であり、前記表面改質層について５ｉ−ＣＨ３に起因す
る赤外吸収曲線の波数１２００〜１３００ｃ＋ｎ−’で
の積分面積（Ｓ）が、 Ｓ　−Ｊ：Ｓ：：ａ　（ω）　ｄ　ω≦１０，０００　
　（ｃｍ−２）で表され、ωば赤外波数（ｃ＋ｎ−’）
　、ｄは表面改質層の膜厚（ｃｍ）、■　（ω）は透過
光強度、１、は入射光強度である。） で示される範囲にあり、かつ前記不純物元素がグロー放
電分解による前記表面改質層の形成時に、の条件下で前
記表面改質層中にドープされたものである感光体に係る
ものである。

本発明によれば、表面改質層は炭素原子、窒素原子及び
酸素原子の少なくとも炭素原子及び窒素原子を含有して
いるので、層の機械的強度が大となり、白スジ発生等に
よる画質の劣化がなく、耐刷性が優れたものとなる。し
かも、表面改質層にに画像流れを大きく減少させること
ができる。これは、上記不純物元素によって層の表面抵
抗及び不純物準位が適切に設定されるためであると思わ
れる。

また、上記の電荷発生層と上記の電荷輸送層とを設けて
機能分離型の積層構造としているので、電荷発生層によ
って広い波長域での光感度を得、かつこの電荷発生層と
へテロ接合を形成する電荷輸送層によって電荷輸送能と
帯電電位の向上とを図ることができる。

更に、上記表面改質層の赤外吸収面積を上記したＳ≦１
０，０００　（ｃｍ−２）　ニ特定すルコトニヨッテ、
はじめて満足すべき耐スクラッチ性が得られ、白スジ発
生等による画質の劣化がなく、耐刷性が優れたものとな
るのである。

ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第１図は、本実施例によるａ−３ｉ系電子写真感光体３
９を示すものである。この感光体３９はＡＩ！、等のド
ラム状導電性支持基板４１上に、必要に応じて設けられ
るａ−３ｉ系の電荷ブロッキング層４４と、アモルファ
ス水素化炭化シリコン（ａ−３ｉＣ：Ｈ）からなる電荷
輸送層４２と、ａ−３ｉ：Ｈからなる電荷発生層４３と
、Ｃ，Ｎ及びＯの少なくともＣ及びＮを含有するａ−３
ｉＣＮ：Ｈ又はａ−３ｉＣＮＯ：Ｈからなる表面改質層
４５とが積層された構造からなっている。電荷ブロッキ
ング層４４は、ａ−３ｉ　：Ｈ，ａ−３ｉＣ：Ｈ又はａ
−３ｉＮ：Ｈからなっていてよく、また周期表第１ＩＩ
Ａ族又は第ＶＡ族元素がドープされていてよい。また、
電荷輸送層４２、電荷発生層４３にも同様の不純物がド
ープされていてよい。

電荷発生層４３は、暗所抵抗率ρ。と光照射時の抵抗率
ρ、との比が電子写真感光体として十分大きく光感度（
特に可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好である
。

ここで注目すべきことは、表面改質層４５がＣ１Ｎ、、
Ｏの少なくともＣ及びＮを含有するａ−３ｉＣＮ：Ｈ又
はａ−３ｉ　〔ＣＮＯ）：　Ｈからなっていることであ
る。これによって、表面改質層４５の機械的強度が向上
する。

表面改質層４５の組成については、 ３０ａｔｏｍｉｃ％≦　〔ＣＥ　＜１００　ａｔｏｍｉ
ｃ％Ｏａｔｏｍｉｃ％〈　〔Ｎ〕　≦５０ａｔｏｍｉｃ
％３０ａｔｏｍｉｃ％＜　〔Ｃ＋Ｎ）又は［：Ｃ＋Ｎ十
〇）＜１００　ａｔｏｍｉｃ％ （但し、（Ｓ　ｉ）　＋　（ｃ）　＋　（Ｎ）　−１ｏ
ｏ　ａｔｏｍｉｃ％又は［Ｓ　ｉ　］　＋　〔Ｃ）　＋
　（Ｎ）　＋［０）　−１００ａｔｏｍとし、 ４０ａｔｏｍｉｃ％≦〔Ｃ）≦６５ａｔｏｍｉｃ％ｌ　
ａｔｏｍｉｃ％≦［Ｎ）≦３５ａｔｏｍｉｃ％４０ａｔ
ｏｍｉｃ％≦ｌ：ｃ＋Ｎ）又は〔Ｃ＋Ｎ＋Ｏ）≦７０ａ
ｔｏｍｉｃ％ とするのが望ましい（ここで、ａｔｏｍｉｃ％は原子数
の百分率を表す）。Ｃ＋Ｎ又はＣ＋Ｎ＋Ｏの含有量が少
なすぎても多すぎても上記した耐スクラッチ性向上の効
果に乏しくなる。この場合、〔Ｃ）が３０ａｔｏｍｉｃ
％未満では耐スクラッチ性が出す、また（Ｎ）の含有に
よって画像流れを防ぐが、その上限を５０ａｔｏｍｉｃ
％としないと耐スクラッチ性が不良となる。

また、表面改質層４５が、Ｃ，Ｎ、０の少なくともＣ及
びＮを含有するａ−３ｉＣＮ：Ｈ又はａ−３！〔ＣＮＯ
）二Ｈからなっているだけでなく、そのＣ及びＨの含有
によるＳｉ　　ＣＨ３に起因する赤外波数１２４０ｃｌ
’近傍の赤外吸収面積（上記しに設定していることが重
要である。

このように表面改質層４５の５ｉ−ＣＨ，に起因する波
数近傍での赤外吸収面積を特定範囲に限定したことによ
って、表面改質層４５の機械的強度、特に耐スクラッチ
性が著しく向上することがはじめて判明したのである。

また、この感光体の他の注目点は、後述のグロー放電法
において例えば（ＰＨｓ　）／　（Ｓ　１Ｈ４）＝１０
−３〜１０３容量ｐｐｍ　（望ましくは１０−１〜１０
３容量ｐｐｍ　、更には１０−’　〜１０２容量ｐｐｍ
　、最も好ましくは１０−１〜１０容量ｐＨ１ｌｌ）の
周期表第ＶＡ族元素を表面改質層４５中にドープしてい
ることである。こうした不純物元素の含有によって、画
像流れを大幅に減少させることができるのである。即ち
、不純物元素の景が１０−３容量ｐｐｍ未満であれば少
なずぎ、また１０３容量ｐｐｍを超えると多ずぎ、共に
十分な表面抵抗が得られず、画像流れが顕著に生してし
まう。

また、表面改質層４５の膜厚は２００〜３０．０００人
とすることが望ましく、１　、０００〜１０．０００人
とするのが更に望ましい。膜厚が大きすぎると、残留電
位■、が高くなりずぎかつ光感度の低下も生し、ａ−３
ｉ系感光体としての良好な特性を失い易い。

また、膜厚が小さずぎると、トンネル効果によって電荷
が表面上に帯電されなくなるため、暗減衰の増大や光感
度の低下が生してしまう。

電荷発生層４３はａ−３ｉ：Ｈからなっていてよく、そ
の組成としては、■１を５〜４０ａｔｏｍｉｃ％とする
のがよく、ｌ−１に代えて或いは併用してハロゲンを含
有するときにはハロケン５〜４０ａｔｏｍｉｃ％、或い
は■］ｋハロゲンとの合計量は５〜４０ａｔｏｍｉｃ％
とするのがよい。この電荷発生層４３は帯電能向上のた
めに不純物、特に周期表第１ＯＴＡ族又はＶＡ族元素を
ドープするとよい。例えば、後述のグロー放電時に、［
Ｂ２　Ｈ６）　／　ＣＳ　ｉ　Ｈ４）　−１０−”−１
００（好ましくは１０−２〜１０）容量ｐｐｍ、［：Ｐ
Ｈ３）／　ＣＳ　ｉ　Ｈ＝　）　＝ＩＯ−”〜１００（
好ましくは１０−２〜］０）容量ｐｐｍとしてよい。

また、この層４３の厚みは１〜５０μｍ、好ましくは５
〜３０μｍとするのがよい。層４３の厚のが小さずぎる
と十分な光感度が得られず、また太き位 すぎると残留型！が上昇し、実用」二不十分である。

電荷輸送層４２は電位保持及び電荷輸送の両機能を担い
、暗所抵抗率が好ましくは１０′２Ω−ｃｍ以上あって
、耐高電界性を有し、単位膜厚光たりにイｊコニ 保持される電７が高く、しかも電子を大きな移動度と寿
命を以て効率よく支持体４１側へ輸送する。

また、炭素含有量（特に５〜３０ａｔｏｍｉｃ％）によ
ってエネルギーギャップの大きさを調節できるため、電
荷発生層４３において光照射に応じて発生した電子に対
し障壁を作ることなく、効率よく注入さ−Ｕることがで
きる。従ってこのａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｔ−１層４２は
実用レヘルの高い表面電位を保持し、ａ−３ｉ　：　Ｈ
層４３で発生した電荷担体を効率良く速（］１） やかに輸送し、高感度で残留電位のない感光体とする働
きがある。

この電荷輸送層４２の炭素原子含有量を５〜３０ａｔｏ
ｍｉｃ％（更には５〜２０ａｔｏｍｉｃ％）にするのが
よい（但し、ＳｉとＣとの合計原子数は１００　ａｔｏ
ｍｉｃ％）。即ち、炭素原子含有量が５ａｔｏｍｉｃ％
未満でば、ａ−３ｉＣ：ＨＪｉ１４２の比抵抗が電位保
持能に必要な１０′２Ω−ｃｍを下廻るために特に帯電
電位が不十分となり易い。また、炭素原子含有量が３０
ａｔｏｍｉｃ％を越えると、比抵抗がやはり低下すると
同時に、炭素原子が多ずぎてａ−３ｉＣ：Ｈ層中ての欠
陥が増えてキャリア輸送能自体が悪くなり易い。

この層４２には、水素原子が５〜５０ａｔｏｍｉｃ％含
有されているのがよく、■］に代えて或いは個用してハ
ロゲンを含有するときにはハロゲン５〜５０ａｔｏｍｉ
ｃ％、或いはＨとハロゲンとの合計量は５〜５０ａｔｏ
ｍｉｃ％とするのがよい。この層４２は電荷輸送能向上
のために不純物、特に周期表第ｍＡ族又はＶＡ族元素を
ドープするとよい。例えば、後述のグロー放電時に、Ｃ
Ｂ２Ｈ６）／Ｃ３ｉ０４　）−１０−３〜１０００（好
ましくは１０−２〜１００）容量ｐｐｍ、［Ｐ　Ｊ（３
］／　Ｃ３ｉ　Ｈ４：ｌ　＝１０−３〜１０００　（好
ましくは］０−２〜１００）容量ｐｐｍ　としてよい。

更に、この電荷輸送層４２の膜厚は、例えばカールソン
方式による乾式現像法を適用するためには５μｍ〜３０
μｍであることが望ましい。この膜厚が５μｍ未満であ
ると薄ずぎるために現像に必要な表面電位が得られず、
また３０μｍを越えるとキャリアの支持体４１への到達
率が低下してしまう。

また、」二記電荷ブロッキング層４４は、基板４１から
の電子の注入を十分に防ぎ、感度、帯電能の向上のため
には、周期表第１ＩＩＡ族元素（例えばボロン）をグロ
ー放電分解でドープして、Ｐ型（更にはＰ゛型）化する
。ブロッキング層の組成によって、次のようにドーピン
グ量を制御するのが望ましい。

ａ−３ｉ：Ｈ（Ｈ含有量５〜４０ａｔｏｍｉｃ％）：（
Ｂ２Ｈ６）／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　−１０−３〜１０’
容量ｐｐｍ（更には１０−１〜１０２容量ｐｐｍ）（Ｐ
　Ｈ３）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４〕−１０−”〜１０’容
量ｐｐｍ（更には１０−１〜１０２容量Ｉ］ｐｍ）ａ−
３ｉＣ：Ｈ（Ｎ含有量５〜５０ａｔｏｍｉｃ％、Ｃ含有
量５〜１００　ａｔｏｍｉｃ％）：（Ｂｚ　Ｈｂ　）　
／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　＝１０−３〜１０’容量ｐｐｍ
（更には１０−１〜１０′容量１）Ｉｌｌｍ）（Ｐ　Ｈ
３）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈａ　）　−１０−３〜１０６容
量ｐｐｍ（更には１０−　’　〜１０’容量ｐｐｍ）ａ
−３ｉＮ：Ｈ（Ｎ含有量５〜５０ａｔｏｍｉｃ％、Ｎ含
有量５〜６０ａｔｏｍｉｃ％）： （Ｂ　２　Ｈｂ　）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈａ　）　−１０
−’〜１０６容量ｐｐｍ（更には１０−　’〜１０４容
量１）ｐｍ）（Ｐ　Ｈ３）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　−
１０−３〜１０６容量ｐｐｍ（更には１０−１〜１０４
容量ｐＰｍ）また、ブロッキング層４４は膜厚１００人
〜２μｍがよい。厚みが小さすぎるとブロッキング効果
が弱く、また大きすぎると電荷輸送能が悪くなり易い。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。

特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必要である。

また、ドープする不純物としては、ボロン以外にも、Ａ
！、Ｇａ’、Ｉ　ｎ、、Ｔ／２等の周期表第１１１Ａ族
元素を使用できるし、またリン以外にも、Ａｓ、ｓｂ等
の周期表第ＶＡ族元素を使用できる。

次に、上記した感光体（例えはドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第２図について説明す
る。

この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の６２はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の供給源
、６３はＣＨ４等の炭化水素ガスの供給源、６４はＮ２
等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０２等の酸素化合
物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給源、
６７は不純物ガス（例えばＢ２Ｈ６）供給源、６８は各
流量計である。このグロー放電装置において、まず支持
体である例えばＡ４２基板４１の表面を清浄化した後に
真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１Ｏ−
６Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１
を所定温度、特に１００〜３５０°Ｃ（望ましくは１５
０〜３００’Ｃ）に加熱保持する。次いで、高純度の不
活性ガス又はＨ２をキャリアガスとして、ＳｉＨ，又は
ガス状シリコン化合物、ＣＨ４、Ｎ２　、ＮＨ，、ＣＯ
□、０□等を適宜真空槽５２内に導入し、例えば０．０
１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源５６により高
周波電圧（例えば１３．５６　ＭＨｚ）を印加する。

これによって、上記各反応ガスを電極５７と基板４１と
の間でグロー放電分解し、ａ−３ｉＣ：Ｈ。

ａ−３ｉＣ：Ｈ，ａ−３ｉ　：Ｈ，ａ−３ｉＣＮ：Ｈを
上記の層４４．４２．４３．４５として基板上に連続的
に（即ち、例えば第１図の例に対応して）堆積させる。

上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０°Ｃとして
いるので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くする
ことができる。

なお、上記ａ−３ｉ系感光体感光層の形成時において、
ダングリングホントを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフッ素等のハロゲンをＳ
ｉＦ４等の形で導入し、ａ　−３ｉ　：ＦＸａ−３ｉ　
：Ｈ：Ｆ、、ａ−３ｉＮ：Ｆ。

ａ−３ｉＮ：Ｈ：Ｆ、、ａ−３ｉＣ：Ｆ、ａ−３ｉＣ：
　Ｈ：　Ｆ等とすることもできる。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する。

グロー放電分解法により、ドラム状Ａ！支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず支持体である、例えは平滑な表面を持つドラ
ム状ＡＩ２基板４１の表面を清浄化した後に、第２図の
真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−
’Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１
を所定温度、とくに１００〜３５０’ｃ　（望ましくは
１５０〜３００°Ｃ）に加熱保持する。

次いで、高純度のＡｒガスをキャリアガスとして導入し
、０．５　Ｔｏｒｒの背圧のもとて周波数１３．５６　
ＭＨｚの高周波電力を印加し、１０分間の予備放電を行
った。次いで、ＳｉＨ４とＣＨ４とＢ２Ｈ，とからなる
反応ガスを導入し、流量比１：ｌ：ｌ：（１，５Ｘｌ０
−３）の（Ａｒ十Ｓ　ｉＨｓ　＋ＣＨ４十Ｂ２Ｈ６）混
合ガスをグロー放電分解することにより、電荷ブロッキ
ング機能を担うＰ”型のａ−３ｉＣ：Ｈ層４４を６μｍ
／ｈｒの堆積速度で所定厚さに製膜した。次いで５ｉＨ
ｎに対するＢ２Ｈ，の流量比を１　：　　（６Ｘ１０−
’）として電荷輸送層４２を６μｍ　／　ｋ＋　ｒの堆
積速度で順次所定厚さに製膜した。引続き、Ｂ２Ｈ６及
びＣＨ、を：　３　：９０：１．５Ｘ１０−’の（Ａｒ
　：　Ｓ　ｉＨ４：　ＣＨ４：ＰＩｔ＋）混合ガスを反
応圧力Ｐ　＝０．５　Ｔｏｒｒ、放電パワーＲｆ　＝４
００　Ｗでグロー放電分解し、所定厚さの中間層を形成
し、更に、流量比４０：３：９０：（１，５Ｘｌ０−５
）：　１の（Ａ　ｒ　：　Ｓ　］　Ｈ４：　ＣＨ４：Ｐ
Ｈ３：ＮＨ，）混合ガスを反応圧力Ｐ　＝１．０　Ｔｏ
ｒｒ、放電パワーＲｆ　＝４００　Ｗでグロー放電分解
して表面保護層４５を更に設け、電子写真感光体を完成
させた。この際、ＰＨ３の量を種々変え、対応する感光
体を得た。なお、表面層４５をａ−３ｉ　ＣＮＯとする
ときには、酸素源としてＣＯ２を使用した。

また、組成比をコントロールするためには、ガス流量比
、反応圧力、放電パワーを適宜に設定した。

次に、上記の各感光体を使用して各種のテストを次のよ
うに行った。

圀１し侵しにデヌ」□ 電子写真複写機Ｕ−Ｂ　ｉ　ｘ２５００　（コニカ株式
会社製）改造機を用い、次のステップでジ中ムチストを
行った。

■　分離電流をゼロにし、強制的にジャムを発生させる
。

■　紙づまりの状態で３０秒富士わしする。

■　■、■を３０回繰り返す。

■　画出しによりジャム傷の有無を判断。

○　ジャム傷なし △　ジャム傷　数本発生 ×　ジャム傷　多数発生 貞鬼痙詐 温度３３°Ｃ１相対湿度８０％の環境下で、感光体を電
子写真複写機Ｕ−Ｂ　ｉ　ｘ２５００　（コニカ株式会
社製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、
ブレードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った
後、画像出しを行い、以下の基準で画像流れの程度を判
定した。

◎：画像流れが全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。

Ｏ：５．５ポイントの英字がやや太くなる。

△：５．５ポイントの英字がつふれて読みづらい。

Ｘ：５．５ポイントの英字判読不能。

結果を下記表−１にまとめて示した。この結果から、本
発明に基づいて感光体（Ｎｏ、２〜７）を作成すれば、
電子写真感光体として特に画像流れの著しく少ないもの
が得られた。

表−１ 上記のＮｏ、　４の感光体において、表面改質層の組成
を変化させたところ、下記表−２の結果が得られた。こ
の結果から、本発明に基づいて感光体（Ｎｏ、　１０〜
１５）を作成すれば、電子写真用として特に耐スクラッ
チ性に優れた感光体が得られることが分かる。

（以下余白、次頁に続く。） 表−２ 上記ｇｔ感光体Ｎｏ、　９〜１７の各赤外吸収面積Ｓは
、実際には、各表面改質層の膜材料をＳｔウェハ上に上
述した方法で堆積させ、得られた各試料を赤外分光器に
かけて赤外吸収スペクトルを測定し、これから算出した
ものである。

なお、上述した方法において、５ｔ−ＣＨ，、の赤外吸
収強度は反応圧力を低くすることによって低下すること
が分かった。また、感光体の暗抵抗（ρ、）と光照射時
の抵抗（ρＬ）の比：ρＬ／ρ０は反応圧力を上げると
１．０に近づくこと、反応圧力を上げると膜中のＳ、　
　Ｄ、　（ｓｐｉｎ、ｄｅｎｓｉｔｙニスピン密度−ダ
ングリングボンドの密度）が増大することも分かった。

次に、本発明に基づく機能分離型の感光体は実験の結果
、光感度や帯電特性に優れていることが分かった。測定
は次の通りに行い、結果を下記表−３に示した。

−９立ｖＲｖ Ｕ−Ｂｉｘ２５００ｉ造機を使った電位測定で、４００
ｎｍにピークをもつ除電光３０　ＩＶ、ＬＩＸ　・ｓｅ
ｃを照射した後も残っている感光体表面電位。

弔ＰＰ′立■ｏ　■ Ｕ−Ｂｉｘ２５００ｉ造機（コニカ■製）を用い、感光
体流れ込み電流２００μＡ、露光なしの条件で３６０Ｓ
Ｘ型電位計（トレック社製）で測定した現像直前の表面
電位。

表−３ 但し、上記表の各データ中、左側（＊Ｉ）は下記の本発
明に基づく機能分離型感光体、右側（＊２）は下記の単
層型感光体のデータを示す。

＊１）支持体：Ａ！、ブロッキング層：厚さ１μｍのボ
ロンドープドａ−３ｉＣ：Ｈ。

電荷輸送層：厚さ１２μｍのボロンドープドロ−３ｉＣ
：Ｈ５電荷発生層：厚さ７μｍのボロンドープドａ−３
ｉ：Ｈ，表面改質層：厚さ０．３μｍのリンドープドａ
−３ｉＣＮＯ：Ｈ ＊２）支持体：ＡＩ！、、ブロッキング層；厚さ１ｐｍ
のボロンドープドａ−３ｉＣ：Ｈ。

光導電性層：厚さ１９μｍのボロンドープドａ−３ｉ：
Ｈ，表面改質層：厚さ０．３ｐｍのリンドープドａ−３
ｉＣＮＯ：Ｈ

【図面の簡単な説明】

第１図〜第２図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−３ｉ系悪感光の断面図、 第２図はグロー放電装置の概略断面図 である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・ａ−３ｉ系悪感光４１・・・・
・・・・・支持体（基板）４２・・・・・・・・・電荷
輸送層 ４３・・・・・・・・・電荷発生層 ４４・・・・・・・・・電荷ブロッキング層４５・・・
・・・・・・表面改質層 である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アモルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコン
   からなる電荷発生層と、アモルファス水素化及び／又は
   ハロゲン化炭化シリコンからなる電荷輸送層と、前記電
   荷発生層又は電荷輸送層の表面に被着された表面改質層
   とを有し、この表面改質層が炭素原子、窒素原子及び酸
   素原子のうち少なくとも炭素原子及び窒素原子を含有し
   かつ周期表第ＶＡ族の不純物元素も含有するアモルファ
   ス水素化及び／又はハロゲン化シリコンからなり、この
   表面改質層の炭素含有量（〔Ｃ〕）及び窒素含有量（〔
   Ｎ〕）が夫々、 ３０ａｔｏｍｉｃ％≦〔Ｃ〕＜１００ａｔｏｍｉｃ％０
   ａｔｏｍｉｃ％＜〔Ｎ〕≦５０ａｔｏｍｉｃ％（但し、
   ３０ａｔｏｍｉｃ％＜〔Ｃ＋Ｎ〕＜１００ａｔｏｍｉｃ
   ％とする。） であり、前記表面改質層についてＳｉ−ＣＨ＿３に起因
   する赤外吸収曲線の波数１２００〜１３００ｃｍ＾−＾
   １での積分面積（Ｓ）が、 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、ａ（ω）＝−１／ｄｌｏｇ＿１＿０Ｉ（ω）／
   Ｉ＿０で表され、ωは赤外波数（ｃｍ＾−＾１）、ｄは
   表面改質層の膜厚（ｃｍ）、Ｉ（ω）は透過光強度、Ｉ
   ＿０は入射光強度である。〕 で示される範囲にあり、かつ前記不純物元素がグロー放
   電分解による前記表面改質層の形成時に、１０＾−＾３
   容量ｐｐｍ≦〔不純物元素の化合物〕／〔シリコン化合
   物〕≦１０＾３容量ｐｐｍの条件下で前記表面改質層中
   にドープされたものである感光体。