JPH01185642A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
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- JPH01185642A JPH01185642A JP63009059A JP905988A JPH01185642A JP H01185642 A JPH01185642 A JP H01185642A JP 63009059 A JP63009059 A JP 63009059A JP 905988 A JP905988 A JP 905988A JP H01185642 A JPH01185642 A JP H01185642A
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。
ある。
口、従来技術
従来、電子写真感光体として、アモルファスシリコン(
a−3i)を母体として用いた電子写真感光体が近年に
なって提案されている。
a−3i)を母体として用いた電子写真感光体が近年に
なって提案されている。
このようなa−3iはいわゆるダングリングボンドを有
しているため、この欠陥を水素原子で補償して暗抵抗を
大としかつ光導電性も向上させたアモルファス水素化シ
リコン(a−3i:H)が提案されている。
しているため、この欠陥を水素原子で補償して暗抵抗を
大としかつ光導電性も向上させたアモルファス水素化シ
リコン(a−3i:H)が提案されている。
しかしながら、a−3i:Hを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで十分な検討がなされていない
。例えば1力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン(以下、a−3iC:H
と称する。)について、その製法や存在が“Ph11.
Mag、 Vol、 35′ (197B)等に
記載されており、その特性として、耐熱性や表面硬度が
高いこと、a−3t:Hと比較して高い暗所抵抗率(1
0”〜1013Ω−cm)を有すること、炭素量により
光学的エネルギーギャップが1.6〜2.8eVの範囲
に亘って変化すること等が知られている。
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで十分な検討がなされていない
。例えば1力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン(以下、a−3iC:H
と称する。)について、その製法や存在が“Ph11.
Mag、 Vol、 35′ (197B)等に
記載されており、その特性として、耐熱性や表面硬度が
高いこと、a−3t:Hと比較して高い暗所抵抗率(1
0”〜1013Ω−cm)を有すること、炭素量により
光学的エネルギーギャップが1.6〜2.8eVの範囲
に亘って変化すること等が知られている。
但、炭素の含有によりバンドギャップが拡がるために長
波長怒度が不良となるという欠点がある。
波長怒度が不良となるという欠点がある。
こうしたa−3iC:Hとa−3i:Hとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭57−115559号公報
において提案されている。これによれば、a−3i:H
からなる電荷発生層上にa−3iC:11層を表面改質
層として形成している。
子写真感光体は例えば特開昭57−115559号公報
において提案されている。これによれば、a−3i:H
からなる電荷発生層上にa−3iC:11層を表面改質
層として形成している。
しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けても、未だ期待
した程には効果がなく、特□に画像流れが生じ易いこと
が判明した。
検討を加えたところ、表面改質層を設けても、未だ期待
した程には効果がなく、特□に画像流れが生じ易いこと
が判明した。
特開昭61−160754号公報には、表面改質層の局
在準位密度を5X10”elm−3以下とすることが述
べられているが、これでは耐画像流れは不十分であるこ
とが分らた。
在準位密度を5X10”elm−3以下とすることが述
べられているが、これでは耐画像流れは不十分であるこ
とが分らた。
ハ1発明の目的
本発明の目的は、繰返し使用に耐え、良好な画像を得る
ことのできる感光体を提供することにある。
ことのできる感光体を提供することにある。
二1発明の構成及びその作用効果
即ち、本発明は、炭素原子及び酸素原子のうち少なくと
も炭素原子を含有するアモルファス水素化及び/又はハ
ロゲン化シリコンからなる表面改質層を有し、この表面
改質層のESRスピン密度が1.0xlO”cm〜3以
上である感光体に係るものである。
も炭素原子を含有するアモルファス水素化及び/又はハ
ロゲン化シリコンからなる表面改質層を有し、この表面
改質層のESRスピン密度が1.0xlO”cm〜3以
上である感光体に係るものである。
本発明によれば、表面改質層は炭素原子及び酸素原子の
少なくとも炭素原子を含有しているので、層の機械的強
度が大となり、白スジ発生等による画質の劣化がなく、
耐刷性が優れたものとなる。
少なくとも炭素原子を含有しているので、層の機械的強
度が大となり、白スジ発生等による画質の劣化がなく、
耐刷性が優れたものとなる。
しかも、表面改質層のESRスピン密度〔即ち、ele
ctron 5pin resonance (
電子スピン共鳴:磁場をかけて共鳴の大きさで局在準位
密度を測定する方法)で測定された局在準位密度であっ
て、不対電子又はダングリングボンド密度に相当するも
の。〕が1.0X10”cm−3以上としたので、感光
体として画像形成時の画像流れが著しく減少することが
判明したのである。
ctron 5pin resonance (
電子スピン共鳴:磁場をかけて共鳴の大きさで局在準位
密度を測定する方法)で測定された局在準位密度であっ
て、不対電子又はダングリングボンド密度に相当するも
の。〕が1.0X10”cm−3以上としたので、感光
体として画像形成時の画像流れが著しく減少することが
判明したのである。
ホ、実施例
以下、本発明を実施例について詳細に説明する。
第1図は、本実施例によるa−3i系電子写真怒光体3
9を示すものである。この感光体39はAf等のドラム
状導電性支持基板41上に、必要に応じて設けられるa
−3i系の電荷ブロッキング層44と、a−3i:Hか
らなる光導電性層43と、C及びOの少なくともCを含
有する水素化アモルファスシリコン(又はa−3iC(
0):H)からなる表面改質層45とが積層された構造
からなっている。電荷ブロッキングJi44は、a−3
i :H,a−3iC:H又はa−3iN:Hからなっ
ていてよく、また周期表第1[[A族又は第VA族元素
がドープされていてよい。また、光導電性層43にも同
様の不純物がドープされていてよい。光導電性層43は
、暗所抵抗率ρ。と光照射時の抵抗率ρ、との比が電子
写真感光体として充分大きく光感度(特に可視及び赤外
領域の光に対するもの)が良好である。なお、上記の層
43−45間には、a−3iC等の中間層を設けてもよ
い。
9を示すものである。この感光体39はAf等のドラム
状導電性支持基板41上に、必要に応じて設けられるa
−3i系の電荷ブロッキング層44と、a−3i:Hか
らなる光導電性層43と、C及びOの少なくともCを含
有する水素化アモルファスシリコン(又はa−3iC(
0):H)からなる表面改質層45とが積層された構造
からなっている。電荷ブロッキングJi44は、a−3
i :H,a−3iC:H又はa−3iN:Hからなっ
ていてよく、また周期表第1[[A族又は第VA族元素
がドープされていてよい。また、光導電性層43にも同
様の不純物がドープされていてよい。光導電性層43は
、暗所抵抗率ρ。と光照射時の抵抗率ρ、との比が電子
写真感光体として充分大きく光感度(特に可視及び赤外
領域の光に対するもの)が良好である。なお、上記の層
43−45間には、a−3iC等の中間層を設けてもよ
い。
ここで注目すべきことは、表面改質層45がC10の少
な(ともCを含有するa−3iC:H又はa−3t
(Co):Hがらなっていることである。
な(ともCを含有するa−3iC:H又はa−3t
(Co):Hがらなっていることである。
これによって、表面改質層45の機械的強度が向上する
。表面改質層45の組成については、10atm%≦(
C〕又は(C+O)≦100.i Lm%(但し、(S
i) + (C) = 100atn+%又は(Si
)+ 〔C)+ (○) = 1100at%)とする
のが望ましく、 40at+++%≦〔C〕又は(C十〇:l ≦70a
Lm%とするのが更に望ましい(ここで、atm%は
原子数の百分率を表す)。C又はC+0の含有量が少な
すぎても多すぎても耐スクラッチ性向上の効果に乏しく
なる。
。表面改質層45の組成については、10atm%≦(
C〕又は(C+O)≦100.i Lm%(但し、(S
i) + (C) = 100atn+%又は(Si
)+ 〔C)+ (○) = 1100at%)とする
のが望ましく、 40at+++%≦〔C〕又は(C十〇:l ≦70a
Lm%とするのが更に望ましい(ここで、atm%は
原子数の百分率を表す)。C又はC+0の含有量が少な
すぎても多すぎても耐スクラッチ性向上の効果に乏しく
なる。
また、この感光体の他の注目点は、表面改質層450E
SRスピン密度が1.oxlol″cm−3以上(望ま
しくはり、0XIO”cm−3以下)としていることで
ある。即ち、このスピン密度によって画像流れが著しく
生じ難くなったのである。このESRスピン密度は表面
改質層の組成、特に炭素量、或いは水素又はハロゲン量
によってコントロール可能である。
SRスピン密度が1.oxlol″cm−3以上(望ま
しくはり、0XIO”cm−3以下)としていることで
ある。即ち、このスピン密度によって画像流れが著しく
生じ難くなったのである。このESRスピン密度は表面
改質層の組成、特に炭素量、或いは水素又はハロゲン量
によってコントロール可能である。
また、表面改質層45の膜厚は200〜30.000人
とすることが望ましく、1,000〜10.000人と
するのが更に望ましい。膜厚が大きすぎると、残留電位
■えが高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ、a−3i
系感光体としての良好な特性を失い易く、また膜厚が小
さすぎると、トンネル効果によって電荷が表面上に帯電
されなくなるため、暗減衰の増大や光感度の低下が生じ
てしまう。
とすることが望ましく、1,000〜10.000人と
するのが更に望ましい。膜厚が大きすぎると、残留電位
■えが高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ、a−3i
系感光体としての良好な特性を失い易く、また膜厚が小
さすぎると、トンネル効果によって電荷が表面上に帯電
されなくなるため、暗減衰の増大や光感度の低下が生じ
てしまう。
感光層としての光導電性層43はa−3i:Hからなっ
ていてよく、その組成としては、Hを5〜40a tm
%とするのがよく、Hに代えて或いは併用してハロゲン
を含有するときにはハロゲン5〜40atm%、或いは
Hとハロゲンとの合計量は5〜40a tm%とするの
がよい。この光導電性層43は帯電能向上のために不純
物、特に周期表第1[[A族又はVA族元素をドープす
るとよい。例えば、後述のグロー放電時に、 CBZ H6) / (S i H,) 〜10−’〜
100(好ましくは−10−”〜10)容量pplI+
%(P H3) / (S i Ha ) 〜10
−”〜100(好ましくは10−2〜10)容量ppm
としてよい。
ていてよく、その組成としては、Hを5〜40a tm
%とするのがよく、Hに代えて或いは併用してハロゲン
を含有するときにはハロゲン5〜40atm%、或いは
Hとハロゲンとの合計量は5〜40a tm%とするの
がよい。この光導電性層43は帯電能向上のために不純
物、特に周期表第1[[A族又はVA族元素をドープす
るとよい。例えば、後述のグロー放電時に、 CBZ H6) / (S i H,) 〜10−’〜
100(好ましくは−10−”〜10)容量pplI+
%(P H3) / (S i Ha ) 〜10
−”〜100(好ましくは10−2〜10)容量ppm
としてよい。
また、この層43の厚みは5〜100μm、好ましくは
10〜30μmとするのがよい。光1性層43の厚みが
小さすぎると十分な帯電電位が得られず、また大きすぎ
ると残留電位が上昇し、実用上不充分である。
10〜30μmとするのがよい。光1性層43の厚みが
小さすぎると十分な帯電電位が得られず、また大きすぎ
ると残留電位が上昇し、実用上不充分である。
また、上記電荷ブロッキング層44は、基板41からの
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第1[[A族元素(例えばボロン)をグロー
放電分解でドープして、P型(更にはP+型)化する。
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第1[[A族元素(例えばボロン)をグロー
放電分解でドープして、P型(更にはP+型)化する。
ブロッキング層の組成によって、次のようにドーピング
量を制御するのが望ましい。
量を制御するのが望ましい。
a−3i:H(H含有量5〜100am%):(Bz
Hb ) / (S i H4) 〜10−3〜10’
容量ppm(更には10−1〜102容量ppm)(P
H3) / (S i H4) 〜10−3〜10
’容1ppm(更には10− ’ 〜102容量りl)
m)a−3iC:H(H含有量5〜50atm%、C含
有量5〜100a tm%): (B2H4) / (s iH4) 〜10−3〜b(
更には10−1〜10’容量1)l)Ill)(PH3
’l /(SiH4)〜10−3〜10h容量ppm
(更には10−1〜10’容量ppm)a−3iN:H
(H含有量5〜50atm%、N含有量5〜60atl
11 %) : (B! HA 〕/ (S i H4) 〜10−3〜
106容量pp煽(更には10−1〜104容iitp
pm)(P H3) / (S i H4) 〜10
−3〜10&容1tpp+m(更には10−1〜10’
容量ppm)また、ブロッキング層44は膜厚100人
〜2μmがよい。厚みが小さすぎるとブロッキング効果
が弱く、また大きすぎると電荷輸送能が悪くなり易い。
Hb ) / (S i H4) 〜10−3〜10’
容量ppm(更には10−1〜102容量ppm)(P
H3) / (S i H4) 〜10−3〜10
’容1ppm(更には10− ’ 〜102容量りl)
m)a−3iC:H(H含有量5〜50atm%、C含
有量5〜100a tm%): (B2H4) / (s iH4) 〜10−3〜b(
更には10−1〜10’容量1)l)Ill)(PH3
’l /(SiH4)〜10−3〜10h容量ppm
(更には10−1〜10’容量ppm)a−3iN:H
(H含有量5〜50atm%、N含有量5〜60atl
11 %) : (B! HA 〕/ (S i H4) 〜10−3〜
106容量pp煽(更には10−1〜104容iitp
pm)(P H3) / (S i H4) 〜10
−3〜10&容1tpp+m(更には10−1〜10’
容量ppm)また、ブロッキング層44は膜厚100人
〜2μmがよい。厚みが小さすぎるとブロッキング効果
が弱く、また大きすぎると電荷輸送能が悪くなり易い。
なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。
特に、光導電性層(電荷発生層)43中の水素含有量は
、ダングリングボンドを補償して光導電性及び電荷保持
性を向上させるために必要である。
、ダングリングボンドを補償して光導電性及び電荷保持
性を向上させるために必要である。
また、ドープする不純物としては、ボロン以外にもA1
1Ga、I n、T1等の周期表111A族元素を使用
できるし、またリン以外にもAs、sb等の周期表第V
A族元素を使用できる。
1Ga、I n、T1等の周期表111A族元素を使用
できるし、またリン以外にもAs、sb等の周期表第V
A族元素を使用できる。
次に、上記した怒光体(例えばドラム状)の製造方法及
びその装置(グロー放電装置)を第2図について説明す
る。
びその装置(グロー放電装置)を第2図について説明す
る。
この装置51の真空槽52内ではドラム状の基板41が
垂直に回転可能にセントされ、ヒーター55で基板41
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板41に対向してその周囲に、ガス導出口53付きの円
筒状高周波電極57 ゛が配され、基板41との間に高
周波電源56によりグロー放電が生ぜしめられる。なお
、図中の62はSiH4又はガス状シリコン化合物の供
給源、63はCHa等の炭化水素ガスの供給源、64は
N2等の窒素化合物ガスの供給源、65は0□等の酸素
化合物ガスの供給源、66はAr等のキャリアガス供給
源、67は不純物ガス(例えばBZHh)供給源、68
は各流量計である。このグロー放電装置において、まず
支持体である例えば、11基板41の表面を清浄化した
後に真空槽52内に配置し、真空槽52内のガス圧が1
O−hT orrとなるように調節して排気し、かつ基
板41を所定温度、特に100〜350℃(望ましくは
150〜300℃)に加熱保持する。次いで、高純度の
不活性ガスをキャリアガスとして、SiH,又はガス状
シリコン化合物、CH4、Nt 、C02,02等を適
宜真空槽52内に導入し、例えば0.01〜1QTor
rの反応圧下で高周波電源56により高周波電圧(例え
ば13.56 MHz)を印加する。これによって、上
記各反応ガスを電極57と基板41との間でグロー放電
分解し、a−3i:Hla−3j :HXa−3iC:
)lを上記の層44.43.45として基板上に連続的
に(即ち、例えば第1図の例に対応して)堆積させる。
垂直に回転可能にセントされ、ヒーター55で基板41
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板41に対向してその周囲に、ガス導出口53付きの円
筒状高周波電極57 ゛が配され、基板41との間に高
周波電源56によりグロー放電が生ぜしめられる。なお
、図中の62はSiH4又はガス状シリコン化合物の供
給源、63はCHa等の炭化水素ガスの供給源、64は
N2等の窒素化合物ガスの供給源、65は0□等の酸素
化合物ガスの供給源、66はAr等のキャリアガス供給
源、67は不純物ガス(例えばBZHh)供給源、68
は各流量計である。このグロー放電装置において、まず
支持体である例えば、11基板41の表面を清浄化した
後に真空槽52内に配置し、真空槽52内のガス圧が1
O−hT orrとなるように調節して排気し、かつ基
板41を所定温度、特に100〜350℃(望ましくは
150〜300℃)に加熱保持する。次いで、高純度の
不活性ガスをキャリアガスとして、SiH,又はガス状
シリコン化合物、CH4、Nt 、C02,02等を適
宜真空槽52内に導入し、例えば0.01〜1QTor
rの反応圧下で高周波電源56により高周波電圧(例え
ば13.56 MHz)を印加する。これによって、上
記各反応ガスを電極57と基板41との間でグロー放電
分解し、a−3i:Hla−3j :HXa−3iC:
)lを上記の層44.43.45として基板上に連続的
に(即ち、例えば第1図の例に対応して)堆積させる。
上記製造方法においては、支持体上にa−Si系の層を
製膜する工程で支持体温度を100〜350℃としてい
るので、感光体の膜質(特に電気的特性)を良くするこ
とができる。
製膜する工程で支持体温度を100〜350℃としてい
るので、感光体の膜質(特に電気的特性)を良くするこ
とができる。
なお、上記a−3i系感光体感光層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したHの
かわりに、或いはHと併用してフッ素等のハロゲンをS
iF4等の形で導入し、a −3i:F、a−8i:H
:F、a−3iN:F。
ダングリングボンドを補償するためには、上記したHの
かわりに、或いはHと併用してフッ素等のハロゲンをS
iF4等の形で導入し、a −3i:F、a−8i:H
:F、a−3iN:F。
a−3iN:II:F、a−SiC:F。
a−3iC:H:F等とすることもできる。
なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にもスパンタリング法、イオンブレー
ティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化された
水素導入下でSiを蒸発させる方法(特に、本出願人に
よる特開昭56−78413号(特願昭54−1524
55号)の方法)等によっても上記感光体の製造が可能
である。
あるが、これ以外にもスパンタリング法、イオンブレー
ティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化された
水素導入下でSiを蒸発させる方法(特に、本出願人に
よる特開昭56−78413号(特願昭54−1524
55号)の方法)等によっても上記感光体の製造が可能
である。
以下、本発明を具体的な実施例について説明する。
グロー放電分解法により、ドラム状Al支持体上に第1
図の構造の電子写真感光体を作製した。
図の構造の電子写真感光体を作製した。
即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Al基板41の表面を清浄化した後に、第2図の真
空槽52内に配置し、真空槽52内のガス圧が10−’
Torrとなるように調節して排気し、かつ基板41を
所定温度、特に100〜350℃(望ましくは150〜
300℃)に加熱保持する。
ム状Al基板41の表面を清浄化した後に、第2図の真
空槽52内に配置し、真空槽52内のガス圧が10−’
Torrとなるように調節して排気し、かつ基板41を
所定温度、特に100〜350℃(望ましくは150〜
300℃)に加熱保持する。
次いで、高純度のArガスをキャリアガスとして導入し
、0.5 Torrの背圧のもとて周波数13.56M
l1zO高周波電力を印加し、10分間の予備放電を
行った。次いで、S iH4とB、H,からなる反応ガ
スを導入し、流量比1 : 1 : (1,5Xl0
−3)の(Ar+SiH4+13.)(l、)混合ガス
をグロー放電分解することにより、電荷ブロッキング機
能を担うP+型のa−3i:l(層44を6μm/hr
の堆積速度で所定厚さに製膜した。引き続き、流量比1
: 1 : (5Xl0−6)の(Ar+SiH4
十B21−1+)混合ガスを放電分解し、所定厚さのボ
ロンドープドa−3i:H層43を形成した。
、0.5 Torrの背圧のもとて周波数13.56M
l1zO高周波電力を印加し、10分間の予備放電を
行った。次いで、S iH4とB、H,からなる反応ガ
スを導入し、流量比1 : 1 : (1,5Xl0
−3)の(Ar+SiH4+13.)(l、)混合ガス
をグロー放電分解することにより、電荷ブロッキング機
能を担うP+型のa−3i:l(層44を6μm/hr
の堆積速度で所定厚さに製膜した。引き続き、流量比1
: 1 : (5Xl0−6)の(Ar+SiH4
十B21−1+)混合ガスを放電分解し、所定厚さのボ
ロンドープドa−3i:H層43を形成した。
引き続いて、流量比40:3:90の(Ar:SiH4
:CHa ) ?R合ガスを反応圧力P = 0.5T
orr %放電パワーRr ” 400Wでグロー放電
分解し、所定厚さの中間層を形成し、更に流量比40:
3:90の(Ar:SiH4:C1−14)混合ガスを
反応圧力P = 1.0Torr 、放電パワーRr
= 400Wでグロー放電分解して表面保護層45を更
に設け、電子写真感光体を完成させた。この際、供給す
るC HA量や反応圧力、R,パワーを適宜制御するこ
とによって表面層45のESRスピン密度を種々変化さ
せた。
:CHa ) ?R合ガスを反応圧力P = 0.5T
orr %放電パワーRr ” 400Wでグロー放電
分解し、所定厚さの中間層を形成し、更に流量比40:
3:90の(Ar:SiH4:C1−14)混合ガスを
反応圧力P = 1.0Torr 、放電パワーRr
= 400Wでグロー放電分解して表面保護層45を更
に設け、電子写真感光体を完成させた。この際、供給す
るC HA量や反応圧力、R,パワーを適宜制御するこ
とによって表面層45のESRスピン密度を種々変化さ
せた。
なお、表面層45をa−3iC○とするときは、酸素源
としてCO□を使用した。
としてCO□を使用した。
次に、上記の各感光体を使用して次のテストを行なった
。
。
工l且並
温度33℃、相対湿度80%の環境下で、感光体を電子
写真複写機U −B tx2500 (コニカ株式会社
製)改造機内に24時間順応させた後、現像剤、紙、ブ
レードとは非接触で 帯電電流(感光体への流れ込み電流)300μA (D
C)分離〃()250μA (AC) の条件下で1時間空回しを行った後、画像出しを行ない
、以下の基準で画像流れの程度を判定した。
写真複写機U −B tx2500 (コニカ株式会社
製)改造機内に24時間順応させた後、現像剤、紙、ブ
レードとは非接触で 帯電電流(感光体への流れ込み電流)300μA (D
C)分離〃()250μA (AC) の条件下で1時間空回しを行った後、画像出しを行ない
、以下の基準で画像流れの程度を判定した。
◎:画像流れが全くなく、5.5ポイントの英字や細線
の再現性が良い。
の再現性が良い。
0:5.5ポイントの英字がやや太くなる。
△:5.5ポイントの英字がつぶれて読みづらい。
X:S、Sポイントの英字判読不能。
x x : 5.5ポイントの英文字がなくなる。
結果を下記表にまとめて示した。この結果から、本発明
に基いて感光体(隘3〜7)を作成すれば、電子写真感
光体として特に画像流れの著しく少ないものが得られた
。
に基いて感光体(隘3〜7)を作成すれば、電子写真感
光体として特に画像流れの著しく少ないものが得られた
。
第1図〜第2図は本発明の実施例を示すものであって、
第1図はa−3i系感光体の断面図、
第2図はグロー放電装置の概略断面図2である。
なお、図面に示された符号において、
39・・・・a−3i系感光体
41・・・・支持体(基板)
43・・・・光導電性層
44・・・・電荷ブロッキング層
45・・・・表面改質層
である。
代理人 弁理士 逢 坂 宏
Claims (1)
- 1、炭素原子及び酸素原子のうち少なくとも炭素原子を
含有するアモルファス水素化及び/又はハロゲン化シリ
コンからなる表面改質層を有し、この表面改質層のES
Rスピン密度が1.0×10^1^9cm^−^3以上
である感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63009059A JPH01185642A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63009059A JPH01185642A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | 感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01185642A true JPH01185642A (ja) | 1989-07-25 |
Family
ID=11710045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63009059A Pending JPH01185642A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | 感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01185642A (ja) |
-
1988
- 1988-01-19 JP JP63009059A patent/JPH01185642A/ja active Pending
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