JPH01185644A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

口、従来技術 従来、電子写真感光体として、アモルファスシリコン（
ａ−３ｔ）を母体として用いた電子写真感光体が近年に
なって提案されている。

このようなａ−３ｔはいわゆるダングリングボンドを有
しているため、この欠陥を水素原子で補償して暗抵抗を
大としかつ光導電性も向上させたアモルファス水素化シ
リコン（ａ−３ｔ　　：）Ｉ）が提案されている。

しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで十分な検討がなされていない
、　例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け
、受容位置が著しく低下することが分っている。　一方
、アモルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−３ｉＣ
：Ｈと称する。）について、その製法や存在が“Ｐｈ１
１．Ｍａｇ、　Ｖｏｌ、　３５”　　（１９７８）等に
記載されており、その特性として、耐熱性や表面硬度が
高いこと、ａ−３ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１
０”〜１０ロΩ−ｃｍ）を有すること、炭素量により光
学的エネルギーギャップが１．６〜２．８　ｅＶの範囲
に亘って変化すること等が知られている。

但、炭素の含有によりバンドギャップが拡がるために長
波長感度が不良となるという欠点がある。

こうしたａ−３ｉＣ：Ｈとａ−３ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５７−１１５５５９号公報
において提案されている。　これによれば、ａ−３ｉ：
Ｈからなる電荷発生層上にａ−３ｉＣ：Ｈ層を表面改質
層として形成している。

しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けても、未だ期待
した程には効果がなく、特に繰り返し使用時の耐スクラ
ッチ性に問題があることが判明した。

ハ６発明の目的 本発明の目的は、繰り返し使用に耐え、良好な画像を得
ることのできる感光体を提供することにある。

二０発明の構成及びその作用効果 ぶ、 即ち、本発明は、炭素原子及び酸素原子のうち少な（と
も炭素原子を含有するアモルファス水素化及び／又はハ
ロゲン化シリコンからなる表面改質層を有し、この表面
改質層について測定した赤外吸収曲線の波数１２００〜
１３００ｃｍ−’での積分面積（Ｓ）が、 され、ωは赤外波数（ｃｍ−’）　、ｄは表面改質層の
膜厚（ｃｍ）　、Ｉ　　（ω）は透過光強度、Ｉｏは入
射光強度である。〕 で示される範囲にあり、かつ前記表面改質層の光学的バ
ンドギャップが２．４ｅＶ以上である感光体に係るもの
である。

本発明によれば、表面改質層は炭素原子及び酸素原子の
少なくとも炭素原子を含有しているだけでなく、この表
面改質層の赤外吸収面積を上記したＳ≦１０．ｏｏｏ（
ｃｌｌ−２）ニ特定スルコトニよッテ、はじめて満足す
べき耐スクラッチ性が得られ、白スジ発生等による画質
の劣化がなく、耐剛性が優れたものとなるのである。　
また、表面改質層の光学的バンドギャップ（Ｅ　ｇ、　
ｏｐｔ）を２．４ｅＶ以上と特定範囲に限定しているの
で、上記に加えて画像流れが太き（減少し、高画質化が
更に実現可能となる。

ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第１図は、本実施例によるａ　　Ｓｉ系電子写真感光体
３９を示すものである。　この感光体３９はＡＩ！等の
ドラム状導電性支持基板４１上に、必要に応じて設けら
れるａ−３ｉ系の電荷ブロッキング層４４と、ａ−３ｉ
：Ｈからなる光導電性層４３と、Ｃ及び０の少な（とも
Ｃを含有するアモルファス水素化シリコン（又はａ−３
ｉＣ（０）：　Ｈ）からなる表面改質層４５とが積層さ
れた構造からなっている。　電荷ブロッキング層４４は
、ｓ　　Ｓｉ　　：　Ｈ％ａ−３ｉＣ：Ｈ又はａ　　Ｓ
ｉＮ：）ｌからなっていてよく、また周期表第１［［Ａ
族又は第ＶＡ族元素がドープされていてよい、　また、
光導電性層４３にも同様の不純物がドープされていてよ
い。　光導電性層４３は、暗所抵抗率ρ８と光照射時の
抵抗率ρ、との比が電子写真感光体として充分大きく光
惑廣（特に可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好
である。なお、上記の層４５−４３面にはａ　−３ｉＣ
等の中間層を設けてもよい。

ここで注目すべきことは、表面改質層４５が０１０の少
な（ともＣを含有するａ−３ｉＣ：Ｈ又はａ−３ｔ　　
（Ｃｏ）：Ｈからなっているだでなく、そのＣ及びＨの
含有によるＳ　ｉ　　ＣＨ：ｌに起因する赤外波数１２
４０ｃｍ−’近傍の赤外吸収面積（上記したＳ）を１０
．　ＯＯＯｃｍ−”以下、望ましくは６，０００　ｃｍ
−”以下、更に望ましくは３．０００　ｃｍ−”以下と
特定範囲に設定していることである。

このように表面改質層４５のＳｉ　　ＣＨ３に起因する
波数近傍での赤外吸収面積を特定範囲に限定したことに
よって、表面改質層４５の機械的強度、特に耐スクラッ
チ性が著しく向上することがはじめて判明したのである
。

表面改質層４５の組成については、 １０　ａｔｍ％≦（Ｃ）又は（Ｃ＋Ｏ）≦１００　ａｔ
ｍ％（但し、（Ｓｉ　）　＋　（Ｃ）　＝　１００　ａ
ｔｍ％又は（Ｓｉ　）”　（Ｃ）　＋　（０）　＝　１
００　ａｔｍ％）とするのが望ましく、 ４０　ａｔｍ％≦（Ｃ）又は（Ｃ＋Ｏ）≦７０　ａｔｍ
％とするのが更に望ましい（ここで、ａｔｍ％は原子数
の百分率を表わす）。　Ｃ又はＣ＋ｏの含有量が少なす
ぎても多すぎても上記した耐スクラッチ性向上の効果に
乏しくなる。− 表面改質層４５の帯電能を向上させるには、後述のグロ
ー放電法において例えば（Ｂ２Ｈ４）／（ＳｉＨｌ）＝
１０４〜１０４容量１）Ｉ）１１％望ましくは１０−１
〜１０２容量ｐｐＩ１１の周期表第１［［Ａ族元素、或
いは（Ｐ　Ｈｙ　）　／　（ＳｉＨ４）　〜１０−３〜
１０’容量ｐｐｍ、望ましくは１０−１〜１０２容Ｍ　
ｐｐｍの周期表第ＶＡ族元素をドープするのがよい。

また、表面改質層４５の膜厚は２００〜３０，０００人
とすることが望ましく、１　、０００〜１０，０００人
とするのが更に望ましい。　膜厚が大きすぎると、残留
電位■８が高くなりすぎかっ光感度の低下も生じ、ａ−
３ｉ系悪感光としての良好な特性を失い易い。

また、膜厚が小さすぎると、トンネル効果によって電荷
が表面上に帯電されなくなるため、暗減衰の増大や光感
度の低下が生じてしまう。

感光層としての光導電性層４３はａ−３ｉ：Ｈがらなっ
ていてよ（、その組成としては、Ｈを５〜４０　ａｔｓ
％とするのがよく、Ｈに代えて或いは併用してハロゲン
を含有するときにはハロゲン５〜４゜ａｔｍ％、或いは
Ｈとハロゲンとの合計量は５〜４゜ａｔｍ％とするのが
よい。　この光導電性層４３は帯電能向上のために不純
物、特に周期表第ｍＡ族又はＶＡ族元素をドープすると
よい。　例えば、後述のグロー放電時に、ＣＢＨ＆　）
／　（ＳｉＨ４）〜１０−’〜１００（好ましくは１０
−２〜１０）容量！１１１Ｐ１１％（Ｐ　Ｈ３）　／　
（ＳｉＨａ　）　〜１０−”〜１００（好ましくは１０
−２〜１０）容ｆｉ　ｐｐ＋ｍとしてよい。

また、この層４３の厚みは５〜１００μｍ１好ましくは
１０〜３０μｍとするのがよい。　光導電性層４３の厚
みが小さすぎると十分な帯電電位が得られず、また大き
すぎると残留電位が上昇し、実用上不充分である。

また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第１ＩＩＡ族元素（例えばボロン）をグロー
放電分解でドープして、Ｐ型に（更にはＰ１型）化する
。　ブロッキング層の組成によって、次のようにドーピ
ング量を制御するのが望ましい。

ａ−３ｉ：Ｈ（Ｈ含有Ｉｔ　５〜４０ａｔｍ％）：（Ｂ
２Ｈ４）／　（ＳｉＨ４）〜１０−３〜１０４容量ｐｐ
ｍ（更には１０−１〜１０２容量ｐｐｍ　）（Ｐ　Ｈ３
：ｌ　／　（ＳｉＨ４）　〜１０−３〜１０’容１ｐｐ
ｍ（更には１０−′〜１０２容量１）Ｉ）ＩＩＩ　）ａ
−３ｉＣ：Ｈ（Ｈ含有量５〜５０ａｔｍ％、Ｃ含有１５
〜１１００ａｔ　　％）： ＣＢＺＨ＆　〕／　（ＳｉＨｎ　）　〜１０−”〜１０
ｂ容ｆｆｉｐｐｍ（更には１０−１〜１０４容量ｐｐＩ
１１）（ＰＨ３）／　（ＳｉＨ４）〜１０−３〜ｂ（更
には１０−１〜１０’容量ｐｐｍ　）ａ−ＳｉＮ　：　
Ｈ（Ｈ含有量５〜５０ａｔｏｍ％、Ｎ含有量５〜６０　
ａｔｍ　　％）： （ＢｚＨｂ　）／　（ＳｉＨ４〕＝１０−’〜１０’容
Ｉｐｐｎ（更には１０−１〜１０４容量ｐｐ＋ｗ　）（
Ｐ　Ｈ：Ｉ　）　／　（ＳｉＨ４）　〜１０−３〜１０
’容量ｐｐｍ（更には１０−１〜ｌＯ４容量ｐｐｍ　）
また、ブロッキング層４４は膜厚１００人〜２μｍがよ
い。　厚みが小さすぎるとブロッキング効果が弱く、ま
た大きすぎると電荷輸送能が悪くなり易い。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。

　特に、光導電性層（電荷発生層）４３中の水素含有量
は、ダングリングボンドを補償して光導電性及び電荷保
持性を向上させるために必要である。

また、ドープする不純物としては、ボロン以外にも、Ａ
Ｉ！、０８％　Ｉ　ｎ　％　Ｔ　Ｉ等の周期表第ｍＡ族
元素を使用できるし、またリン以外にも、Ａｓ、ｓｂ等
の周期表第ＶＡ族元素を使用できる。

次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第２図について説明す
る。

この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。　
基板４１に対向してその周囲に、ガス遅出口５３付きの
円筒状高周波電橿５７が配され、基板４１との間に高周
波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。　なお
、図中の６２はＳ　ｉ　Ｈａ又はガス状シリコン化合物
の供給源、６３はＣＨ，等の炭化水素ガスの供給源、６
４はＮ８等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０２等の
酸素化合物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス
供給源、６７は不純物ガス（例えばＢ、Ｈ，）供給源、
６８は各？ＡＷｌ計である。　このグロー放電装置にお
いて、まず支持体である例えばＡｇ基板４１０表面を清
浄化した後に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガ
ス圧が１０−”Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、
かつ基板４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ま
しくは１５０〜３００℃）に加熱保持する。　次いで、
高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、Ｓ　ｉ　Ｔ
（４又はガス状シリコン化合物、ＣＨ４、Ｎｚ　、ＣＯ
ｚ、０□等を適宜真空槽５２内に導入し、例えば０．０
１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源５６により高
周波電圧（例えば１３．５６　ＭＨｚ　）を印加する。

　ごれによって、上記各反応ガスを電極５７と基板４１
との間でグロー放電分解し、ａ−３ｉ　　：Ｈ，ａ−３
ｉ：　）ｌ、　ａ−３ｉＣ：　Ｈを上記の層４４．４３
．４５として基板上に連続的に（即ち、例えば第１図の
例に対応して）堆積させる。

上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜￥ｔ（特に電気的特性）を良くする
ことができる。

なお、上記ａ−３ｉ系感光体感光層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフッ素等のハロゲンをＳ
ｉＦ、等の形で導入し、ａ　−３ｉ　　：Ｆ、ａ−３ｉ
　　：Ｈ：ＦＸａ−３ｉＮ：Ｆ。

ａ−３ｉＮ　：　Ｈ：　Ｆ、　　ａ−３ｉＣ：　Ｆ、　
ａ−３ｉＣ：Ｈ：Ｆ等とすることもできる。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパンタリング法、イオンプレ
ーディング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する。

グロー放電分解法により、ドラム状Ａｌ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａｌｉ仮４１の表面を清浄化した後に、第２図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−”
Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を
所定温度、とくに１００〜３５０″Ｃ（望ましくは１５
０〜３００℃）に加熱保持する。　次いで、高純度のＡ
ｒガスをキャリアガスとして導入し、０．５　Ｔｏｒｒ
の背圧のもとで周波数１３．５６　Ｍｌｌｚの高周波電
力を印加し、１０分間の予備放電を行った。

次いで、Ｓ　ｉ　ＨａとＢ　ｔ　Ｈ＆とからなる反応ガ
スを導入し、流量比１　：　１　：　　（１，５Ｘｌ０
−’）の（Ａｒ＋ＳｉＨ４＋ＢＺＨ＆　）混合ガスをグ
ロー放電分解することにより、電荷ブロッキング機能を
担うＰ゛型のａ−Ｓｉ：Ｈ層４４を６．ｃｚｍ／ｈｒの
堆積速度で所定厚さに製膜した。　引き続き、流量比ｌ
：１：　　（５Ｘ１０−’）の（Ａｒ　＋ＢｚＨｈ）ン
昆合ガスを放電分解し、所定厚さのボロンドープドａ−
３ｉ：ｌ（層４３を形成した。　引き続いて、不純物ガ
スを供給停止し、流量比４０：３：９０の（Ａｒ　　：
　５ｉｌ１４：ＣＨ４）混合ガスを反応圧力ｐ　＝Ｑ、
５　Ｔｏｒｒ　％放電パワーＲｆ　＝４００　Ｗでグロ
ー放電分解し、所定厚さの中間層を形成し、更に、流量
比４０：３：９０の（Ａｒ　：　ＳｉＨ４：　ＣＨ４）
混合ガスを反応圧力Ｐ　＝１．ＯＴｏｒｒ　、放電パワ
ーＲｆ　＝４００　Ｗでグロー放電分解して表面保護層
４５を更に設け、電子写真感光体を完成させた。

なお、表面層４５をａ−３ｉＣＯとするときは、酸素源
としてＣｏｇを使用した。　又、組成比をコントロール
するためには、ガス流量比、反応圧力、放電パワーを適
宜に設定した。

次に、上記の各感光体を使用して各種のテストを次のよ
うに行なった。

強制ジャムテスト 電子写真複写機Ｕ−Ｂｉｘ２５００　　（コニカ株式会
社製）改造機を用い、次のステップでジャムテストを行
った。

■　分離電流をゼロにし、強制的にジャムを発生させる
。

■　紙づまりの状態で３０秒空まわしする。

■　■、■を３０回くり返す。

■　画出しによりジャム傷の有無を判断。

○　ジャム傷なし Δ　ジャム傷数本発生 ×　ジャム傷多数発生 ■ユ友１強度 第３図に示すように、感光体３９面に垂直に当てた０、
３Ｒダイヤ針７０に荷重Ｗを加え、感光体をモータ７１
で回転させ、傷をつける。　次に、上記の複写機で画像
出しを行ない、何ｇの荷重から画像に白スジが現われる
かで、その感光体の引っかき強度（ｇ）とする。

貞１人並 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ−Ｂｉｘ２５００　　（コニカ株式会社製
）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、ブレ
ードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った後、
画像出しを行ない、以下の基準で画像流れの程度を判定
した。

◎：画像流れが全（なく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。

○：５．５ポイントの英字がやや太くなる。

△：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。

Ｘ：５，５ポイントの英字判読不能 結果を下記表−１にまとめて示した。　この結果から、
本発明に基いて感光体（Ｎｏ、　　１〜４）を作成すれ
ば、電子写真用として特に耐スクラッチ性に優れた感光
体が得られることが分る。

表−１ ＊　既述したＳ　ｉ　　ＣＨ３に起因する波数１２４０
ｃｍ−’付近での赤外吸収面積Ｓ 上記の感光体Ｎｏ、　　１〜７の各赤外吸収面積Ｓは、
実際には、各表面改質層の膜材料をＳｉウェハ上に上述
した方法で堆積させ、得られた各試料を赤外分光器にか
けて赤外吸収スペクトルを測定し、これから算出したも
のである。　このうち、例えば感光体Ｎｏ、１，２．３
．５．７についての赤外吸収スペクトル図とその波数１
２４０ｃｍ−’近傍の拡大図とを夫々、第４Ａ図及び第
４Ｂ図（Ｎｏ、　　１）、第５Ａ図及び第５Ｂ図（Ｎｏ
、　２）　、第６Ａ図及び第６Ｂ図（Ｎｏ、　３）　、
第７Ａ図及び第７Ｂ図（Ｎｏ。

５）、第８Ａ図及び第８Ｂ図（Ｎｏ、　　７）に示した
。

これらの図中、ｄは表面改質層の厚さであり、また、３
１％Ｃ１０の組成比（ａｔｅ％）も併せて示した。　ま
た　各拡大図には赤外吸収面積Ｓも記した。　但し、０
景については０．１又は０．２ａｔ＋ｍ％程度はほぼゼ
ロとみなし得る。

これらのスペクトル図から、表面改質層の赤外吸収面積
Ｓは、Ｃ及び０の含有量によって変化する傾向があるこ
とが分る。　但し、０量を多くすると膜構造の乱れ（Ｓ
　ｔ　　ＣＨ３等によるネットワーク構造の乱れ）によ
って、吸収がブロードとなり、Ｓが必要以上に大きくな
る傾向があると考えられる。

なお、上記した方法において、Ｓｉ　　ＣＨ３の赤外線
吸収強度は反応圧力を低くすることによって低下するこ
とが分った。　また、感光体の暗抵抗（ρＤ）と光照射
時の抵抗（ρＬ）の比：ρ。

／ρ。は反応圧力を上げると１．０に近ずくこと、反応
圧力を上げると膜中のＳ、　Ｄ、　　（Ｓｐｉｎ　　ｄ
ｅｎｓｉｔｙニスピン密度＝ダングリングボンドの密度
）が増大することも分った。

次に、第２図に示した如き装置を用い、表面改質層を製
膜するときのＣＨ，流量、反応圧力によって５ｉ−ＣＨ
，に起因する吸収面積Ｓが変化し、光学的エネルギーギ
ャップ（Ｅｇ　、　ｏｐｔ　）も変化することも判明し
ている。　これを以下に説明すると、まずＣＨａと流量
による影響は、次の条件下で測定し、下記表−２に示し
た。

条件 ５ｉＨ４−１５ＳＣＣＭ Ａｒ　　　　　＝２００ＳＣＣＭ Ｒｆ　　　　　＝４００Ｗ Ｐ　　　　　　＝０．５　　ｔｏｒｒ また、反応圧力によるコントロールを次に示す。

免性 Ｓ　ｉ　Ｈ，＝１５　　ＳＣＣＭ ＣＨ、＝４５０３ＣＣＭ Ａｒ　　　　　−２００５ＣＣＭ Ｒｆ　　　　　＝４００　　匈 表−３ なお、上記Ｎｏ、１４の試料についての赤外吸収スペク
トル図とその波数１２４０ｃ＋＋＋−’近傍の拡大図を
第９Ａ図、第９Ｂ図に夫々示した。

また、上記において、表面改質層のＥｇ、ｏｐｔは反応
条件をコントロールすることによって種々設定できるが
、このＥｇ、ｏｐｔは膜の特性、特に画像流れを大きく
左右することが分った。　これを第１０図で示すが、Ｅ
ｇ、ｏｐｔを本発明に従って２．４ｅＶ以上とすれば、
画像流れが急激に減少することが判明した。　即ち、上
述のＳを１００００　ｃｍ−’、かつＥｇ、ｏｐｔを２
．４ｅ　Ｖ以上とすることによって、耐スクラッチ性だ
けでなく、画像流れも向上させることができ、これら両
特性を同時に満足することができる。　本発明では、上
記のＥｇ、ｏｐｔを更に２．６ｅＶ以上とするのがよ＜
　、２．７ｅＶ以上が穫めて・満足な領域である。

但し、第１１図に上記表−２で示した条件から得られた
Ｅｇ、ｏｐｔとＳとの関係を示すが、これから、。

Ｓ≦１００００　ｃｍ−”を満すには、Ｅｇ、ｏｐｔは
２．８５ｅＶ以下とすべきであることが分る。

なお、画像流れは次のようにして測定した。

五像人並 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ　　Ｂｉｘ２５００　　（コニカ株式会社
製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、ブ
レードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った後
、画像出しを行ない、以下の基準で画像流れの程度を判
定した。

◎二画像流れが全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。

○：５．５ポイントの英字がやや太くなる。

△：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。

×：５．５ポイントの英字判読不能。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第１１図は本発明の実施例を示すものであって
、 第１図はａ−３ｉ系感光体の断面図、 第２図はグロー放電装置の概略断面図、第３図は引っか
き強度試験機の概略図、第４Ａ図、第５Ａ図、第６Ａ図
、第７Ａ図、第８Ａ図、第９Ａ図は各感光体の表面改質
層の赤外吸収スペクトル図、 第４Ｂ図、第５Ｂ図、第６Ｂ図、第７Ｂ図、第８Ｂ図、
第９Ｂ図は同赤外吸収スペクトルの要部拡大図、 第１０図は光学的バンドギャップによる画像流れの状況
を示すグラフ、 第１１図は光学的バンドギャップと赤外吸収面積との関
係を示すグラフ である。 なお、図面に示された符号において、 ３９−・−一一一一・−ａ−３ｉ系感光体４１・−−−
一−−−−−−支持体（基板）４３・−・−−−−一光
導電性層 ４４・・・−・・−・−電荷ブロッキング層４５・−・
−ｍ−・−表面改質層 である。 代理人　弁理士　逢　坂　　　宏 第１図 ／ 第２図 第１０図 第１１図 Ｅｇ、ｏｐｔ　　　　　　（ｅＶ　１ （自発）手に査ネ市正書 昭和６３年６月／（口 １、用件の表示 昭和６３年　特許願第９０６１　号 ２、発明の名称 感光体 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名　称　
（１２７）コニカ株式会社 ４、代理人 住　所　東京都立川市柴崎町２−４−１１　ＦＩＮＥビ
ル酋　０４２５−２４−５４１１（ｆつ を「イオンブレーティング法」と訂正します。 −以　上−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、炭素原子及び酸素原子のうち少なくとも炭素原子を
   含有するアモルファス水素化及び／又はハロゲン化シリ
   コンからなる表面改質層を有し、この表面改質層につい
   て測定した赤外吸収曲線の波数１２００〜１３００ｃｍ
   ＾−＾１での積分面積（Ｓ）が、▲数式、化学式、表等
   があります▼ 〔但し、ａ（ω）＝−（１／ｄ）ｌｏｇ＿１＿０Ｉ（ω
   ）／Ｉｏで表され、ωは赤外波数（ｃｍ＾−＾１）、ｄ
   は表面改質層の膜厚（ｃｍ）、Ｉ（ω）は透過光強度、
   Ｉｏは入射光強度である。〕 で示される範囲にあり、かつ前記表面改質層の光学的バ
   ンドギャップが２．４ｅＶ以上である感光体。