JPS6283761A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業との利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口、発明の背景 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ、又はＳｅにＡ　ｓ
　、Ｔ　ｅ　、Ｓ　ｂ等をドープした感光体、ＺｎＯや
ＣｄＳを樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られ
ている。しかしながら、これらの感光体は、環境汚染性
、熱的安定性、機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと称する
。）を母体として用いた電子写真感光体が近年になって
提案されている。ａ−３ｉは、５ｉ−３ｉの結合手が切
れたいわゆるダングリングボンドを有しており、この欠
陥に起因してエネルギーギャップ内に多（の局在準位が
存在する。 このために、熱励起担体のホッピング伝導が生して暗抵
抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされ
て光導電性が悪くなっている。　そこで、上記欠陥を水
素原子（Ｈ）で補償してＳｉにＨを結合させることによ
って、ダングリングボンドを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０８〜１０９
Ω−１であって、アモルファスＳｅと比較すれば約１万
分の１も低い。従って、ａ−５ｉ：Ｈの単層からなる感
光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位が
低いという問題点を有している。しかし他方では、可視
及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大きく減少する
ため、感光体の感光層として極めて優れた特性を有して
いる。 また、ａ−３ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長期に亘っ
て大気や湿気に曝されることによる影響、コロナ放電で
生成される化学種の影響等の如き表面の化学的安定性に
関して、これ迄充分な検討がなされていない。例えば１
力月以上放置したものは湿気の影響を受け、受容電位が
著しく低下することが分かっている。一方、アモルファ
ス炭化シリコン（以下、ａ−３ｉＣ：Ｈと称する。）に
ついて、その製法や存在がフィロソフィカル・マガジン
（Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ　Ｍａｇａｚｉｎｅ）　
、Ｖｏｌ、３５　　（１９７８）等に記載されており、
その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと、ａ−３
ｔ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０〜１０　　Ω−
ＣＩ１１）を有すること、炭素量により光学的エネルギ
ーギャップが１．６〜２．８ｅＶの範囲に亘って変化す
ること等が知られている。 こうしたａ−３ｉＣ：Ｈとａ−３ｉ：Ｈとを組み合わせ
た電子写真感光体は例えば特開昭５７−１７９５２号に
おいて提案されている。これによれば、ａ−５ｉ：０層
を電荷発生層とし、この受光面上に第１のａ　−Ｓ　ｉ
　Ｃ：　０層を形成し、裏面上（支持体電極側）に第２
のａ−ＳｉＣ：０層を形成して、３層構造の感光体とし
ている。 本発明者は、特にａ−３ｉＣ：Ｈを使用した感光体につ
いて検討を加えた結果、従来の感光体には次の如き欠点
があることを見出した。即ち、光照射時に電荷輸送ｒｉ
（上記第２のａ−３ｉＣ：０層）にまで光が到達すると
、電荷輸送層に光疲労が生じてキャリアをトラップする
局在準位が形成され、黒紙電位の変動、白紙電位の変動
、残留電位上昇の原因となるため、電荷輸送層へ光が到
達しないように電荷発生層の膜厚を大きくする必要があ
るが、このように電荷発生層の膜厚が大となれば、電荷
発生層と電荷輸送層との界面の状態が電荷発生層中の光
生成キャリアの移動に大きく影響を与えることになる。 具体的に言えば、電荷発生層自体は感度等の面から不純
物（例えばボロン）のドーピング量を少なめにしである
ため、本来キャリア（ホール）が移動しにくいが、これ
に加えて電荷発生層の膜厚が大きくなれば所定位置へホ
ールが一層移動しにくくなり、特に上記両層の界面状態
が悪いとホールの到達率が大きく減少してしまうと考え
られる。 しかも、両層間に存在する光学的エネルギーギャップが
大きいと、光照射時に光導電層内で発生したキャリアが
電荷発生層と電荷輸送層との間に存在するエネルギー障
壁を充分に乗り越えることができず、光感度が不充分と
なってしまうことがある。しかし、上記光学的エネルギ
ーギャップが小さくても（０，３ｅＶ以下でも）、上記
した理由からホールの移動度が不充分となることは回避
できない問題である。 これまでに提案されている感光体として、例えば実開昭
５７−２３５４３号、同５７−２３５４４号等のように
、電荷発生層と電荷輸送層との間に、炭素量を連続変化
させた傾斜層を設けたものが知られている。しかし、実
際には、再現性よく組成を連続的に変化させるのは困難
であり、また量産時には、組成を再現性よく連続的変化
させることは更に困難である。また、感光体の表面に表
面改質層を設けたものも知られているが、単層の表面改
質層の場合には、高感度と機械的強度の点で満足のゆく
性能が得られず、上記した両層の界面でのキャリア注入
の向上や、電荷発生層−表面改質層間のバンドベンディ
ング及び接着性の向上が望まれている。 ハ１発明の目的 本発明の目的は、高感度化（特に低電場下での裾切れの
改善）を図り、かつまた残留電位が低く、電荷発生層−
電荷輸送層間の接着性を向上させ、機械的強度を高めて
高耐久化を可能となし、かつ表面側の機械的強度を向上
させ、画像流れ、画像ボケのない高画質を得ることがで
きる感光体を提供することにある。 二０発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、窒素原子及び酸素原子のうち少なくと
も窒素原子を含有するアモルファス水素化及び／又はハ
ロゲン化シリコンからなり、かつ周期表第ＩＩＩａ族元
素がドープされた電荷輸送層と；この電荷輸送層上に設
けられ、かつアモルファス水素化及び／又はハロゲン化
シリコンからなる電荷発生層と；前記電荷輸送層と前記
電荷発生層との間に設けられ、窒素原子及び酸素原子の
うち少なくとも窒素原子を含有するアモルファス水素化
及び／又はハロゲン化シリコンからなり、かつ窒素原子
及び／又は酸素原子の含有量が前記電荷輸送層よりも少
ない中間層（この中間層は複数の層からなっていてよい
。）と；前記電荷発生層上に設けられ、かつ炭素原子、
酸素原子及び窒素原子のうちの少なくとも１種を含有す
るアモルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコンか
らなる表面保護層と（望ましくは更に、前記電荷発生層
と前記表面保護層との間に設けられ、炭素原子、酸素原
子及び窒素原子のうちの少なくとも１種を含有するアモ
ルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコンからなり
、かつシリコン原子の含有量が前記表面保護層よりも多
い中間層（この中間層は複数の層からなっていてよい。 ）と）を有する感光体に係るものである。 本発明によれば、表面保護層は炭素、窒素及び酸素の少
なくとも１種の原子を含有しているために、機械的損傷
に対して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化がな
く、耐剛性が優れたものとなる。また、本発明において
は、電荷輸送層と電荷発生層との間に中間の組成の中間
層（特に組成が連続的に変化しないでほぼ一定の組成の
中間層）を設けているので、光照射により電荷発生層中
で発生したキャリアを高い注入効率で電荷輸送層へ注入
することができ、かつそうした中間層の形成を容易にし
て量産性の両立を図れる。同時に、表面保！！層と電荷
発生層との間にも中間層を設けると、機械的強度と画像
ボケに対して高性能の感光体を提供でき、これにより、
高感度、高耐久性及び高画質の感光体が得られる。なお
、プロ・ノキング層を更に設ければ、高帯電能を実現し
、実用化する上でプロセス及び現像特性に負担をかけず
、かつ−同の高画質、高耐久性が可能となる。更に、電
荷輸送層も窒素原子及び酸素原子のうち少なくとも窒素
原子を含有する上に、周期表第１［ａ族元素がドープさ
れているので、電位保持能が良好となり、かつ光キャリ
アの移動度も向上する。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳れ１に説明する。 第１図は、本実施例による正帯電用のａ−３ｉ系電子写
真感光体３９を示すものである。この感光体３９はへ１
等のドラム状導電性支持基板４１上に、Ｐ　型ブロッキ
ング層４４と、電荷輸送層４２と、中間層４７と、電荷
発生ｒｆＪ４３と、中間層４６と、表面保護層４５とが
積層された構造からなっている。電荷ブロッキングＦｉ
４４は、周期表第ＩＩＩａ族元素（例えばホウ素）がヘ
ビードープされかつＮ及びＯのうち少なくともＮを含有
するアモルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコン
（ａ−３，ｉ　Ｎ　：　Ｈ／Ｘ又はａ−３ｉＮＯ：Ｈ／
Ｘ）からなっている。電荷輸送層４２は、周期表第ＩＩ
Ｉａ族元素（例えばホウ素）がライトドープされ、かつ
Ｎ及びＯのうち少なくともＮを含有するアモルファス水
素化及び／又はハロゲン化シリコン（ａ−３ｉ　Ｎ　：
　Ｈ／Ｘ又はａ−３ｉＮＯ：Ｈ／Ｘ）からなっている。 中間層４７は、電荷輸送層４２と同様のａ−３ｉ　Ｎ　
：　Ｈ／Ｘ又はａ−３ｉＮＯ：　Ｈ／Ｘからなるが、Ｎ
及び／又はＯの含有量が電荷輸送Ｎ４２よりも少なくな
っている。電荷発生Ｎ４３は、必要あれば周期表第１［
［ａ族元素（例えばホウ素）がライトドープされたアモ
ルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコン（ａ−３
ｉ：　Ｈ／Ｘ）からなっている。中間層４６は、Ｃ１Ｎ
及び０の少なくとも１種を含有するアモルファス水素化
及び／又はハロゲン化シリコン（ａ−３ｉ　Ｃ：　Ｈ／
Ｘ、　ａ−３ｉｃｏ　：　Ｈ／Ｘ、　ａ−３ｉＮ：　Ｈ
／Ｘ、ａ−３ｉＮｏ　：　Ｈ／Ｘ又はａ−３ｉＯ：　Ｈ
／Ｘ）からなるが、表面保護層４５よりもＳｉの含有量
が多くなっている。更に表面保護層４５は、中間層４６
と同様のａ−３ｉＣ：Ｈ／Ｘ、ａ−３ｉＣＯ：Ｈ／Ｘ、
ａ−３ｉＮ：Ｈ／Ｘ。 ａ−３ｉＮＯ：Ｈ／Ｘ又はａ−３ｉＯ：Ｈ／Ｘからなっ
ている。 次に、上記の各層について更に詳述する。 上記のＮ４５は感光体の表面を改質してａ−３ｉ系感光
体を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。 従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、ａ−３ｉ：Ｈを表
面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気
等のＦ５’ｌＪを受は易く、電位特性の経時変化が著し
くなる。 また、層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱
性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセ
スを通用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
４５の組成を選択することが重要である。 即ち、炭素原子を含有する場合、Ｓｉ＋Ｃ＝１００ａｔ
ｏｍｉｃ％（以下、ａｔｏｍｉｃ％を単に％で表す。）
としたとき１％≦（Ｃ）５９０％、更には１０％≦（Ｃ
）５７０％であることが望ましい。このＣ含有量によっ
て比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エネルギーギャ
ップがほぼ２．５ｅＶ以上となり、可視及び赤外光に対
しいわゆる光学的に透明な窓効果により照射光はａ−３
ｔｓＨ層（電荷発生層）４３に到達し易くなる。しかし
、Ｃ含有量が１％以下では、機械的損傷等の欠点が生じ
、かつ比抵抗が所望の値以下となり易く、かつ一部分の
光は表面層４５に吸収され、感光体の光感度が低下し易
くなる。また、Ｃ含有量が９０％を越えると層の炭素量
が多くなり、半導体特性が失われ易い上にａ−５ｉＣ：
Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆積速度が低下し
易いので、Ｃ含有量は９０％以下とするのがよい。 同様に、窒素又は酸素を含有する層４５の場合、１％≦
（Ｎ）５９０％、（更には１０％≦（Ｎ）５７０％）が
よく、０％く〔０３５７０％（更には５％≦（０）５３
０％）がよい。 また、表面層４５のＳｉ含有量は、Ｓｉ＋Ｃ（又はＮ５
Ｏ）＝１００％とすれば、１０〜８０％がよく、２０〜
５０％が更に良り、２５〜４０％が最適である。 また、表面層４５の膜厚は４００人≦ｔ≦５０００人の
範囲内（特に４００人≦ｔ≦２０００　Ａ）に選択する
のがよい。即ち、その膜厚が５０００人を越える場合に
は、残留電位Ｖ尺が高くなりすぎかつ光感度の低下も生
じ、ａ−３ｉ糸感光体としての良好な特性を失い易い。 また、膜厚を４００人未満とした場合には、トンネル効
果によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減
衰の増大や光感度の低下が生じてしまう。 中間層４６は、感度の向上、残留電位の低下、表面改質
層の接着性の向上及び画像の安定化の為に設置する。上
記のＣ，Ｎ、０、Ｓｉの含有量範囲は、中間層４６にも
同様に適用されるが、中間層４６のＳｉ含有量は表面層
４５よりも多くなっている。なお、この中間層は２層以
上設けることができる。 この中間層４６の膜厚は５０〜５０００人とするのがよ
いが、５０００人を越えると上記したと同様の現象が生
じ易く、５０人未満では中間層としての効果が乏しくな
る。 電荷発生層４３については、帯電能を向上する為には、
電荷発生層の高抵抗化とキャリアの移動度の向上とを図
ってもよい。その為には、電荷発生層を真性化してもよ
い。この場合、後述のグロー放電分解時に（ＢｚＨｅ）
／　（Ｓ　１Ｈ４）＝０．０１〜１０容ｉｐｐｍとする
のがよく、０．０５〜５容澄ｐｐｍが更によ＜　、０．
０７〜３容量ｐｐｍが最適である。 また、電荷発生層は２〜１５μｍとするのがよい。 電荷発生層４３が２μｍ未満であると光感度が充分でな
く、下層へ光が浸透し易（、また１５μｍを越えると残
留電位が上昇し、実用上不充分である。 中間層４７は、キャリアの注入効率を高めるために設け
られるものであって、その組成としては、０．５％≦（
Ｎ）５５０％、０．０５％≦〔０〕≦１０％ｊ（よく、
２％≦　（Ｎ）　　６１０％、０．０５％≦　〔０〕　
≦４％が更によく、３％≦（Ｎ）６８％、０．０５％≦
〔０〕≦２％が最適である。但し、Ｎ及び／又は０の含
有量は、電荷輸送層４２より少なく　（望ましくは、電
荷輸送層の含有量１／６〜５／６）卒っている。 この中間層４７には、周期表第ＩＩＩａ族元素をライト
ドープするのがよく、例えば後述のグロー放電分解時に
（Ｂ　２　Ｈｓ）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）−０，１〜５
０容ｆｔｐｐｍとするのがより、０．３〜２０容量ｐｐ
ｒａが更によく、１〜ｌＯ容量ｐｐｍが最適である。 また、中間層４７の膜厚は０．０１〜２μｍとするのが
よいが、０．０１μｍ未満だとその効果が弱く、２μｍ
を越えると却って感度が低下し易くなる。 この中間層は２層以上で形成することもできる。 電荷輸送層４２については、帯電能、感度を最適化する
為には、真性化してもよい。真性化の為のドープ量は、
（Ｂ２Ｈ６）／　（Ｓ　ｉＨ＋）＝０．１〜５０容量ｐ
ｐｍがよ＜、０．３〜２０容ｉＬｐｐｍが更によく、１
〜１０容量ｐｐｍが最適である。電荷輸送層の膜厚は５
〜５０μｍとするのがよく、電荷発生層４３よりも厚く
するのがよい。 また、電荷輸送Ｆｉ４２の組成は、５％≦（Ｎ）５５０
％、好ましくは７シ６≦（Ｎ）５２０％がよく、８％≦
（Ｎ）≦１４％が最適である。また、０．０５％≦〔０
〕　６１０％がよく、好ましくは０．０５％≦（０）≦
４％であり、０．０５％≦〔０３５２％が最適である。 また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向とのために
は、周期表第ＩＩＩａ族元素（例えばボロン）をグロー
放電分解でドープして、Ｐ型（更にはＰ　型）化する。 ドーピング量は、例えば（Ｂ２Ｈ６）／　（ＳｉＨ＋）
＝１０〜１０．０００容量ｐｐｍがよ＜、１００〜５０
００容量ｐｐ涌が更によく、５００〜３０００容量ｐｐ
ｍが最適である。 また、電荷ブロッキング層４４の組成は電荷輸送層４２
と同様に、５％≦（Ｎ）５５０％、０．０５％≦〔０〕
≦１０％がよく、更に７％≦（Ｎ）５２０％、０．０５
％≦〔０〕≦４％がよく、５％≦（Ｎ）≦１４％、０．
０５％≦〔０〕≦２％が最適である。 また、ブロッキング層４４の膜厚は０６０１〜ｌＯμｍ
がよい。０．０１μｍ未満であるとブロッキング効果が
弱く、また１０μｍを越えると電荷輸送能が悪くなり易
い。 なお、上記の各層は水素又はハロゲン（例えばフン素）
を含有することが必要である。特に、電荷発生層４３中
の水素含有量は、ダングリングボンドを補償して光導電
性及び電荷保持液性を向上させるために必須不可欠であ
って、１０〜３０％であるのが望ましい。この含有量範
囲は表面改質層４５、中間層４６．４７、ブロッキング
層４４及び電荷輸送層４２も同様である。また、導電型
を制御するための不純物として、Ｐ型化のためにボロン
以外にもＡ　１％　Ｇ　ａ　％　Ｉ　ｎ　１Ｔ　１等の
周期表第１［ａ族元素を使用できる。 次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第２図について説明す
る。 この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対抗してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
型＃５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の６２はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の供給源
、６３はＣＨ４等の炭化水素ガスの供給源、６４はＮ２
等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０２等の酸素化合
物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給源、
６７は不純物ガス（例えばＢ２Ｈ６）供給源、６８は各
流量計である。このグロー放電装置において、まず支持
体である例えばＡｌ基板４１の表面を清浄化した後に真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０＝　
Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を
所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０〜
３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度の不活性ガ
スをキャリアガスとして、Ｓ　ｉＨ４又はガス状シリコ
ン化合物、ＣＨ４、Ｎ２．０２等を適宜真空槽５２内に
導入し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高
周波線電源５６により高周波電圧（例えば１３．５６　
ＭＨｚ）を印加する。これによって、上記各反応ガスを
電極５７と基板４１との間でグロー放電分解し、耐型ａ
−３ｉＮＯ：Ｈ，ｉ型５ｉＮＯ：Ｈ１ｉ型Ｓ　ｉＮｏ　
：　Ｈ，ａ−３ｉ　：　Ｈ。 ａ−３ｉＣＯ：Ｈ，ａ−３ｉＣＯ：Ｈを上記の層４４．
４２．４７．４３．４６．４５として基板上に連続的に
（即ち、例えば第１図の例に対応して）堆積させる。 上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。 なお、上記ａ−３ｔ系感光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してハロゲン原子、例えばフ
ッ素をＳｉＦ４等の形で導入し、ａ−３ｉ：Ｆｓ　ａ−
３ｉ：Ｈ：ＦＳ　ａ　−３ｉＮ：Ｆ、ａ−３ｉＮ：Ｈ：
Ｆ、ａ−３ｉＣ：Ｆ、ａ−３ｉＣ：Ｈ：Ｆ等とすること
もできる。 この場合のフン素置は０．５〜１０％が望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にもスパッタリング法、イオンブレー
ティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化された
水素導入下でＳｔを蒸発させる方法（特に、本出願人に
よる特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２４
５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可能
である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状Ａ１支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａｆ基板４１の表面を清浄化した後に、第２図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１Ｏ−６
Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を
所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０〜
３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度のＡｒガス
をキャリアガスとして導入し、０．５　Ｔｏｒｒの背圧
のもとて周波数１３．５６　ＭＨｚの高周波腫電力を印
加し、１０分間の予備放電を行った。次いで、ＳｉＨ４
とＮ２．０２、ＢｚＨｓからなる反応ガスを導入し、流
量比１：ｌ：ｌ：（１，５Ｘｌ０−３　）の（Ａｒ＋Ｓ
ｉＨ４＋Ｎｚ＋Ｏｚ＋Ｂ　ｚ　Ｈｓ）混合ガスをグロー
放電分解することにより、電荷ブロッキング機能を担う
Ｐ＋型のａ−３ｉＮＯ：ＨＦｆ４４と、ａ−３ｉＮＯ：
Ｈ電荷輸送層（但し、（ＢｚＨａ）／　（Ｓ　ｉＨ＋）
＝６容量ｐｐｍ、（Ｎ）＝１４％、（０）＝０．２％）
４２、ａ−３ｉＮＯ：Ｈ中間ｒＮ（但し、（Ｂ２Ｈ６）
／（Ｓ　ｉＨ＋）＝６ｐｐｍ　、（Ｎ）＝７％、〔０〕
−０，２％）４７を６μｍ／ｈｒの堆積速度で順次所定
厚さに製膜した。引続き、Ｎ２及び０２を供給停止し、
ＳｉＨ４及びＢ２Ｈ６を放電分解し、厚さ５μｍのａ−
Ｓｔ：ＨＪｉｆ（但し、（ＢｚＨｓ）／（Ｓ　ｉ　Ｈ４
）　＝０．１容量ｐｐｍ　）　４３を形成した。 引続いて、ＣＨ４及び０２を供給してグロー放電分解し
、ａ−３ｉＣＯ：Ｈ中間層（但し、（Ｃ）＝２０％、（
０）＝１０％）４６を形成し、更にａ−３ｉ　Ｃｏ　：
　Ｈ表面保護層（但し、（Ｃ）＝３５％、（０）＝３０
％）４５を更に設け、電子写真感光体を完成させた。比
較例として、中間層のない感光体を作成した。 こうして作成された感光体の構成を第３図にまとめた。 そして、これらの各感光体を使用して各種のテストを次
のように行った。 テスト条件 Ｕ　−Ｂｉｘ　１６００ＭＲ（小西六写真工業社Ｉｌ！
りを以下のように改造した機械に用いた。 ■）ダイクロイックミラー（光伸光学社裂）により像露
光、波長のうち６２０ｎｍ以との長波長成分をシャープ
カット。 ２）帯電極への流れ込み電流は長野愛知社製、ＴＲ−Ｎ
５型高圧電源から出力。 測定環境：室温２０℃、相対湿度５０％。 測定条件 感光層中の元素含有量の測定は、以下の条件でＡ　Ｅ　
Ｓ　（Ａｕｇｅｒ　Ｅｌｅｃｔｙｏｎ　５ｐｅｃｔｒｏ
ｓｃｏｐｙ　）分析を行った。 １　）測定ｆｉ　：パーキンエルマ７［ＰＨＩ−一６０
０型　ＡＥＳ分析装置。 ２）感度係数：ＰＨＩ社　オージェハンドブック記載の
値使用。 ３）測定方法：３ＫＶの加速電圧、ビーム電流０．１　
μＡの電子ビーム照射時の オージェ電子を測定。３ＫＶの 加速電圧、ビーム電流０．１２μＡ のＡｒスパッタにより膜厚方向 の分布を求めた。 ＶＷ＝上記Ｕ　−Ｂｉｘ　１６００Ｍ　Ｒ改造機で、感
光体ドラムを１２時間暗順応後で像露光直前で感光体の
表面電位が５５０■となるようにセットし、２．７　ｌ
ｕｘ　−５ｅｃの像露光を行った直後の感光体の表面電
位（露光量は５５０−１型光量針（ＥＣ＆Ｇ社製）にて
測定）。 帯電能： 感光体流れ込み電流１５０μＡ１露光なしの条件で３６
０ＳＸ型電位計（トレソク社製）で測定した現像直前の
表面電位。 画像ボケ： ×５．５ポイント英字がつぶれて判読できない。 Ｏ鮮明な細線再現性。 耐久性： Ｘ　　２０万コピーで傷の発生が多い。 ０　２０万コピー中、傷の発生なし。 Δ　傷の発生１〜１０箇所。 結果を第３因にまとめて示した。この結果から、本発明
に基づいて感光体を作成すれば、電子写真用として各性
能に優れた感光体が得られることが分かる。 更に、本発明に基づ（感光体として、下記表に示す如く
、表面側の中間層を２層で構成したちのを作成した。こ
の感光体の電子写真性能はやはり良好であった（Ｅｇ、
ｏｐｔは光学的エネルギーギャップ）。 （以下余白、次頁に続く。）

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−３ｉ系感光体の断面図、 第２図はグロー放電装置の概略断面図、第３図は各感光
体の特性を示す表 である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・ａ−３ｉ系感光体４１・・・・
・・・・・支持体（基板）４２・・・・・・・・・電荷
輸送層 ４３・・・・・・・・・電荷発生層 ４４・・・・・・・・・電荷ブロッキング層４５・・・
・・・・・・表面改質層 ４６．４７・・・・・・・・・中間層 である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、窒素原子及び酸素原子のうち少なくとも窒素原子を
   含有するアモルファス水素化及び／又はハロゲン化シリ
   コンからなり、かつ周期表第IIIａ族元素がドープされ
   た電荷輸送層と；この電荷輸送層上に設けられ、かつア
   モルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコンからな
   る電荷発生層と；前記電荷輸送層と前記電荷発生層との
   間に設けられ、窒素原子及び酸素原子のうち少なくとも
   窒素原子を含有するアモルファス水素化及び／又はハロ
   ゲン化シリコンからなり、かつ窒素原子及び／又は酸素
   原子の含有量が前記電荷輸送層よりも少ない中間層と；
   前記電荷発生層上に設けられ、かつ炭素原子、酸素原子
   及び窒素原子のうちの少なくとも１種を含有するアモル
   ファス水素化及び／又はハロゲン化シリコンからなる表
   面保護層とを有する感光体。