JPS61250649A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡｓ、Ｔ
ｅ、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣ（ｉｓを樹
脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。し
かしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定性
、機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン（ａ−３ｔ）を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。 ａ−３ｔはＳ　ｉ　−３ｉの結合手が切れたいわゆるダ
ングリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエ
ネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。この
ために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が
小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光
導電性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子
（Ｈ）で補償してＳｉにＨを結合させることによって、
ダングリングホントを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０８〜１０日
Ω−■であって、アモルファスＳｅと比較すれば約１万
分の１も低い。従って、ａ−３ｉ：Ｈの単層からなる感
光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位が
低いという問題点を有している。しかし、他方では、可
視及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大きく減少す
るため、感光体の感光層として極めて優れた特性を有し
ている。 しかしながら、ａ−３ｔ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで充分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分かっている。一方ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−３ｉＣ：Ｈ
と称する。）について、その製法や存在が”　Ｐｈ１１
．Ｍａｇ、Ｖｏｌ、３５　”　　（１９７Ｂ）等に記載
されており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高い
こと、ａ−３ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０”
〜１０′３Ω−ｃＩｎ）を有すること、炭素量により光
学的エネルギーギャップが１．６〜２，８ｅＶの範囲に
亘って変化すること等が知られている。但し、炭素の含
有によりバンドギャップが拡がるために長波長感度が不
良となるという欠点がある。 こうしたａ−３ｉＣ：Ｈとａ−３ｉ：Ｈとを組合わせた
電子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公
報において提案されている。これによれば、ａ−３ｉｓ
Ｈ層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下に
ａ−３ｉＣ：上層を電荷輸送層として設けた機能分離型
の２層構造を作成ル、上層のａ−３ｉ：Ｈにより広い波
長域での光感度を得、かつａ−３ｔｓＨ層とへテロ接合
を形成する下層のａ−３ｉＣ：Ｈにより帯電電位の向上
を図っている。しかしながら、ａ−３ｉ：上層の暗減衰
を充分に防止できず、帯電電位はなお不充分であって実
用性のあるものとはならない上に、表面にａ−５ｉ：上
層が存在していることにより化学的安定性や機械的強度
、耐熱性等が不良となる。 一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−３ｉ：
Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−３ｉＣ：上層を表
面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第２
のａ−３ｉＣｓＨ層を電荷輸送層として形成している。 この公知の感光体に関しては、表面改質層によって減衰
の防止、表面の化学即ち、上記の如き表面改質層の構成
物質であるａ−８ｉＣ：Ｈの比抵抗（暗所抵抗率）ｐｏ
は１０１９Ω−ロが限界であり、これより大きくはなら
ないために帯電電位の保持性が充分ではない。また、Ｓ
　ｉ０２を表面改質層に使用した場合、ρｐは高くなる
が、帯電極近傍で発生した活性種（放電雰囲気中等のイ
オンや、分子、原子）が表面に吸着され易く、このため
に沿面放電が生じて画像流れが生じ易くなる。これに対
し、ａ−３ｉＣ：ＨはＳｉＯ２の如き活性種の吸着は生
じ難いが、上記の如くρｐが不充分であって帯電電位の
保持能（特に高温高湿下における保持能）が悪い。 また、公知の感光体においては、ａ−３ｉＣ：Ｈ電荷輸
送層について、その電荷輸送能（キャリアレンジ（μτ
）＝モビリティ×ライフタイム）及び電荷保持能（暗抵
抗ρｐ）は一応充分ではあるが、ρＱの温度依存性が大
きく、このために高温では帯電電位の保持特性が劣化し
、実用に供し得な（なる。 ハ、発明の目的 本発明の目的は、表面の化学的安定性、機械的強度、耐
熱性に優れ、光感度も良好であり、かつ帯電電位の保持
能が良く、沿面放電も生じ難く、しかも高い帯電電位を
安定に（特に高温又は高湿下で）保持でき、かつ光疲労
特性に優れる感光体を提供することにある。 ニ、発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明による感光体は、アモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層上に、酸素
を１〜５０ａｔｏｍｉｃ％（但し、シリコン原子と炭素
原子と酸素原子との合計原子数を１００ａ　ｔｏＩＩｌ
ｉ　ｃ％とする。）含有するアモルファス水素化０．０
５〜５　ａｔｏｍｉｃ％（但し、シリコン原子と炭素原
子と酸素原子との合計原子数を１００　ａｔｏｍｉｃ％
とする。）含有するアモルファス水素化及び／又はフッ
素化炭化シリコンからなる電荷輸送層が設けられている
感光体である。 本発明によれば、ａ−３ｉＣ系の表面改質層（例えばア
モルファス水素化炭化シリコン（ａ　−３ｉ　Ｃ：　Ｈ
）からなる表面改質層）を具備せしめているので、ａ−
３ｉ系感光体の表面特性についての欠点を解消すること
ができる。即ち、この表面改質層はａ−３ｉ系感光体の
表面電位特性の改善、長期に亘る電位特性の保持、耐環
境性の維持（湿度や雰囲気、コロナ放電で主成される化
学種の影響防止）、表面硬度が高いことによる耐剛性の
向上、感光体使用時の耐熱性の向上、熱転写性（特に粘
着転写性）の向上等の機能を有するものである。 しかも、この表面改質層には、酸素が１〜５０ａｔｏｍ
ｔｃ％（以下、ｒａｔｏｗ＋ｉｃ％」を単に％と記す。 ）含有せしめられているために、表面改質層の比抵抗が
大きく向上０’）１０１３Ω−ｃｍ）Ｌ、特に高温又は
高湿下での表面からの電荷の注入が効果的に防止され、
帯電電位の保持能が著しく向上する。逆に酸素原子が１
％未満ではそうした効果がなく、５０％を越えると活性
種の吸着による画像流れが生じてしまう。従って、表面
改質層中の酸木含有量を１〜５０％に設定することが必
須不可欠であり、５〜３０％とするのが好適である。 また、本発明によれば、機能分離型の感光体であって、
その電荷輸送層に０．０５〜５％の酸素を含有せしめて
いるので、電荷輸送能（μτ）を低下させることなしに
ρりを効果的に上昇させてρｐの温度依存性（ｄρｐ　
／　ｄ　Ｔ）を小さく抑えることができる。このため、
帯電電位の保持特性が向上し、感光体の使用可能な上限
温度（上限湿度も同様）を高めることができるのである
。仮に、上記酸素含有量が０．０５％未満であると酸素
含有による効果（比抵抗の向上、温度依存性の制御）が
発揮されず、また５％を越えると酸素が多すぎてキャリ
アのモビリティ、即ち（μτ）が著しく低下し、感度低
下、残留電位の上昇を生じてしまう。 従って、酸素含有量を０．０５〜５％に設定することが
必須不可欠であり、特に０．１〜３％とするのが望まし
い。 このように、表面改質層と電荷輸送層との双方に夫々所
定量の酸素を含有せしめることによって、これらの相乗
作用が充二分に発揮され、帯電電位の向上、帯電電位の
温度依存性の低下、特に高温高湿下での帯電電位の向上
等を実現できるのである。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第１図は本実施例による例えば正帯電用のａ−８ｉ系電
子写真感光体３９を示すものである。この感光体３９は
ＡＩｔ等のドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第
１［ａ族元素（例えばホウ素）がヘビードープされた酸
素含有ａ−３ｉＣ：Ｈ（ａ−３ｉ　Ｃｏ　：　Ｈ）から
なるＰ型電荷ブロッキング層４４と、酸素含有ａ−３ｉ
Ｃ：Ｈ（ａ−３ｉＣＯ：Ｈ）からなる電荷輸送層４２と
、ａ−３ｉ　：Ｈからなる電荷発生層（光導電層）４３
と、酸素含有ａ−３ｉＣ：Ｈ（ａ−３ｉＣＯ：Ｈ）から
なる表面改質層４５とが積層された構造からなっている
。光導電層４３は暗所抵抗率ρｐと光照射時の抵抗率ρ
Ｌとの比が電子写真感光体として充分太き（光感度（特
に可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好である。 この感光体３９においては、本発明に基づいて、電荷発
生層４３上に表面改質層４５に、ＳｔとＣとＯとの合計
原子数に対して１〜５０％の酸素を含有せしめているの
で、比抵抗の上昇、帯電電位保持能の向上という顕著な
作用効果が得られる。即ち、第２図に曲ＪＪｊａ−で示
すように、表面改質層に単なるａ−３ｉＣ：Ｈを用いた
場合、その比抵抗は炭素含有量に従って高められるが１
０′３Ω−値以上にならないことが分かっている。これ
に対し、本発明に基づいて、ａ−３ｉＣ：Ｈ中に酸素を
含有せしめたＯ含有量−ＳｉＣ：Ｈの場合（酸素含有量
は例えば５％）には、曲線すで示すように、比抵抗が大
きく上昇して炭素含有量を決めることによって１０′３
Ω−■をはるかに上回る値を示すことが確認された。 この０含有ａ−３ｉＣ：Ｈ層４５は感光体の表面を改質
してａ−３ｉ系悪感光を実用的に優れたものとするため
に必須不可欠なものである。即ち、表面での電荷保持と
、光照射による表面電位の減衰という電子写真感光体と
しての基本的な動作を可能とするものである。従って、
帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり、長時間
（例えば１力月以上）放置しておいても良好な電位特性
を再現できる。これに反し、ａ−３ｉ：）（を表面とし
た感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影
響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる。また
、ａ−３ｉＣ：Ｈは表面硬度が高いために、現像、転写
、クリーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に
耐熱性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプ
ロセスを適用するこ肋（できる。 また、ａ−３ｉＣ：Ｈからなる電荷輸送層４２に酸素原
子をＳ　ｉ　＋Ｃ＋Ｏの総原子数１００　ａｔｏｍｉｃ
％に対し０．０５〜５％含有せしめているが、この含有
量範囲の酸素によって、電荷輸送層４２のρｐが高温（
又は高湿）下でも高くなり、感光体としての帯電電位保
持能が安定に保持される。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、ａ
−３ｉＣ：Ｈ層４５の炭素組成を選択することが重要で
ある。即ち、炭素原子含有量がＳ　ｉ　＋Ｃ＋０＝１０
０％としたとき１０〜９０％、更には１０〜７０％であ
ることが望ましい。Ｃ含有量が１０％以上であると、上
記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エネルギー
ギャップがほぼ２．ＯｅＶ以上となり、可視及び赤外光
に対していわゆる光学的に透明な窓効果により照射光は
ａ−Ｓｔ：Ｈ層（電荷発生層）４３に到達し易くなる。 しかし、Ｃ含有量が１０％未満では、比抵抗が所望の値
以下となり易く、かつ一部分の光は表面層４５に吸収さ
れ、感光体の光感度が低下し易くなる。また、Ｃ含有量
が９０％を越えると層の炭素量が多くなり、半導体特性
が失われ易い上にａ−３ｉ：Ｈ膜をグロー放電法で形成
するときの堆積速度が低下し易いので、Ｃ含有量は９０
％以下とするのがよい。 また、ａ−３ｉＣ：Ｈ層４５の膜厚を４００人≦ｔ≦５
０００人の範囲内（特に４００人≦ｔ≦２０００人）に
選択することも重要である。即ち、その膜厚が５０００
人を越える場合には、残留電位ＶＩＬが高くなりすぎか
つ光感度の低下も生じ、ａ−３ｔ系悪感光としての良好
な特性を失い易い。また、膜厚を４００人未満とした場
合には、トンネル効果によって電荷が表面上に帯電され
なくなるため、暗減衰の増大や光感度の低下が生じてし
まう。 電荷輸送層４２の炭素電子含有量は３０％以下、好まし
くは１０〜３０％（Ｓｉ＋Ｃ＋Ｏの総原子数を１００　
ａｔｏｍｉｃ％とする。）であるのが望ましく、またそ
の膜厚は１０〜３０μｍとするのが適切である。 また、電荷発生層４３は１〜１０μｍとするのがよい。 電荷発生層４３が１μｍ未満であると光感度が充分でな
く、また、１０μｍを越えると残留電位が上昇し、実用
上不充分である。 また、上記電荷ブロッキング層４４は、正帯電用として
、基板４１からの電子の注入を充分に防ぐには、周期表
第ｍａ族元素（例えばボロン）を流量比Ｂ　２　Ｈａ　
／　Ｓ　ｉ　Ｈ４＝１００〜５０００ｐｐｍでドープし
て、Ｐ型（更にはビ型）化すると良い。また、負帯電用
として、周期表第Ｖａ族元素（例えばリン）をヘビード
ープしてＮ型（更にはマ型）化しても良い。電荷ブロッ
キング層４４は負帯電使用の場合には必ずしも設けるこ
とを要しないが、設ける場合には正帯電用及び負帯電用
を問わず、酸素を０．０５〜５％、さらには０．１〜３
％含有せしめたａ−３ｉＣ：Ｈで形成するのが望ましい
。このａ−３ｉＣ：Ｈの炭素量は３０％以下、好ましく
は１０〜３０％としてよい。このブロッキング層４４は
５００人未満であるとブロッキング効果が弱く、また、
２μｍを越えると電荷輸送能が悪くなり易い。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 特に、光導電層４３中の水素含有量は、ダングリングボ
ンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させるた
めに必須不可欠であって、１０〜３０％であるのが望ま
しい。この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッキング
層４４及び電荷輸送層４２も同様である。また、ブロッ
キング層４４の導電型を制御するための不純物として、
Ｐ型化のためにボロン以外にもＡｔ５Ｇａ、Ｉｎ５Ｔｊ
！等の周期表ｍａ族元素を使用でき、Ｎ型化の不純物も
リン以外のＡ３、ｓｂ等の周期表第Ｖａ族元素を使用で
きる。 なお、本例の感光体の層構成を使用形態に応じてまとめ
ると次の如くである。 〔正帯電使用の場合〕 電荷ブロッキング層４４：周期表第Ｈａ族元素をヘビー
ドープ。例えばＢｚＨｇ／５ＬＨ４＝１００〜５０００
ｐｐｍ　　（容量比）なる条件下でグロー放電分解する
。 電荷輸送層４２：周期表第ｍａ族元素をライトドープ。 例えばＢ２Ｈ６／ＳｉＨ＋＝０．１〜２０ｐｐｍ　　（
容量比）なる条件下でグロー放電分解する。 表面改質層４５：炭素含有量及び酸素含有量について感
光体膜厚方向に濃度勾配をもたせてもよい。 電荷発生層４３：何らドープしなくてもよい。 帯電電位及び感度を向上させるため、場合によっては周
期表第■ａ族元素をライトドープしてもよい。例えばＢ
２Ｈ６／ＳｉＨ４≦２０ｐｐｍ（容量比）なる条件下で
グロー放電分解する。 〔負帯電使用の場合〕 電荷ブロッキング層４４：特に電荷ブロッキング層を設
けなくてもよい。帯電能を向上させるため、場合によっ
ては周期表第Ｖａ族元素をドープしたａ−５ｉＣＯ：Ｈ
又はａ−３ｉ　Ｃｏ　：　Ｆからなる電荷ブロッキング
層を設けてもよい。例えばＰ　Ｈ３／　Ｓ　ｉ　Ｈ４≦
２０００ｐｐｍ　　（容量比）なる条件下でグロー放電
分解する。 電荷輸送層４２：何らドープしなくてもよい。 帯電電位及び感度を向上させるため、場合によっては周
期表第■ａ族元素をライトドープしてもよい。例えばＢ
ｚＨｓ／ＳｉＨ４≦２０ｐｐｍ　　（容量比）なる条件
下でグロー放電分解する。 電荷発生層４３：何らドープしなくてもよい。 帯電電位及び感度を向上させるため、場合によっては周
期表第ｍａ族元素をライトドープしてもよい。例えばＢ
ｚＨａ／ＳｉＨ４≦２０ｐｐｍ　　（容量比）なる条件
下でグロー放電分解する。 表面改質層４５：炭素含有量及び酸素含着量について感
光体膜厚方向に濃度勾配を持たせてもよい。 次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第３図について説明す
る。 この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の６２はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の供給源
、６３は０２又はガス状酸素化合物の供給源、６４はＣ
Ｈ４等の炭化水素ガスの供給源、６５はＡｒ等のキャリ
アガス供給源、６６は不純物ガス（例えばＢｚＨｓ、Ｐ
Ｈａ）供給源、６７は各流量針である。このグロー放電
装置において、まず支持体である例えばＡ１基板４１の
表面を清浄化した後に真空槽５２内に配置し、真空槽５
２内のガス圧が１Ｏ−６Ｔｏｒｒとなるように調節して
排気し、かつ基板４１を所定温度、特に１００〜３５０
℃（望ましくは１５０〜３００℃）に加熱保持する。次
いで、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、Ｓｉ
Ｈ４又はガス状シリコン化合物、ＣＨ４，０２、Ｂ２Ｈ
ｅ　（又はＰ　ｋ（３）を適宜真空槽５２内に導入し、
例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源
５６により高周波電圧（例えば１３．５６　Ｍ　Ｈｚ　
）を印加する。これによって、上記各反応ガスを電極５
７と基板４１との間でグロー放電分解し、０含有Ｐ型ａ
−３ｉＣ：Ｈ，Ｏ含有ａ−３ｉＣ：Ｈ。 ａ−３ｔ：Ｈ，Ｏ含有ａ−３ｉＣ：Ｈを上記の槽４４．
４２．４３．４５として基板上に連続的に（即ち、第１
図の例に対応して）堆積させる。 上記製造方法において、支持体上にａ−３Ｌ系の層を製
膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としている
ので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くすること
ができる。 なお、上記ａ−３ｉ系感光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
変わりに、或いはＨと併用してフッ素をＳｉＦ＋等の形
で導入し、ａ　　Ｓ　ｔ　：　Ｆ　％ａ−３ｔ　：Ｈ：
Ｆ％　ａ−３ｉＣ：Ｆ、ａ−５ｉＣ：Ｈ：Ｆとすること
もできる。この場合のフン素置は０．５〜１０％が望ま
しい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。 次に、本発明を具体的な例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状Ａｌ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず、支持体である例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａｌ基板４１の表面を清浄化した後に、第３図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１Ｏ−６
ＴｏｒｒとなるようにＨして排気し、かつ基板４１を所
定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０〜３
００℃）に加熱保持する。次いで、高純度のＡｒガスを
キャリアガスとして導入し、０．５Ｔｏｒｒの背圧のも
とで周波数１３．５６　ＭＨｚの高周波電力を印加し、
１０分間の予備放電を行った。 次いで、ＳｉＨ４とＢｚＨｓとからなる反応ガスを導入
し、流量比４　：　１　：　１　：　　（１，ＯＸｌ０
−２）　　：（１，５Ｘ１Ｏ−３）の（Ａｒ＋ＳｉＨ４
＋ＣＨ４＋０２＋Ｂ　ｚ　Ｈｓ）混合ガスをグロー放電
分解することにより、電荷ブロッキング機能を担うＰ型
のＯ含有ａ−３ｉＣ：Ｈ層４４を５　ｐ　ｍ　／　ｈ　
ｒの堆積速度で所定厚さに製膜した。電荷輸送層４２も
同様にして形成した。引続き、Ｂ２Ｈ６及びＣＨ４を供
給停止し、Ｓ　ｉ　Ｈ４を放電分解し、所定厚さのａ−
３ｉ：Ｈ層４３を形成した。引き続いて、流量比４　：
　１　：　６　：　（１，ＯＸｌ０−１）の（Ａｒ＋Ｓ
ｉＨ４＋ＣＨ４＋０２）混合ガスと共にグロー放電分解
し、所定厚さのＯ含有ａ−３ｉＣ：Ｈ表面保護層４５を
更に設け、電子写真感光体を完成させた。 この感光体を用いて次の測定を行った。 帯電電位Ｖ　ｏ　（Ｖ）　　：　Ｕ−ＢｉＸ２５００改
造機（小西六写真工業■製）を用い、感光体流れ込み電
流１５０μＡ、露光なしの条件で３６０ＳＸ型電位針（
トレック社製）で測定した現像直前の表面電位。 半減露光量Ｅ　１　／　２　（ｌｕｘ　−５ｅｃ　）　
　：上記の装置を用い、表面電位を５００Ｖ〜２５０■
に半減するのに必要な露光量。像露光は、グイクロイッ
クミラーにより６２０　ｎｍ以上の長波長成分をカット
した。（露光量は５５０−１型光量針（ＥＧａｎｄＧ社
製）にて測定） 残留電位ＶＲ（Ｖ）：上記の装置を用い、５００Ｖに帯
電させた後、４００ｎｍにピークを持つ除電光を３０１
ｕｘ−ｓｅｃ照射後の表面電位。 ２０万コピー実写：　Ｕ　−Ｂｉｘ　２５００改造機（
小西六写真工業側製）を用いた。画質の評価は次の通り
である。 ◎　画像濃度が充分高く、解像度、階調性がよく、鮮明
で画像上に白スジや白ポチがない。 即ち画像極めて良好。 ○　画像良好。 △　画像実用上採用可能。 ×　画像実用上採用不可能。 種々の層構成の感光体について第４図の結果が得られた
。この結果から次のことが明らかである。 （１）、表面改質層の酸素含有量がｆａｔ％より少ない
か、電荷輸送層の酸素含有量が０　、０５ａ　ｔ％より
少ないと、高温環境下での帯電電位が充分でない。 （２）、表面改質層の酸素含有量が５０ａ　ｔ％より多
いか、電荷輸送層の酸素含有量が５ａｔ％より多いと、
光感度が悪くなり、残留電位が上昇する。 （３）、表面改質層の酸素含有量が５０ａ　ｔ％より多
くなると、２０万コピーでの画像の解像度が悪（なる。 従って、５０℃で２０万コピーを行っても良好な画質を
得るためには表面改質層の酸素含有量をｌａｔ％≦〔０
〕≦５０ａ　ｔ％とし、電荷輸送層の酸素含有量を０．
Ｑ５ａｔ％≦

〔０〕≦５ａｔ％とすることが必要である
。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第４図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−３ｉ系感光体の断面図、 第２図はａ−３ｉ（：：の比抵抗を比較して示すグラフ
、 第３図はグロー放電装置の概略断面図、第４図は感光体
の特性を比較して示す図である。 なお、図面に示された符号に於いて、 ３９・・・・・・・・・ａ−３ｉｉ感光体４１・・・・
・・・・・支持体（基板）４２・・・・・・・・・電荷
輸送層 ４３・・・・・・・・・電荷発生層 ４４・・・・・・・・・電荷ブロッキング層４５・・・
・・・・・・表面改質層 である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンか
   らなる電荷発生層上に、酸素を１〜５０ａｔｏｍｉｃ％
   （但し、シリコン原子と炭素原子と酸素原子との合計原
   子数を１００ａｔｏｍｉｃ％とする。）含有するアモル
   ファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコンからなる
   表面改質層が設けられ、かつ前記電荷発生層下に、酸素
   を０．０５〜５ａｔｏｍｉｃ％（但し、シリコン原子と
   炭素原子と酸素原子との合計原子数を１００ａｔｏｍｉ
   ｃ％とする。）含有するアモルファス水素化及び／又は
   フッ素化炭化シリコンからなる電荷輸送層が設けられて
   いる感光体。 ２、電荷輸送層下に、酸素を０．０５〜５ａｔｏｍｉｃ
   ％（但し、シリコン原子と炭素原子と酸素原子との合計
   原子数を１００ａｔｏｍｉｃ％とする。）含有するアモ
   ルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコンからな
   る電荷ブロッキング層が設けられている、特許請求の範
   囲の第１項に記載した感光体。