JPS6283760A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口、発明の背景 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ、又はＳｅにＡ　Ｓ
　、Ｔ　８　％　Ｓ　ｂ等をドープした感光体、ＺｎＯ
やＣｄＳを樹脂バインダーに分散させた感光体等が知ら
れている。しかしながら、これらの感光体は、環境汚染
性、熱的安定性、機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと称する
。）を母体として用いた電子写真感光体が近年になって
提案されている。ａ−３ｉは、５ｔ−３ｔの結合手が切
れたいわゆるダングリングボンドを有しており、この欠
陥に起因してエネルギーギャップ内に多（の局在単位が
存在する。 このために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵
抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされ
て光導電性が悪くなっている。　そこで、上記欠陥を水
素原子（■］）で補償してＳｉにＨを結合させることに
よって、ダングリングボンドを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０８〜１０９
Ω−Ｃであって、アモルファスＳｅと比較すれば約１万
分の１も低い。従って、ａ−３ｉ：Ｈの単層からなる感
光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位が
低いという問題点を有している。しかし他方では、可視
及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大きく減少する
ため、感光体の感光層として極めて優れた特性を有して
いる。 また、ａ−３ｉ：）（を表面とする感光体は、長期に亘
って大気や湿気に曝されることによる影響、コロナ放電
で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的安定性
に関して、これ迄充分な検討がなされていない。例えば
１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、受容電位
が著しく低下することが分かっている。一方、アモルフ
ァス炭化シリコン（以下、ａ−３ｉＣ：Ｈと称する。）
について、その製法や存在がフィロソフィカル・マガジ
ン（Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ　Ｍａｇａｚｉｎｅ）
　、Ｖｏｌ、３５　　（１９７８）等に記載されており
、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと、ａ−
８ｉ：ｌ（と比較して高い暗所抵抗率（１０〜１０　　
Ω−情）を有すること、炭素量により光学的エネルギー
ギャンブが１．６〜２．８ｅＶの範囲に亘って変化する
こと等が知られている。 こうしたａ−３ｉＣ：Ｈとａ−３ｉ：Ｈとを組み合わせ
た電子写真感光体は例えば特開昭５７−１７９５２号に
おいて提案されている。これによれば、ａ−３ｔ：８層
を電荷発生層とし、この受光面上に第１のａ−３ｉＣ：
８層を形成し、裏面上（支持体電極側）に第２のａ−３
ｉＣ：８層を形成して、３層構造の感光体としている。 本発明者は、特にａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈを使用した感
光体について検討を加えた結果、従来の感光体には次の
如き欠点があることを見出した。叩ち、光照射時に電荷
輸送層（上記第２のａ−３ｉＣ：８層）にまで光が到達
すると、電荷輸送層に光疲労が生じてキャリアをトラッ
プする局在準位が形成され、黒紙電位の変動、白紙電位
の変動、残留電位上昇の原因となるため、電荷輸送層へ
光が到達しないように電荷発生層の膜厚を大きくする必
要があるが、このように電荷発生層の膜厚が大となれば
、電荷発生層と電荷輸送層との界面の状態が電荷発生層
中の光生成キャリアの移動に大きく影響を与えることに
なる。 具体的に言えば、電荷発生層自体は感度等の面から不純
物（例えばボロン）のドーピング量を少なめにしである
ため、本来キャリア（ホール）が移動しにくいが、これ
に加えて電荷発生層の膜厚が大きくなれば所定位置へホ
ールが一層移動しにくくなり、特に上記両層の界面状態
が悪いとホールの到達率が大きく減少してしまうと考え
られる。 しかも、両層間に存在する光学的エネルギーギャップが
大きいと、光照射時に光導電層内で発生したキャリアが
電荷発生層と電荷輸送層との間に存在するエネルギー障
壁を充分に乗り越えることができず、光感度が不充分と
なってしまうことがある。しかし、上記光学的エネルギ
ーギャップが小さくても（０，３ｅＶ以下でも）、上記
した理由からホールの移動度が不充分となることは回避
できない問題である。 これまでに提案されている感光体として、例えば実開昭
５７−２３５４３号、同５７−２３５４４　号等のよう
に、電荷発生層と電荷輸送層との間に、炭素量を連続変
化させた傾斜層を設けたものが知られている。しかし、
実際には、再現性よく組成を連続的に変化させるのは困
ｎであり、また量産時には、組成を再現性よく連続的変
化させることは更に困難である。また、感光体の表面に
表面改質層を設けたものも知られているが、単層の表面
改質層の場合には、高感度と機械的強度の点で満足のゆ
く性能が得られず、上記した両層の界面でのキャリア注
入の向上や、電荷発生層−表面改質層間のハンドベンデ
ィング及び接着性の向上が望まれている。 ハ８発明の目的 本発明の目的は、高感度化（特に低電場下での裾切れの
改善）を図り、かつまた残留電位が低く、電荷発生層−
電荷輸送層間の接着性を向上させ、機械的強度を高めて
高耐久化を可能となし、かつ表面側の機械的強度を向上
させ、画像流れ、画像ボケのない高画質を得ることがで
きる感光体を提供することにある。 二０発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、炭素原子及び酸素原子のうち少なくと
も炭素原子を含有するアモルファス水素化及び／又はハ
ロゲン化シリコンからなり、かつ周期表第ＩＩＩａ族元
素がドープされた電荷輸送層と；この電荷輸送層上に設
けられ、かつアモルファス水素化及び／又はハロゲン化
シリコンからなる電荷発生層と；前記電荷輸送層と前記
電荷発生層との間に設けられ、炭素原子及び酸素原子の
うち少なくとも炭素原子を含有するアモルファス水素化
及び／又はハロゲン化シリコンからなり、かつ炭素原子
及び／又は酸素原子の含有量が前記電荷輸送層よりも少
ない中間層（この中間層は複数の層からなっていてよい
。）と；前記電荷発生層上に設けられ、かつ炭素原子、
酸素原子及び窒素原子のうちの少なくとも１種を含有す
るアモルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコンか
らなる表面保護層と；前記電荷発生層と前記表面保護層
との間に設けられ、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の
うちの少なくとも１種を含有するアモルファス水素化及
び／又はハロゲン化シリコンからなり、かつシリコン原
子の含有量が前記表面保護層よりも多い中間層（この中
間層は複数の眉からなっていてよい。）とを有する感光
体に係るものである。 本発明によれば、表面保護層は炭素、窒素及び酸素の少
なくとも１種の原子を含有しているために、機械的損傷
に対して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化がな
（、耐刷性が優れたものとなる。また、本発明において
は、電荷輸送層と電荷発生層との間に中間の組成の中間
層（特に組成が連続的に変化しないでほぼ一定の組成の
中間層）を設けているので、光照射により電荷発生層中
で発生したキャリアを高い注入効率で電荷輸送層へ注入
することができ、かつそうした中間層の形成を容易にし
て量産性の両立を図れる。同時に、表面保護層と電荷発
生層との間にも中間層を設け、機械的強度と画像ボケに
対して高性能の感光体を提供でき、これにより、高感度
、高耐久性及び高画質の感光体が得られる。なお、ブロ
ッキング層を更に設ければ、高帯電能を実現し、実用化
する上でプロセス及び現像特性に負担をかけず、かつ一
層の高画質、高耐久性が可能となる。更に、電荷輸送層
も炭素原子及び酸素原子のうち少なくとも炭素原子を含
有する上に、周期表第ＩＩＩａ族元素がドープされてい
るので、電位保持能が良好となり、かつ光キャリアの移
動度も向上する。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第１図は、本実施例による正帯電用のａ−３ｉ系電子写
真感光体３９を示すものである。この感光体３９はＡ１
等のドラム状導電性支持基板４１上に、Ｐ＋型ブロッキ
ング層４４と、電荷輸送層４２と、中間ｒｆＪ４７と、
電荷発生層４３と、中間層４６と、表面保護層４５とが
積層された構造からなっている。電荷ブロッキング層４
４は、周期表第ＩＩＩａ族元素（例えばホウ素）がヘビ
ードープされかつＣ及びＯのうち少なくともＣを含有す
るアモルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコン（
ａ−３ｉＣ：　Ｈ／Ｘ又はａ−３ｉＣＯ：Ｈ／Ｘ）から
なっている。電荷輸送層４２は、周期表第ＩＩＩａ族元
素（例えばホウ素）がライトドープされ、かつＣ及びＯ
のうち少なくともＣを含有するアモルファス水素化及び
／又はハロゲン化シリコン（ａ−３ｉ　Ｃ：　Ｈ／Ｘ又
はａ−３ｉＣＯ：Ｈ／Ｘ）からなっている。中間層４７
は、電荷輸送層４２と同様のａ−３ｉＣ：Ｈ／Ｘ又はａ
−３ｉＣＯ：　Ｈ／Ｘからなるが、Ｃ及び／又はＯの含
有量が電荷輸送層４２よりも少なくなっている。電荷発
生層４３は、必要あれば周期表第ＩＩＩａ族元素（例え
ばホウ素）がライトドープされたアモルファス水素化及
び／又はハロゲン化シリコン（ａ−３ｔ：　Ｈ／Ｘ）か
らなっている。中間層４６は、Ｃ１Ｎ及び０の少なくと
も１種を含有するアモルファス水素化及び／又はハロゲ
ン化シリコン（ａ−３ｉＣ：　Ｈ／Ｘ、ａ−３ｉｃｏ：
Ｈ／Ｘ、ａ−３ｉＮ：　Ｈ／Ｘ、ａ−３ｉＮｏ　：　Ｈ
／Ｘ又はａ−３ｉ○：　Ｈ／Ｘ）からなるが、表面保護
１’１ｆ４５よりもＳｉの含有量が多くなっている。更
に表面保護層４５は、中間層４６と同様のａ−３ｉＣ：
Ｈ／Ｘ、ａ−３ｉＣＯ：Ｈ／Ｘ、ａ−３ｉＮ：Ｈ／Ｘ。 ａ　−Ｓ　ｉ　Ｎ　Ｏ：　Ｈ／　Ｘ又はａ−３ｉＯ：Ｈ
／Ｘからなっている。 次に、上記の各層について更に詳述する。 上記の層４５は感光体の表面を改質してａ−３ｉ系感光
体を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。 従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、ａ−５ｉ：Ｈを表
面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気
等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる
。 また、層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱
性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセ
スを適用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
４５の組成を選択することが重要である。 即ち、炭素原子を含有する場合、ｓｉ＋ｃ＝１００ａｔ
ｏｍｉｃ％（以下、ａｔｏｍｉｃ％を単に％で表す。）
としたとき１％≦（Ｃ）６９０％、更には１０％≦（Ｃ
）５７０％であることが望ましい。このＣ含有量によっ
て比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エネルギーギャ
ップがほぼ２，５ｅＶ以上となり、可視及び赤外光に対
しいわゆる光学的に透明な窓効果により照射光はａ−Ｓ
ｉ：Ｈ層（電荷発生層）４３に到達し易くなる。しかし
、Ｃ含有量が１％以下では、機械的損傷等の欠点が生じ
、かつ比抵抗が所望の値以下となり易く、かつ一部分の
光は表面層４５に吸収され、感光体の光感度が低下し易
くなる。また、Ｃ含有量が９０％を越えると層の炭素量
が多くなり、半導体特性が失われ易い上にａ−３ｉＣ：
Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆積速度が低下し
易いので、Ｃ含有量は９０％以下とするのがよい。 同様に、窒素又は酸素を含有する層４５の場合、１％≦
（Ｎ）６９０％、（更には１０％≦（Ｎ）５７０％）が
よく、０％〈〔０３５７０％（更には５％≦（０）５３
０％）がよい。 また、表面層４５のＳｉ含有量は、Ｓｉ＋Ｃ（又はＮ、
０）　−１００％とすれば、１０〜８０％がよく、２０
〜５０％が更に良り、２５〜４０％が最適である。 また、表面層４５の膜厚は４００人≦ｔ≦５０００人の
範囲内（特に４００人≦ｔ≦２０００人）に選択するの
がよい。即ち、その膜厚が５０００人を越える場合には
、残留電位Ｖ、が高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ
、ａ−３ｉ系感光体としての良好な特性を失い易い。ま
た、膜厚を４００人未満とした場合には、トンネル効果
によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減衰
の増大や光感度の低下が生じてしまう。 中間層４６は、感度の向上、残留電位の低下、表面改質
層の接着性の向上及び画像の安定化の為に設置する。上
記のＣ，Ｎ、Ｏ，Ｓ　ｉの含有量範囲は、中間層４６に
も同様に通用されるが、中間層４６のＳｉ含有量は表面
層４５よりも多くなっている。なお、この中間層は２層
以上設けることができる。 この中間層４６の膜厚は５０〜５０００人とするのがよ
いが、５０００人を越えると上記したと同様の現象が生
じ易り、５０人未満では中間層としての効果が乏しくな
る。 電荷発生層４３については、帯電能を向上する為には、
電荷発生層の高抵抗化とキャリアの移動度の向上とを図
ってもよい。その為には、電荷発生層を真性化してもよ
い。この場合、後述のグロー放電分解時に（Ｂ２Ｈ６）
／　（Ｓ　ｉＨ＋）＝０．０１〜１０容量ｐｐｍとする
のがよく、０．０５〜５容量ｐｐｍが更によ＜　、０．
０７〜３容量ｐｐｍが最適である。 また、電荷発生層は２〜１５μｍとするのがよい。 電荷発生層４３が２μｍ未満であると光感度が充分でな
く、下層へ光が浸透し易く、また１５μｍを越えると残
留電位が上昇し、実用上不充分である。 中間層４７は、キャリアの注入効率を高めるために設け
られるものであって、その組成としては、０．５％≦（
Ｃ）５５０％、０．−０５％≦〔０〕≦１０％がよく、
２％≦　（Ｃ）　　５１０％、０．０５％≦　（０）　
　≦４％が更によく、３％≦（Ｃ）≦８％、０．０５％
≦〔０〕≦２％が最適である。但し、Ｃ及び／又はＯの
含有量は、電荷輸送層４２より少なく　（望ましくは、
電荷輸送層の含有量１７６〜５／６）なっている。 この中間層４７には、周期表第ＩＩＩａａ族元素ライト
ドープするのがよく、例えば後述のグロー放電分解時に
（Ｂ２Ｈ６）／　（ＳｉＨ＋）＝０．１〜５０容量ｐｐ
ａ＋とするのがよ＜　、０．３〜２０容量ｐｐ涌が更に
よく、１〜１０容量ｐｐ−が最適である。 また、中間層４７の膜厚は０．０１〜２μｍとするのが
よいが、０．０１μｍ未満だとその効果が弱く、２μｍ
を越えると却って感度が低下し易くなる。 この中間層は２層以上で形成することもできる。 電荷輸送層４２については、帯電能、感度を最適化する
為には、真性化してもよい、真性化の為のドープ量は、
（Ｂ２Ｈ６）／　（ＳｉＨ４］　＝０．１〜５０容量ｐ
ｐＩがよ＜　、０．３〜２０容量ｐｐｍが更によく、１
〜１０容量ｐｐ＋ｍが最適である。電荷輸送層の膜厚は
５〜５０μｍとするのがよく、電荷発生層４３よりも厚
くするのがよい。 また、電荷輸送層４２の組成は、５％≦（Ｃ）５５０％
、好ましくは７％≦（Ｃ）　５２０％がよく、８％≦（
Ｃ）５１４％が最適である。また、０．０５％≦　〔０
〕　５１０％がよく、好ましくは０．０５％≦　〔０〕
≦４％であり、０．０５％≦〔０〕≦２％が最適である
。 また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第ＩＩＩａａ族元素例えばボロン）をグロー
放電分解でドープして、Ｐ型（更にはＰ＋型）化する。 ドーピング量は、例えば（Ｂ　ｚ　Ｈｓ）　／　（Ｓ　
ｉ　Ｈ４）　＝１０〜１０，０００容量ｐｐｒｓがよ＜
、１００〜５０００容量ｐｐｍが更によ＜、５００〜３
０００容量ｐｐｍが最適である。 また、電荷ブロッキング層４４の組成は電荷輸送層４２
と同様に、５％≦（Ｃ）５５０％、０．０５％≦〔０〕
≦１０％がよく、更に７％≦（Ｃ）５２０％、０．０５
％≦〔０〕≦４％がよく、５％≦（Ｃ）　　５１４％、
０．０５％≦〔０〕≦２％が最適である。 また、ブロッキング層４４の膜厚は０．０１〜１０μｍ
がよい。０．０１μｍ未満であるとブロッキング効果が
弱く、また１０μｍを越えると電荷輸送能が悪くなり易
い。 なお、上記の各層は水素又はハロゲン（例えばフッ素）
を含有することが必要である。特に、電荷発生）ｉｉ４
３中の水素含有量は、ダングリングボンドを補償して光
導電性及び電荷保持線性を向上させるために必須不可欠
であって、１０〜３０％であるのが望ましい。この含有
量範囲は表面改質層４５、中間１’１ｉ４６．４７、ブ
ロッキング層４４及び電荷輸送層４２も同様である。ま
た、導電型を制御するための不純物として、Ｐ型化のた
めにボロン以外にもＡｆＸＧａ、Ｉ　ｎ、Ｔｌ１等の周
期表第１（ｌ　ａ族元素を使用できる。 次に、上記した感光体く例えばドラノ、状）の製造方法
及びその装置（グロー放電装置）を第２図について説明
する。 この装置５１の真空槽５２内ではトラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセントされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対抗してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
型温Ｊ６によりグロー放電が生ゼしぬられる。なお、図
中の６２はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の供給源
、６３はＣＨ４等の炭化水素ガスの供給源、６４ばＮ２
等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０２等の酸素化合
物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給源、
６７は不純物ガス（例えばＢ　ｚ　Ｈｓ）供給源、６８
は各流量計である。このグロー放電装置において、まず
支持体である例えば／ｌ基板４１の表面を清浄化した後
に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１Ｏ
−６Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４
１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５
０〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度の不活
性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４又はガス状シリ
コン化合物、ＣＨ４、Ｎ！、０２等を適宜真空槽５２内
に導入し、例えば０．Ｏ１〜１ＱＴｏｒｒの反応圧下で
高周波敢電源５６により高周波電圧（例えば１３．５６
　Ｍｌｌｚ）を印加する。これによって、上記各反応ガ
スを電極５７と基板４１との間でグロー放電分解し、耐
型ａ−３ｉＣＯ：Ｈ，ｉ型５ｉＣＯ：Ｈ，、ｉ型ＳｉＣ
○：　Ｈ，、ａ　　Ｓ　ｉ：　Ｈｌａ−３ｉＣＯ：Ｈｌ
ａ−３ｉＣＯ：Ｈを上記の層４４．４２．４７．４３．
４６．４５として基板上に連続的に（即ち、例えば第１
図の例に対応して）堆積させる。 上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。 なお、上記ａ−３ｉ系感光体感光層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してハロゲン原子、例えばフ
ッ素をＳｉＦ４等の形で導入し、ａ−３ｉ：ＦＳ　ａ−
３ｉ：Ｈ：Ｆ、ａ　−３ｉＮ：Ｆ、、ａ−３ｔＮ：Ｈ：
Ｆ、ａ−３ｉＣ：Ｆ、ａ−５ｉＣ：Ｈ：Ｆ等とすること
もできる。 この場合のフッ素量は０．５〜１０％が望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にもスパッタリング法、イオンブレー
ティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化された
水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人に
よる特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２４
５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可能
である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状／ｌ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａ２基板４１の表面を清浄化した後に、第２図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１Ｏ−６
Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を
所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０〜
３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度のＡｒガス
をキャリアガスとして導入し、０．５　Ｔｏｒｒの背圧
のもとて周波数１３．５６　Ｍｌｌｚの高周波裁電力を
印加し、１０分間の予備放電を行った。次いで、ＳｉＨ
４とＣＨ４，０２、Ｂ２Ｈ６からなる反応ガスを導入し
、流量比１：ｌ：ｌ：（１，５ｘｌＯ−３）の（Ａｒ＋
Ｓ　ｉＨ４＋ｃＨ４＋０２＋Ｂ　２　Ｈ６）混合ガスを
グロー放電分解することにより、電荷ブロッキング機能
を担うＰ＋型のａ−３ｉＣＯ：Ｈ層４４と、ａ−３ｉＣ
Ｏ：Ｈ電荷輸送層（但し、（Ｂ２Ｈｓ）／　（Ｓ　１Ｈ
４）＝６容量ｐｐｍ、（Ｃ）＝１４％、Ｃ０）＝０．２
％）４２、ａ−３ｉＣＯ：Ｈ中間層（但し、ＣＢ２Ｈ６
）／（Ｓ　ｉＨ４）＝６ｐｐｍ　　、　　（Ｃ）＝７％
、　〔○〕　−０，２％）４７を６μｍ　／　ｈ　ｒの
堆積速度で順次所定厚さに製膜した。引続き、ＣＨ４及
び０２を供給停止し、ＳｉＨ４及びＢ２Ｈ６を放電分解
し、厚さ５μｍのａ−３ｉ：Ｈ層（但し、ＣＢ２Ｈ６）
／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　＝０．１容量ｐｐｍ）４３を形
成した。 引続いて、ＣＨ４及び０２を供給してグロー放電分解し
、ａ−３ｉＣＯ：Ｈ中間層（但し、（Ｃ）＝２０％、（
０）＝１０％）４６を形成し、更にａ−３ｉＣＯ：Ｈ表
面保護層（但し、（Ｃ）＝３５％、（０）＝３０％）４
５を更に設け、電子写真感光体を完成させた。比較例と
して、中間層のない感光体を作成した。 こうして作成された感光体の構成を第３図にまとめた。 そして、これらの各感光体を使用して各種のテストを次
のように行った。 テスト条件 Ｕ　−Ｂｉｘ　１６００Ｍ　Ｒ（小西六写真工業社製）
を以下のように改造した機械に用いた。 １）ダイクロイックミラ−（元押光学社製）により像露
光、波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成分をシャープ
カット。 ２）帯電極への流れ込み電流は長野愛知社製、ＴＲ−Ｎ
５型高圧電源から出力。 測定環境二室温２０℃、相対湿度５０％。 測定条件 感光層中の元素含有量の測定は、以下の条件でＡＥＳ　
（八ｕｇｅｒ　Ｅｌｅｃｔとｏｎ　５ｐｅｃｔｒｏｓｃ
ｏｐｙ　）分析を行った。 ｘ）測定機：パーキンエルマ社１ＰＨ１−−６００型　
ＡＥＳ分析装置。 ２）感度係数：ＰＨ１社　オージェハンドブック記載の
値使用。 ３）測定方法：３ＫＶの加速電圧、ビーム電流０．１μ
Ａの電子ビーム照射時の オージェ電子を測定。３ＫＶの 加速電圧、ビーム電流０．１２μＡ のＡｒスパッタにより膜厚方向 の分布を求めた。 Ｖｗ：上記Ｕ　−Ｂｉｘ　１６００Ｍ　Ｒ改造機で、感
光体ドラムを１２時間暗順応後で像露光直前で感光体の
表面電位が５５Ｑ　Ｖとなるようにセ・ノドし、２．７
　ｌｕｘ　　−５ｅｃの＠、ｎ光を行った直後の感光体
の表面電位（露光量は５５０−１型光量計（ＥＣ＆Ｇ社
製）にて測定）。 帯電能： 感光体流れ込み電流１５０μＡ、露光なしの条件で３６
０ＳＸ型電位針（トレソク社製）で測定した現像直前の
表面電位。 画（象ボケ： ×５．５ポイント英字がつぶれて判読できない。 Ｏ鮮明な細線再現性。 耐久性： ×２０万コピーで傷の発生が多い。 ０２０万コピー中、傷の発生なし。 Δ　傷の発生１〜１０箇所。 結果を第３［！Ｉｔにまとめて示した。この結果から、
本発明に基づいて感光体を作成すれば、電子写真用とし
て各性能に優れた感光体が得られることが分かる。 更に、本発明に基づく感光体として、下記表に示す如く
、表面側の中間層を２層で構成したものを作成した。こ
の感光体の電子写真性能はやはり良好であった（Ｅｇ、
ｏｐｔは光学的エネルギーギャップ）。 （以下余白、次頁に続く。）

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−３ｉ系悪感光の断面図、 第２図はグロー放電装置の概略断面図、第３図は各感光
体の特性を示す表 である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・ａ−３ｉｉ感光体４１・・・・
・・・・・支持体（基板）４２・・・・・・・・・電荷
輸送層 ４３・・・・・・・・・電荷発生層 ４４・・・・・・・・・電荷ブロッキング層４５・・・
・・・・・・表面改質層 ４６．４７・・・・・・・・・中間層 である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、炭素原子及び酸素原子のうち少なくとも炭素原子を
   含有するアモルファス水素化及び／又はハロゲン化シリ
   コンからなり、かつ周期表第IIIａ族元素がドープされ
   た電荷輸送層と；この電荷輸送層上に設けられ、かつア
   モルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコンからな
   る電荷発生層と；前記電荷輸送層と前記電荷発生層との
   間に設けられ、炭素原子及び酸素原子のうち少なくとも
   炭素原子を含有するアモルファス水素化及び／又はハロ
   ゲン化シリコンからなり、かつ炭素原子及び／又は酸素
   原子の含有量が前記電荷輸送層よりも少ない中間層と；
   前記電荷発生層上に設けられ、かつ炭素原子、酸素原子
   及び窒素原子のうちの少なくとも１種を含有するアモル
   ファス水素化及び／又はハロゲン化シリコンからなる表
   面保護層と；前記電荷発生層と前記表面保護層との間に
   設けられ、炭素原子、酸素原子及び窒素原子のうちの少
   なくとも１種を含有するアモルファス水素化及び／又は
   ハロゲン化シリコンからなり、かつシリコン原子の含有
   量が前記表面保護層よりも多い中間層とを有する感光体
   。