JPH01277244A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

口、従来技術 従来、電子写真感光体として、アモルファスシリコン（
ａ−３ｉ）を母体として用いた電子写真感光体が近年に
なって提案されている。

このようなａ−３ｉはいわゆるダングリングボンドを有
しているため、この欠陥を水素原子で補償して暗抵抗を
大としかつ光導電性も向上させたアモルファス水素化シ
リコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）が提案されている。

しかしながら、ａ−３ｔ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで十分な検討がなされていない
０例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−３ｉｃ：）
ｌと称する。）について、その製法や存在が”　Ｐｈ１
１．　　Ｍａｇ、　Ｖｏｌ、　３５”　　（１９７Ｂ）
等に記載されており、その特性として、耐熱性や表面硬
度が高いこと、ａ−３ｉ：）ｌと比較して高い暗所抵抗
率（１０”−１０＋３Ω−ａｍ）を存すること、炭Ｘｔ
により光学的エネルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶ
の範囲に亘って変化すること等が知られている。

但、炭素の含有によりバンドギャップが拡がるために長
波長感度が不良となるという欠点がある。

こうしたａ　　ＳｉＣ：Ｈとａ−３ｉ：Ｈとを組合せた
電子写真感光体は例えば特開昭５７−１１５５５９号公
報において提案されている。これによれば、ａ−３ｉ：
Ｈからなる電荷発生層上にａ−ＳｉＣ：Ｈ層を表面改ｆ
層として形成している。

しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けても、未だ期待
した程には効果がなく、特に画像流れが生じ易いことが
判明した。

特開昭６１−１６０７５４号公報には、表面改質層の局
在準位密度を５ｘｌＱｌ？、、−３以下とすることが述
べられているが、これでは耐画像流れは不十分であるこ
とが分った。

ハ１発明の目的 本発明の目的は、繰返し使用に耐え、良好な画像を得る
ことのできる感光体を提供することにある。

ニ１発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、アモルファス水素化及び／又はハロゲ
ン化シリコンからなる電荷発生層と、アモルファス水素
化及び／又はハロゲン化炭化シリコンからなる電荷輸送
層と、炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうち少なくと
も炭素原子及び窒素原子を含有するアモルファス水素化
及び／又はハロゲン化シリコンからなる表面改質層とを
有し、この表面改質層のＥＳＲスピン密度が１．０Ｘ１
０”１１以上である感光体に係るものである。

本発明によれば、表面改質層は炭素原子、窒素原子及び
酸素原子の少なくとも炭素原子及び窒素原子を含有して
いるので、層の機械的強度が大となり、白スジ発生等に
よる画質の劣化がなく、耐剛性が優れたものとなる。し
かも、表面改質層のＥＳＲスピン密度〔即ち、ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ　５ｐｉｎ　ｒｅｓｏｎａｎｃｅ（電子スピン
共鳴：磁場をかけて共鳴の大きさで局在準位密度を測定
する方法）で測定された局在準位密度であって、不対電
子又はダングリングボンド密度に相当するもの。〕が１
．ＯｘｌＯｘ１０１９ａ以上としたので、感光体として
画像形成時の画像流れが著しく減少することが判明した
のである。

また、上記の電荷発生層と上記の電荷輸送層とを設けて
機能分離型の積層構造としているので、電荷発生層によ
って広い波長域での光感度を得、かつこの電荷発生層と
へテロ接合を形成する電荷輸送層によって電荷輸送能と
帯電電位の向上とを図ることができる。

ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第１図は、本実施例によるａ−３ｉ系電子写真感光体３
９を示すものである。この感光体３９はＡｆｆｉ等のド
ラム状導電性支持基板４１上に、必要に応じて設けられ
るａ−３ｉ系の電荷ブロッキング層４４と、アモルファ
ス水素化炭化シリコン（ａ−３ｉＣ：Ｈ）からなる電荷
輸送層４２と、ａ−３ｔ：Ｈからなる電荷発生層（不純
物ドーピングなし又は真性化されたもの）４３と、Ｃ，
Ｎ及びＯの少なくともＣ及びＮを含有するａ−３ｉ：Ｈ
からなる表面改質層４５とがｍ層された構造からなって
いる。電荷ブロッキング７ｉ４４は、ａ−３ｉ　：Ｈ，
ａ−３ｉＣ：Ｈ又はａ−３ｉＮ：Ｈからなっていてよく
、また周期表第ｍ層族又は第■Ａ族元素がドープされて
いてよい。また、電荷輸送７１４２、電荷発生層４３に
も同様の不純物がドープされていてよい。電荷発生層４
３は、暗所抵抗率ρ。と光照射時の抵抗率ρ、との比が
電子写真感光体として充分大きく光感度（特に可視及び
赤外領域の光に対するもの）が良好である。なお、上記
の層４３−４５間には、ａ−３ｉＣ等の中間層を設けて
もよい。

ここで注目すべきことは、表面改質層４５が０１ＮＳＯ
の少なくともＣ及びＮを含有するａ−３ｉＣＮ；Ｈ又は
ａ−３ｉ　　（ＣＮＯ）：Ｈからなっていることである
。これによって、表面改質層４５の機械的強度が向上す
る。

表面改ｆｊｉ４５の組成については、 ３０ａ−％≦ＣＣ＋Ｎ）又は（Ｃ＋Ｎ＋Ｏ）≦１１００
ａｔ％（但し、　（Ｓ　ｉ）　　＋　（Ｃ）　　＋　（
Ｎ〕−１１００ａｔ％又は　（Ｓ　ｉ〕十ＥＣ）　＋　
（Ｎ）　＋　（０）　＝　１１００ａｔ％）とするのが
望ましく、 ４０ａｔｍ％≦（Ｃ＋Ｎ）又は（Ｃ＋Ｎ＋Ｏ）≦７０ａ
　ｔＩ＋＋％とするのが更に望ましい（ここで、ａｔｍ
％は原子数の百分率を表す）。Ｃ＋Ｎ又はＣ＋Ｎ　＋Ｏ
の含有量が少なすぎても多すぎても耐スクラッチ性向上
の効果に乏しくなる。

また、この感光体の他の注目点は、表面改質層４５のＥ
ＳＲスピン密度が１．０Ｘ１０１９ａｍ−’以上（望ま
しくは１．０ＸＩＯ”ａｍ−’以下）としていることで
ある、即ち、このスピン密度によって画像流れが著しく
生じ難くなったのである。このＥＳＲスピン密度は表面
改質層の組成、特に炭素量、窒素量或いは水素又はハロ
ゲン量によってコントロール可能である。

また、表面改質層４５の膜厚は２００〜３０，０００人
とすることが望ましく、１．０００〜１０．０００人と
するのが更に望ましい。膜厚が大きすぎると、残留電位
■、が高くな、りすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−３
ｉ系感光体としての良好な特性を失い易く、また膜厚が
小さすぎると、トンネル効果によって電荷が表面上に帯
電されなくなるため、暗減衰の増大や光感度の低下が生
じてしまう。

電荷発生Ｊ１４３はａ−３ｔ：Ｈからなっていてよく、
その組成としては、Ｈを５〜４０ａｔ＋ｗ％とするのが
よく、Ｈに代えて或いは併用してハロゲンを含有すると
きにはハロゲン５〜４０ａ　ｔ＋ｓ％、或いはＨとハロ
ゲンとの合計量は５〜４０ａｔｓ％とするのがよい。こ
の電荷発生層４３は帯電能向上のために不純物、特に周
期表第１１ＩＡ族又はＶＡ族元素をドープするとよい０
例えば、後述のグロー放電時に、 （Ｂ２　Ｈｂ　）　／　Ｃ５ｉ　Ｈａ　）　＝１０１〜
１００（好ましくは１０−”　〜１０）容量ｐｐｍ　ｓ
（Ｐ　Ｈｓ　）　　／　（Ｓ　ｉ　Ｈａ　）　”１０−
３〜１００（好ましくは１０−ｔ〜１０）容量ｐｐ＋ｍ
としてよい。

また、この層４３の厚みは１〜５０μｍ、好ましくは５
〜３０μｍとするのがよい０層４３の厚みが小さすぎる
と十分な帯電電位が得られず、また大きすぎると残留電
位が上昇し、実用上不充分である。

電荷輸送Ｊｉ４２は電位保持及び電荷輸送の両機能を担
い、暗所抵抗率が好ましくは１０Ｉ！Ω−値以上あって
、耐高電界性を有し、単位膜厚光りに保持される電位が
高く、しかも電子を大きな移動度と寿命を以って効率よ
く支持体１側へ輸送する。

また、炭素含有量（特に５〜３０ａ　ｔｍ％）によって
エネルギーギャップの大きさを調節できるため、電荷発
生層４３において光照射に応じて発生した電子に対し障
壁を作ることなく、効率よく注入させることができる。

従ってこのａ−３ｉＣ：Ｈ層４２ば実用レベルの高い表
面電位を保持し、ａ−３ｔ　ｒＨ層４３で発生した電荷
担体を効率良く速やかに輸送し、高感度で残留電位のな
い感光体とする働きがある。

この電荷輸送層４２の炭素原子含有量を５〜３０ａｔｍ
％（更には１０〜２０ａ　ｔｎ＋％）にするのがよい（
但、ＳｉとＣとの合計原子数ば１００ａｌｓ％）。

即ち、炭素原子含有量が５ａｔｍ％未満では、ａ　−３
ｉＣ：Ｈ層２の比抵抗が電位保持能に必要な１０重すΩ
−口を下田るために特に帯電電位が不充分となり易い。

また、炭素原子含有量が３０ａ　ｔｍ％を越えると、比
抵抗がやはり低下すると同時に、炭素原子が多すぎてａ
−５ｉＣ：Ｈ層中での欠陥が増えてキャリア輸送能自体
が悪くなり易い。

この層４２には、水素原子が５〜５０ａ　ｔｕｔ％含有
されているのがよく、Ｈに代えて或いは併用してハロゲ
ンを含有するときにはハロゲン５〜５０ａ　ｔａｒ％、
或いはＨとハロゲンとの合計量は５〜５０ａ　ｔｍ％と
するのがよい。この７１４２は帯電能向上のために不純
物、特に周期表第■Ａ族又はＶＡ族元素をドープすると
よい。例えば、後述のグロー放電時に、ＣＢ、　Ｈ，）
　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　〜１０−”〜１０００（好ま
しくは１０４〜１０）容量ｐｐ＋ｍ、（Ｐ　Ｈｓ　）　
　／　（Ｓ　ｉ　Ｈａ　）　”１０−３〜１０００（好
ましくは１０−２〜１０）容Ｍｐｐｍとしてよい。

更に、この電荷輸送層４２の膜厚は、例えばカールソン
方式による乾式現像法を適用するためには５μｍ〜３０
μｍであることが望ましい、この膜厚が５μｍ未満であ
ると薄すぎるために現像に必要な表面電位が得られず、
また３０μｍを越えるとキャリアの支持体４１への到達
率が低下してしまう。

また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第ｍＡ族元素（例えばボロン）をグロー放電
分解でドープして、Ｐ型（更にはＰ＋型）化する。ブロ
ッキング層の組成によって、次のようにドーピング量を
制御するのが望ましい。

ａ−３ｔ：Ｈ（Ｈ含有Ｗｋ　５〜４０ａｔｍ％）；ＣＢ
ｔ　Ｈａ　）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈａ　）　〜１０−３〜
１０’容量ｐｐｒａ（更には１０−’　〜１０”容ｆｔ
ｐｐｍ）（Ｐ　Ｈ３）　　／　（Ｓ　ｉ　Ｈａ　）−１
０−’〜１０４容量ｐｐｍ（更には１０−′〜１０２容
量ｐｐｍ）ａ−３ｉＣ：Ｈ（Ｈ含有量５〜５０ａｔｍ％
、Ｃ含有量５〜１００ａｔｓ％）： ＣＢｇ　Ｈ４）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈａ　）　〜１０−３
〜１０ｈ容量ｐｐｍ（更には１０−１〜１０４容量ｐｐ
ｍ）（Ｐ　Ｈ３）　　／　（Ｓ　ｉ　Ｈａ　〕〕＝１０
−’〜１０６容Ｉｐｐｍ更には１０−’　〜１０’容量
ｐｐｍ）ａ−５ｉＮ：Ｈ（Ｈ含有Ｗｋ　５〜５０ａｔｍ
％、Ｎ含有量５〜６０ａ　ｔｍ％）： （Ｂｚ　Ｈｂ　）／　（Ｓ　ｊＨ−）＝１０司〜１０６
容量ｐｐｍ（更には１０−’　〜１０’容ｉｉＩｔｐｐ
ｍ）ＣＰ　Ｈｚ　）　　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　〜１０
−３〜１０６容Ｍｔｐｐｍ（更には１０−１〜１０４容
量ｐｐｍ）また、フ゛ロッキング層４４は膜厚１００人
〜２μｍがよい。厚みが小さすぎるとブロッキング効果
が弱く、また大きすぎると電荷輸送能が悪くなり易い。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。

特に、電荷発生ＪＩ４３中の水素含有量は、ダングリン
グボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させ
るために必要である。

また、上記の層４２．４３の順序は逆にしてもよい。ま
たドープする不純物としては、ボロン以外にもＡ　ｌ　
ｓ　Ｇ　ａ、Ｉ　ｎ　ｓ　Ｔ　ｊ！等の周期表第１１１
Ａ族元素を使用できるし、またリン以外にもＡｓ、、ｓ
ｂ等の周期表第ＶＡ族元素を使用できる。

次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第２図について説明す
る。

この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセントされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の６２はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の供給源
、６３はＣＨａ等の炭化水素ガスの供給源、６４はＮ２
等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０□等の酸素化合
物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給源、
６７は不純物ガス（例えばＢｚ　Ｈｂ　）供給源、６８
は各流量計である。このグロー放電装置において、まず
支持体である例えばＡ１基板４１の表面を清浄化した後
に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１Ｏ
−ｂＴｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４
１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５
０〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度の不活
性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４又はガス状シリ
コン化合物、ＣＨ，、ＮＺ　、ＮＨ３、ＣＯ２、Ｏｔ等
を適宜真空槽５２内に導入し、例えば０．０１〜１０Ｔ
ｏｒｒの反応圧下で高周波電源５６により高周波電圧（
例えば１３．５６　ＭＨｚ）を印加する。これによって
、上記各反応ガスを電極５７と基板４１との間でグロー
放電分解し、ａ　　Ｓ　＋　Ｃ：　Ｈ％ａ−３ｉＣ：Ｈ
，ａ−３ｉ　：Ｈ，ａ−３ｉＣＮ：Ｈを上記の層４４．
４２．４３．４５として基板上に連続的に（即ち、例え
ば第１図の例に対応して）堆積させる。

上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０　”ｃとし
ているので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くす
ることができる。

なお、上記ａ−３ｔ系感光体感光層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフッ素等のハロゲンを５
ｉＦａ等の形で導入し、ａ−３ｉ：　Ｆ　％　ａ　　Ｓ
　ｉ：　Ｈ：　Ｆ　−、ａ　　Ｓ　ｔ　Ｎ　：　Ｆ　−
。

ａ−３ｉＮ：Ｈ：Ｆ、、ａ−３ｉＣ：Ｆ。

ａ−３ｉＣ：Ｈ：Ｆ等とすることもできる。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にもスパッタリング法、イオンブレー
ティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化された
水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人に
よる特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２４
５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可能
である。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する。

グロー放電分解法により、ドラム状Ａｌ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａ１基板４１の表面を清浄化した後に、第２図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−　
’　Ｔ　ｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板
４１を所定温度、特に１００〜３５０　’Ｃ（望ましく
は１５０〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度
のＡｒガスをキャリアガスとして導入し、０．５　Ｔｏ
ｒｒの背圧のもとて周波数１３．５６　ＭＨｚ　　　゛
の高周波電力を印加し、１０分間の予備放電を行った。

次いで、Ｓ　ｉ　Ｈ４とＢｚＨｈからなる反応ガスを導
入し、流量比１　：　１　：　　（１，５ＸＩＱ−”）
の（Ａ　ｒ　十Ｓ　ｉ　Ｈ４＋Ｂｚ　Ｈｈ　）混合ガス
をグロー放電分解することにより、電荷ブロッキング機
能を担うＰ＋型のａ−３ｉＣ：ＨＦ１４４を６ｐｍ／ｈ
ｒの堆積速度で所定厚さに製膜した。次いで、Ｓ　ｉ　
Ｈ，に対するＢ！　１（＆の流量比を１：（６ｘ１０−
’）として電荷輸送Ｊｉ４２を６　ｐ　ｍ　／　ｈ　ｒ
の堆積速度で順次所定厚さに製膜した。引き続き、Ｂ２
Ｈ，及びＣＨ４を供給停止し、Ｓ　ｉ　Ｈａを放電分解
し、所定厚さのａ−３ｉ：Ｈ層４３を形成した。更に、
流量比４０：　３　：９Ｑ：　１の（Ａｒ：ＳｉＨ４：
ＣＨａ　　：Ｎ馬）混合ガスを反応圧力Ｐ　＝０．５　
Ｔｏｒｒ　％放電パワーＲｔ　＝　４００Ｗでグロー放
電分解して表面保護層４５を更に設け、電子写真感光体
を完成させた。この際、供給する各ガス流量、反応圧、
放電パワーを制御することによって表面層４５のＥＳＲ
スピン密度を種々変化させた。

なお、表面層４５をａ　−３ｉ　ＣＮＯ：　Ｈとする時
には、酸素源としてＣＯ２を使用した。

次に、上記の各感光体を使用して次のテストを行なった
。

亘復梳呈 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ　−Ｂ　１ｘ２５００　（コニカ株式会社
製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、ブ
レードとは非接触で 帯電電流（感光体への流れ込み電流）３００μＡ　（Ｄ
Ｃ）分離　”　（）２５０μＡ（ＡＣ） の条件下で１時間空回しを行った後、画像出しを行ない
、以下の基準で画像流れの程度を判定した。

◎−画画像流が全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。

○：５．５ポイントの英字がやや太（なる。

△：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。

Ｘ：５．５ポイントの英字判読不能。

ｘ　ｘ　：　５，５ポイントの英文字がなくなる。

結果を下記表−１にまとめて示した。この結果から、本
発明に基いて感光体（階３〜７）を作成すれば、電子写
真感光体として特に画像流れの著しく少ないものが得ら
れた。

表−１ 次に、本発明に基づく機能分離型の感光体は実験の結果
、光感度や帯電特性に優れていることが分った。測定は
次の通りに行い、結果を下記表−２に示した。

−立■ｌｌ（■） Ｕ　−Ｂ　１ｘ２５００改造機を使った電位測定で、４
００ｎｍにピークをもつ除電光３０１　ｕｘ−ｓｅｃを
照射した後も残っている感光体表面電位。

世帯−位■。（Ｖ） Ｕ−Ｂｉに２５００改造機（コニカ■製）を用い、感光
体流れ込み電流２００μＡ、露光なしの条件で３６０Ｓ
Ｘ型電位計（トレック社製）で測定した現像直前の表面
電位。

上記の装置を用い、グイクロイックミラー（先住光学社
製）により像露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成
分をシャープカットし、表面電位を５００　Ｖから２５
０■に半減するのに必要な露光量。

（露光量は５５０−１型光量計（ＥＧａｎｄＧ社製）に
て測定） 感１　　減　　　ＩＥ＋、’□） 上記の装置を用い、グイクロイックミラー（先住光学社
製）により像露光波長のうち６２０　ｎ　ｍ以上の長波
長成分をシャープカットし、表面電位を５００Ｖから２
５０■に半減するのに必要な露光量。

（露光量は５５０−１型光量計（ＥＧａｎｄＧ社製）に
て測定） 表−２ 但し、上記表の各データ中、左側（＊１）は下記の本発
明に基づく機能分離型感光体、右側（＊２）は下記の単
層型感光体のデータを示す。

＊１）支持体　　　　；Ａｌ、 ブロッキングＮ：厚さ１μｍのボロンドープドａ−ｓｔ
ｃ：）（。

電荷輸送層　　；厚さ１２μｍのボロンドープドａ　　
Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈ％ 電荷発生層　　：厚さ７μｍのボロンドープドａ−３ｉ
：Ｈ。

表面改質層　　；厚さ０．３μｍのａ−３ｉＣＮ：Ｈ ＊２）支持体　　　　：Ａｌ。

ブロッキング層：厚さ１μｍのボロンドープドａ−３ｉ
Ｃ：Ｈ。

光導電性ＩＩ：厚さ１９μｍのボロンドープドａ−３ｔ
：Ｈ。

表面改質層　　：厚さ０．３μｍのａ−３ｆＣＮ：Ｈ

【図面の簡単な説明】

第１図〜第２図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−３ｔ系悪感光の断面図、 第２図はグロー放電装置の概略断面図 である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・ａ−３Ｌ系悪感光 ４１・・・・支持体（基板） ４２・・・・電荷輸送層 ４３・・・・電荷発生層 ４４・・・・電荷ブロッキング層 ４５・・・・表面改質層 である。 代理人　　弁理士　　逢　坂　　　宏 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、アモルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコン
   からなる電荷発生層と、アモルファス水素化及び／又は
   ハロゲン化炭化シリコンからなる電荷輸送層と、炭素原
   子、窒素原子及び酸素原子のうち少なくとも炭素原子及
   び窒素原子を含有するアモルファス水素化及び／又はハ
   ロゲン化シリコンからなる表面改質層とを有し、この表
   面改質層のＥＳＲスピン密度が１．０×１０＾１＾９ｃ
   ｍ＾−＾３以上である感光体。