JPS625255A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
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- JPS625255A JPS625255A JP60145005A JP14500585A JPS625255A JP S625255 A JPS625255 A JP S625255A JP 60145005 A JP60145005 A JP 60145005A JP 14500585 A JP14500585 A JP 14500585A JP S625255 A JPS625255 A JP S625255A
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- JP
- Japan
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- layer
- matrix
- amount
- region
- sensitivity
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08264—Silicon-based comprising seven or more silicon-based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は、アモルファスシリコン系感光体に関する。
従来技術
1938年にカールソン法が発明(U、S、P、222
176)されて以来、電子写真には様々な感光体が発明
され応用されてきた。感光体に必要とされる諸物性とし
ては、電荷受容能力が比較的高いこと、暗減衰速度が小
さいこと、明減衰が充分に行なわれること、残留電位の
少ないこと、帯電・露光による疲労の少ないこと、機械
的強度に優れること等が挙げられる(アール・エム・シ
ャツアート著「エレクトロフォトグラフィーj (R,
M。
176)されて以来、電子写真には様々な感光体が発明
され応用されてきた。感光体に必要とされる諸物性とし
ては、電荷受容能力が比較的高いこと、暗減衰速度が小
さいこと、明減衰が充分に行なわれること、残留電位の
少ないこと、帯電・露光による疲労の少ないこと、機械
的強度に優れること等が挙げられる(アール・エム・シ
ャツアート著「エレクトロフォトグラフィーj (R,
M。
5chafrert、rELEcTROPHOTo−G
RAPHYJ )、1965年初版)。これらの特性を
満足する材料として、従来より、無定形セレン、酸化亜
鉛、CdS等に代表される無機化合物、或いはポリビニ
ルカルバゾール、有機染料等に代表される有機化合物、
或いは有機・有機併用材料が用いられてきた。
RAPHYJ )、1965年初版)。これらの特性を
満足する材料として、従来より、無定形セレン、酸化亜
鉛、CdS等に代表される無機化合物、或いはポリビニ
ルカルバゾール、有機染料等に代表される有機化合物、
或いは有機・有機併用材料が用いられてきた。
一方、1965年にアモルファスシリコン膜がシランガ
スのグロー放電により成膜し得ることが[エイチ・エフ
・スターリング著[ソリッド・ステート・エレクトロニ
クスJ (HoF、 Sterling。
スのグロー放電により成膜し得ることが[エイチ・エフ
・スターリング著[ソリッド・ステート・エレクトロニ
クスJ (HoF、 Sterling。
5olid 5tate Electronics
、 8.653(1965))]見い出され、以来、種
々の研究が続けられてきた。
、 8.653(1965))]見い出され、以来、種
々の研究が続けられてきた。
例えば、1969年には、a−Si膜にて10”Ω−c
mの抵抗を有し、しかも、CdS並の光導電性を得るこ
とができること[アール・シー・チテイックら著「ジャ
ーナル・オン・エレクトロ・ケミカル・ソサエテ(−J
(R,C,Chittick、J、Ele−ctroc
hem、 Soc、、 116.77(1969))]
が、1970年にはゲルマンガスからアモルファスゲル
マニウムが、同じ<GD法により成膜し得ることができ
1、 その特性の比較[アール・シー・チテイック著「
ジャーナル・オン・ノン−クリスタリン・ソリッズ」(
R,C,Chittick、J 、 Non −Cry
st、 5olids。
mの抵抗を有し、しかも、CdS並の光導電性を得るこ
とができること[アール・シー・チテイックら著「ジャ
ーナル・オン・エレクトロ・ケミカル・ソサエテ(−J
(R,C,Chittick、J、Ele−ctroc
hem、 Soc、、 116.77(1969))]
が、1970年にはゲルマンガスからアモルファスゲル
マニウムが、同じ<GD法により成膜し得ることができ
1、 その特性の比較[アール・シー・チテイック著「
ジャーナル・オン・ノン−クリスタリン・ソリッズ」(
R,C,Chittick、J 、 Non −Cry
st、 5olids。
3、255 (1!170))]が、1975年にはB
tH,或いはPH3によりa −S を膜の極性制御が
可能であること[ダブりニー・イー・スピア−著[ソリ
ッド・ステート・コミュンJ (W、 E、 5pea
r。
tH,或いはPH3によりa −S を膜の極性制御が
可能であること[ダブりニー・イー・スピア−著[ソリ
ッド・ステート・コミュンJ (W、 E、 5pea
r。
5olid 5tate Commun、、 17.
1193 (1975))]が、さらに1976年には
a −S i膜の方がa−Ge膜よりドーパントによる
影響を、総じて受は易いといえること[ダブりニー・イ
ー・スピア−著「フィル−vガジンJ (W、 E、
5pear、 Ph11. Mag。
1193 (1975))]が、さらに1976年には
a −S i膜の方がa−Ge膜よりドーパントによる
影響を、総じて受は易いといえること[ダブりニー・イ
ー・スピア−著「フィル−vガジンJ (W、 E、
5pear、 Ph11. Mag。
、 33.935 (1976))1などが明らかにさ
れてきた。
れてきた。
また、製法も、L結合型、C結合型に大別される2種・
類の型式が考えること[ジエイ・シー・ナイト著「エイ
・アイ・ビー・、コンファレンス・プロシーディンゲス
J (J 、 C,Knight、 A I PCon
rerence Proceedings、No、3
1.296.(L976))/ダブリュー・イー・スピ
ア−著「プロシーディンゲス・オン・ザ・セブンス・イ
ンターナショナル・コンファレンス・オン・アモルファ
ス・アンド・リキッド・セミ、コンダクターズj(W、
E。
類の型式が考えること[ジエイ・シー・ナイト著「エイ
・アイ・ビー・、コンファレンス・プロシーディンゲス
J (J 、 C,Knight、 A I PCon
rerence Proceedings、No、3
1.296.(L976))/ダブリュー・イー・スピ
ア−著「プロシーディンゲス・オン・ザ・セブンス・イ
ンターナショナル・コンファレンス・オン・アモルファ
ス・アンド・リキッド・セミ、コンダクターズj(W、
E。
5pear、Proceedings of the
5eventh I nter−national
Conference on Amorpbous
andLiquid Sem1conductor
s、 6月27日〜7月1日1309、 (1977)
)などコが明らかにされてきた。
5eventh I nter−national
Conference on Amorpbous
andLiquid Sem1conductor
s、 6月27日〜7月1日1309、 (1977)
)などコが明らかにされてきた。
これらの背景を受け、a−Si或いはa−Geを電子写
真用感光体に応用する試みが近年盛んに行なわれ、その
発展には目覚ましいものがある。
真用感光体に応用する試みが近年盛んに行なわれ、その
発展には目覚ましいものがある。
しかし、基本的な成膜過程は、上記研究成果によるとこ
ろ大であり、さらに、特性調整のためのシランガス或い
はゲルマンガスへの他元素ドーピングも、上述の197
0年のチティックらの報告で結論づけられている如く、
他の蒸着法による結果とGD法による結果が定性的には
類似しているとのことによるところ大である。従って、
GD法にて考え得る条件、例えば、放電型式、印加電力
、ガス圧力、ガス組成、基板温度、ガス流量等を調整し
てやれば、それぞれに応じた膜特性が得られることにな
る。つまり、a −S i或いはa−Ge膜の性質は、
これらの条件の単なる調整により副産物として得られる
ものに過ぎない訳である。
ろ大であり、さらに、特性調整のためのシランガス或い
はゲルマンガスへの他元素ドーピングも、上述の197
0年のチティックらの報告で結論づけられている如く、
他の蒸着法による結果とGD法による結果が定性的には
類似しているとのことによるところ大である。従って、
GD法にて考え得る条件、例えば、放電型式、印加電力
、ガス圧力、ガス組成、基板温度、ガス流量等を調整し
てやれば、それぞれに応じた膜特性が得られることにな
る。つまり、a −S i或いはa−Ge膜の性質は、
これらの条件の単なる調整により副産物として得られる
ものに過ぎない訳である。
ところが、この様な単層膜を順次積層して、感光体を得
るには、全層にわたる機能或いは整合等が充分に考慮、
創意工夫されたものでなくてはならず、云うまでもなく
、その中で用いられる部分層を限定したところで、電子
写真用感光体として使用できるとは限らない。
るには、全層にわたる機能或いは整合等が充分に考慮、
創意工夫されたものでなくてはならず、云うまでもなく
、その中で用いられる部分層を限定したところで、電子
写真用感光体として使用できるとは限らない。
その様な意味で従来提案されている感光体は、実用面で
必らずしも満足した性能を示すものではない。
必らずしも満足した性能を示すものではない。
例えば、特開昭54−98588号公報には、a−Si
:Ge:H光導電体について開示しているが、この光導
電層は酸素を含まず、従って、電子写真に必要な充分な
帯電能は得られない。
:Ge:H光導電体について開示しているが、この光導
電層は酸素を含まず、従って、電子写真に必要な充分な
帯電能は得られない。
特開昭54−14553号公報にもa−Si:Ge型光
導電体について開示しているが、基板側に注入阻止層を
設ける旨の開示がなく、帯電性、或いは基板起因性の画
像ノイズ等に対し、不備がある。
導電体について開示しているが、基板側に注入阻止層を
設ける旨の開示がなく、帯電性、或いは基板起因性の画
像ノイズ等に対し、不備がある。
特開昭56−150753号公報には、a −S i:
Geの2層積層型感光体を開示しているが、Ge含量に
関する適正値については全く言及していない。また、保
護層に関する記載もなく、実用上問題がある。
Geの2層積層型感光体を開示しているが、Ge含量に
関する適正値については全く言及していない。また、保
護層に関する記載もなく、実用上問題がある。
特開昭57−115551号公報はa−9t:C系オー
バーコート層を有する感光体を開示しているが、Geの
添加ならびにアンダーコートの必要性については同等記
載がない。
バーコート層を有する感光体を開示しているが、Geの
添加ならびにアンダーコートの必要性については同等記
載がない。
特開昭57−115552号公報には、a −S iと
a−3i:Geの多層構造感光体が開示されているが、
オーバーコート層およびアンダーコート層については全
く触れられていない。また、Ge含量に関する適性値に
ついては言及されていない。
a−3i:Geの多層構造感光体が開示されているが、
オーバーコート層およびアンダーコート層については全
く触れられていない。また、Ge含量に関する適性値に
ついては言及されていない。
さらに、特開昭58−88753号公報にアンダーコー
ト層を有するa−Si系悪感光が開示されているが、こ
のアンダーコート層は炭素を含んでいない。また、a−
Si:Geについても言及されているが、a−3i:G
e層の積層位置関係と、それにより得られる効果につい
ては記載されていない。
ト層を有するa−Si系悪感光が開示されているが、こ
のアンダーコート層は炭素を含んでいない。また、a−
Si:Geについても言及されているが、a−3i:G
e層の積層位置関係と、それにより得られる効果につい
ては記載されていない。
発明の目的
本発明は長波長感度を調節し得、かつ画像安定性に優れ
た、実用上のあらゆる特性において満足し得る性能を備
えた感光体を提供することを目的とする。
た、実用上のあらゆる特性において満足し得る性能を備
えた感光体を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は、第1図に示すごとく、a−Si:Cを母体と
する第1の層(1)とa−Stを母体とする第2の層(
2)から成る第1の層領域と、a −S iを母体とす
る第3の層(3)から成る第2の層領域と、a−Siを
母体とする第4の層(4)とa −S i:Geを母体
とする第5の層(5)とa −S iを母体とする第6
の層(6)とa−9t:Cを母体とする第7の層(7)
から成る第3の層領域とを、導電性基板(8)上にこの
順に有し、かつ各層領域間に明確なジャンクションが形
成されている感光体に関する。
する第1の層(1)とa−Stを母体とする第2の層(
2)から成る第1の層領域と、a −S iを母体とす
る第3の層(3)から成る第2の層領域と、a−Siを
母体とする第4の層(4)とa −S i:Geを母体
とする第5の層(5)とa −S iを母体とする第6
の層(6)とa−9t:Cを母体とする第7の層(7)
から成る第3の層領域とを、導電性基板(8)上にこの
順に有し、かつ各層領域間に明確なジャンクションが形
成されている感光体に関する。
本発明において、第1層(1)と第2層(2)とは、第
1層領域を形成し、第3層(3)は第2層領域、および
第4〜7層(4)、(5)、(6)、(7)は第3層領
域を構成する。各領域内では、各層間の密着性を確保す
るため明確なジャンクションを形成しない連続的な層を
構成している。この様な層は、成膜時RF放電を継続し
た状態でガス組成を変えることにより達成することがで
きる。
1層領域を形成し、第3層(3)は第2層領域、および
第4〜7層(4)、(5)、(6)、(7)は第3層領
域を構成する。各領域内では、各層間の密着性を確保す
るため明確なジャンクションを形成しない連続的な層を
構成している。この様な層は、成膜時RF放電を継続し
た状態でガス組成を変えることにより達成することがで
きる。
また、各層領域間には、キャリアの輸送性を確実にし、
さらに基板、或いは表面からの電荷の注入を阻止する効
果を高めるために明確なジャンクションを形成させるこ
こで、ジャンクションは必ずしもP/Nジャンクション
である必要はなく、P/I、P” /P、P” ” /
P+、I/N、N/N″″、N”/N″″“のように、
キャリアの輸送性の異なる層の接合によって形成される
、いわゆる広義のジャンクションである。。この様な領
域間ジャンクションは成膜時RF放電を一旦停止し、成
膜条件を変更することにより、得ることができる。
さらに基板、或いは表面からの電荷の注入を阻止する効
果を高めるために明確なジャンクションを形成させるこ
こで、ジャンクションは必ずしもP/Nジャンクション
である必要はなく、P/I、P” /P、P” ” /
P+、I/N、N/N″″、N”/N″″“のように、
キャリアの輸送性の異なる層の接合によって形成される
、いわゆる広義のジャンクションである。。この様な領
域間ジャンクションは成膜時RF放電を一旦停止し、成
膜条件を変更することにより、得ることができる。
また、本発明感光体は第7層以外、全てI[[A属原子
、例えばBにより極性調整されている。
、例えばBにより極性調整されている。
本発明感光体は、第1層と第2層とで第1層領域を形成
する。第1層領域は主としてアンダーコートの役割を果
すものであり、導電性基板と、第2層領域との接着性、
並びに接合性を高め、基板からの電荷の注入を防止して
、基板ノイズの発生を抑える。
する。第1層領域は主としてアンダーコートの役割を果
すものであり、導電性基板と、第2層領域との接着性、
並びに接合性を高め、基板からの電荷の注入を防止して
、基板ノイズの発生を抑える。
第1層(1)は主としてa−St−C:B:Hから構成
される。Cの含量は5〜60 atomic%(以下、
atm、%と記す)、特に40〜55atm、%、Bは
100〜1500ppm 、特に150〜300ppm
が適当である。Cの含量が60atm、%を越えると、
残留電位の影響が無視できなくなり、5 atm%より
少ないと、基板からの電荷注入阻止効果が不十分となっ
て、基板ノイズの発生原因となる他、基板との接着性が
低下し、感光層全体の剥離の恐れを生ずる。
される。Cの含量は5〜60 atomic%(以下、
atm、%と記す)、特に40〜55atm、%、Bは
100〜1500ppm 、特に150〜300ppm
が適当である。Cの含量が60atm、%を越えると、
残留電位の影響が無視できなくなり、5 atm%より
少ないと、基板からの電荷注入阻止効果が不十分となっ
て、基板ノイズの発生原因となる他、基板との接着性が
低下し、感光層全体の剥離の恐れを生ずる。
Bは第1層をP型にして、基板からの電荷の注入を阻止
するために入れる。Bの量り月00ppmより少ないと
、上記の効果がなく、基板ノイズが発生し易くなり、R
h< 15001)pIllより多くなると不純物レベ
ルが高くなりすぎ、P型化する前に導電性が高くなり、
注入防止効果が達成されなくなる。
するために入れる。Bの量り月00ppmより少ないと
、上記の効果がなく、基板ノイズが発生し易くなり、R
h< 15001)pIllより多くなると不純物レベ
ルが高くなりすぎ、P型化する前に導電性が高くなり、
注入防止効果が達成されなくなる。
第1F!lの膜厚は0.005〜1.0μm、特に0゜
2〜0.4μmが適当であり、これより厚いと残留電位
の影響が・現われ、膜厚が薄いと電荷注入阻止効果が不
十分となり、かつ接着性が低下する。
2〜0.4μmが適当であり、これより厚いと残留電位
の影響が・現われ、膜厚が薄いと電荷注入阻止効果が不
十分となり、かつ接着性が低下する。
第り層はCを比較的多量に含むため、この上に直接第3
層のa −S i −0:B :H層を形成させると、
第3層の接着性が低下する。従って、第1層上には、C
を含まない第2層(2)、即ち、a −S i−B :
H層を形成させる。a−9t−B:H層は、Bにより
a −S i層をP型にし、基板からの電荷の注入を阻
止する。Bの量は、第1層と同様の理由からL OO〜
15001111)Ill、 特に150−300
ppmが適当である。第2層の膜厚は0.01〜1.0
μm、特に0.03〜0.4μmであって、第1層と第
2層の合計厚さが0.015〜1.5μmとなるように
する。
層のa −S i −0:B :H層を形成させると、
第3層の接着性が低下する。従って、第1層上には、C
を含まない第2層(2)、即ち、a −S i−B :
H層を形成させる。a−9t−B:H層は、Bにより
a −S i層をP型にし、基板からの電荷の注入を阻
止する。Bの量は、第1層と同様の理由からL OO〜
15001111)Ill、 特に150−300
ppmが適当である。第2層の膜厚は0.01〜1.0
μm、特に0.03〜0.4μmであって、第1層と第
2層の合計厚さが0.015〜1.5μmとなるように
する。
第2層の膜厚が1.0μmを越えると、長波長光により
微量発生する少数キャリア(電子)の動きが、完全に阻
害され、長波長感殻低下への影響が無視しきれなくなる
。膜厚が下限値を越えると、第1の層領域と第2の層領
域との間の接着性が(そこ−でRFを−Hoff して
いることから)低下し、第2の層領域以上の剥離をまね
く。
微量発生する少数キャリア(電子)の動きが、完全に阻
害され、長波長感殻低下への影響が無視しきれなくなる
。膜厚が下限値を越えると、第1の層領域と第2の層領
域との間の接着性が(そこ−でRFを−Hoff して
いることから)低下し、第2の層領域以上の剥離をまね
く。
第2層領域は、a −S i −0:B :Hからなる
第3層から形成され、キャリア輸送層として作用する。
第3層から形成され、キャリア輸送層として作用する。
また、感光層の膜厚を確保し、膜の耐圧性を向上させる
。
。
第3層中の0の量は、10−5〜0 、3 atm、%
、特に0.05〜0.25atm、%、Bの量は5〜1
100pp、 特に10〜30ppmで第4層のB量
より多く用いる。@厚は5〜100μm1 特に20
〜40μmとするのが好ましい。
、特に0.05〜0.25atm、%、Bの量は5〜1
100pp、 特に10〜30ppmで第4層のB量
より多く用いる。@厚は5〜100μm1 特に20
〜40μmとするのが好ましい。
膜厚が下限値を越えると、電子写真法において所望の表
面電位に帯電することが困難となり、画像濃度の低下を
まねく。
面電位に帯電することが困難となり、画像濃度の低下を
まねく。
膜厚が上限値を越えると、表面電位が飽和し、元来、成
膜速度が遅いa−9t膜を堆積させる時間が増すだけで
製造性が悪くなり、特性的には得るところがなくなる。
膜速度が遅いa−9t膜を堆積させる時間が増すだけで
製造性が悪くなり、特性的には得るところがなくなる。
酸素量が下限値を越えると、充分な帯電能が得られない
。
。
酸素量が上限値を越えると、高抵抗化し、キャリアの輸
送が効率よく行なえなくなり、感度底下及び残留電位の
上昇をまねく。
送が効率よく行なえなくなり、感度底下及び残留電位の
上昇をまねく。
第3層(3)は、他の層に比べて、高膜厚である必要か
ら、ガス量を増したり、電力を増すなどして、高速成膜
(3μ/h〜15μ/h)されるべき層である。従って
、この第3層(即ち、第2の層領域)は、他の層領域と
は著しく異なる条件下で成膜されることになる。他の層
領域の第2の層領域側に、それぞれ第2の層領域と、O
量を除いては全く同一の構成元素より成る層(第4層及
び第2層)をある程度の膜厚で設置しているのは、成膜
条件が異なるための成長機構の違いから、界面での剥離
が発生しないようにするためである。
ら、ガス量を増したり、電力を増すなどして、高速成膜
(3μ/h〜15μ/h)されるべき層である。従って
、この第3層(即ち、第2の層領域)は、他の層領域と
は著しく異なる条件下で成膜されることになる。他の層
領域の第2の層領域側に、それぞれ第2の層領域と、O
量を除いては全く同一の構成元素より成る層(第4層及
び第2層)をある程度の膜厚で設置しているのは、成膜
条件が異なるための成長機構の違いから、界面での剥離
が発生しないようにするためである。
B量が第4層の量を下まわると、キャリアに対し障壁的
なジャンクションが第3/4層間にできてしまい、感度
低下、像流れ、残留電位等の発生をまねく。
なジャンクションが第3/4層間にできてしまい、感度
低下、像流れ、残留電位等の発生をまねく。
B量が上限値を越えると、バルク中の不純物レベルが増
大し、熱励起キャリ、アの発生が増え、充分な電荷保持
ができなくなる。
大し、熱励起キャリ、アの発生が増え、充分な電荷保持
ができなくなる。
第2層領域上には、第3層領域を設ける。第3層領域は
、基板側から第4層、第5層、第6層および第7層から
なる。
、基板側から第4層、第5層、第6層および第7層から
なる。
第3層領域は、キャリアの発生および移動に関与する眉
であり、全体の膜厚は0.35〜l015μm1特に1
.5〜5μmが適当である。
であり、全体の膜厚は0.35〜l015μm1特に1
.5〜5μmが適当である。
第4層(4)は、a−St :O:B:Hからなり、帯
電能の確保、第5層からのキャリア(正孔)の抽出およ
び第3層との接着性を確保する機能を有する。0の量は
I O−’ 〜0.3atm、%、特に0゜05〜0.
25atm、%、Bの量は30ppH+以下であって、
第5層のBの量よりも多量使用する。第4層の厚さは、
0.1〜3.0μm、特に0.5〜2μmが適当である
。
電能の確保、第5層からのキャリア(正孔)の抽出およ
び第3層との接着性を確保する機能を有する。0の量は
I O−’ 〜0.3atm、%、特に0゜05〜0.
25atm、%、Bの量は30ppH+以下であって、
第5層のBの量よりも多量使用する。第4層の厚さは、
0.1〜3.0μm、特に0.5〜2μmが適当である
。
膜厚が上限値を越えると、第5層から抽出したキャリア
を輸送層である第3層に効率よく抽入しにくくなり、感
度低下をまねく。
を輸送層である第3層に効率よく抽入しにくくなり、感
度低下をまねく。
膜厚が下限値を越えると、第2の層領域と第3の層領域
との間の接着性が(そこで一旦RFをofTしているこ
とから)低下し、第3の層領域全体の剥離をまねく。
との間の接着性が(そこで一旦RFをofTしているこ
とから)低下し、第3の層領域全体の剥離をまねく。
酸素量が上限値を越えると、高抵抗化し、残留電位の上
昇をまねく。また、キャリアに対する障壁になるため、
キャリアの横流れによる画像流れ、もしくは障壁効果が
小さい場合には、キャリアの移動度を下げるため、感度
低下をもたらす。
昇をまねく。また、キャリアに対する障壁になるため、
キャリアの横流れによる画像流れ、もしくは障壁効果が
小さい場合には、キャリアの移動度を下げるため、感度
低下をもたらす。
酸素量が下限値を越えると、充分な暗抵抗が得られず、
帯電能が低下する。
帯電能が低下する。
B量が上限値を越えると、P型が強くなり過ぎ、第3層
とのジャンクションの形成が困難となる。
とのジャンクションの形成が困難となる。
即ち、第3層は第4層より、より強いP型でないとキャ
リアに対するバンドの接合が逆になってしまうので、第
3層のBをさらに多くする必要を生じ、その結果、熱励
起キャリアの発生が多くなり、帯電能が低下してしまう
。第3層をこのようにBを多くしなくても済むように、
氷層のB量には上限がある。
リアに対するバンドの接合が逆になってしまうので、第
3層のBをさらに多くする必要を生じ、その結果、熱励
起キャリアの発生が多くなり、帯電能が低下してしまう
。第3層をこのようにBを多くしなくても済むように、
氷層のB量には上限がある。
B量が第5層の量を下回ると、第5.6層で発生したキ
ャリア(ホール)に対して障壁的なジャンクションを第
5層との間に形成してしまうため、感度低下、もしくは
キャリアの横流れによる画像流れを起してしまう。
ャリア(ホール)に対して障壁的なジャンクションを第
5層との間に形成してしまうため、感度低下、もしくは
キャリアの横流れによる画像流れを起してしまう。
第5層(5)はa −S i 二Ge:O:B :Hか
らなる。
らなる。
Geを入れることにより、長波長感度を保証し、帯電能
を確保する。この層を設けることにより、a −S を
感光体を半導体レーザーに代表される長波長コヒーレン
ト光で露光する。例えば、レーザープリンターなどで使
用する場合、しばしば発生する干渉模様の発生を軽減す
ることができる。また、この層の膜厚を調節することに
より、長波長感度を調節することが可能となる。
を確保する。この層を設けることにより、a −S を
感光体を半導体レーザーに代表される長波長コヒーレン
ト光で露光する。例えば、レーザープリンターなどで使
用する場合、しばしば発生する干渉模様の発生を軽減す
ることができる。また、この層の膜厚を調節することに
より、長波長感度を調節することが可能となる。
第5層中のGeの量は5〜50atm、%、特に20〜
30atm、%、0の亀はlO″″’〜0.3atm。
30atm、%、0の亀はlO″″’〜0.3atm。
%、特に0.05〜0.25atm、%、Bの量は15
ppm以下で、第6層の日量以上にするのが好ましい
。第5層の層厚は0.1〜3.0μm1 特に1゜0
〜2.5μmが適当である。
ppm以下で、第6層の日量以上にするのが好ましい
。第5層の層厚は0.1〜3.0μm1 特に1゜0
〜2.5μmが適当である。
Ge量が上限値を越えると、キャリアの移動度が低下(
Ge ドーピングの特徴である)し、好適な感度が得ら
れない。
Ge ドーピングの特徴である)し、好適な感度が得ら
れない。
Ge量が下限値を越えると、長波長光吸収カセ不充分と
なるためキャリア発生量が減少し、感度が低下する。
なるためキャリア発生量が減少し、感度が低下する。
酸素量が上限値を越えると、高抵抗化し、残留電位の上
昇をまねく。また、バンドギャップが広くなるため、元
来、バンドギャップが狭く長波長光に対し、良好な感度
を有するGe添加膜としての機能を低下さ仕てしまう。
昇をまねく。また、バンドギャップが広くなるため、元
来、バンドギャップが狭く長波長光に対し、良好な感度
を有するGe添加膜としての機能を低下さ仕てしまう。
酸素量が下限値を越えると、充分な暗抵抗が得られず、
帯電能の低下をまねく。
帯電能の低下をまねく。
B量が上限値を越えると、P型が強くなり過ぎ、正帯電
時の表面からのホールの注入が第6.7層だけでは阻止
しきれなくなり、帯電能の低下をまねく。
時の表面からのホールの注入が第6.7層だけでは阻止
しきれなくなり、帯電能の低下をまねく。
B量が第6層の量を下回ると、第5層内で長波長光によ
り励起された電子及び第6層内で短波長光により励起さ
れた正孔に対し、第5層/第6層間の接合が障壁となり
、キャリアの移動が阻害され、感度低下をまねくばかり
か、キャリアの横流れによって画像流れが発生する。
り励起された電子及び第6層内で短波長光により励起さ
れた正孔に対し、第5層/第6層間の接合が障壁となり
、キャリアの移動が阻害され、感度低下をまねくばかり
か、キャリアの横流れによって画像流れが発生する。
膜厚が上限値を越えると、Ge添加層内でのキャリアの
移動度が低いため、キャリアが層内を抜は出せず、再結
合等により死滅してしまう。よって、感度に寄与できな
い。
移動度が低いため、キャリアが層内を抜は出せず、再結
合等により死滅してしまう。よって、感度に寄与できな
い。
膜厚が下限値を越えると、光吸収が充分に行なえず、感
度保証ができなくなる。
度保証ができなくなる。
第6層(6)はa−Si:0:B:H層からなり、短波
長感度を保証すると共に、帯電能を確保するために設け
る。層厚は0.1〜3.0μm、特に1゜0〜2.5μ
mが適当である。0の量は10″″5〜0 、3 at
m、%、特に0.05〜0.25atm、%、Bの量は
15ppm以下が好ましい。
長感度を保証すると共に、帯電能を確保するために設け
る。層厚は0.1〜3.0μm、特に1゜0〜2.5μ
mが適当である。0の量は10″″5〜0 、3 at
m、%、特に0.05〜0.25atm、%、Bの量は
15ppm以下が好ましい。
膜厚が上限値を越えると、層中での光吸収が増大し、長
波長光に対して優れた光感度を有する第5層への到達光
量を減少してしまう。従って、感度保証ができなくなる
。
波長光に対して優れた光感度を有する第5層への到達光
量を減少してしまう。従って、感度保証ができなくなる
。
膜厚が下限値を越えると、光吸収が不充分で、可視光に
対する感度が保証できなくなる。
対する感度が保証できなくなる。
酸素量が上限値を越えると、高抵抗化し、残留電位の上
昇をまねく。また、バンドギャップが広くなるため、可
視光に対する感度が低下する。
昇をまねく。また、バンドギャップが広くなるため、可
視光に対する感度が低下する。
酸素量が下限値を越えると、充分な暗抵抗が得られず、
帯電能の低下をまねく。
帯電能の低下をまねく。
Bffiが上限値を越えると、P型が強くなり過ぎ、正
帯電時の表面からのホールの注入が第7層だけでは阻止
できなくなり、帯電能の低下をまねく。
帯電時の表面からのホールの注入が第7層だけでは阻止
できなくなり、帯電能の低下をまねく。
第7層(7)はa−Si:C:Hからなる層であり、表
面保護、特に耐湿性と耐摩耗性を目的に設けられたもの
であり、下層へ十分な量の光を透過させるため、Cを導
入して、透光性を向上させている。
面保護、特に耐湿性と耐摩耗性を目的に設けられたもの
であり、下層へ十分な量の光を透過させるため、Cを導
入して、透光性を向上させている。
Cの量は50〜80atm、%、特に65〜75atm
。
。
%が適当である。また、層厚は0.05〜1.5μm1
特に0.1〜0.5μmが好ましい。
特に0.1〜0.5μmが好ましい。
C量および膜厚が上限値を越えると、高抵抗になり過ぎ
、残留電位の上昇或いは下層より移動してきたキャリア
がトンネルできずに横流れして、画像流れを発生する。
、残留電位の上昇或いは下層より移動してきたキャリア
がトンネルできずに横流れして、画像流れを発生する。
C量および膜厚が下限値を越えると、かえって表面硬度
が低下し、損傷を受は易くなる。
が低下し、損傷を受は易くなる。
C量が下限値を越えると、耐湿性、耐摩耗性に対し効果
がなくなり、高湿時画像流れ、機械的損傷が発生しやす
くなる。また、透光性が低下し、感度低下をまねく。
がなくなり、高湿時画像流れ、機械的損傷が発生しやす
くなる。また、透光性が低下し、感度低下をまねく。
さらに、本発明感光体に用いる導電性基板は、前述の干
渉縞発生防止のため、粗面化してもよく、また、電荷の
注入阻止のため、適当な表面処理、例えば、電解研磨処
理、アルカリエツチング処理、陽極酸化処理等をしても
よい。
渉縞発生防止のため、粗面化してもよく、また、電荷の
注入阻止のため、適当な表面処理、例えば、電解研磨処
理、アルカリエツチング処理、陽極酸化処理等をしても
よい。
本発明感光体は、LDP感光体またはPPC感光体いず
れにも使用できる。。
れにも使用できる。。
以下、実施例を挙げて本発明を説明する。
実施例I (感光体Aの製造)
工程(1):
第2図に示すグロー放電分解装置において、まず、回転
ポンプ(lO)を、それに続いて拡散ポンプ(11)を
作動させ、反応室(12)の内部を10− ’Torr
程度の高真空にした後、第1〜第3及び第5調節弁(1
3)、(14)、(15)、(17)を開放し、第1タ
ンク(19)よりH,ガス、第2タンク(20)より!
00%S i H4ガス、第3タンク(21)よりHl
で200 ppa+に希釈されたB * Hsガス、更
に第5タンク(23)よりCt H4ガスを出力ゲージ
1kg/cm″の下でマスフローコントローラー(25
)、(26)、(27)、(29)内へ流入させた。そ
して、各マスフローコントローラーの目盛を調節して、
Hlの流量を300 sccm。
ポンプ(lO)を、それに続いて拡散ポンプ(11)を
作動させ、反応室(12)の内部を10− ’Torr
程度の高真空にした後、第1〜第3及び第5調節弁(1
3)、(14)、(15)、(17)を開放し、第1タ
ンク(19)よりH,ガス、第2タンク(20)より!
00%S i H4ガス、第3タンク(21)よりHl
で200 ppa+に希釈されたB * Hsガス、更
に第5タンク(23)よりCt H4ガスを出力ゲージ
1kg/cm″の下でマスフローコントローラー(25
)、(26)、(27)、(29)内へ流入させた。そ
して、各マスフローコントローラーの目盛を調節して、
Hlの流量を300 sccm。
BxHa(200ppm/Htとして)を100 sc
cm。
cm。
CtH,をI 20sccmとなるように設定して、反
応室(12)内へ流入した。夫々の流量が安定した後に
、反応室(12)の内圧が1 、 OTorrとなるよ
うに調整した。一方、導電性基板(8)としては、直径
801I1mのアルミニウムドラムを用いて250℃に
予め加熱しておき、各ガス流量が安定し、内圧が安定し
た状態で高周波電源(32)を投入し、電極板(33)
に200 wattsの電力(周波数13.56MHz
)を印加してグロー放電を発生させり。このグロー放電
を3.5分間持続して行ない、導電性基板(8)上に水
素、硼素を含む厚さ約0.35μmの第1層(1)を形
成した。
応室(12)内へ流入した。夫々の流量が安定した後に
、反応室(12)の内圧が1 、 OTorrとなるよ
うに調整した。一方、導電性基板(8)としては、直径
801I1mのアルミニウムドラムを用いて250℃に
予め加熱しておき、各ガス流量が安定し、内圧が安定し
た状態で高周波電源(32)を投入し、電極板(33)
に200 wattsの電力(周波数13.56MHz
)を印加してグロー放電を発生させり。このグロー放電
を3.5分間持続して行ない、導電性基板(8)上に水
素、硼素を含む厚さ約0.35μmの第1層(1)を形
成した。
工程(2);
第1層形成後、高周波電源からの電力印加を停止するこ
となく、調節弁(17)を切ってC,H,のマス70−
コントローラー(29)の流量を30秒以内にOにした
。他の条件は工程(1)と同様にして、膜厚0,05μ
mの第2層を形成した。
となく、調節弁(17)を切ってC,H,のマス70−
コントローラー(29)の流量を30秒以内にOにした
。他の条件は工程(1)と同様にして、膜厚0,05μ
mの第2層を形成した。
工程(3):
第2層形成後、高周波電源(32)から電力印加を停止
するとともに、マスフローコントローラーの流量を0設
定にし、反応室(12)内を十分脱気した。
するとともに、マスフローコントローラーの流量を0設
定にし、反応室(12)内を十分脱気した。
その後、第1タンク(19)よりH,ガスを400SC
CI11%第2タンク(20)より100%S i H
4を200 secm。
CI11%第2タンク(20)より100%S i H
4を200 secm。
第3タンク(21)よりH3で200 ppmに希釈さ
れたB t Haガスを20 secm、および第6タ
ンク(24)より0!ガスを2 secm反応室内部に
流入させ、内圧を1.0Torrに調整したうえで高周
波電源を投入して300 wattsの電力を印加した
。約4時間放電を続け、約28μmの第3層(3)を形
成した。
れたB t Haガスを20 secm、および第6タ
ンク(24)より0!ガスを2 secm反応室内部に
流入させ、内圧を1.0Torrに調整したうえで高周
波電源を投入して300 wattsの電力を印加した
。約4時間放電を続け、約28μmの第3層(3)を形
成した。
工程(4):
工程(3)終了後、高周波電源からの電力印加を停止す
ると共にマスフローコントローラーの流量をOに設定し
、反応室内を十分脱気した。次いで、ガス流量および成
膜条件を以下のごとく設定して膜厚1.2μmの第4層
を形成した。
ると共にマスフローコントローラーの流量をOに設定し
、反応室内を十分脱気した。次いで、ガス流量および成
膜条件を以下のごとく設定して膜厚1.2μmの第4層
を形成した。
工程(5):
工程(4)終了後、第5層から第7層をそれぞれ電力印
加を停止することなく、また、反応室内を脱気せず、マ
スフローコントローラーを調整することによりガス組成
のみを30秒以内に、表−1に示すごとく変えて成膜し
た。
加を停止することなく、また、反応室内を脱気せず、マ
スフローコントローラーを調整することによりガス組成
のみを30秒以内に、表−1に示すごとく変えて成膜し
た。
成膜条件は以下の通りである。
表−1
Ge1(+はタンク(22)、調節弁(16)およびマ
スフローコントローラー(28)により導入した。
スフローコントローラー(28)により導入した。
上で得た感光体Aの組成を表−2に示す。
表−2
なお、上記実施例において、キャリアガスとしてH,を
用いたが、他の不活性ガス、例えばAr等を用いてもよ
く、St源としては、S i、H,等のガスを用いても
よく、C源としてはC3Hs、CH,、Ct Ht+等
を用いてもよく、C源としてはN t 01NO等を用
いてもよい。また、電極構成は、第2図のごときC結合
の他、L結合でもよい。
用いたが、他の不活性ガス、例えばAr等を用いてもよ
く、St源としては、S i、H,等のガスを用いても
よく、C源としてはC3Hs、CH,、Ct Ht+等
を用いてもよく、C源としてはN t 01NO等を用
いてもよい。また、電極構成は、第2図のごときC結合
の他、L結合でもよい。
なお、本実施例では電力はマツチングボックスを介して
印加した。
印加した。
実施例2
第5層の膜厚を下記のごとくする以外、実施例1と同様
にして感光体B、CおよびDを製造した。
にして感光体B、CおよびDを製造した。
感光体 第5層膜厚
B O,2μm
C1,0μm
D 3.0μm
実施例3
GeH,の流量を変えて第5層のGeの含量を変える以
外、実施例1と同様にして、以下の感光体E、Fおよび
Gを得た。
外、実施例1と同様にして、以下の感光体E、Fおよび
Gを得た。
塩恰匹
第5層を設けない以外は実施例1と同様にして感光体H
を得た。
を得た。
実施例4
上記実施例1および2および比較例で得られた感光体A
、B、C,DおよびHを600Vにコロナ帯電した後、
150Vに明減衰するのに必要なエネルギーを測定し、
これによって分光感度を測定したところ、第3図に示す
結果を得た。図中、(A)、(B)、(C)、(D)お
よび(H)は、それぞれ対応する感光体ASB、C,D
、Hから得られた結果を示す。線軸は波長(nm)、経
軸は感度(scm/erg)を示す。
、B、C,DおよびHを600Vにコロナ帯電した後、
150Vに明減衰するのに必要なエネルギーを測定し、
これによって分光感度を測定したところ、第3図に示す
結果を得た。図中、(A)、(B)、(C)、(D)お
よび(H)は、それぞれ対応する感光体ASB、C,D
、Hから得られた結果を示す。線軸は波長(nm)、経
軸は感度(scm/erg)を示す。
実施例5
感光体ASE、FSGおよびHの分光感度を実施例4と
同様にして測定した。結果を第4図に示す。図中、(A
)、(E)、(F)および(H)は各記号に対応する感
光体で得られる結果を示す。
同様にして測定した。結果を第4図に示す。図中、(A
)、(E)、(F)および(H)は各記号に対応する感
光体で得られる結果を示す。
1肛j且
本発明は、長波長感度に優れた感光体を得ることができ
、第5層中のGe含量を調節するか、厚さを調節するこ
とにより、長波長感度の調整が可能となる。また、画像
安定性が高く、実用上のあらゆる特性において優れた性
質を有する感光体を得ることができる。
、第5層中のGe含量を調節するか、厚さを調節するこ
とにより、長波長感度の調整が可能となる。また、画像
安定性が高く、実用上のあらゆる特性において優れた性
質を有する感光体を得ることができる。
第1図は本発明感光体の構成を示す模式図、第2図は製
造装置図、第3図および第4図は感光体の長波長感度を
示す図である。 (1)第1層 (2)第2層 (3)第3層 (4)第4層 (5)第5層 (6)第6層 (7)第7層 (8)導電性基板第1図 第2図 第3511 機長(nm)
造装置図、第3図および第4図は感光体の長波長感度を
示す図である。 (1)第1層 (2)第2層 (3)第3層 (4)第4層 (5)第5層 (6)第6層 (7)第7層 (8)導電性基板第1図 第2図 第3511 機長(nm)
Claims (1)
- 1、a−Si:Cを母体とする第1の層とa−Siを母
体とする第2の層から成る第1の層領域と、a−Siを
母体とする第3の層から成る第2の層領域と、a−Si
を母体とする第4の層とa−Si:Geを母体とする第
5の層とa−Siを母体とする第6の層とa−Si:C
を母体とする第7の層から成る第3の層領域とを、導電
性基板上にこの順に有し、かつ各層領域間に明確なジャ
ンクションが形成されている感光体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60145005A JPS625255A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 感光体 |
US06/880,675 US4863820A (en) | 1985-07-01 | 1986-06-30 | Photosensitive member having amorphous silicon-germanium layer and process for producing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60145005A JPS625255A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS625255A true JPS625255A (ja) | 1987-01-12 |
Family
ID=15375247
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60145005A Pending JPS625255A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 感光体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4863820A (ja) |
JP (1) | JPS625255A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1039530C (zh) * | 1991-11-23 | 1998-08-19 | 罗格·瓦龙 | 半离水面与沉潜推进器装置的船舶 |
JPH06337532A (ja) * | 1993-05-27 | 1994-12-06 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体およびその製造方法 |
JPH1165146A (ja) * | 1997-08-22 | 1999-03-05 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材 |
US8078063B2 (en) | 2008-02-05 | 2011-12-13 | Finisar Corporation | Monolithic power monitor and wavelength detector |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5586169A (en) * | 1978-12-25 | 1980-06-28 | Toshiba Corp | Manufacture of organic photo-conducting film |
JPS5660447A (en) * | 1979-10-23 | 1981-05-25 | Toshiba Corp | Forming method of organic photoconductive film |
US4394425A (en) * | 1980-09-12 | 1983-07-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member with α-Si(C) barrier layer |
US4376688A (en) * | 1981-04-03 | 1983-03-15 | Xerox Corporation | Method for producing semiconductor films |
US4416755A (en) * | 1981-04-03 | 1983-11-22 | Xerox Corporation | Apparatus and method for producing semiconducting films |
JPS5928161A (ja) * | 1982-08-10 | 1984-02-14 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
JPS5938753A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-02 | Toshiba Corp | 電子写真感光体の製造方法 |
US4513022A (en) * | 1983-01-10 | 1985-04-23 | Xerox Corporation | Process for amorphous silicon films |
US4466380A (en) * | 1983-01-10 | 1984-08-21 | Xerox Corporation | Plasma deposition apparatus for photoconductive drums |
JPS6045258A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Sharp Corp | 電子写真感光体 |
JPS60125846A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-05 | Hitachi Koki Co Ltd | 電子写真像形成部材 |
JPS60130747A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-12 | Canon Inc | 光導電部材 |
US4598032A (en) * | 1983-12-29 | 1986-07-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member with a-Si; a-(Si/Ge) and a-(Si/C) layers |
JPS6126054A (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-05 | Minolta Camera Co Ltd | 電子写真感光体 |
JPS6126055A (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-05 | Minolta Camera Co Ltd | 電子写真感光体 |
JPS6129847A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Minolta Camera Co Ltd | 電子写真感光体 |
EP0194329B1 (en) * | 1985-03-13 | 1989-07-12 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | Multilayer photoconductive material |
JPS61243460A (ja) * | 1985-04-20 | 1986-10-29 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
DE4110971A1 (de) * | 1991-04-05 | 1992-10-08 | Bosch Gmbh Robert | Elektromotor mit einem rohrartigen gehaeuseteil |
-
1985
- 1985-07-01 JP JP60145005A patent/JPS625255A/ja active Pending
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1986
- 1986-06-30 US US06/880,675 patent/US4863820A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
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