JPS625255A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、アモルファスシリコン系感光体に関する。

従来技術 １９３８年にカールソン法が発明（Ｕ、Ｓ、Ｐ、２２２
１７６）されて以来、電子写真には様々な感光体が発明
され応用されてきた。感光体に必要とされる諸物性とし
ては、電荷受容能力が比較的高いこと、暗減衰速度が小
さいこと、明減衰が充分に行なわれること、残留電位の
少ないこと、帯電・露光による疲労の少ないこと、機械
的強度に優れること等が挙げられる（アール・エム・シ
ャツアート著「エレクトロフォトグラフィーｊ　（Ｒ，
Ｍ。

５ｃｈａｆｒｅｒｔ、ｒＥＬＥｃＴＲＯＰＨＯＴｏ−Ｇ
ＲＡＰＨＹＪ　）、１９６５年初版）。これらの特性を
満足する材料として、従来より、無定形セレン、酸化亜
鉛、ＣｄＳ等に代表される無機化合物、或いはポリビニ
ルカルバゾール、有機染料等に代表される有機化合物、
或いは有機・有機併用材料が用いられてきた。

一方、１９６５年にアモルファスシリコン膜がシランガ
スのグロー放電により成膜し得ることが［エイチ・エフ
・スターリング著［ソリッド・ステート・エレクトロニ
クスＪ　（ＨｏＦ、　Ｓｔｅｒｌｉｎｇ。

５ｏｌｉｄ　　５ｔａｔｅ　　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
、　８．６５３（１９６５））］見い出され、以来、種
々の研究が続けられてきた。

例えば、１９６９年には、ａ−Ｓｉ膜にて１０”Ω−ｃ
ｍの抵抗を有し、しかも、ＣｄＳ並の光導電性を得るこ
とができること［アール・シー・チテイックら著「ジャ
ーナル・オン・エレクトロ・ケミカル・ソサエテ（−Ｊ
（Ｒ，Ｃ，Ｃｈｉｔｔｉｃｋ、Ｊ、Ｅｌｅ−ｃｔｒｏｃ
ｈｅｍ、　Ｓｏｃ、、　１１６．７７（１９６９））］
が、１９７０年にはゲルマンガスからアモルファスゲル
マニウムが、同じ＜ＧＤ法により成膜し得ることができ
１、　その特性の比較［アール・シー・チテイック著「
ジャーナル・オン・ノン−クリスタリン・ソリッズ」（
Ｒ，Ｃ，Ｃｈｉｔｔｉｃｋ、Ｊ　、　Ｎｏｎ　−Ｃｒｙ
ｓｔ、　５ｏｌｉｄｓ。

３、２５５　（１！１７０））］が、１９７５年にはＢ
ｔＨ，或いはＰＨ３によりａ　−Ｓ　を膜の極性制御が
可能であること［ダブりニー・イー・スピア−著［ソリ
ッド・ステート・コミュンＪ　（Ｗ、　Ｅ、　５ｐｅａ
ｒ。

５ｏｌｉｄ　５ｔａｔｅ　　Ｃｏｍｍｕｎ、、　１７．
１１９３　（１９７５））］が、さらに１９７６年には
ａ　−Ｓ　ｉ膜の方がａ−Ｇｅ膜よりドーパントによる
影響を、総じて受は易いといえること［ダブりニー・イ
ー・スピア−著「フィル−ｖガジンＪ　（Ｗ、　Ｅ、　
５ｐｅａｒ、　Ｐｈ１１．　Ｍａｇ。

、　３３．９３５　（１９７６））１などが明らかにさ
れてきた。

また、製法も、Ｌ結合型、Ｃ結合型に大別される２種・
類の型式が考えること［ジエイ・シー・ナイト著「エイ
・アイ・ビー・、コンファレンス・プロシーディンゲス
Ｊ　（Ｊ　、　Ｃ，Ｋｎｉｇｈｔ、　Ａ　Ｉ　ＰＣｏｎ
ｒｅｒｅｎｃｅ　　Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ、Ｎｏ、３
１．２９６．（Ｌ９７６））／ダブリュー・イー・スピ
ア−著「プロシーディンゲス・オン・ザ・セブンス・イ
ンターナショナル・コンファレンス・オン・アモルファ
ス・アンド・リキッド・セミ、コンダクターズｊ（Ｗ、
Ｅ。

５ｐｅａｒ、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　
５ｅｖｅｎｔｈ　Ｉ　ｎｔｅｒ−ｎａｔｉｏｎａｌ　　
Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　　ｏｎ　　Ａｍｏｒｐｂｏｕｓ
　ａｎｄＬｉｑｕｉｄ　　Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
ｓ、　６月２７日〜７月１日１３０９、　（１９７７）
）などコが明らかにされてきた。

これらの背景を受け、ａ−Ｓｉ或いはａ−Ｇｅを電子写
真用感光体に応用する試みが近年盛んに行なわれ、その
発展には目覚ましいものがある。

しかし、基本的な成膜過程は、上記研究成果によるとこ
ろ大であり、さらに、特性調整のためのシランガス或い
はゲルマンガスへの他元素ドーピングも、上述の１９７
０年のチティックらの報告で結論づけられている如く、
他の蒸着法による結果とＧＤ法による結果が定性的には
類似しているとのことによるところ大である。従って、
ＧＤ法にて考え得る条件、例えば、放電型式、印加電力
、ガス圧力、ガス組成、基板温度、ガス流量等を調整し
てやれば、それぞれに応じた膜特性が得られることにな
る。つまり、ａ　−Ｓ　ｉ或いはａ−Ｇｅ膜の性質は、
これらの条件の単なる調整により副産物として得られる
ものに過ぎない訳である。

ところが、この様な単層膜を順次積層して、感光体を得
るには、全層にわたる機能或いは整合等が充分に考慮、
創意工夫されたものでなくてはならず、云うまでもなく
、その中で用いられる部分層を限定したところで、電子
写真用感光体として使用できるとは限らない。

その様な意味で従来提案されている感光体は、実用面で
必らずしも満足した性能を示すものではない。

例えば、特開昭５４−９８５８８号公報には、ａ−Ｓｉ
：Ｇｅ：Ｈ光導電体について開示しているが、この光導
電層は酸素を含まず、従って、電子写真に必要な充分な
帯電能は得られない。

特開昭５４−１４５５３号公報にもａ−Ｓｉ：Ｇｅ型光
導電体について開示しているが、基板側に注入阻止層を
設ける旨の開示がなく、帯電性、或いは基板起因性の画
像ノイズ等に対し、不備がある。

特開昭５６−１５０７５３号公報には、ａ　−Ｓ　ｉ：
Ｇｅの２層積層型感光体を開示しているが、Ｇｅ含量に
関する適正値については全く言及していない。また、保
護層に関する記載もなく、実用上問題がある。

特開昭５７−１１５５５１号公報はａ−９ｔ：Ｃ系オー
バーコート層を有する感光体を開示しているが、Ｇｅの
添加ならびにアンダーコートの必要性については同等記
載がない。

特開昭５７−１１５５５２号公報には、ａ　−Ｓ　ｉと
ａ−３ｉ：Ｇｅの多層構造感光体が開示されているが、
オーバーコート層およびアンダーコート層については全
く触れられていない。また、Ｇｅ含量に関する適性値に
ついては言及されていない。

さらに、特開昭５８−８８７５３号公報にアンダーコー
ト層を有するａ−Ｓｉ系悪感光が開示されているが、こ
のアンダーコート層は炭素を含んでいない。また、ａ−
Ｓｉ：Ｇｅについても言及されているが、ａ−３ｉ：Ｇ
ｅ層の積層位置関係と、それにより得られる効果につい
ては記載されていない。

発明の目的 本発明は長波長感度を調節し得、かつ画像安定性に優れ
た、実用上のあらゆる特性において満足し得る性能を備
えた感光体を提供することを目的とする。

発明の構成 本発明は、第１図に示すごとく、ａ−Ｓｉ：Ｃを母体と
する第１の層（１）とａ−Ｓｔを母体とする第２の層（
２）から成る第１の層領域と、ａ　−Ｓ　ｉを母体とす
る第３の層（３）から成る第２の層領域と、ａ−Ｓｉを
母体とする第４の層（４）とａ　−Ｓ　ｉ：Ｇｅを母体
とする第５の層（５）とａ　−Ｓ　ｉを母体とする第６
の層（６）とａ−９ｔ：Ｃを母体とする第７の層（７）
から成る第３の層領域とを、導電性基板（８）上にこの
順に有し、かつ各層領域間に明確なジャンクションが形
成されている感光体に関する。

本発明において、第１層（１）と第２層（２）とは、第
１層領域を形成し、第３層（３）は第２層領域、および
第４〜７層（４）、（５）、（６）、（７）は第３層領
域を構成する。各領域内では、各層間の密着性を確保す
るため明確なジャンクションを形成しない連続的な層を
構成している。この様な層は、成膜時ＲＦ放電を継続し
た状態でガス組成を変えることにより達成することがで
きる。

また、各層領域間には、キャリアの輸送性を確実にし、
さらに基板、或いは表面からの電荷の注入を阻止する効
果を高めるために明確なジャンクションを形成させるこ
こで、ジャンクションは必ずしもＰ／Ｎジャンクション
である必要はなく、Ｐ／Ｉ、Ｐ”　／Ｐ、Ｐ”　”　／
Ｐ＋、Ｉ／Ｎ、Ｎ／Ｎ″″、Ｎ”／Ｎ″″“のように、
キャリアの輸送性の異なる層の接合によって形成される
、いわゆる広義のジャンクションである。。この様な領
域間ジャンクションは成膜時ＲＦ放電を一旦停止し、成
膜条件を変更することにより、得ることができる。

また、本発明感光体は第７層以外、全てＩ［［Ａ属原子
、例えばＢにより極性調整されている。

本発明感光体は、第１層と第２層とで第１層領域を形成
する。第１層領域は主としてアンダーコートの役割を果
すものであり、導電性基板と、第２層領域との接着性、
並びに接合性を高め、基板からの電荷の注入を防止して
、基板ノイズの発生を抑える。

第１層（１）は主としてａ−Ｓｔ−Ｃ：Ｂ：Ｈから構成
される。Ｃの含量は５〜６０　ａｔｏｍｉｃ％（以下、
ａｔｍ、％と記す）、特に４０〜５５ａｔｍ、％、Ｂは
１００〜１５００ｐｐｍ　、特に１５０〜３００ｐｐｍ
が適当である。Ｃの含量が６０ａｔｍ、％を越えると、
残留電位の影響が無視できなくなり、５　ａｔｍ％より
少ないと、基板からの電荷注入阻止効果が不十分となっ
て、基板ノイズの発生原因となる他、基板との接着性が
低下し、感光層全体の剥離の恐れを生ずる。

Ｂは第１層をＰ型にして、基板からの電荷の注入を阻止
するために入れる。Ｂの量り月００ｐｐｍより少ないと
、上記の効果がなく、基板ノイズが発生し易くなり、Ｒ
ｈ＜　１５００１）ｐＩｌｌより多くなると不純物レベ
ルが高くなりすぎ、Ｐ型化する前に導電性が高くなり、
注入防止効果が達成されなくなる。

第１Ｆ！ｌの膜厚は０．００５〜１．０μｍ、特に０゜
２〜０．４μｍが適当であり、これより厚いと残留電位
の影響が・現われ、膜厚が薄いと電荷注入阻止効果が不
十分となり、かつ接着性が低下する。

第り層はＣを比較的多量に含むため、この上に直接第３
層のａ　−Ｓ　ｉ　−０：Ｂ　：Ｈ層を形成させると、
第３層の接着性が低下する。従って、第１層上には、Ｃ
を含まない第２層（２）、即ち、ａ　−Ｓ　ｉ−Ｂ　：
　Ｈ層を形成させる。ａ−９ｔ−Ｂ：Ｈ層は、Ｂにより
ａ　−Ｓ　ｉ層をＰ型にし、基板からの電荷の注入を阻
止する。Ｂの量は、第１層と同様の理由からＬ　ＯＯ〜
１５００１１１１）Ｉｌｌ、　　特に１５０−３００　
ｐｐｍが適当である。第２層の膜厚は０．０１〜１．０
μｍ、特に０．０３〜０．４μｍであって、第１層と第
２層の合計厚さが０．０１５〜１．５μｍとなるように
する。

第２層の膜厚が１．０μｍを越えると、長波長光により
微量発生する少数キャリア（電子）の動きが、完全に阻
害され、長波長感殻低下への影響が無視しきれなくなる
。膜厚が下限値を越えると、第１の層領域と第２の層領
域との間の接着性が（そこ−でＲＦを−Ｈｏｆｆ　して
いることから）低下し、第２の層領域以上の剥離をまね
く。

第２層領域は、ａ　−Ｓ　ｉ　−０：Ｂ　：Ｈからなる
第３層から形成され、キャリア輸送層として作用する。

また、感光層の膜厚を確保し、膜の耐圧性を向上させる
。

第３層中の０の量は、１０−５〜０　、３　ａｔｍ、％
、特に０．０５〜０．２５ａｔｍ、％、Ｂの量は５〜１
１００ｐｐ、　　特に１０〜３０ｐｐｍで第４層のＢ量
より多く用いる。＠厚は５〜１００μｍ１　　特に２０
〜４０μｍとするのが好ましい。

膜厚が下限値を越えると、電子写真法において所望の表
面電位に帯電することが困難となり、画像濃度の低下を
まねく。

膜厚が上限値を越えると、表面電位が飽和し、元来、成
膜速度が遅いａ−９ｔ膜を堆積させる時間が増すだけで
製造性が悪くなり、特性的には得るところがなくなる。

酸素量が下限値を越えると、充分な帯電能が得られない
。

酸素量が上限値を越えると、高抵抗化し、キャリアの輸
送が効率よく行なえなくなり、感度底下及び残留電位の
上昇をまねく。

第３層（３）は、他の層に比べて、高膜厚である必要か
ら、ガス量を増したり、電力を増すなどして、高速成膜
（３μ／ｈ〜１５μ／ｈ）されるべき層である。従って
、この第３層（即ち、第２の層領域）は、他の層領域と
は著しく異なる条件下で成膜されることになる。他の層
領域の第２の層領域側に、それぞれ第２の層領域と、Ｏ
量を除いては全く同一の構成元素より成る層（第４層及
び第２層）をある程度の膜厚で設置しているのは、成膜
条件が異なるための成長機構の違いから、界面での剥離
が発生しないようにするためである。

Ｂ量が第４層の量を下まわると、キャリアに対し障壁的
なジャンクションが第３／４層間にできてしまい、感度
低下、像流れ、残留電位等の発生をまねく。

Ｂ量が上限値を越えると、バルク中の不純物レベルが増
大し、熱励起キャリ、アの発生が増え、充分な電荷保持
ができなくなる。

第２層領域上には、第３層領域を設ける。第３層領域は
、基板側から第４層、第５層、第６層および第７層から
なる。

第３層領域は、キャリアの発生および移動に関与する眉
であり、全体の膜厚は０．３５〜ｌ０１５μｍ１特に１
．５〜５μｍが適当である。

第４層（４）は、ａ−Ｓｔ　：Ｏ：Ｂ：Ｈからなり、帯
電能の確保、第５層からのキャリア（正孔）の抽出およ
び第３層との接着性を確保する機能を有する。０の量は
Ｉ　Ｏ−’　〜０．３ａｔｍ、％、特に０゜０５〜０．
２５ａｔｍ、％、Ｂの量は３０ｐｐＨ＋以下であって、
第５層のＢの量よりも多量使用する。第４層の厚さは、
０．１〜３．０μｍ、特に０．５〜２μｍが適当である
。

膜厚が上限値を越えると、第５層から抽出したキャリア
を輸送層である第３層に効率よく抽入しにくくなり、感
度低下をまねく。

膜厚が下限値を越えると、第２の層領域と第３の層領域
との間の接着性が（そこで一旦ＲＦをｏｆＴしているこ
とから）低下し、第３の層領域全体の剥離をまねく。

酸素量が上限値を越えると、高抵抗化し、残留電位の上
昇をまねく。また、キャリアに対する障壁になるため、
キャリアの横流れによる画像流れ、もしくは障壁効果が
小さい場合には、キャリアの移動度を下げるため、感度
低下をもたらす。

酸素量が下限値を越えると、充分な暗抵抗が得られず、
帯電能が低下する。

Ｂ量が上限値を越えると、Ｐ型が強くなり過ぎ、第３層
とのジャンクションの形成が困難となる。

即ち、第３層は第４層より、より強いＰ型でないとキャ
リアに対するバンドの接合が逆になってしまうので、第
３層のＢをさらに多くする必要を生じ、その結果、熱励
起キャリアの発生が多くなり、帯電能が低下してしまう
。第３層をこのようにＢを多くしなくても済むように、
氷層のＢ量には上限がある。

Ｂ量が第５層の量を下回ると、第５．６層で発生したキ
ャリア（ホール）に対して障壁的なジャンクションを第
５層との間に形成してしまうため、感度低下、もしくは
キャリアの横流れによる画像流れを起してしまう。

第５層（５）はａ　−Ｓ　ｉ　二Ｇｅ：Ｏ：Ｂ　：Ｈか
らなる。

Ｇｅを入れることにより、長波長感度を保証し、帯電能
を確保する。この層を設けることにより、ａ　−Ｓ　を
感光体を半導体レーザーに代表される長波長コヒーレン
ト光で露光する。例えば、レーザープリンターなどで使
用する場合、しばしば発生する干渉模様の発生を軽減す
ることができる。また、この層の膜厚を調節することに
より、長波長感度を調節することが可能となる。

第５層中のＧｅの量は５〜５０ａｔｍ、％、特に２０〜
３０ａｔｍ、％、０の亀はｌＯ″″’〜０．３ａｔｍ。

％、特に０．０５〜０．２５ａｔｍ、％、Ｂの量は１５
　ｐｐｍ以下で、第６層の日量以上にするのが好ましい
。第５層の層厚は０．１〜３．０μｍ１　　特に１゜０
〜２．５μｍが適当である。

Ｇｅ量が上限値を越えると、キャリアの移動度が低下（
Ｇｅ　ドーピングの特徴である）し、好適な感度が得ら
れない。

Ｇｅ量が下限値を越えると、長波長光吸収カセ不充分と
なるためキャリア発生量が減少し、感度が低下する。

酸素量が上限値を越えると、高抵抗化し、残留電位の上
昇をまねく。また、バンドギャップが広くなるため、元
来、バンドギャップが狭く長波長光に対し、良好な感度
を有するＧｅ添加膜としての機能を低下さ仕てしまう。

酸素量が下限値を越えると、充分な暗抵抗が得られず、
帯電能の低下をまねく。

Ｂ量が上限値を越えると、Ｐ型が強くなり過ぎ、正帯電
時の表面からのホールの注入が第６．７層だけでは阻止
しきれなくなり、帯電能の低下をまねく。

Ｂ量が第６層の量を下回ると、第５層内で長波長光によ
り励起された電子及び第６層内で短波長光により励起さ
れた正孔に対し、第５層／第６層間の接合が障壁となり
、キャリアの移動が阻害され、感度低下をまねくばかり
か、キャリアの横流れによって画像流れが発生する。

膜厚が上限値を越えると、Ｇｅ添加層内でのキャリアの
移動度が低いため、キャリアが層内を抜は出せず、再結
合等により死滅してしまう。よって、感度に寄与できな
い。

膜厚が下限値を越えると、光吸収が充分に行なえず、感
度保証ができなくなる。

第６層（６）はａ−Ｓｉ：０：Ｂ：Ｈ層からなり、短波
長感度を保証すると共に、帯電能を確保するために設け
る。層厚は０．１〜３．０μｍ、特に１゜０〜２．５μ
ｍが適当である。０の量は１０″″５〜０　、３　ａｔ
ｍ、％、特に０．０５〜０．２５ａｔｍ、％、Ｂの量は
１５ｐｐｍ以下が好ましい。

膜厚が上限値を越えると、層中での光吸収が増大し、長
波長光に対して優れた光感度を有する第５層への到達光
量を減少してしまう。従って、感度保証ができなくなる
。

膜厚が下限値を越えると、光吸収が不充分で、可視光に
対する感度が保証できなくなる。

酸素量が上限値を越えると、高抵抗化し、残留電位の上
昇をまねく。また、バンドギャップが広くなるため、可
視光に対する感度が低下する。

酸素量が下限値を越えると、充分な暗抵抗が得られず、
帯電能の低下をまねく。

Ｂｆｆｉが上限値を越えると、Ｐ型が強くなり過ぎ、正
帯電時の表面からのホールの注入が第７層だけでは阻止
できなくなり、帯電能の低下をまねく。

第７層（７）はａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｈからなる層であり、表
面保護、特に耐湿性と耐摩耗性を目的に設けられたもの
であり、下層へ十分な量の光を透過させるため、Ｃを導
入して、透光性を向上させている。

Ｃの量は５０〜８０ａｔｍ、％、特に６５〜７５ａｔｍ
。

％が適当である。また、層厚は０．０５〜１．５μｍ１
特に０．１〜０．５μｍが好ましい。

Ｃ量および膜厚が上限値を越えると、高抵抗になり過ぎ
、残留電位の上昇或いは下層より移動してきたキャリア
がトンネルできずに横流れして、画像流れを発生する。

Ｃ量および膜厚が下限値を越えると、かえって表面硬度
が低下し、損傷を受は易くなる。

Ｃ量が下限値を越えると、耐湿性、耐摩耗性に対し効果
がなくなり、高湿時画像流れ、機械的損傷が発生しやす
くなる。また、透光性が低下し、感度低下をまねく。

さらに、本発明感光体に用いる導電性基板は、前述の干
渉縞発生防止のため、粗面化してもよく、また、電荷の
注入阻止のため、適当な表面処理、例えば、電解研磨処
理、アルカリエツチング処理、陽極酸化処理等をしても
よい。

本発明感光体は、ＬＤＰ感光体またはＰＰＣ感光体いず
れにも使用できる。。

以下、実施例を挙げて本発明を説明する。

実施例Ｉ　（感光体Ａの製造） 工程（１）： 第２図に示すグロー放電分解装置において、まず、回転
ポンプ（ｌＯ）を、それに続いて拡散ポンプ（１１）を
作動させ、反応室（１２）の内部を１０−　’Ｔｏｒｒ
程度の高真空にした後、第１〜第３及び第５調節弁（１
３）、（１４）、（１５）、（１７）を開放し、第１タ
ンク（１９）よりＨ，ガス、第２タンク（２０）より！
００％Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス、第３タンク（２１）よりＨｌ
で２００　ｐｐａ＋に希釈されたＢ　＊　Ｈｓガス、更
に第５タンク（２３）よりＣｔ　Ｈ４ガスを出力ゲージ
１ｋｇ／ｃｍ″の下でマスフローコントローラー（２５
）、（２６）、（２７）、（２９）内へ流入させた。そ
して、各マスフローコントローラーの目盛を調節して、
Ｈｌの流量を３００　ｓｃｃｍ。

ＢｘＨａ（２００ｐｐｍ／Ｈｔとして）を１００　ｓｃ
ｃｍ。

ＣｔＨ，をＩ　２０ｓｃｃｍとなるように設定して、反
応室（１２）内へ流入した。夫々の流量が安定した後に
、反応室（１２）の内圧が１　、　ＯＴｏｒｒとなるよ
うに調整した。一方、導電性基板（８）としては、直径
８０１Ｉ１ｍのアルミニウムドラムを用いて２５０℃に
予め加熱しておき、各ガス流量が安定し、内圧が安定し
た状態で高周波電源（３２）を投入し、電極板（３３）
に２００　ｗａｔｔｓの電力（周波数１３．５６ＭＨｚ
）を印加してグロー放電を発生させり。このグロー放電
を３．５分間持続して行ない、導電性基板（８）上に水
素、硼素を含む厚さ約０．３５μｍの第１層（１）を形
成した。

工程（２）； 第１層形成後、高周波電源からの電力印加を停止するこ
となく、調節弁（１７）を切ってＣ，Ｈ，のマス７０−
コントローラー（２９）の流量を３０秒以内にＯにした
。他の条件は工程（１）と同様にして、膜厚０，０５μ
ｍの第２層を形成した。

工程（３）： 第２層形成後、高周波電源（３２）から電力印加を停止
するとともに、マスフローコントローラーの流量を０設
定にし、反応室（１２）内を十分脱気した。

その後、第１タンク（１９）よりＨ，ガスを４００ＳＣ
ＣＩ１１％第２タンク（２０）より１００％Ｓ　ｉ　Ｈ
４を２００　ｓｅｃｍ。

第３タンク（２１）よりＨ３で２００　ｐｐｍに希釈さ
れたＢ　ｔ　Ｈａガスを２０　ｓｅｃｍ、および第６タ
ンク（２４）より０！ガスを２　ｓｅｃｍ反応室内部に
流入させ、内圧を１．０Ｔｏｒｒに調整したうえで高周
波電源を投入して３００　ｗａｔｔｓの電力を印加した
。約４時間放電を続け、約２８μｍの第３層（３）を形
成した。

工程（４）： 工程（３）終了後、高周波電源からの電力印加を停止す
ると共にマスフローコントローラーの流量をＯに設定し
、反応室内を十分脱気した。次いで、ガス流量および成
膜条件を以下のごとく設定して膜厚１．２μｍの第４層
を形成した。

工程（５）： 工程（４）終了後、第５層から第７層をそれぞれ電力印
加を停止することなく、また、反応室内を脱気せず、マ
スフローコントローラーを調整することによりガス組成
のみを３０秒以内に、表−１に示すごとく変えて成膜し
た。

成膜条件は以下の通りである。

表−１ Ｇｅ１（＋はタンク（２２）、調節弁（１６）およびマ
スフローコントローラー（２８）により導入した。

上で得た感光体Ａの組成を表−２に示す。

表−２ なお、上記実施例において、キャリアガスとしてＨ，を
用いたが、他の不活性ガス、例えばＡｒ等を用いてもよ
く、Ｓｔ源としては、Ｓ　ｉ、Ｈ，等のガスを用いても
よく、Ｃ源としてはＣ３Ｈｓ、ＣＨ，、Ｃｔ　Ｈｔ＋等
を用いてもよく、Ｃ源としてはＮ　ｔ　０１ＮＯ等を用
いてもよい。また、電極構成は、第２図のごときＣ結合
の他、Ｌ結合でもよい。

なお、本実施例では電力はマツチングボックスを介して
印加した。

実施例２ 第５層の膜厚を下記のごとくする以外、実施例１と同様
にして感光体Ｂ、ＣおよびＤを製造した。

感光体　　　　　　　第５層膜厚 Ｂ　　　　　　　　　Ｏ，２μｍ Ｃ１，０μｍ Ｄ　　　　　　　　　３．０μｍ 実施例３ ＧｅＨ，の流量を変えて第５層のＧｅの含量を変える以
外、実施例１と同様にして、以下の感光体Ｅ、Ｆおよび
Ｇを得た。

塩恰匹 第５層を設けない以外は実施例１と同様にして感光体Ｈ
を得た。

実施例４ 上記実施例１および２および比較例で得られた感光体Ａ
、Ｂ、Ｃ，ＤおよびＨを６００Ｖにコロナ帯電した後、
１５０Ｖに明減衰するのに必要なエネルギーを測定し、
これによって分光感度を測定したところ、第３図に示す
結果を得た。図中、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）お
よび（Ｈ）は、それぞれ対応する感光体ＡＳＢ、Ｃ，Ｄ
、Ｈから得られた結果を示す。線軸は波長（ｎｍ）、経
軸は感度（ｓｃｍ／ｅｒｇ）を示す。

実施例５ 感光体ＡＳＥ、ＦＳＧおよびＨの分光感度を実施例４と
同様にして測定した。結果を第４図に示す。図中、（Ａ
）、（Ｅ）、（Ｆ）および（Ｈ）は各記号に対応する感
光体で得られる結果を示す。

１肛ｊ且 本発明は、長波長感度に優れた感光体を得ることができ
、第５層中のＧｅ含量を調節するか、厚さを調節するこ
とにより、長波長感度の調整が可能となる。また、画像
安定性が高く、実用上のあらゆる特性において優れた性
質を有する感光体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明感光体の構成を示す模式図、第２図は製
造装置図、第３図および第４図は感光体の長波長感度を
示す図である。 （１）第１層　　　　（２）第２層 （３）第３層　　　　（４）第４層 （５）第５層　　　　（６）第６層 （７）第７層　　　　　（８）導電性基板第１図 第２図 第３５１１ 機長（ｎｍ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、ａ−Ｓｉ：Ｃを母体とする第１の層とａ−Ｓｉを母
   体とする第２の層から成る第１の層領域と、ａ−Ｓｉを
   母体とする第３の層から成る第２の層領域と、ａ−Ｓｉ
   を母体とする第４の層とａ−Ｓｉ：Ｇｅを母体とする第
   ５の層とａ−Ｓｉを母体とする第６の層とａ−Ｓｉ：Ｃ
   を母体とする第７の層から成る第３の層領域とを、導電
   性基板上にこの順に有し、かつ各層領域間に明確なジャ
   ンクションが形成されている感光体。