JPS5938753A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
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- JPS5938753A JPS5938753A JP15026082A JP15026082A JPS5938753A JP S5938753 A JPS5938753 A JP S5938753A JP 15026082 A JP15026082 A JP 15026082A JP 15026082 A JP15026082 A JP 15026082A JP S5938753 A JPS5938753 A JP S5938753A
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- amorphous silicon
- thin film
- layer
- glow discharge
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は電子写真に用層られる′電子写真感光体の製造
方法に関する。
方法に関する。
従来、電子写−代に用いられる１１を子写Ａ：感光体に
おいては、２、導電性基板上に、ブロッキング層として
の薄層およびアモルファスシリコン（ａ−８ｌ）層をこ
の順に積ｊ※し、薄層によって２ｊｆ電性基板側からア
モルファスシリコン層へのキャリアの流入を阻止すると
ともに電磁波照射にてアモルファスシリコン層中に生じ
導１（Ｌ性基板に向かつて移動するキャリアのアモルフ
ァスシリコン層から導電性基板側への通過を可能にする
ようにしたものが知られている。
おいては、２、導電性基板上に、ブロッキング層として
の薄層およびアモルファスシリコン（ａ−８ｌ）層をこ
の順に積ｊ※し、薄層によって２ｊｆ電性基板側からア
モルファスシリコン層へのキャリアの流入を阻止すると
ともに電磁波照射にてアモルファスシリコン層中に生じ
導１（Ｌ性基板に向かつて移動するキャリアのアモルフ
ァスシリコン層から導電性基板側への通過を可能にする
ようにしたものが知られている。
ところで、上記薄層は、通常、ポリビニルブチラール、
ポリカーボネイト等であり、塗布によシ導電性基板上に
形成され、上記アモルファスシリコン層は薄層形成後、
通常、基板温度を２００〜３５０℃の範囲にして成膜さ
れる。このため、塗布により形成された薄層はアモルフ
ァスシリコン層の成膜によって有機高分子の熱劣化が起
き、その結果、ブロッキング層としての効果が減少する
ばかりか、アモルファスシリコン層のはがれの原因とな
る。
ポリカーボネイト等であり、塗布によシ導電性基板上に
形成され、上記アモルファスシリコン層は薄層形成後、
通常、基板温度を２００〜３５０℃の範囲にして成膜さ
れる。このため、塗布により形成された薄層はアモルフ
ァスシリコン層の成膜によって有機高分子の熱劣化が起
き、その結果、ブロッキング層としての効果が減少する
ばかりか、アモルファスシリコン層のはがれの原因とな
る。
本発明を」上記１１清にもとづいてなされたもので、そ
の目的とするところは、薄層の熱劣化がなく、以て薄層
がブロッキング層として十分に機能するとともに°アモ
ルファスシリコン層のはがれが生じないよう＆れした電
子写真感光体の製造方法ｔ ′４ｆｌ供することにある
。
の目的とするところは、薄層の熱劣化がなく、以て薄層
がブロッキング層として十分に機能するとともに°アモ
ルファスシリコン層のはがれが生じないよう＆れした電
子写真感光体の製造方法ｔ ′４ｆｌ供することにある
。
〔発明の４既要〕
本発明は、導電性基板上に少なくとも酸素（０２） 、
チッ素（Ｎ２）および炭化水素を含む混合ガスのグロー
放電に上るプラズマ重合によって薄ＩＷｊを成膜し、つ
いでこの薄層上に少なくともシランヲ含むグロー放（５
，を用いてアモルファスシリコン層を成膜するようにし
たことを／Ｆ！？徴とする方法である。
チッ素（Ｎ２）および炭化水素を含む混合ガスのグロー
放電に上るプラズマ重合によって薄ＩＷｊを成膜し、つ
いでこの薄層上に少なくともシランヲ含むグロー放（５
，を用いてアモルファスシリコン層を成膜するようにし
たことを／Ｆ！？徴とする方法である。
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する
。第１図および第２図（伐木発明に係る電子写真感光体
の製造方法を実施するためのす いる。チャンバ２内には対向電極３が設けられ、この対
向電極３の内部にはがス通路４が設けられている。また
、対向電′４ＩｊＬ３の内周面には」二記がス通路４に
連通する噴出孔５が多数￥Ｉ１．設され、さらに上記ガ
ス通路４にはガス導入管６が接続されている。また、上
記チャン・ぐ２内の底部にはモーターによって駆動され
るターン戸−プル８が設けられ、このターンテーブル８
−Ｅには導電性基板としてのＡｔドラム基板９が載置さ
れているとともにヒーター０が上記Ａｔドラム基板９内
に固設されている。また、上記ベースｌには上記チャン
バ２内と連通ずる排出管１１が接続さ）ｔ、との排出管
ＪＩＫは拡散、＋９７ノ１２およびロータリー７１？ン
プ１３が配設されている。
。第１図および第２図（伐木発明に係る電子写真感光体
の製造方法を実施するためのす いる。チャンバ２内には対向電極３が設けられ、この対
向電極３の内部にはがス通路４が設けられている。また
、対向電′４ＩｊＬ３の内周面には」二記がス通路４に
連通する噴出孔５が多数￥Ｉ１．設され、さらに上記ガ
ス通路４にはガス導入管６が接続されている。また、上
記チャン・ぐ２内の底部にはモーターによって駆動され
るターン戸−プル８が設けられ、このターンテーブル８
−Ｅには導電性基板としてのＡｔドラム基板９が載置さ
れているとともにヒーター０が上記Ａｔドラム基板９内
に固設されている。また、上記ベースｌには上記チャン
バ２内と連通ずる排出管１１が接続さ）ｔ、との排出管
ＪＩＫは拡散、＋９７ノ１２およびロータリー７１？ン
プ１３が配設されている。
しかして、ガス導入管６を介して酸素（０２）。
チッ素（Ｎ２） 、ｆａ臆相和炭化水素よび水素（Ｎ２
）の混合がスをチャンバ２内導入し、チャンバ２内を所
定圧力にするとともに図示し々いラソオフレクエンシー
’１ｌｉＩ、源から対向電極３に所定電圧を印加すると
、接地されたＡｔドラム基板９と対向電極３との間に上
記混合ガスのプラズマ状態が生シｐｌ＜ ３図に示すよ
うにＡｔドラム基板９上に薄層１４が成膜される。すな
わち、この薄層１４は上記混合ガスのグロー放電による
プラズマ重合によって成膜さり、る。成膜されなかった
混合ガスし」：拡散づ？ンプノ２およびロータリーＩン
プ１３の作動により刊出管１１を介して外部に排［１−
１さＪする。
）の混合がスをチャンバ２内導入し、チャンバ２内を所
定圧力にするとともに図示し々いラソオフレクエンシー
’１ｌｉＩ、源から対向電極３に所定電圧を印加すると
、接地されたＡｔドラム基板９と対向電極３との間に上
記混合ガスのプラズマ状態が生シｐｌ＜ ３図に示すよ
うにＡｔドラム基板９上に薄層１４が成膜される。すな
わち、この薄層１４は上記混合ガスのグロー放電による
プラズマ重合によって成膜さり、る。成膜されなかった
混合ガスし」：拡散づ？ンプノ２およびロータリーＩン
プ１３の作動により刊出管１１を介して外部に排［１−
１さＪする。
ついで、ガス導入管６を介してシランを含むガ゛スを導
入し、上記同様にプラズマ状態を生じさせると、上記ｎ
Ｒｒａ上にはアモルファスシリコン層１５が成膜される
。この成膜時ＡｔドラＡＪｔ［９ｈ１５０〜３５０℃に
維持さｈる。
入し、上記同様にプラズマ状態を生じさせると、上記ｎ
Ｒｒａ上にはアモルファスシリコン層１５が成膜される
。この成膜時ＡｔドラＡＪｔ［９ｈ１５０〜３５０℃に
維持さｈる。
以上のよう圧して製造される電子写真感光（１ζ１６で
は、薄層１４は熱的にきわめて安定で３５０℃の加熱で
も化学的物理的に変化しないので、アモルファスシリコ
ン層１５が基板温度を１５０〜３５０℃の範囲にして成
膜されるｕ、ｌｒにおいても熱劣化しない。また、この
薄層１４は１０１３〜１０１５０ｍの高抵抗となる。し
た力よって、薄ＩＷ４１４は１０〜１００Ｘの層Ｊｉ７
でブロッキング層として十分に機能するとともにアモル
ファスシリコン層１５のはがれを生じさせない。
は、薄層１４は熱的にきわめて安定で３５０℃の加熱で
も化学的物理的に変化しないので、アモルファスシリコ
ン層１５が基板温度を１５０〜３５０℃の範囲にして成
膜されるｕ、ｌｒにおいても熱劣化しない。また、この
薄層１４は１０１３〜１０１５０ｍの高抵抗となる。し
た力よって、薄ＩＷ４１４は１０〜１００Ｘの層Ｊｉ７
でブロッキング層として十分に機能するとともにアモル
ファスシリコン層１５のはがれを生じさせない。
なお、本発明は上記実施例に限定されず、たとえば飽和
炭化水素のかわりに不り和炭化水寧を用いてもよい。
炭化水素のかわりに不り和炭化水寧を用いてもよい。
以上説明したように本発明によれば、４霜、性基板上に
少なくとも酸素（０２）、チッ素（Ｎ２）および炭化水
素を含む混合ガスのグロー放電によるプラズマ重合によ
って薄層を成膜し、ついでこの薄層上に少なくともシラ
ンを含むグロー／７々′１匡を用いてアモルファスシリ
コン層ｆ： 成膜するようにしたから、薄層の熱劣化が
なく、以て薄層がブロッキング層として十分に機能する
とともにアモルファスシリコン層のはがれが生じない等
優れた効果を奏する。
少なくとも酸素（０２）、チッ素（Ｎ２）および炭化水
素を含む混合ガスのグロー放電によるプラズマ重合によ
って薄層を成膜し、ついでこの薄層上に少なくともシラ
ンを含むグロー／７々′１匡を用いてアモルファスシリ
コン層ｆ： 成膜するようにしたから、薄層の熱劣化が
なく、以て薄層がブロッキング層として十分に機能する
とともにアモルファスシリコン層のはがれが生じない等
優れた効果を奏する。
第１図は本発明に係る電子写Ｘ感光体の製造方法を実施
するための成膜装置の一実施例を示す縦断正面図、＠２
図は同実施例の横断平面図、第３図は同実施例によシ製
造された電子写真感光体を示す断面図である。 ９・・・導電性基板（Ａｔドラム基板）、１４・・・薄
Ｍ、ｔｓ・・・アモルファスシリコン、Ｑ、１ｇ・・・
電子写真感光体。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦手続補正書 昭和 年 月 日 特許庁長゛白 若 杉 和 夫 殿１、事件の表示 特願昭５７−１５０２６０号 ２、発明の名称 ７ｕ子写真感光体の製造方法 ３、補正をする者 事件と。関係 ％ 許出１１ 人 （３（１７）東京芝浦電気株式会社 ４、代理人 ５ 自 発？１１１１１− ７、補正の内容 は）特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 （２） 明細書、第３頁第１９行目〜第２０ｈ目の［
シランを含むグロー放電」を「シリコンを含むガスのグ
ロー放゛市」と１正する。 （３） 明細書、第５頁第１７ ｑ’ｊ目〜第３８
ｈ目の「シランを含むガスを」を１シリコンを含むガス
（シラン）を」と訂正する。 （４）明細１．、第６頁第２０１］目の［シランを含む
グロー放電」を１シリコンを含むガスのグロー放電」と
訂正する。 ２、特許請求の範囲 （１） 導電性基板上に少なくとも酸素Ｃ０Ｑ）。 ブーン素（Ｎ２ ）および炭化水素を含む混合ガスのグ
ロー放電によるグラズマ重合によってγυｉ層を成膜し
、ついでこの薄層上に少なくともシリコンを含むガスの
グロー放電ヲ用いてアモルファスシリコン層を成膜する
ようにしたことを特徴とする電子写真感光体の製造方法
。 （２１炭化水素は飽和炭化水素である特許請求の範囲第
１項記戦の電子写真感光体の製造方法。 （３）炭化水素は不飽和炭化水素である特許請求の範囲
第１項記載の電子写真感光体の製造方法。 （４） 混合ガスは水素（Ｎ２）を含む特許請求の範
囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の電子’ｔ’、
：真感光体の製造方法。 （５） 導電性基板は伺質がアルミニウムである特許
請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の′電
子写真感光体の製造方法。
するための成膜装置の一実施例を示す縦断正面図、＠２
図は同実施例の横断平面図、第３図は同実施例によシ製
造された電子写真感光体を示す断面図である。 ９・・・導電性基板（Ａｔドラム基板）、１４・・・薄
Ｍ、ｔｓ・・・アモルファスシリコン、Ｑ、１ｇ・・・
電子写真感光体。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦手続補正書 昭和 年 月 日 特許庁長゛白 若 杉 和 夫 殿１、事件の表示 特願昭５７−１５０２６０号 ２、発明の名称 ７ｕ子写真感光体の製造方法 ３、補正をする者 事件と。関係 ％ 許出１１ 人 （３（１７）東京芝浦電気株式会社 ４、代理人 ５ 自 発？１１１１１− ７、補正の内容 は）特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 （２） 明細書、第３頁第１９行目〜第２０ｈ目の［
シランを含むグロー放電」を「シリコンを含むガスのグ
ロー放゛市」と１正する。 （３） 明細書、第５頁第１７ ｑ’ｊ目〜第３８
ｈ目の「シランを含むガスを」を１シリコンを含むガス
（シラン）を」と訂正する。 （４）明細１．、第６頁第２０１］目の［シランを含む
グロー放電」を１シリコンを含むガスのグロー放電」と
訂正する。 ２、特許請求の範囲 （１） 導電性基板上に少なくとも酸素Ｃ０Ｑ）。 ブーン素（Ｎ２ ）および炭化水素を含む混合ガスのグ
ロー放電によるグラズマ重合によってγυｉ層を成膜し
、ついでこの薄層上に少なくともシリコンを含むガスの
グロー放電ヲ用いてアモルファスシリコン層を成膜する
ようにしたことを特徴とする電子写真感光体の製造方法
。 （２１炭化水素は飽和炭化水素である特許請求の範囲第
１項記戦の電子写真感光体の製造方法。 （３）炭化水素は不飽和炭化水素である特許請求の範囲
第１項記載の電子写真感光体の製造方法。 （４） 混合ガスは水素（Ｎ２）を含む特許請求の範
囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の電子’ｔ’、
：真感光体の製造方法。 （５） 導電性基板は伺質がアルミニウムである特許
請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の′電
子写真感光体の製造方法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）導１１１．性基板上に少なくとも酸素（０２）、
チツ″’Ｒ（Ｎ２）および炭化水素を庁む混合ガスのグ
ロー放電によるプラズマ車台によって薄層ｆｃ成膜し、
ついで仁の薄層上に少なくともシランを含むグローＪｉ
’ｙ 電を用いてアモルファスシリコ７７１を成１１ｉ
するようにしたことを特徴とする電子写真感光体の製造
方法。 （２）炭化水素はｆＩａ和炭化炭化水素る特許請求の範
囲第１項記載の電子写真感光体の製造方法〇（３）炭化
水素ｔよ不を１和炭化水素である特許請求のｆｌｉｉ’
Ｊ囲第１項記載のｖ＋９子写真感光体の製造方法。 （４）ｉｔ？、 合がスは水素（Ｈｚ）を含む特許請求
の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の電子写真
感光体７体のＩＪｔ！！遣方法。 （５）導電性基板は利質がアルミニウムである特許請求
の範囲第１項ないし第４項のいずｈかに記載の電子写真
感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15026082A JPS5938753A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 電子写真感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15026082A JPS5938753A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5938753A true JPS5938753A (ja) | 1984-03-02 |
Family
ID=15493046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15026082A Pending JPS5938753A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5938753A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4738912A (en) * | 1985-09-13 | 1988-04-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an amorphous carbon transport layer |
| US4741982A (en) * | 1985-09-13 | 1988-05-03 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having undercoat layer of amorphous carbon |
| US4743522A (en) * | 1985-09-13 | 1988-05-10 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with hydrogen-containing carbon layer |
| US4749636A (en) * | 1985-09-13 | 1988-06-07 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with hydrogen-containing carbon layer |
| US4810606A (en) * | 1986-07-07 | 1989-03-07 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer |
| US4851313A (en) * | 1986-06-10 | 1989-07-25 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer and process for preparing same |
| US4863821A (en) * | 1986-07-07 | 1989-09-05 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer having amorphous carbon |
| US4863820A (en) * | 1985-07-01 | 1989-09-05 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having amorphous silicon-germanium layer and process for producing same |
| US4868076A (en) * | 1986-09-26 | 1989-09-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer |
| US4871632A (en) * | 1986-09-26 | 1989-10-03 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer |
| US5000831A (en) * | 1987-03-09 | 1991-03-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Method of production of amorphous hydrogenated carbon layer |
| US5166018A (en) * | 1985-09-13 | 1992-11-24 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with hydrogen-containing carbon layer |
-
1982
- 1982-08-30 JP JP15026082A patent/JPS5938753A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4863820A (en) * | 1985-07-01 | 1989-09-05 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having amorphous silicon-germanium layer and process for producing same |
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| US4743522A (en) * | 1985-09-13 | 1988-05-10 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with hydrogen-containing carbon layer |
| US4749636A (en) * | 1985-09-13 | 1988-06-07 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with hydrogen-containing carbon layer |
| US5166018A (en) * | 1985-09-13 | 1992-11-24 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with hydrogen-containing carbon layer |
| US4851313A (en) * | 1986-06-10 | 1989-07-25 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer and process for preparing same |
| US4810606A (en) * | 1986-07-07 | 1989-03-07 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer |
| US4863821A (en) * | 1986-07-07 | 1989-09-05 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer having amorphous carbon |
| US4868076A (en) * | 1986-09-26 | 1989-09-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer |
| US4871632A (en) * | 1986-09-26 | 1989-10-03 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer |
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