JPS62257173A - 電子写真用感光体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発胡は、アモルファスシリコンを母材とする光導電性
材料からなる感光１を有する電子写真用感光体の製造装
置に関する。

〔従来技術とその問題点〕

静電式複写機あるいは電算膿プリンタなどに使用される
電子写真用感光体の光導電性材料として従来セレン、セ
レン−テルル、硫化カドミウム。

酸化亜鉛などの無機材料およびＰＶＫ−ＴＮＦなどの有
機材料が使用されてきた。前記各材料は、感光体として
それぞれ利点を存するものの、耐刷性に欠ける。あるい
は感度が低いなどの欠点を有しており、また材料が毒性
を有するものもあるなどの問題があり、感光体に要求さ
れる性能を必ずしも充分満足しているとはいい難い。

これらに対しアモルファスシリコン（ａ−３ｉ）材料は
耐刷性、耐熱性にに優れ、特に環境汚染に対する影響が
少ないことから、近年注目を集めている。

ａ−Ｓ　ｉの製造方法としては、スパッタリング法、プ
ラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法が行われている。この方法
は反応容器内を真空に減圧し、ＳｉＨ，やＳ＋Ｆ。

などの原料ガスを供給して、外部からの直流または高置
′ｅ電力によってグロー放電を起こさせ、原料ガスを分
解し反応容器内に配置された基体上にａ−Ｓ　ｉ膜を堆
積させるものである。この方法で成膜されたａ−Ｓ　ｉ
は、禁制帯中に存在する局在孕位が少なく、光導電性が
大きくかつ高抵抗化することが可能であり、電子写真用
感光体として要求される光感度特性、温度特性１機械的
強度、耐久性などの緒特性を充分満足しうる侵れた性質
を有していることが知られており、このａ−３ｉ感光体
の性能および製造技術は実用化の段階に至っている。

電子写真用ａ−３ｉｇ光体を製造する装置として、例え
ば第３図のような型式のプラズマＣＶＤ装置ｌが知られ
ている。図中２は円筒状導電性基体であり、３は高周波
電圧印加可能な対向電極である。

円筒状導電性基体２の内側には加熱ヒータ４があり、基
体を内側より加熱する。また５は対向電極をとりまくア
ース板で対向電極と基体以外との間で放電が起こること
を防止している。そしてこのアース板にはヒータ６がと
りつけられていて対向７４％を加熱できるようになって
いる。基体はその円筒軸を軸として回転可能で成膜の均
一化が図られている。

円筒状導電性基体２と対向電極３との間でグロー放電を
起こし基体２上にａ−３ｉ膜を堆積させるのである。

これらの系は真空槽７により囲われており、排気口３を
通し真空ポンプにより排気される。原料ガスは導入バイ
ブ９を通し供給されるようになっている。

このような装置を用いれば電子写真用感光体を製造する
ことが可能である。しかしこのような装置であると対向
電極全体を均一な温度に保持することが困難であり、成
膜中に対向電極の温度の低い部分には原料ガスがグロー
放電分解したときの副生成物であるＳｉ粉が付着したり
、また、温度の高い部分では成膜されたａ−Ｓ　ｉ膜が
剥離したりして基体上に成膜されるａ−３ｉ膜の外観に
多大な欠陥を及ぼす原因となっている。この欠陥は画像
の欠陥の原因となる。また、基体の表面温度は内側のヒ
ータだけによって加熱されるのではなく対向電極からの
輻射熱にも影響を受ける。そのため対向電極の温度分布
が悪いと基体の表面温度の分布にもむらができ同一の感
光体内に特性のばらつきが生じ画像の１度むらの原因と
なる。

基体の表面温度の分布を良くするために基体内側にヒー
トバイブを設置した製造装置もあるが、やはりこれだけ
では基体表面温度の完全な均一化は図れない。

以上のように、このような装置では電子写真用として実
用にだえうる感光体を作製するのは極めて困難である。

〔発明の目的〕

本発明は以上の点に鑑みてなされたもので、ａ−３ｉを
母材とする光導電性材料からなる感光層を均一な膜質お
よび高品質の外観で製造することができる感光体製造装
置を提供することを目的とする。

〔発明の要点〕

本発明の目的は、所定圧に減圧可能な反応容器内に配置
された円筒状導電性基体と、この基体と所定の間隔をお
いて配置された対向電極との間に高周波電圧を印加して
グロー放電を発生させ、反応容器内に導入される原料ガ
スを分解させて基体表面上に感光層を形成する電子写真
用感光体製造装置において、対向電極をヒートパイプと
することによって達成される。

〔発明の実施例〕

以下に本発明の実施例を添付の図面を参照して説明する
。

第１図は本発明の一実施例の反応容器の構成を概略的に
示したものであり円筒状導電性基体ＩＯは該基体を回転
可能に支持する支持体１１に挿入設置されている。この
支持体はヒートパイプで作られており、内部に加熱手段
を有している。ヒートパイプを用いた対向電極１２は導
電性基体から適宜距離をおいて配設され高周波電源１３
が接続されている。１４は対向電極と基体以外との間で
放電が起こるのを防止するために対向電極の極めて近く
に設置されたアース板であり前記基体および反応容器１
５と同様接地されている。またこのアース仮には対向電
極加熱用のヒータ１６が取りつけられている。

原料ガスは導入管１７から所定のガスを所定の流債で導
入するようになっており、また、排気管１８の他端は真
空ポンプに連結させてあって、反応容器内のガスを排気
し真空度を適宜調節できるようになっている。

第１図のような反応容器を有する感光体製造装匿を模式
的に示したものが第２図である。この装置では、容量結
合による高周波電力がグロー放電に用いられており高周
波電源１３により供給される。

円筒状導電性基！ｔ１０は支持体１１と共にモーフ１９
により軸まわりに自転させられ、ヒートパイプでできた
支持体により一様に加熱される。また流量制御装置を有
する反応ガス供給装置２０から供給されるガスは、導入
管１７の噴出口より噴出され他方排気装置２１より排気
口１８を通して排出される。かかる構成の装置により感
光体を製造する場合は、円筒状導電性基体と対向電極と
を所定の温度に加熱しつつ反応容器内にＳｉＨ，ガスを
導入し対向電極に高周波電圧を印加すると電極・基体間
でグロー放電が生じＳｉＨ，分子が分解されて基体上お
よび対向電極上にａ−Ｓｉ：Ｈ膜が堆積する。この放電
期間中、基体は支持体によりその円中心を軸として自転
を継続し基体の周面に水素化アモルファスシリコン（ａ
−３ｉ：　Ｈ）　膜が均一な膜厚で形成される。この際
、基体は内側の支持体を兼ねたヒートバイブにより一様
に加熱される一方、ヒートパイプでできた対向電極から
の一様な輻射熱を受け、その表面温度を全面均一にかつ
良い感光層特性の得られる適切な温度に容易に保持する
ことができる。そのため、基体の表面温度のばらつきに
よって生じる膜質の不均一性はなくなり、全体にわたっ
て均一な膜厚。

均一な膜質の感光体を製造することができる。

また、対向電極の方も電極全体を適切な温度に保つこと
ができるので、副生成物であるＳ１扮が付着したり、堆
積したａ−５ｉ：　Ｈ膜が剥離したりするのを防止する
ことができ、そのため、それらに起因していた感光体の
表面欠陥をなくすことができる。

以上のように本実施例の装置を用いれば高品質・高性能
の感光体を製造することができる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、高周波電圧を印加する対向電極にヒー
トバイブを用いたので対向電極の温度分布が非常に均一
となり、対向電極全表面上に均一なａ−３ｉ膜が堆積す
るので電極表面にむらが生じることな（グロー放電が均
一に発生するので基体表面へのａ−３ｉ膜の成膜が非常
に均一に行われることになる。また、対向電極上にａ−
Ｓｉ粉が付着して再飛散したり、対向電極上のａ−Ｓ　
ｉ膜が剥離脱落することもなくなるので、これらにより
基体上に成膜されるａ−３ｉ膜の外観が損傷を受けるこ
ともなくなる。さらに、対向電極から基体への熱の影響
が均一になるため、基体の表面温度がより一定で均一に
保たれるようになるため、堆積するａ−３ｉ膜の膜質の
ばらつきが少なくなり、均質でかつ高品質な感光体を製
造することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の反応容器の概念的構成図、
第２図は本発明による感光体製造Ｊｊｃ置の一実施例の
全体を示す模式図、第３図は従来の感光体製造装置の反
応容器の概念的槽ｆｉ、図である。 ｌＯ導電性基体、１１　　支持体、１２　　対向電極、
１３　　高周波電源、１４　　アース板、１５　　反応
容器、１６　　電極加熱用ヒータ、１７　　原料ガス導
入口、１８第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）所定圧に減圧可能な反応容器内に配置された円筒状
   導電性基体と該基体と所定の間隔をおいて配置された対
   向電極との間に高周波電圧を印加してグロー放電を発生
   させ、前記反応容器内に導入される原料ガスを分解させ
   て前記基体表面上に感光層を形成する電子写真用感光体
   の製造装置において、前記対向電極がヒートパイプでで
   きていることを特徴とする電子写真用感光体製造装置。