JPS6333573A - 電子写真用感光体製造装置 - Google Patents
電子写真用感光体製造装置Info
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- JPS6333573A JPS6333573A JP17506586A JP17506586A JPS6333573A JP S6333573 A JPS6333573 A JP S6333573A JP 17506586 A JP17506586 A JP 17506586A JP 17506586 A JP17506586 A JP 17506586A JP S6333573 A JPS6333573 A JP S6333573A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、プラズマＣＶＤ法により導電性基体上にアモ
ルファスシリコン系材料からなる感光層を形成する電子
写真用感光体の製造装置に関する。
ルファスシリコン系材料からなる感光層を形成する電子
写真用感光体の製造装置に関する。
水素化アモルファスシリコン（ａ−３ｉ ： Ｈ）系材
料は、光感度が優れ、硬度が高く、耐熱性も良好で、特
に環境汚染の心配もないことから、電子写真用感光体に
利用できる光導電性材料として近年注目されている。
料は、光感度が優れ、硬度が高く、耐熱性も良好で、特
に環境汚染の心配もないことから、電子写真用感光体に
利用できる光導電性材料として近年注目されている。
ａ−Ｓｉ：Ｈ膜の製造方法としては、スパッタ法、プラ
ズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法などが知られているが、感光
体の感光層として成膜するときには主に高周波（ＲＦ）
グロー放電によるプラズマＣＶＤ法が用いられる。この
方法は反応容器内を真空に減圧し、原料ガスとしてシリ
コン（Ｓｉ）を含むガス。
ズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法などが知られているが、感光
体の感光層として成膜するときには主に高周波（ＲＦ）
グロー放電によるプラズマＣＶＤ法が用いられる。この
方法は反応容器内を真空に減圧し、原料ガスとしてシリ
コン（Ｓｉ）を含むガス。
例えばＳｉＨ，などを導入し、反応容器内に配置された
導電性基体を一方の電極とし、これに対向する電極との
間にＲＦ雷電圧印加してグロー放電によりプラズマを現
出させ、原料ガスを分解して基体上にａ−３ｉ ： Ｈ
膜を形成し感光層とする。この方法でなくて光導１性が
大きく、またシボラン（［＋２１＋、）。
導電性基体を一方の電極とし、これに対向する電極との
間にＲＦ雷電圧印加してグロー放電によりプラズマを現
出させ、原料ガスを分解して基体上にａ−３ｉ ： Ｈ
膜を形成し感光層とする。この方法でなくて光導１性が
大きく、またシボラン（［＋２１＋、）。
フォスフイン（ＰＨ３） などのガスを原（４ガスに
混合して分解成膜することにより電導度制御が可能で高
抵抗化することができ、価電子制御も可能であり、さら
に炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、酸素（０）などをａ−３＋
：ｆｌ膜中に導入することもでき、感光体として要求さ
れる光感度特性、温度特性１機械的強度。
混合して分解成膜することにより電導度制御が可能で高
抵抗化することができ、価電子制御も可能であり、さら
に炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、酸素（０）などをａ−３＋
：ｆｌ膜中に導入することもでき、感光体として要求さ
れる光感度特性、温度特性１機械的強度。
耐久性などを充分満足しうる侵れた性質を有しているこ
とが知られており、このようなａ−３＋：ｌ（系材料か
らなる感光層を６する感光体は性能面でも製造技術面で
も実用化の段階に至っている。
とが知られており、このようなａ−３＋：ｌ（系材料か
らなる感光層を６する感光体は性能面でも製造技術面で
も実用化の段階に至っている。
アモルファスシリコン系材料からなる感光層を有する感
光体を製造する装置として、例えば第２図に示すような
型式のプラズマＣＶＤ装置が知られている。第２図にお
いて、反応容器１００ は排気管１７０ を介して真空
排気系（図示されてはいない）に連結されており、原料
ガス導入管１６０を介して原料ガス供給系（図示されて
はいない）に連結されている。反応容器１００ 内には
、一方の電極となる支持軸１２０ と対向電極１３０
が設けられている。
光体を製造する装置として、例えば第２図に示すような
型式のプラズマＣＶＤ装置が知られている。第２図にお
いて、反応容器１００ は排気管１７０ を介して真空
排気系（図示されてはいない）に連結されており、原料
ガス導入管１６０を介して原料ガス供給系（図示されて
はいない）に連結されている。反応容器１００ 内には
、一方の電極となる支持軸１２０ と対向電極１３０
が設けられている。
支持軸１２０ はその軸まわりに回転可能で、かつ、温
度制御されており、装着される導電性円筒状基体１１０
を円筒軸のまわりに回転可能に支持し、その温度を所
定の値に制御する。１４０ は対向電極をとりまくアー
ス電極で、対向電極１３０ と基体１１０との間以外で
放電が起こることを防止する。アース電極１４０ には
ヒータ１５０が取り付けられており、対向電極１３０を
加熱できるようになっている。
度制御されており、装着される導電性円筒状基体１１０
を円筒軸のまわりに回転可能に支持し、その温度を所
定の値に制御する。１４０ は対向電極をとりまくアー
ス電極で、対向電極１３０ と基体１１０との間以外で
放電が起こることを防止する。アース電極１４０ には
ヒータ１５０が取り付けられており、対向電極１３０を
加熱できるようになっている。
このような装置を用い、反応容器１００ を排気管１７
０ を介して真空に排気し、原料ガス導入管１６０より
原料ガス、例えばシランガス（Ｓ＋ｌＬ）を供給し、高
周波電Ｒ１８０より電力を供給して基体１１０ と対向
電極１３０ との間でグロー放電を起こし、原料ガスを
分解して基体１１０ 上にａ−３＋：Ｈを堆積させ成膜
し感光層を形成する。そのとき、基体１１０ および対
向電極１３０の温度を所定の値に制御し、また、基体１
１０を回転させて、形成されるａ−３＋：Ｈ膜の膜厚、
膜質の均一化が図られているが、このような方式の装置
では対向電極全体を均一な温度に保持することは困難で
ある。グロー放電による原料ガスの分解生成物は、対向
電極面にも付着堆積するが、成膜中に対向電極の温度の
低い部分には副生成物であるＳｉ扮が微粉状で付着し、
それが再度飛散する。また、高温部では堆積成膜された
ａ−５ｉ ： Ｈが剥離しＳｉ細片となって飛散する。
０ を介して真空に排気し、原料ガス導入管１６０より
原料ガス、例えばシランガス（Ｓ＋ｌＬ）を供給し、高
周波電Ｒ１８０より電力を供給して基体１１０ と対向
電極１３０ との間でグロー放電を起こし、原料ガスを
分解して基体１１０ 上にａ−３＋：Ｈを堆積させ成膜
し感光層を形成する。そのとき、基体１１０ および対
向電極１３０の温度を所定の値に制御し、また、基体１
１０を回転させて、形成されるａ−３＋：Ｈ膜の膜厚、
膜質の均一化が図られているが、このような方式の装置
では対向電極全体を均一な温度に保持することは困難で
ある。グロー放電による原料ガスの分解生成物は、対向
電極面にも付着堆積するが、成膜中に対向電極の温度の
低い部分には副生成物であるＳｉ扮が微粉状で付着し、
それが再度飛散する。また、高温部では堆積成膜された
ａ−５ｉ ： Ｈが剥離しＳｉ細片となって飛散する。
このようなｓｌの微粉や細片が基体表面に飛来すると基
体上に成膜されるａ−８ｉ：Ｈ膜は損傷を受は外観上欠
陥が発生し、このような欠陥は感光体として使用したと
きの画像欠陥の原因となる。さらに、基体の表面温度は
対向電極からの輻射熱の影響を大きく受ける。
体上に成膜されるａ−８ｉ：Ｈ膜は損傷を受は外観上欠
陥が発生し、このような欠陥は感光体として使用したと
きの画像欠陥の原因となる。さらに、基体の表面温度は
対向電極からの輻射熱の影響を大きく受ける。
従って、対向電極の温度分布が不均一であると基体の表
面温度の分布にもむらができ、ａ−３ｉ：Ｈ膜が均一に
形成されず、膜厚、膜質にばらつきが生じ、その結果、
得られた同一の感光体内に特性のばらつきが生じ、画像
濃度むらの原因となる。
面温度の分布にもむらができ、ａ−３ｉ：Ｈ膜が均一に
形成されず、膜厚、膜質にばらつきが生じ、その結果、
得られた同一の感光体内に特性のばらつきが生じ、画像
濃度むらの原因となる。
基体の表面温度の分布を良くするために、基体内側にヒ
ートパイプを設置した製造装置もあるが、まだ、表面温
度の充分な均一化は実現されるに至っていない。
ートパイプを設置した製造装置もあるが、まだ、表面温
度の充分な均一化は実現されるに至っていない。
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであって、ａ
−３ｉ：Ｈ系材料からなる感光層を有し、特性のばらつ
きが少なく外観良好で良質な画像の得られる感光体の製
造装置を提供することを目的とする。
−３ｉ：Ｈ系材料からなる感光層を有し、特性のばらつ
きが少なく外観良好で良質な画像の得られる感光体の製
造装置を提供することを目的とする。
本発明の目的は、プラズマＣＶＤ法でａ−３ｉ：Ｉｔを
成膜して感光層を形成する装置において、対向電極をヒ
ートパイプにより構成することによって達成される。
成膜して感光層を形成する装置において、対向電極をヒ
ートパイプにより構成することによって達成される。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図は本発明による製造装置の反応容器の構成の一例
を示す要部断面図であり、基本的には第２図に示したも
のと同様なプラズマＣＶＤ装置であり、第２図と共通な
部分には同一符号が付しである。支持軸１２０ は嵌着
された導電性円筒状基体１１０ をその軸のまわりに回
転可能に支持する。この支持軸１２０ はヒートパイプ
で作られており、内部に加熱手段を有する。対向電極１
３０ は電極板１３１ と支持体１３２ とからなる
が、４個のヒートパイプからなる電極板１３１ は支持
軸１２０から所定間隔をおいて設置された支持体１３２
の支持軸従って基体に対向する面に脱着可能に取り付け
られており、支持体１３２ には高周波電源１８０が接
続されている。１４０ は対向電極と基体との間以外で
放電が起こるのを防止するために対向電極に極めて近く
それを囲うように設置されたアース板であり、基体１１
０ および反応容器１００ と同様に接地されている。
を示す要部断面図であり、基本的には第２図に示したも
のと同様なプラズマＣＶＤ装置であり、第２図と共通な
部分には同一符号が付しである。支持軸１２０ は嵌着
された導電性円筒状基体１１０ をその軸のまわりに回
転可能に支持する。この支持軸１２０ はヒートパイプ
で作られており、内部に加熱手段を有する。対向電極１
３０ は電極板１３１ と支持体１３２ とからなる
が、４個のヒートパイプからなる電極板１３１ は支持
軸１２０から所定間隔をおいて設置された支持体１３２
の支持軸従って基体に対向する面に脱着可能に取り付け
られており、支持体１３２ には高周波電源１８０が接
続されている。１４０ は対向電極と基体との間以外で
放電が起こるのを防止するために対向電極に極めて近く
それを囲うように設置されたアース板であり、基体１１
０ および反応容器１００ と同様に接地されている。
また、このアース板１４０ には対向電極１３０を加熱
するための電極加熱用ヒータ１５０が取り付けられてい
る。原料ガス導入管１６０および排気管１７０ はそれ
ぞれ図示されていない原料ガス供給系および真空排気系
に連結されている。
するための電極加熱用ヒータ１５０が取り付けられてい
る。原料ガス導入管１６０および排気管１７０ はそれ
ぞれ図示されていない原料ガス供給系および真空排気系
に連結されている。
かかる構成の装置により感光体を製造する場合には、反
応容器内を真空排気し、円筒状基体と対向電極とを所定
温度に加熱しつつ、例えばＳｉＨ，ガスを所定の流量、
ガス圧で導入し、対向電極に高周波電圧を印加して基体
一対向電極間でグロー放電を発生させ５ｉｌ１４ガスを
分解させて基体上にａ−Ｓ ｉｚ■を堆積成膜させる。
応容器内を真空排気し、円筒状基体と対向電極とを所定
温度に加熱しつつ、例えばＳｉＨ，ガスを所定の流量、
ガス圧で導入し、対向電極に高周波電圧を印加して基体
一対向電極間でグロー放電を発生させ５ｉｌ１４ガスを
分解させて基体上にａ−Ｓ ｉｚ■を堆積成膜させる。
この放電期間中、基体はその軸まわりの回転を継続して
おり、基体の周面にａ−３ｉ：Ｈ膜が均一な膜厚で形成
される。また、基体は内側の支持軸を兼ねたヒートパイ
プにより一様に加熱される一方、複数個のヒートパイプ
からなる対向電極の電極板から一様な輻射熱を受けるの
で、その表面温度を全面均一に、かつ、所定の温度に容
易に保持することができる。従って、基体の表面温度を
優れた特性を示す感光層を形成できる温度にばらつきな
く維持し、均一な膜厚、膜質を有し優れた特性の感光層
からなる感光体を製造することが可能となる。
おり、基体の周面にａ−３ｉ：Ｈ膜が均一な膜厚で形成
される。また、基体は内側の支持軸を兼ねたヒートパイ
プにより一様に加熱される一方、複数個のヒートパイプ
からなる対向電極の電極板から一様な輻射熱を受けるの
で、その表面温度を全面均一に、かつ、所定の温度に容
易に保持することができる。従って、基体の表面温度を
優れた特性を示す感光層を形成できる温度にばらつきな
く維持し、均一な膜厚、膜質を有し優れた特性の感光層
からなる感光体を製造することが可能となる。
さらに、対向電極の電極板全面を適切な温度にばらつき
なく保つことができるので、電極板面に付着したＳ１粉
の飛散、あるいは堆積したａ−３ｉ：Ｈ膜の剥離飛散を
防止することができ、これらに起因して、いた感光体の
表面欠陥を無くすことができる。
なく保つことができるので、電極板面に付着したＳ１粉
の飛散、あるいは堆積したａ−３ｉ：Ｈ膜の剥離飛散を
防止することができ、これらに起因して、いた感光体の
表面欠陥を無くすことができる。
そして、また、感光体を製造した後、対向電極を清掃す
る際、電極板が脱着可能な複数個のヒートパイプで構成
されているため、それぞれ取りはずし、酸などの洗浄が
非常に容易である。従って、反応容器の清掃に費やす時
間が短縮できる。
る際、電極板が脱着可能な複数個のヒートパイプで構成
されているため、それぞれ取りはずし、酸などの洗浄が
非常に容易である。従って、反応容器の清掃に費やす時
間が短縮できる。
本発明によれば、プラズマＣＶＤ法でａ−Ｓ ｉ ：
Ｈを成膜して感光層を形成し感光体を製造する装置にお
いて、対向電極をヒートパイプとする。このような構成
とすることにより、対向電極の外部からの９例えばアー
ス板を介しての加熱と温度制御を適切に行うと、・対向
電極表面を所定の温度に、かつ、均一な温度分布に保つ
ことができ、対向電極面に付着した原料ガス分解物をす
べてａ−Ｓ ｉ膜状に成膜でき、対向電極面からの剥離
、飛散がなくなり、基体上に成膜されたａ−Ｓ ｉ ：
Ｈ膜に損傷を与えることはなくなる。また、対向電極
から基体表面への輻射熱も均一になり、基体の表面も所
定温度に均一な温度分布で保たれるため、膜厚、膜質が
均一なａ−３ｉ：）Ｉからなる感光層が形成される。か
くして、特性ばらつきが少なく、外観良好で、良質な画
像の得られる電子写真用感光体を製造することが可能と
なる。
Ｈを成膜して感光層を形成し感光体を製造する装置にお
いて、対向電極をヒートパイプとする。このような構成
とすることにより、対向電極の外部からの９例えばアー
ス板を介しての加熱と温度制御を適切に行うと、・対向
電極表面を所定の温度に、かつ、均一な温度分布に保つ
ことができ、対向電極面に付着した原料ガス分解物をす
べてａ−Ｓ ｉ膜状に成膜でき、対向電極面からの剥離
、飛散がなくなり、基体上に成膜されたａ−Ｓ ｉ ：
Ｈ膜に損傷を与えることはなくなる。また、対向電極
から基体表面への輻射熱も均一になり、基体の表面も所
定温度に均一な温度分布で保たれるため、膜厚、膜質が
均一なａ−３ｉ：）Ｉからなる感光層が形成される。か
くして、特性ばらつきが少なく、外観良好で、良質な画
像の得られる電子写真用感光体を製造することが可能と
なる。
また、対向電極を支持体とこれに脱着可能に取り付けら
れる複数個のヒートパイプからなる電極板とにより構成
することにより、感光体の製造後の対向電極の清掃が容
易となり、製造装置の稼働も効率良くなる利点も生じる
。
れる複数個のヒートパイプからなる電極板とにより構成
することにより、感光体の製造後の対向電極の清掃が容
易となり、製造装置の稼働も効率良くなる利点も生じる
。
第１図は本発明による製造装置の一実施例の反応容器の
構成を示す要部断面図、第２図は従来の製造装置の反応
容器の構成の一例を示す要部断面図である。
構成を示す要部断面図、第２図は従来の製造装置の反応
容器の構成の一例を示す要部断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）減圧可能な反応容器内に配設され軸まわりに自転可
能な棒状支持軸に同軸に支持された導電性円筒状基体と
対向電極との間に電圧を印加してグロー放電を発生させ
、導入された原料ガスを分解して前記導電性円筒状基体
上に感光層を形成する電子写真用感光体製造装置におい
て、前記対向電極がヒートパイプでできていることを特
徴とする電子写真用感光体製造装置。 ２）特許請求の範囲第１項記載の製造装置において、対
向電極が支持体と該支持体の導電性円筒状基体に対向す
る面に脱着可能に取り付けられた複数個のヒートパイプ
からなる電極板とにより構成されていることを特徴とす
る電子写真用感光体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17506586A JPS6333573A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 電子写真用感光体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17506586A JPS6333573A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 電子写真用感光体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6333573A true JPS6333573A (ja) | 1988-02-13 |
Family
ID=15989618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17506586A Pending JPS6333573A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 電子写真用感光体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6333573A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5133986A (en) * | 1990-10-05 | 1992-07-28 | International Business Machines Corporation | Plasma enhanced chemical vapor processing system using hollow cathode effect |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP17506586A patent/JPS6333573A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5133986A (en) * | 1990-10-05 | 1992-07-28 | International Business Machines Corporation | Plasma enhanced chemical vapor processing system using hollow cathode effect |
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