JPS59147353A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
- Publication number
- JPS59147353A JPS59147353A JP2192783A JP2192783A JPS59147353A JP S59147353 A JPS59147353 A JP S59147353A JP 2192783 A JP2192783 A JP 2192783A JP 2192783 A JP2192783 A JP 2192783A JP S59147353 A JPS59147353 A JP S59147353A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gas
- resistance
- intermediate layer
- tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14704—Cover layers comprising inorganic material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は少なくともアモルファスシリコンを含む光導電
層を有する感光体に関する。
層を有する感光体に関する。
従来技術
ここ数年、グロー放電分解法やスパッタリング法によっ
て生成されるアモルファスシリコン（ａｍｏｒｐｂｏｕ
ｓ ５ｉｌｉｃｏｎ、以下ａ−５ｉ と略す）の感光
体への応用が注目されてきている。また同様に長波長舶
載の感度を向上して半導体レーザによる作像ヲ可能とす
るアモルファスシリコン−ゲルマニウム（以下ａ−８ｉ
：Ｇｅ）の応用も注目されている。これはａ−５ｉ 、
ａ−５ｉ：Ｇｅが従来のセレンやＣｄｓ感光体と比し
゛Ｃ耐環境汚染性、耐熱性、摩耗性、光感度特性等にお
いて一段と優れているためである。
て生成されるアモルファスシリコン（ａｍｏｒｐｂｏｕ
ｓ ５ｉｌｉｃｏｎ、以下ａ−５ｉ と略す）の感光
体への応用が注目されてきている。また同様に長波長舶
載の感度を向上して半導体レーザによる作像ヲ可能とす
るアモルファスシリコン−ゲルマニウム（以下ａ−８ｉ
：Ｇｅ）の応用も注目されている。これはａ−５ｉ 、
ａ−５ｉ：Ｇｅが従来のセレンやＣｄｓ感光体と比し
゛Ｃ耐環境汚染性、耐熱性、摩耗性、光感度特性等にお
いて一段と優れているためである。
しかしながら、ａ −８ｉ 、 ａ −５ｉ ：Ｇｅ
は暗抵抗が不充分に低くその才までは電荷保持層を兼
ねた光導′ｌ−１ｉ屓として使用てきないという欠点が
ある。このため、酸素や窒素を含有させてその暗抵抗を
向上させることが提案されているが、達ｌこ光１Ｍ度が
低ドするという欠点かあり、その含有量も制限がある。
は暗抵抗が不充分に低くその才までは電荷保持層を兼
ねた光導′ｌ−１ｉ屓として使用てきないという欠点が
ある。このため、酸素や窒素を含有させてその暗抵抗を
向上させることが提案されているが、達ｌこ光１Ｍ度が
低ドするという欠点かあり、その含有量も制限がある。
このことより、例えば特開昭５７−１１５５５１号公報
に示されるようにａ−５ｉ光導電１６＋ Ｌに多情の炭
素を含むａ−５ｉ絶樟層を形成して電荷保持の向」−を
図ることか考えられる。しかしながら、この場合、ａ
−８ｉ先導電層と絶縁層の抵抗値がかなり違うことより
、その界７Ｈ１で発生するチャージキャリアの一部が界
面から絶縁層に移動できず連続複写時には次第に蓄積さ
れて画像流れを生じる。つまり、チャージキャリアか界
面に沿って次第にたまり、ａ−５ｉ光導’ｒ−ｉｆ ｌ
ｉ：Ｉｌｌぞのものの抵抗が低いことより横方向に流わ
、結果的に画像か滲む画像流れが生じるのである。
に示されるようにａ−５ｉ光導電１６＋ Ｌに多情の炭
素を含むａ−５ｉ絶樟層を形成して電荷保持の向」−を
図ることか考えられる。しかしながら、この場合、ａ
−８ｉ先導電層と絶縁層の抵抗値がかなり違うことより
、その界７Ｈ１で発生するチャージキャリアの一部が界
面から絶縁層に移動できず連続複写時には次第に蓄積さ
れて画像流れを生じる。つまり、チャージキャリアか界
面に沿って次第にたまり、ａ−５ｉ光導’ｒ−ｉｆ ｌ
ｉ：Ｉｌｌぞのものの抵抗が低いことより横方向に流わ
、結果的に画像か滲む画像流れが生じるのである。
発明の１」的
本発明は以−にの事実に鑑みて成されたもので、その１
」的とするところは、繰り返し被写においても画像流れ
かＩＭこることがなく、電荷保持に優れ長期に７１Ｗり
良好な画像を形鱗することのできる感光体を提供するこ
とにある。
」的とするところは、繰り返し被写においても画像流れ
かＩＭこることがなく、電荷保持に優れ長期に７１Ｗり
良好な画像を形鱗することのできる感光体を提供するこ
とにある。
発明の裏を旨
本発明の要旨は、尊重性基板上にアモルファスシリコン
ヲ含ム光導電層と、アモルファスシリコンを含み該光導
電層より冒抵抗でその抵抗値が層において一定乃至は順
次高くなる中間層と、該中間層より高抵抗な絶縁透光性
オーバコート層を順次積層してなる感光体にある。
ヲ含ム光導電層と、アモルファスシリコンを含み該光導
電層より冒抵抗でその抵抗値が層において一定乃至は順
次高くなる中間層と、該中間層より高抵抗な絶縁透光性
オーバコート層を順次積層してなる感光体にある。
以下、本発明につき詳細に説明する。
第１図は本発明に係る感光体の構成を示し、（１）は導
電性基板で、その−１−に少なくともａ−３ｉを含む基
板ｆｉｌｌ−に形成されるａ−５ｉを含む）し導電層（
２）は例えはグロー放電分解法によって５乃至１００ミ
クロン、好ましくは１０乃至６０ミクロンに生成される
。−例とし７−ｓｉ山、５ｉ２１（６ガス等をＴ−Ｔ２
、Ａｒ等をキャリアーガスとして用い減圧可能な反応室
内に送り込み、高周波電力印加の下にクロー放電を起こ
ｌｙで基板−Ｌに水素を含むａ−５ｉ光導電層であって
もよく、更にはＧｅＨ４ガスを並行し７て送り込み形成
したａ−８ｉ；Ｇｃ光導電層でもよい。もっともこのよ
うにして得られる光導電層は暗抵抗が不充分に低いので
、暗抵抗の向」−の目的のために周期律表第１１１Ａ族
不純物（好ましくは硼素）、微量の酸素、１、（素、窒
素等を含有さ法でもよい。これに関し光感バ（特性をさ
ほど低下させることなく微量の酸素と１０乃至２０００
０ｐｐｍの硼素を含有してなるａ−５ｉ光導電層の一例
として特開昭５６−１５６８３４号公報に示されるもの
がある。
電性基板で、その−１−に少なくともａ−３ｉを含む基
板ｆｉｌｌ−に形成されるａ−５ｉを含む）し導電層（
２）は例えはグロー放電分解法によって５乃至１００ミ
クロン、好ましくは１０乃至６０ミクロンに生成される
。−例とし７−ｓｉ山、５ｉ２１（６ガス等をＴ−Ｔ２
、Ａｒ等をキャリアーガスとして用い減圧可能な反応室
内に送り込み、高周波電力印加の下にクロー放電を起こ
ｌｙで基板−Ｌに水素を含むａ−５ｉ光導電層であって
もよく、更にはＧｅＨ４ガスを並行し７て送り込み形成
したａ−８ｉ；Ｇｃ光導電層でもよい。もっともこのよ
うにして得られる光導電層は暗抵抗が不充分に低いので
、暗抵抗の向」−の目的のために周期律表第１１１Ａ族
不純物（好ましくは硼素）、微量の酸素、１、（素、窒
素等を含有さ法でもよい。これに関し光感バ（特性をさ
ほど低下させることなく微量の酸素と１０乃至２０００
０ｐｐｍの硼素を含有してなるａ−５ｉ光導電層の一例
として特開昭５６−１５６８３４号公報に示されるもの
がある。
光導電層（２）上に形成されるａ−５ｉを含む中間層（
３）はやはり同様に例えばグロ一枚重分解法によって厚
さ００１乃至２ミクロン、好ましくは１ミクロンＤ、下
に生成される。この中間層（３）はその抵抗値か光導電
層（２）より高く、層全体を通してその抵抗値が略一定
であるか或いは光導電層（２）との界面より後述するオ
ーバコート層に向かって順次高くなるよう形成される。
３）はやはり同様に例えばグロ一枚重分解法によって厚
さ００１乃至２ミクロン、好ましくは１ミクロンＤ、下
に生成される。この中間層（３）はその抵抗値か光導電
層（２）より高く、層全体を通してその抵抗値が略一定
であるか或いは光導電層（２）との界面より後述するオ
ーバコート層に向かって順次高くなるよう形成される。
具体的には、ａ−５ｉ乃至はａ−８ｉ ：Ｇｃに酸素、
炭素、窒素を含有せしめることにより抵抗の向上を図る
ことができる。即ち、グロー放電分解法による場合、Ｓ
１ｒ−（＋ （及びＧｅＨ４）ガスと並行して例えば
０２、Ｃ２Ｈ４、ＮＴ（３ガス等を導入することにより
酸素、炭素または窒素を含有した高抵抗のλ−８ｉまた
はａ−８ｉ：Ｇｅ中間層が形成される。このとき、中間
層の抵抗値をその層全体に渡って一定とするときは５ｉ
ｒ−１４（及びＧｃＩ−１４）ガスに対し常に一定流量
の０２、Ｃ２Ｔ−１４、ＮＴ−Ｔ ａガスを流すように
すればよく、また抵抗値を１１（＠次高くなるようにす
るときは、０２．０２山、ＮＩ−（３ガスの流計を徐々
に増加させて流すようにすればよい。尚、中間層（３）
ハそれ自体光導′市外を有する必要がないので、比較的
多搦の酸素、炭素、窒素を含有して抵抗値をかなり高く
することかできるか、光導電層より極度に高くした場合
、ア それとの界面をチャージキャリ→か移動できないことと
なるので、このようなことが生じない程度の抵抗値とす
るのが好ましい。この意味で中間層（３）の抵抗値が順
次高くなるようにすれば、抵抗値にかなりの１−いを持
たせることかでき、好都合である。
炭素、窒素を含有せしめることにより抵抗の向上を図る
ことができる。即ち、グロー放電分解法による場合、Ｓ
１ｒ−（＋ （及びＧｅＨ４）ガスと並行して例えば
０２、Ｃ２Ｈ４、ＮＴ（３ガス等を導入することにより
酸素、炭素または窒素を含有した高抵抗のλ−８ｉまた
はａ−８ｉ：Ｇｅ中間層が形成される。このとき、中間
層の抵抗値をその層全体に渡って一定とするときは５ｉ
ｒ−１４（及びＧｃＩ−１４）ガスに対し常に一定流量
の０２、Ｃ２Ｔ−１４、ＮＴ−Ｔ ａガスを流すように
すればよく、また抵抗値を１１（＠次高くなるようにす
るときは、０２．０２山、ＮＩ−（３ガスの流計を徐々
に増加させて流すようにすればよい。尚、中間層（３）
ハそれ自体光導′市外を有する必要がないので、比較的
多搦の酸素、炭素、窒素を含有して抵抗値をかなり高く
することかできるか、光導電層より極度に高くした場合
、ア それとの界面をチャージキャリ→か移動できないことと
なるので、このようなことが生じない程度の抵抗値とす
るのが好ましい。この意味で中間層（３）の抵抗値が順
次高くなるようにすれば、抵抗値にかなりの１−いを持
たせることかでき、好都合である。
中間層（３目二に積層される絶縁透光性のオーツ１：］
−ト層（４）は中間層より高抵抗で電荷保持能力に榎れ
でいるものであれは任意の相貫のものを使用することか
でき、膜厚にして約０．ｔ）］乃至３ミクロンに形成す
るのか望ましい。オーバコート層を構成するものの−例
としてａ−５ｉに比較的多用で中間層より（４多犀に酸
素、炭素、窒素を含有してなるものを使用することかで
きる。この場合、光導電層、中間層を生成する製造装置
と同一装置でもって製造できるという利点があり、また
材質面でも光導電層、中間層と類似していることよりａ
−５ｉ本来の有する優れた耐熱性、硬度、歴任性等の特
徴をオーバコート層においても備えることかできる。ま
たオーバコート層はアクリル樹脂、シリコン樹脂等の熱
乃至は光硬化性樹脂を溶剤に分散して塗布することによ
って形成してもよい。尚、これらオーバコート層は優れ
た電荷保持特性を保証するために］ ０ ’ ３Ωｏｎ
以」−の抵抗を有するものを用いる必要かある。
−ト層（４）は中間層より高抵抗で電荷保持能力に榎れ
でいるものであれは任意の相貫のものを使用することか
でき、膜厚にして約０．ｔ）］乃至３ミクロンに形成す
るのか望ましい。オーバコート層を構成するものの−例
としてａ−５ｉに比較的多用で中間層より（４多犀に酸
素、炭素、窒素を含有してなるものを使用することかで
きる。この場合、光導電層、中間層を生成する製造装置
と同一装置でもって製造できるという利点があり、また
材質面でも光導電層、中間層と類似していることよりａ
−５ｉ本来の有する優れた耐熱性、硬度、歴任性等の特
徴をオーバコート層においても備えることかできる。ま
たオーバコート層はアクリル樹脂、シリコン樹脂等の熱
乃至は光硬化性樹脂を溶剤に分散して塗布することによ
って形成してもよい。尚、これらオーバコート層は優れ
た電荷保持特性を保証するために］ ０ ’ ３Ωｏｎ
以」−の抵抗を有するものを用いる必要かある。
上述のような構成の感光体にあっては、繰り返し複写に
よっても画像流れが起こるということはなく、長１す１
に渡り良好な画像を形成することかできる。これを具体
的に説明すると、静電潜像形成のための均一帯電（例え
ば正極性）に引き続いて画像露光を行うと、光導電層（
２）の中間層（３）界面近傍でチャージキャリアが発生
する。これにより正孔は基板（１）側へと移動する一方
、Ｍ−”Ｆは中間層（３）及びオーバコート層（４）を
移動して表面の正電荷を中和し静電潜像を形成する。こ
の際、電子は中間Ｐ（３）及びオーバコート層（４）の
抵抗か１頃次高くなっているのでほとんど途中で捕獲さ
れることなく移動する。また電子の一部が中間層（３）
において捕獲され、繰り返し複写により徐々に蓄積され
たとしても、中間層（３）そのものの抵抗が高いので電
子が横方向に流れて画像流れを生じるということはない
。
よっても画像流れが起こるということはなく、長１す１
に渡り良好な画像を形成することかできる。これを具体
的に説明すると、静電潜像形成のための均一帯電（例え
ば正極性）に引き続いて画像露光を行うと、光導電層（
２）の中間層（３）界面近傍でチャージキャリアが発生
する。これにより正孔は基板（１）側へと移動する一方
、Ｍ−”Ｆは中間層（３）及びオーバコート層（４）を
移動して表面の正電荷を中和し静電潜像を形成する。こ
の際、電子は中間Ｐ（３）及びオーバコート層（４）の
抵抗か１頃次高くなっているのでほとんど途中で捕獲さ
れることなく移動する。また電子の一部が中間層（３）
において捕獲され、繰り返し複写により徐々に蓄積され
たとしても、中間層（３）そのものの抵抗が高いので電
子が横方向に流れて画像流れを生じるということはない
。
次に本発明に係る感光体を製造するための容１１１結合
型グロー放電分解装置について説明する。第２図におい
て、第１、第２、第３、第４タンク（５）、（６）、（
７）、（８）には夫々Ｈ２，５ｉＩ−Ｌ＋、Ｂ２Ｈ６，
０２ガスか密封さねている。ここで第１タンク（５）の
Ｉ−１２ガスはＳｉＨ４ガスのキャリアーガスである。
型グロー放電分解装置について説明する。第２図におい
て、第１、第２、第３、第４タンク（５）、（６）、（
７）、（８）には夫々Ｈ２，５ｉＩ−Ｌ＋、Ｂ２Ｈ６，
０２ガスか密封さねている。ここで第１タンク（５）の
Ｉ−１２ガスはＳｉＨ４ガスのキャリアーガスである。
但し１目ガスに代ってＡｒ、Ｉｌｅを用いてもよい。ま
たＢ２Ｔ−（６ガスのキャリアーも水素である。尚、中
間層（３）及びオーバコート層（４）に酸素に代って炭
素あるいは窒素を含有するときは、別途、Ｃ２Ｈ４また
はＮｒ１３ガスか密封された第５タンクを用意する必要
がある。また、ゲルマニウムを含むときも別途ＧｅＩ（
４ガスのタンクを用意する。これら第１〜第４タンクの
ガスは第１、第２、第３、第４調整弁（９）、（１０）
、（１１）、（１２）を開成することにより放出され、
その流量かマスフローコントローラ（１３）、（］／Ｉ
）、（１５）、（１６）により規制され、第１乃至第３
タンク（５）、（６）、（力からのガスは第１主管（１
７）へと、また第４タンク（８）からの酸素ガスは第２
主管（１８）へと送られる。尚、（１９）、（２ｏ）、
（２］）、（２２）、（２３）、（２４）は止め弁であ
る。
たＢ２Ｔ−（６ガスのキャリアーも水素である。尚、中
間層（３）及びオーバコート層（４）に酸素に代って炭
素あるいは窒素を含有するときは、別途、Ｃ２Ｈ４また
はＮｒ１３ガスか密封された第５タンクを用意する必要
がある。また、ゲルマニウムを含むときも別途ＧｅＩ（
４ガスのタンクを用意する。これら第１〜第４タンクの
ガスは第１、第２、第３、第４調整弁（９）、（１０）
、（１１）、（１２）を開成することにより放出され、
その流量かマスフローコントローラ（１３）、（］／Ｉ
）、（１５）、（１６）により規制され、第１乃至第３
タンク（５）、（６）、（力からのガスは第１主管（１
７）へと、また第４タンク（８）からの酸素ガスは第２
主管（１８）へと送られる。尚、（１９）、（２ｏ）、
（２］）、（２２）、（２３）、（２４）は止め弁であ
る。
第１及び第２主管（１７）、（］８）を通じて流れるガ
スは反応室（２５）において第３主管（２６）で合流す
る。
スは反応室（２５）において第３主管（２６）で合流す
る。
反応室（２５）内にはその表面にａ−５ｉ光導電層か形
成されるアルミニウム、ステンｌ／ス、Ｎｌ１ＳＡガラ
スのような導電性基板（２７）がモータ（２８）により
回転可能であるターンテーブル（２９）Ｊ−に載置され
ており、該基板（２７）自体は電気的に接地されるとと
もに適当な加熱手段により約１００乃至４００℃、好ま
しくは１５０乃＋ ３ｏｏ ℃の温度に均一加熱されて
いる。（３０）は導電性基板（２７）を包囲する関係に
設けられた円筒状の電極板で筒周波電源（３１）に接続
されるとともに、その内部は空洞に形成され外壁部に第
３、第４主管（２６）、（３２）が接続されている。ま
た電極板（３０）の内壁面には図示しないガス放出孔が
形成され第３主管（２６）より導入される生成ガスをり
電性基板（２７）表面に噴出させる。噴出孔より放出さ
れたガスは分解される一方、やはり内壁面（こ形成した
ガス吸引孔より吸引されて？３４主管（３２）を介して
排出されるようになっている。尚、高周波電源（３１）
からは電極板（３０）に約０．０５乃至１．５ｋｉｌｏ
ｗａｔｔｓの高周波電力が印加されるようになっており
、その周波数は１乃至５０ＭＬ−１ｚが適当である。更
に反応室（２５）の内部は光導電層、中間層及びオーバ
コート層形成時に高度の真空状態（放電圧、０５乃至２
０Ｔｏ ｒ ｒ ）を必要とすることにより回転ポンプ
（３３）と拡散ポンプ（３４）に連結されている。
成されるアルミニウム、ステンｌ／ス、Ｎｌ１ＳＡガラ
スのような導電性基板（２７）がモータ（２８）により
回転可能であるターンテーブル（２９）Ｊ−に載置され
ており、該基板（２７）自体は電気的に接地されるとと
もに適当な加熱手段により約１００乃至４００℃、好ま
しくは１５０乃＋ ３ｏｏ ℃の温度に均一加熱されて
いる。（３０）は導電性基板（２７）を包囲する関係に
設けられた円筒状の電極板で筒周波電源（３１）に接続
されるとともに、その内部は空洞に形成され外壁部に第
３、第４主管（２６）、（３２）が接続されている。ま
た電極板（３０）の内壁面には図示しないガス放出孔が
形成され第３主管（２６）より導入される生成ガスをり
電性基板（２７）表面に噴出させる。噴出孔より放出さ
れたガスは分解される一方、やはり内壁面（こ形成した
ガス吸引孔より吸引されて？３４主管（３２）を介して
排出されるようになっている。尚、高周波電源（３１）
からは電極板（３０）に約０．０５乃至１．５ｋｉｌｏ
ｗａｔｔｓの高周波電力が印加されるようになっており
、その周波数は１乃至５０ＭＬ−１ｚが適当である。更
に反応室（２５）の内部は光導電層、中間層及びオーバ
コート層形成時に高度の真空状態（放電圧、０５乃至２
０Ｔｏ ｒ ｒ ）を必要とすることにより回転ポンプ
（３３）と拡散ポンプ（３４）に連結されている。
以−１−の構成の容量結合型グロー放電分解装置におい
て、まずａ−５ｉ光導電層を導電性基板（２７）−Ｊ＝
、に形成するに際しては第１、第２調整弁（９）、（１
，０）を開放して適Ｌ＄な流量比Ｃ第１、第２タンク（
５）、（６）より１−１２．５ｉ）ｌ＋カスを、また必
要に応じて第４調整弁（１２）を開放して第４タンク（
８）より酸素ガスを、更に硼素を含有するときは第３調
整弁（１１）を開放して第３タンク（７）よりＢ２Ｈ６
ガスを放出する。放出量はマスフローコントローラ（１
３）、（１４）、（１５）、（１６）により規制され、
Ｈ２をキャリアーガスとする５ｉＩ−１４ガスあるいは
それにＢ２Ｈ６ガスが混合されたガスが第］主管（１７
）を介して、またそれとともに５ｉＩ−Ｌ＋に対し一定
のモル比にある酸素ガスが第２主管（１８）を介して送
られ、反応室内部の第３主管（２６）で合流し電極板（
３０）内に送られる。そしてガス放出孔からガスが均一
放出されることに加えて、反応室（２５）内部が０５乃
至２．００Ｔｏ ｒ ｒ 程度の真空状態、基板温度
が１００乃至４００℃、電極板（３０）への高周波電力
が００５乃至１．５ｋ ｉ ｌ ｏｗａ ｔ ｔ ｓ、
また周波数か１乃至５０ＭＨｚに設定されていることに
相俟ってグロー放電が起こり、ガスが分解して基板上に
少なくとも水素を含有したａ−５ｉ光導電層が約０５乃
至５ミクロン／６０ 分の早さで形成される。
て、まずａ−５ｉ光導電層を導電性基板（２７）−Ｊ＝
、に形成するに際しては第１、第２調整弁（９）、（１
，０）を開放して適Ｌ＄な流量比Ｃ第１、第２タンク（
５）、（６）より１−１２．５ｉ）ｌ＋カスを、また必
要に応じて第４調整弁（１２）を開放して第４タンク（
８）より酸素ガスを、更に硼素を含有するときは第３調
整弁（１１）を開放して第３タンク（７）よりＢ２Ｈ６
ガスを放出する。放出量はマスフローコントローラ（１
３）、（１４）、（１５）、（１６）により規制され、
Ｈ２をキャリアーガスとする５ｉＩ−１４ガスあるいは
それにＢ２Ｈ６ガスが混合されたガスが第］主管（１７
）を介して、またそれとともに５ｉＩ−Ｌ＋に対し一定
のモル比にある酸素ガスが第２主管（１８）を介して送
られ、反応室内部の第３主管（２６）で合流し電極板（
３０）内に送られる。そしてガス放出孔からガスが均一
放出されることに加えて、反応室（２５）内部が０５乃
至２．００Ｔｏ ｒ ｒ 程度の真空状態、基板温度
が１００乃至４００℃、電極板（３０）への高周波電力
が００５乃至１．５ｋ ｉ ｌ ｏｗａ ｔ ｔ ｓ、
また周波数か１乃至５０ＭＨｚに設定されていることに
相俟ってグロー放電が起こり、ガスが分解して基板上に
少なくとも水素を含有したａ−５ｉ光導電層が約０５乃
至５ミクロン／６０ 分の早さで形成される。
所望の膜厚の２−３ｉ光導電層（２）が形成されると、
連続しであるいは一旦クロー放電を中断した後、中間層
（３）を形成する。これは第１乃至第１１タンク（５）
、（６）、（７）、（８）よりガスを放出することによ
り行われるか、第４タンク（８）からの０２ガスの流１
計を増大させることにより抵抗値の向］−を図る。中間
層として一定の抵抗を持たせるときは０２ガスの流ｉｉ
１を一定に保った状態でグロー放電を起こせばよく、ま
た順次高くなるようにするときは０２ガスの流量を除々
に増加させるようにする。こうして酸素を含有したａ−
Ｓｉ中間層（３）が形成されると、次に同様の方法でオ
ーバコート層（４）を形成する。但し、このときの第４
タンク（８）からの０２ガスの流量を中間層形成時より
更に増加させた下でグロー放電を起こし、中間層より大
なる抵抗のオーバコート層（４）をする。もっとも中間
層形成時に例えば０２の流計を徐々に増加していった場
合、最大流量となったところで同一流量の下にオーバコ
ート層を形成してもよい。尚、オーバコート層はグロー
放電によらず、樹脂を塗布により形成してもよいことは
前述した通りである。
連続しであるいは一旦クロー放電を中断した後、中間層
（３）を形成する。これは第１乃至第１１タンク（５）
、（６）、（７）、（８）よりガスを放出することによ
り行われるか、第４タンク（８）からの０２ガスの流１
計を増大させることにより抵抗値の向］−を図る。中間
層として一定の抵抗を持たせるときは０２ガスの流ｉｉ
１を一定に保った状態でグロー放電を起こせばよく、ま
た順次高くなるようにするときは０２ガスの流量を除々
に増加させるようにする。こうして酸素を含有したａ−
Ｓｉ中間層（３）が形成されると、次に同様の方法でオ
ーバコート層（４）を形成する。但し、このときの第４
タンク（８）からの０２ガスの流量を中間層形成時より
更に増加させた下でグロー放電を起こし、中間層より大
なる抵抗のオーバコート層（４）をする。もっとも中間
層形成時に例えば０２の流計を徐々に増加していった場
合、最大流量となったところで同一流量の下にオーバコ
ート層を形成してもよい。尚、オーバコート層はグロー
放電によらず、樹脂を塗布により形成してもよいことは
前述した通りである。
実験例１
第２図に示すグロー放電分解装置におし）で、まず回転
ポンプ（３３）を、それに続いて拡散ポンプ（３４）を
作動させ反応室（２５）の内部を１０ ’ Ｔｏ ｒ
ｒ 程度の高広空にした後、第１乃至第４調整弁（９）
、（１０）、（１１）、（１２）を開放し、第１タンク
（５）よりＨ２力゛ス、第２タンク（６）より）Ｔ２で
３０％に希釈されたＳｉＨ４力゛ス、第３タンク（７）
よりＴ（２で４００ＰＰｍに希釈されたＢ２Ｈ６ガス、
更に第４タンク（８）より０２ガスを１七力圧ゲージ１
での下でマスフローコントローラ（１３）、（１４）、
（１５）、（１６）内へ流入させた。そして各マスフロ
ーコントローラの目盛を調整してＩ（２の流計を２７７
ｓｅｃｍ、ＳｉＨ４を３００ｓｃｃｍＳＢ２Ｈ６を２３
ｓ ｃ ｃｍ、 ０２を２．ＯｓＣＣｍとなるように
設定して反応室（２５）内へ流入させた。
ポンプ（３３）を、それに続いて拡散ポンプ（３４）を
作動させ反応室（２５）の内部を１０ ’ Ｔｏ ｒ
ｒ 程度の高広空にした後、第１乃至第４調整弁（９）
、（１０）、（１１）、（１２）を開放し、第１タンク
（５）よりＨ２力゛ス、第２タンク（６）より）Ｔ２で
３０％に希釈されたＳｉＨ４力゛ス、第３タンク（７）
よりＴ（２で４００ＰＰｍに希釈されたＢ２Ｈ６ガス、
更に第４タンク（８）より０２ガスを１七力圧ゲージ１
での下でマスフローコントローラ（１３）、（１４）、
（１５）、（１６）内へ流入させた。そして各マスフロ
ーコントローラの目盛を調整してＩ（２の流計を２７７
ｓｅｃｍ、ＳｉＨ４を３００ｓｃｃｍＳＢ２Ｈ６を２３
ｓ ｃ ｃｍ、 ０２を２．ＯｓＣＣｍとなるように
設定して反応室（２５）内へ流入させた。
夫々の流計が安定した後に、反応室（２５）の内圧力Ｓ
１．０−１７ｏ ｒ ｒ となるように調整した。一方
、導電性基板（２７）としては直径】２０ｍのアルミニ
ウムドラムを用い２００℃に予じめ加熱しておき、各ガ
スの流電が安定し内圧が安定した状態で高周波霜、源（
３１）を投入し電極板（３０）に３００ｗａ ｔ ｔ
ｓの電力（周波数１３．５６ Ｍｌ−！ｚ ）を印加し
てグロー放電を発生させた。
１．０−１７ｏ ｒ ｒ となるように調整した。一方
、導電性基板（２７）としては直径】２０ｍのアルミニ
ウムドラムを用い２００℃に予じめ加熱しておき、各ガ
スの流電が安定し内圧が安定した状態で高周波霜、源（
３１）を投入し電極板（３０）に３００ｗａ ｔ ｔ
ｓの電力（周波数１３．５６ Ｍｌ−！ｚ ）を印加し
てグロー放電を発生させた。
このグロー放電を約７時間持続して行い、導電性基板（
２７）上に水素、硼素並びに微（６）の酸素を含む厚さ
約２０ミクロンのａ−５ｉ光導電層（２）を形成した。
２７）上に水素、硼素並びに微（６）の酸素を含む厚さ
約２０ミクロンのａ−５ｉ光導電層（２）を形成した。
ａ−５ｉ光導電層が形成されると、高周波電源（３１）
からの電力印加を停止するとともに、マス７０−コント
ローラの流量を０設定にし、反応室（２５）内を十分脱
気した。その後、第１タンク（５）よりＴ−１２ガスを
３９０ｓｅｃｍ、第２タンク（６）よりＩｉ ２で３０
％に希釈された５ｉＨ４ガスを１．５Ｑｓｃｃｍ１第３
タンク（７）よりＢ２Ｈ６ガスを１２ｓｅｃｍ、更に第
４タンク（８）より０２ガスをＩｓｅｃｍ 反応室内部
に流入させ、内圧を１．□Ｔｏ ｒ ｒに調整した下で
高周波電源（３〕）を投入して３ＱＱＷａ Ｌ Ｌ Ｓ
の電力を印加した。これと同時に第４タンク（８）から
の０２流量を５分間で１ ｓ ｅ ｃｍから４５ｓｅｃ
ｍまで等しく変化スるようマスフローコントローラ（１
６）の目盛をあけ増加させていって０２濃度に勾配を持
った厚さ約０２ミクロンの中間層（３）を形成した。ま
た０２ガスの流量が４５ｓｃｃｍとなったところで、そ
の状態を４分間維持してオーバコート層（４）を形成し
た。
からの電力印加を停止するとともに、マス７０−コント
ローラの流量を０設定にし、反応室（２５）内を十分脱
気した。その後、第１タンク（５）よりＴ−１２ガスを
３９０ｓｅｃｍ、第２タンク（６）よりＩｉ ２で３０
％に希釈された５ｉＨ４ガスを１．５Ｑｓｃｃｍ１第３
タンク（７）よりＢ２Ｈ６ガスを１２ｓｅｃｍ、更に第
４タンク（８）より０２ガスをＩｓｅｃｍ 反応室内部
に流入させ、内圧を１．□Ｔｏ ｒ ｒに調整した下で
高周波電源（３〕）を投入して３ＱＱＷａ Ｌ Ｌ Ｓ
の電力を印加した。これと同時に第４タンク（８）から
の０２流量を５分間で１ ｓ ｅ ｃｍから４５ｓｅｃ
ｍまで等しく変化スるようマスフローコントローラ（１
６）の目盛をあけ増加させていって０２濃度に勾配を持
った厚さ約０２ミクロンの中間層（３）を形成した。ま
た０２ガスの流量が４５ｓｃｃｍとなったところで、そ
の状態を４分間維持してオーバコート層（４）を形成し
た。
こうして作成した感光体をミノルタカメラ■製粉（象転
写型複写機ＥＰ−５２ｏにセットし、１００００枚の連
続複写を行ったところ、画像流れは一切認められず、最
後まで良好な複写画像が得られた。
写型複写機ＥＰ−５２ｏにセットし、１００００枚の連
続複写を行ったところ、画像流れは一切認められず、最
後まで良好な複写画像が得られた。
実験例２
実験例１と同一条件の下にアルミニウムドラム」−にａ
−５ｉ光導電層（２）を形成し、その時点で高周波電源
（３１）からの電力印加を停止するとともに、マスフロ
ーコントローラの流量をＯ設定し、反応室（２５）内を
十分脱気した。その後、第１タンク（５）より１−Ｉ２
ガスを３９０ｓｅｃｍ、第２タンク（６）よりＳ １１
１４ガスを１５３ｓｅｃｍ 、 第３タンク（７）より
Ｂ ２１１６ガスをＩ２ｓｅｃｍ。
−５ｉ光導電層（２）を形成し、その時点で高周波電源
（３１）からの電力印加を停止するとともに、マスフロ
ーコントローラの流量をＯ設定し、反応室（２５）内を
十分脱気した。その後、第１タンク（５）より１−Ｉ２
ガスを３９０ｓｅｃｍ、第２タンク（６）よりＳ １１
１４ガスを１５３ｓｅｃｍ 、 第３タンク（７）より
Ｂ ２１１６ガスをＩ２ｓｅｃｍ。
更に第４タンク（８）より０２ガスを］□ＳＣＣｍ反応
室内部に流入させ内圧を１．□Ｔｏ ｒ ｓに調整した
下で高周波電源（３］）を投入して３ＱＱｗａ ｔ ｔ
ｓの電力を印加してグロー放電を４分間維持して０４
度が略均−な中間層（３）を形成した。
室内部に流入させ内圧を１．□Ｔｏ ｒ ｓに調整した
下で高周波電源（３］）を投入して３ＱＱｗａ ｔ ｔ
ｓの電力を印加してグロー放電を４分間維持して０４
度が略均−な中間層（３）を形成した。
続いて第４タンク（８）からの流量を４．５ｓｅｃｍと
した以外は上記と同一条件の下にグロー放電を起こし４
分開成膜を行ってオーバコート層を形成した。
した以外は上記と同一条件の下にグロー放電を起こし４
分開成膜を行ってオーバコート層を形成した。
こうして得られた感光体を上記ＩＥＰ−５２０にセット
し、１００００枚の連続複写を行ったところ、１１１１
像流れはなく鮮明な画像が得られた。
し、１００００枚の連続複写を行ったところ、１１１１
像流れはなく鮮明な画像が得られた。
比較例
実験例１と同一条件の下にアルミニウムドラム上にａ−
８ｉ光導電層（２）を形成し、その時点で毘周波電源（
３１）からの電力印加を停止するとともに、マスフロー
コントローラの流量を０設定し、反応室（２５）内を十
分脱気した。その後、第１タンク（５）より０２ガスを
３９Ｑｓｃｃｍ、第２タンク（６）よりＳ １ｆｆ４ガ
スを１５０ｓｃｃｍ、 第３タンク（７）よりＢ２Ｙ
Ｉ６ガスを１２ｓｅｃｍ、史に第４タンク（８）より０
２カスを４５ｓｃｃｒｎ反応室内部に流入させ、内圧を
ｌ、ＱＴｏ ｒ ｒに調整した下で高周波電源（３１）
を投入して３０Ｑｗａ ｔ Ｌ ｓの電力印加でグロー
放電を起こし１分間成膜を行ってａ−８ｉ光導電層−に
に直接オーバコート層を形成した。
８ｉ光導電層（２）を形成し、その時点で毘周波電源（
３１）からの電力印加を停止するとともに、マスフロー
コントローラの流量を０設定し、反応室（２５）内を十
分脱気した。その後、第１タンク（５）より０２ガスを
３９Ｑｓｃｃｍ、第２タンク（６）よりＳ １ｆｆ４ガ
スを１５０ｓｃｃｍ、 第３タンク（７）よりＢ２Ｙ
Ｉ６ガスを１２ｓｅｃｍ、史に第４タンク（８）より０
２カスを４５ｓｃｃｒｎ反応室内部に流入させ、内圧を
ｌ、ＱＴｏ ｒ ｒに調整した下で高周波電源（３１）
を投入して３０Ｑｗａ ｔ Ｌ ｓの電力印加でグロー
放電を起こし１分間成膜を行ってａ−８ｉ光導電層−に
に直接オーバコート層を形成した。
この感光体を上記ＥＰ−５２０にセットし、連続複写を
行ったところ数枚目から画像流れが認められ、枚数が増
えるに従ってより顕著となった。
行ったところ数枚目から画像流れが認められ、枚数が増
えるに従ってより顕著となった。
第１図は本発明に係る感光体の構成を示す図、第２１ツ
１は本発明の感光体を製造するための容量結合型グロー
放電分解装置の概略構成を示す図である。 （１）、（２７）・・導電性基板、 （２）・ａ−５ｉを含む光導電層、 （３）・ａ −Ｓ ｉを含む中間層、（４）・オーバコ
ート層、（５）・Ｔｆ２Ｉ２ガス」利された第１タンク
、（６）・・Ｓ １ｌ１４ガスが密封された第２タンク
、（７）・・Ｂ２ｒ−Ｉ ６が密封された第３タンク、
（８）・・・０２ガスが密封された第４タンク。 出願人 ミノルタカメラ株式会社
１は本発明の感光体を製造するための容量結合型グロー
放電分解装置の概略構成を示す図である。 （１）、（２７）・・導電性基板、 （２）・ａ−５ｉを含む光導電層、 （３）・ａ −Ｓ ｉを含む中間層、（４）・オーバコ
ート層、（５）・Ｔｆ２Ｉ２ガス」利された第１タンク
、（６）・・Ｓ １ｌ１４ガスが密封された第２タンク
、（７）・・Ｂ２ｒ−Ｉ ６が密封された第３タンク、
（８）・・・０２ガスが密封された第４タンク。 出願人 ミノルタカメラ株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）導電性基板と、アモルファスシリコンを含む光導
電層と、アモルファスシリコンを含み該光導′重層より
高抵抗の中間層と、該中間層より高抵抗の絶縁透光性オ
ーバコート層を順次積層してなることを特徴とする感光
体。 （２）該中間層は酸素、炭素または窒素を含むことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の感光体。 ｆ３） 該オ／＜コート層はアモルファスシリコンと
酸素、炭素または窒素を含むことを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載の感光体。 （４）該中間層はその抵抗値がオーバコート層に向かっ
て順次高くなるよう形成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれかに記載の感光
体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2192783A JPS59147353A (ja) | 1983-02-12 | 1983-02-12 | 感光体 |
| DE19843404787 DE3404787A1 (de) | 1983-02-12 | 1984-02-10 | Lichtempfindliches element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2192783A JPS59147353A (ja) | 1983-02-12 | 1983-02-12 | 感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59147353A true JPS59147353A (ja) | 1984-08-23 |
Family
ID=12068694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2192783A Pending JPS59147353A (ja) | 1983-02-12 | 1983-02-12 | 感光体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59147353A (ja) |
| DE (1) | DE3404787A1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60169854A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 静電潜像担持体 |
| JPS6187160A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-02 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS6283471A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-16 | Hitachi Ltd | 炭素皮膜形成方法及び装置 |
| JPS62295064A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS6432266A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-02 | Fujitsu Ltd | Electrophotographic sensitive body |
| US4960662A (en) * | 1988-01-08 | 1990-10-02 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Positively and negatively chargeable electrophotographic photoreceptor |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2775272B2 (ja) * | 1988-12-27 | 1998-07-16 | キヤノン株式会社 | 改良された非単結晶シリコン系光受容部材を用いた電子写真装置による画像形成方法 |
-
1983
- 1983-02-12 JP JP2192783A patent/JPS59147353A/ja active Pending
-
1984
- 1984-02-10 DE DE19843404787 patent/DE3404787A1/de not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60169854A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 静電潜像担持体 |
| JPS6187160A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-02 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH0511305B2 (ja) * | 1984-10-05 | 1993-02-15 | Fuji Electric Co Ltd | |
| JPS6283471A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-16 | Hitachi Ltd | 炭素皮膜形成方法及び装置 |
| JPS62295064A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS6432266A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-02 | Fujitsu Ltd | Electrophotographic sensitive body |
| US4960662A (en) * | 1988-01-08 | 1990-10-02 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Positively and negatively chargeable electrophotographic photoreceptor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3404787A1 (de) | 1984-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6067951A (ja) | 感光体 | |
| US4659639A (en) | Photosensitive member with an amorphous silicon-containing insulating layer | |
| JPS6061761A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS59147353A (ja) | 感光体 | |
| JPH0792611B2 (ja) | 無定形ケイ素および酸化ケイ素からなる不均質電子写真像形成部材 | |
| JPS6083957A (ja) | 電子写真感光体 | |
| US4698288A (en) | Electrophotographic imaging members having a ground plane of hydrogenated amorphous silicon | |
| JPS5912448A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS59184360A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| US4738914A (en) | Photosensitive member having an amorphous silicon layer | |
| JPS6095467A (ja) | 電子写真用感光体の劣化防止方法 | |
| JPS59223435A (ja) | 感光体 | |
| JPS59224847A (ja) | 感光体 | |
| JP2596403B2 (ja) | 感光体 | |
| JPS6067950A (ja) | 感光体 | |
| JPS63159862A (ja) | 無定形ホウ素を用いた静電写真用画像形成部材 | |
| JP2811312B2 (ja) | 電子写真感光体及びその製造方法並びにこの感光体を搭載した電子写真記録装置 | |
| JP2761741B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0241023B2 (ja) | ||
| JPS58137844A (ja) | 光導電部材 | |
| JPH0582573B2 (ja) | ||
| JPH01144058A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP3402952B2 (ja) | 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 | |
| JPS635348A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS58150963A (ja) | 光導電部材 |