JPS60169854A - 静電潜像担持体 - Google Patents

静電潜像担持体

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JPS60169854A
JPS60169854A JP2625484A JP2625484A JPS60169854A JP S60169854 A JPS60169854 A JP S60169854A JP 2625484 A JP2625484 A JP 2625484A JP 2625484 A JP2625484 A JP 2625484A JP S60169854 A JPS60169854 A JP S60169854A
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JP
Japan
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amorphous silicon
layer
latent image
electrostatic latent
substance
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JP2625484A
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Inventor
Hisao Haku
白玖　久雄
Kazuyuki Goto
一幸 後藤
Masayuki Tanaka
雅幸 田中
Takeo Fukatsu
深津　猛夫
Yukinori Kuwano
桑野　幸徳
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Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は、アモルファスシリコンを主成分とする光導電
層が形成された静電潜像担持体区二関するものである。
−）従来技術 アモルファスシリコンを主成分とする静電潜像担持体は
、セレンや硫化カドミウム？主成分とするものＣ二比較
して、耐熱性や耐厚耗性Ｉ：冨み、無害であるととも（
二高光感度であること等の種々の長所？イイしている。
また、長波長う”Ｃに対しても光分な感度ケ有するので
、複写３！やレーサ゛′プリンタ？用いたインテリジェ
ントコピアにも使用できる特長を脣している。
このアモルファスシリコンを静電潜像担持体として用い
る場合、光導電層の暗抵抗の扁抵抗化ケ図るととも（二
、現曲プロセスに必要なだけの帯電量を得るために十分
な厚ざを有させる必要かめる。
そして支持体から光導電層≦二流れ込む庄へ′屯荷を阻
止する目的でｍｌ、止層が、また付与された−１５　［
Ｉｉ］’を荷が担持体表面から元４電層へ注入すること
を防止する目的で表面層が設けられている。ここで形成
される表面層としては、アモルファスシリコンを主成分
とし、家系−炭素あるいは酸素ケ含有させた材料が用い
られる。その際、表面層の前記元素の含有量を多くする
程１表面電荷保持能力の増大ならび【二表面強度の増加
は図れるが、光感度は低下するという現象が起こりうる
。
従って１表−゛電荷の保持能力の増大化を図れば光感度
は低下し、逆ｆ二光感度會向上させると表面電荷の保持
能力が低Ｆするという、二律背反的現象が起き１光感度
および表面電イ蚕の保持能力のいずスｔもの向上な図る
ことはできンよかった。
しＱ　発明の目的 本発明に前記従来技術の有する難点に虐みてなさ′Ａｔ
たもので１光感度および表面電荷の保持能力のいずγし
もが冒いＩＯＩ准浩１家担持体を実現セんとするらので
らる。
日　発明の構成 本発明は１表面ノーに、アモルファスシリコンと結合し
て絶縁綴を形成する物質が含・釘さ７七−この物質の金
回ｔ４２は、＠龜己ｉ持体に近い側は小で表面側では人
であること金特徴とする静電潜像担持体。
（ホ）実施例 第１図は１本発明の一実施例會示すもので、静電潜像担
持体の部分拡大断面図を示す。また第２図は、この静電
潜像担持体を製造するためのプラズマＣＶＤ装置の模式
図を示す。第１図に２いて。
（１）は表面を超仕上げしたアルミニウム製の内向状支
持体である。この支持体（１１の表−Ｃ二厚さ０，０５
〜１μｍのＰ５アモルファスシリコンから７よる阻止１
−＋２１が形成される。この阻止層（２）の上部に、ア
モルファスシリコンに−足りの酸素及びＺＭ累が添加さ
れた厚さ２０μｍ程度の光導′成層（，３）が積層され
る。そして、光導電層（３１の上≦二１表圓側（上方）
に行くに従って蛋累の含有量が増加している。
厚さ０．０１〜２μ権程度の表面１ｄ（４）が形成さ九
る。
なお、前記家系の含有率は１ｇ−待体ｉｌｌ　【二近い
側ではｏ、ｏｉないし６０アトミック％で１表面側では
１なしル９０アトミック舛−ｔブ神程度であることが好
ましい。
次（二、静電層１象但持体の製造方法ζ：ついて説明す
る。第２図において、中空円筒状の、店開容器（５）ロ
ータリーポンプ（７）及びメカニカルブースターポンプ
（８）で１ｘ１０−６気圧程１見まで排気した後、この
支持体（１）を回転しつつ図示セぬヒータ（支持体（１
００内部に挿入されている）にて２００〜３００”Ｑｌ
二昇温する。この際、密閉容器（５１Ｃ二Ｓ　Ｉ　Ｍ　
’ガス及びＨ２ガスｒベースとするＢ２Ｈ６ガスケ４人
してガス圧をＩ　Ｘ　１　（１１７５気圧に保持する。
なお−この４＠　８２　ｉ（６ｊｆスノＳｉ　Ｈａ　；
ｔｆｘ（二対ｊル混合比會０．１〜叔％；二なる様制御
卸する。この状だけＣ二て周ｅｌ数が１３．５６）、Ｈ
（ｚの高周波４カケ筋周波遍源ば））にて印加し、プラ
ズマ放電？千起さセると。
一定時間の後、ズＦテ俸（１１の表面に阻止層（２１コ
バ形成さスする。
、天いゼ密閉谷器（５）内の気体ケ排気した鏝、前記の
ガスに加えＯｚガス？導入し、前回同様放電を生起させ
ると、＠記）且止層（２）表面Ｉ：光導成層（３）が形
成される。その、祭のＢ　ｚ　、Ｉ（ｂガスのＥ’＋　
ｉ　ｉ（４ガス！二対する混合比は０．００１〜０．０
１％２０２ガスのＳ　ｊ、　ｉ（ａガスに討する。毘合
比ヤ０１〜数つとす机 次に再度排気後、ＳｉＨ４ガスとＮＨ５ガスケ１：１の
混合比で導入し一放成ヲ生起さセ１時間う任０）にて漸
次増加させ、最終的（二ＳｉＨ４ガヌとＮＨ５ガスの混
合比會１：４とした状態で放′亀會止めると、前記のよ
うな表面層（４）が形成できる。
叙上のようにして製造された静電７許鐵担持体では１光
感度は従来例と変りなく、帯成量が６０％増加し、かつ
表面の４残械的強度（耐摩耗ｔ）は５倍以上となること
が実験の結果判明した。
（へ）発明の効果 本発明では１表面層Ｃニアモルファスシリコンと粘合し
て絶縁物を形成する物質が含有され、この物質の含有率
は、前記支持体に近い側は小で表面体では大であるので
２光感１ｔ’に低下させることなく表面電荷の保持能力
を向上させることができる。
また２表面の機械的強度も向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
図面はいずれも本発明の一実施例を示すもので。 第１図は静電潜像担持体の部分拡大断面図、第２図はプ
ラズマ０ＶＤ装置を示す模式図である。 （１１・・・支持体（円筒体）（２）・・・阻止１曽　
（３）・・・光導電層　（４）・・・表面層 出願人　三洋電機株式会社 代理人　弁理士　佐　野　静　夫 第１図 ６　／ 昭和５９年８月７日 特許庁長官殿 昭和５９年特許願第２６２５４　号 ２、発明の名称 静電ａ像担持体 ろ、補正をする者 事件との関係　特許出願人 名称　（１８８）三洋電機株式会社 ４、代　理　人 住所　守口市京阪本通２丁目１８番地 明細書の「発明の詳細な説明」の爆。 へ　補正の内容 明細書の第３ページの第７行に「インテリジェントコピ
ア」とあるのを「インテリジェント複写機」と補正する
。 以上

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、　導電性を有する支持体上に二、少なくともアモル
    ファスシリコンを主成分とする光導電層および表面層が
    この順序で積肋されている静’Ｄｉ潜像担持体において
    。 前記表面層Ｃ二は、アモルファスシリコンと結合するこ
    とによって絶縁物を形成する物質が食性され、この物質
    の含有率は、前記支持体Ｃ二近１．ｗ側に小で１表面側
    では大であることを特徴とするＨｆシ屯潜像担持体。 ２、アモルファスシリコンと結合して絶縁＠２形成する
    物質の含有量が、支持体に近い側から表面側ｇ二かけて
    順次大となっている％旺銅求範囲第１項記載の静電潜像
    担持体。 ６、光導電層と支持体との間龜二、支持体からの電荷の
    流入を阻止する阻止層が介在している特許請求の範囲第
    １項若しくは第２項記載の静電沿１象（旦持体。 ４、アモルファスシリコンと結合して絶縁物全形成する
    物質が、窒素、炭素及び酸緊の中から選択される少なく
    とも１種の物質である特許請求の範囲第１項ないし第６
    項のいずれか【二記載の静電潜像担持体。 ５、　アモルファスシリコンと結合して絶縁物全形成す
    る物質の含有率は、支持体に近い側では０゜０１ないし
    ６０アトミツクパーセントで１表面側では１ないし９０
    アトミツクパーセントでめる特許請求の範囲第１項ない
    し第４項のいずれかに記録の静電潜像担持体。 ６、表面層の厚さが０．０１ないし２ミクロンである特
    許請求の範ＩＩＪ第１項ないし第５項のいず肚か」二記
    載の靜′亀潜１家担持体。
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