JPS6275538A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS6275538A JPS6275538A JP21706185A JP21706185A JPS6275538A JP S6275538 A JPS6275538 A JP S6275538A JP 21706185 A JP21706185 A JP 21706185A JP 21706185 A JP21706185 A JP 21706185A JP S6275538 A JPS6275538 A JP S6275538A
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- JP
- Japan
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- photoconductive layer
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- electrophotographic photoreceptor
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- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
-
- G—PHYSICS
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- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08285—Carbon-based
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08292—Germanium-based
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14704—Cover layers comprising inorganic material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子写真方式による複写機あるいはプリンタ
に使用される電子写真感光体に関するものである。
に使用される電子写真感光体に関するものである。
従来の技術
従来、可視光および近赤外線に光感度を持たせるだめに
、水素化非晶質シリコン（以下ｈ−８ｉ：Ｈと略記する
）および水素化非晶質ゲルマニウム（以下ａ−Ｇθ：Ｈ
と略記する）の積層構造（特開昭５６−１６０７５３号
公報）、ａ−３ｉ：Ｈおよびａ−８ｉＧｅ：Ｈの積層構
造（特開昭６７−１１５５６２号公報）、ホウ素および
酸素添加したａ−３ｉＧｅ：Ｈの単層構造（特開昭５７
−１７２３４４号公報）等の電子写真感光体が提案され
ている。
、水素化非晶質シリコン（以下ｈ−８ｉ：Ｈと略記する
）および水素化非晶質ゲルマニウム（以下ａ−Ｇθ：Ｈ
と略記する）の積層構造（特開昭５６−１６０７５３号
公報）、ａ−３ｉ：Ｈおよびａ−８ｉＧｅ：Ｈの積層構
造（特開昭６７−１１５５６２号公報）、ホウ素および
酸素添加したａ−３ｉＧｅ：Ｈの単層構造（特開昭５７
−１７２３４４号公報）等の電子写真感光体が提案され
ている。
発明が解決しようとする問題点
ａ −８ｉ ： Ｈ、ａ−８ｉＧｅ ： Ｈあるいはａ
−Ｇｅ：Ｈから構成される電子写真感光体は、これら
の材料の比誘電率が１ｏ〜１６と大きく、感光体の静電
容量が大きいため、帯電時に大きいコロナ電流が必要で
ある。また表面電荷量が多いため、この電荷を消滅させ
るために多くの露光量が必要になり、使用される光源の
制約および消費電力の増加、あるいは露光時間の増加に
よる動作速度の低下を生じる問題があった。
−Ｇｅ：Ｈから構成される電子写真感光体は、これら
の材料の比誘電率が１ｏ〜１６と大きく、感光体の静電
容量が大きいため、帯電時に大きいコロナ電流が必要で
ある。また表面電荷量が多いため、この電荷を消滅させ
るために多くの露光量が必要になり、使用される光源の
制約および消費電力の増加、あるいは露光時間の増加に
よる動作速度の低下を生じる問題があった。
さらに、ａ−８ｉ ：Ｈ、＆−８ｉＧａ ：Ｈおよびａ
−Ｇｅ：Ｈの成膜に最も一般的なプラズマＣＶＩ）法を
使用する場合、原料ガスとしてＳｉＨ４およびＧｅＨ４
が用いられるが、これらのガスは高価であり、製造コス
トの低減が困難であった。また、ブラダ？ Ｃ’Ｉ Ｄ
法で成膜したａ−３ｉ：Ｈ，＆−５ｉＧｅ：Ｈおよびａ
−Ｇｅ：Ｈにはピンホールを生じ易＜、ｔｉ光体を構成
して画像評価を行った際、白点キズとして表われる問題
があった。
−Ｇｅ：Ｈの成膜に最も一般的なプラズマＣＶＩ）法を
使用する場合、原料ガスとしてＳｉＨ４およびＧｅＨ４
が用いられるが、これらのガスは高価であり、製造コス
トの低減が困難であった。また、ブラダ？ Ｃ’Ｉ Ｄ
法で成膜したａ−３ｉ：Ｈ，＆−５ｉＧｅ：Ｈおよびａ
−Ｇｅ：Ｈにはピンホールを生じ易＜、ｔｉ光体を構成
して画像評価を行った際、白点キズとして表われる問題
があった。
問題点を解決するだめの手段
シリコンおよびゲルマニウムの少くとも一方を主成分と
する無機光導電層と酸素、硫黄および窒素の少くとも１
つを含有する非晶質カーボンを主成分とする電荷輸送層
を積層する。
する無機光導電層と酸素、硫黄および窒素の少くとも１
つを含有する非晶質カーボンを主成分とする電荷輸送層
を積層する。
作用
非晶質カーボンの比誘電率は３〜らと、ａ−Ｓｉ：Ｈ、
ａ−３ｉＧｅ ：Ｈおよびａ−Ｇｅ：Ｈの比誘電率に比
べてかなり小さく、非晶質カーボンをこれらの材料から
構成される光導電層の電荷輸送層として用いた多層の電
子写真感光体の静電容量は、ａ−３ｉ：Ｈあるいはａ−
８ｉＧａ ： Ｈの単層感光体、まだはａ−８ｉ：Ｈと
ａ−５ｉＧｅ：Ｈの積層感光体、ａ−３ｉ：Ｈとａ−Ｇ
ｏ：Ｈの積層感光体の静電容量よシ小さくなる。従って
、帯電時のコロナ電流が減少し、また表面電荷量が少な
いため光感度が高くなり、動作速度を向上させることが
可能になる。また、非晶質カーボンに酸素、硫黄あるい
は窒素を含有させると、非晶質カーボン内に含まれる欠
陥が減少し、電荷輸送の効率が向上するばかりでなく、
比誘電率がさらに減少するため、上記の効果をより一層
高めることが可能になる。
ａ−３ｉＧｅ ：Ｈおよびａ−Ｇｅ：Ｈの比誘電率に比
べてかなり小さく、非晶質カーボンをこれらの材料から
構成される光導電層の電荷輸送層として用いた多層の電
子写真感光体の静電容量は、ａ−３ｉ：Ｈあるいはａ−
８ｉＧａ ： Ｈの単層感光体、まだはａ−８ｉ：Ｈと
ａ−５ｉＧｅ：Ｈの積層感光体、ａ−３ｉ：Ｈとａ−Ｇ
ｏ：Ｈの積層感光体の静電容量よシ小さくなる。従って
、帯電時のコロナ電流が減少し、また表面電荷量が少な
いため光感度が高くなり、動作速度を向上させることが
可能になる。また、非晶質カーボンに酸素、硫黄あるい
は窒素を含有させると、非晶質カーボン内に含まれる欠
陥が減少し、電荷輸送の効率が向上するばかりでなく、
比誘電率がさらに減少するため、上記の効果をより一層
高めることが可能になる。
また、比誘電率の小さい非晶質カーボンを積層すること
により、ａ−３ｉ ：Ｈ、ａ−３ｉＧｅ：Ｈあるいはａ
−Ｇｏ：Ｈだけで構成される感光体の発〜Ａの膜厚でこ
れらの感光体と同程度の特性が得られる。さらに、非晶
質カーボンの成膜にプラズマｃｖｐ法を使用した場合、
原料ガスとしてＳｉ Ｈ４、Ｇａ Ｈ４に比ヘテ安価’
ｌ ’ Ｈ４ｔ ’２ Ｈ６＋ ’ ５ Ｈ８＊Ｃ２Ｈ
４などの使用が可能なため、感光体の製造コストを大幅
に低減できる。また、プラズマＣｖＤ法で製作した非晶
質カーボンにはピンホールの発生がないため、白点キズ
のない良好な画像を得ることができる。
により、ａ−３ｉ ：Ｈ、ａ−３ｉＧｅ：Ｈあるいはａ
−Ｇｏ：Ｈだけで構成される感光体の発〜Ａの膜厚でこ
れらの感光体と同程度の特性が得られる。さらに、非晶
質カーボンの成膜にプラズマｃｖｐ法を使用した場合、
原料ガスとしてＳｉ Ｈ４、Ｇａ Ｈ４に比ヘテ安価’
ｌ ’ Ｈ４ｔ ’２ Ｈ６＋ ’ ５ Ｈ８＊Ｃ２Ｈ
４などの使用が可能なため、感光体の製造コストを大幅
に低減できる。また、プラズマＣｖＤ法で製作した非晶
質カーボンにはピンホールの発生がないため、白点キズ
のない良好な画像を得ることができる。
実施例
第１図は、本発明における最も基本的な電子写真感光体
の一実施例の断面を模式的に示したものである。
の一実施例の断面を模式的に示したものである。
第１図に示す電子写真感光体１は、電子写真感光体とし
ての支持体２上に、電荷輸送層３と無機光導電層４とを
有し、前記無機光導電層４は自由表面５を一方の端面に
有している。電荷輸送層３は、少くとも水素まだはハロ
ゲン原子を含有する非晶質カーボン〔以下ｈ−Ｃ（：Ｈ
：Ｘ）（但し、Ｘ：Ｆ、（／Ｊ、Ｂｒ、Ｉ）と略記する
〕で構成され、無機光導電層４は、少くとも水素まだは
ハロゲン原子を含有し、かつシリコンおよびゲルマニウ
ムの少くとも一方を主成分とする材料で構成される。
ての支持体２上に、電荷輸送層３と無機光導電層４とを
有し、前記無機光導電層４は自由表面５を一方の端面に
有している。電荷輸送層３は、少くとも水素まだはハロ
ゲン原子を含有する非晶質カーボン〔以下ｈ−Ｃ（：Ｈ
：Ｘ）（但し、Ｘ：Ｆ、（／Ｊ、Ｂｒ、Ｉ）と略記する
〕で構成され、無機光導電層４は、少くとも水素まだは
ハロゲン原子を含有し、かつシリコンおよびゲルマニウ
ムの少くとも一方を主成分とする材料で構成される。
また、電荷輸送層３を構成するａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）膜は
、ａ−ｃ（：ｕ：ｘ）の比誘電率および膜中の欠陥を減
少させ、膜の経時変化をなくし安定性を向上させるため
に、酸素、硫黄および窒素の少くとも１つを含有する。
、ａ−ｃ（：ｕ：ｘ）の比誘電率および膜中の欠陥を減
少させ、膜の経時変化をなくし安定性を向上させるため
に、酸素、硫黄および窒素の少くとも１つを含有する。
第１図では支持体２上にａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）からなる電
荷輸送層３、無機光導電層４を順に積層しているが、第
２図に示すように支持体２上に無機光導電層４、ａ−Ｃ
（：Ｈ：Ｘ）からなる電荷輸送層３の順に積層して電子
写真感光体６を構成しても、ａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）は可視
光に対してはとんど透明であるため、自由表面５から入
射した光の大部分は無機光導電層４に到達することがで
き、第１図の構成と同様な特性を得ることができる。
荷輸送層３、無機光導電層４を順に積層しているが、第
２図に示すように支持体２上に無機光導電層４、ａ−Ｃ
（：Ｈ：Ｘ）からなる電荷輸送層３の順に積層して電子
写真感光体６を構成しても、ａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）は可視
光に対してはとんど透明であるため、自由表面５から入
射した光の大部分は無機光導電層４に到達することがで
き、第１図の構成と同様な特性を得ることができる。
本発明において、少くとも水素またはハロゲン原子を含
有し、かつシリコンおよびゲルマニウムの少くとも一方
を主成分とする無機光導電層４を構成する材料としては
、ａ−８ｉ（：Ｈ：Ｘ）単層、ａ−３ｉＧｅ（：Ｈ：Ｘ
）単層、＆−Ｇｏ（：Ｈ：ｘ）単層、 ａ−Ｇｏ （：
Ｈ：Ｘ ）とａ−８ｉ（：Ｈ：Ｘ）の積層、ａ−３ｉｄ
ｅ（： Ｈ： Ｘ ）とａ −８ｉ（：Ｈ：Ｘ）の積層
、ａ−Ｇｅ（：Ｈ：Ｘ）とａ−３ｉＧｅ （： Ｈ：
Ｘ ）ノ積層などが選択して使用される。
有し、かつシリコンおよびゲルマニウムの少くとも一方
を主成分とする無機光導電層４を構成する材料としては
、ａ−８ｉ（：Ｈ：Ｘ）単層、ａ−３ｉＧｅ（：Ｈ：Ｘ
）単層、＆−Ｇｏ（：Ｈ：ｘ）単層、 ａ−Ｇｏ （：
Ｈ：Ｘ ）とａ−８ｉ（：Ｈ：Ｘ）の積層、ａ−３ｉｄ
ｅ（： Ｈ： Ｘ ）とａ −８ｉ（：Ｈ：Ｘ）の積層
、ａ−Ｇｅ（：Ｈ：Ｘ）とａ−３ｉＧｅ （： Ｈ：
Ｘ ）ノ積層などが選択して使用される。
本発明において、さらに電子写真特性を向上させるだめ
に、第１図において、支持体２と電荷輸送層３０間に、
支持体２から電荷輸送層３に注入するキャリヤを有効に
阻止する障壁層を設けても良い。障壁層を形成する材料
としては、人１ｈＯｓｓＢａｄ、Ｂ２Ｌ○２ 、ＢｅＯ
、Ｂｉ２Ｏ５、（ａｏ 、ＣｅＯ２、Ｃｅ２Ｏ３゜Ｌａ
２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ５、ＣｕＯ
，Ｃｕ２Ｏ。
に、第１図において、支持体２と電荷輸送層３０間に、
支持体２から電荷輸送層３に注入するキャリヤを有効に
阻止する障壁層を設けても良い。障壁層を形成する材料
としては、人１ｈＯｓｓＢａｄ、Ｂ２Ｌ○２ 、ＢｅＯ
、Ｂｉ２Ｏ５、（ａｏ 、ＣｅＯ２、Ｃｅ２Ｏ３゜Ｌａ
２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ５、ＣｕＯ
，Ｃｕ２Ｏ。
ＦｅＯ，ＰｂＯ，ＭｇＯ，５ｒ０２．Ｔａ２０５．Ｔｈ
０２．ＺｒＯ２゜ＨｆＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｍｇ
０−Ａ／２０５ 、Ｓｉ０Ｓ１０２ｅなどの金属酸化物
またはＴｉＮ 、 Ａ／Ｎ 、 ＳｎＮ 、 ＮｂＮ
。
０２．ＺｒＯ２゜ＨｆＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｍｇ
０−Ａ／２０５ 、Ｓｉ０Ｓ１０２ｅなどの金属酸化物
またはＴｉＮ 、 Ａ／Ｎ 、 ＳｎＮ 、 ＮｂＮ
。
ＴａＮ、ＧａＮなどの金属窒化物またはＷＣ、ＳｎＣ。
Ｔｉｅ などの金属炭化物または５１１Ｋ Ｏ！ ＋
５ｉ１１ＮＸ ＋ ＳＬｌ ＸＣＸ ｒ ”１ＸｏＸ
ｒ Ｇｅ＋ ＩＮＸ ＋Ｇｅ、−ｘＣｘ ｒ Ｂ＋−ｘ
Ｎｘ 、 Ｂ＋−ｘｃｘ （０＜ Ｘ＜ １ ） な
どの絶縁物またはポリエチレン、ポリカーボネート。
５ｉ１１ＮＸ ＋ ＳＬｌ ＸＣＸ ｒ ”１ＸｏＸ
ｒ Ｇｅ＋ ＩＮＸ ＋Ｇｅ、−ｘＣｘ ｒ Ｂ＋−ｘ
Ｎｘ 、 Ｂ＋−ｘｃｘ （０＜ Ｘ＜ １ ） な
どの絶縁物またはポリエチレン、ポリカーボネート。
ポリウレタン、ポリパラキシレンなどの絶縁性有機化合
物が使用され、自由表面５側に正電荷を帯電させる場合
にはｎ型半導体、例えばＢ、ム／、Ｇａなどの周期表第
■族元素を添加したａ−８ｉ（：Ｈ： Ｘ ）、ａ−５
ｉＧｅ（：Ｈ： Ｘ ）、ａ＝ｅｅ（：Ｈ：Ｘ）、ａ−
Ｃ（：Ｈ：Ｘ）、ａ−３ｉＣ（：Ｈ：Ｘ）。
物が使用され、自由表面５側に正電荷を帯電させる場合
にはｎ型半導体、例えばＢ、ム／、Ｇａなどの周期表第
■族元素を添加したａ−８ｉ（：Ｈ： Ｘ ）、ａ−５
ｉＧｅ（：Ｈ： Ｘ ）、ａ＝ｅｅ（：Ｈ：Ｘ）、ａ−
Ｃ（：Ｈ：Ｘ）、ａ−３ｉＣ（：Ｈ：Ｘ）。
ａ−ＧｅＣ（： Ｈ： Ｘ ）を使用ｔ、テモ良イ。１
り、自由表面５に負電荷を帯電させる場合、障壁層とし
てｎ型半導体、例えば周期表第Ｖ族元素のＮ。
り、自由表面５に負電荷を帯電させる場合、障壁層とし
てｎ型半導体、例えば周期表第Ｖ族元素のＮ。
Ｐ２人Ｓを添加したａ−３ｉ（：Ｈ：Ｘ）。
ａ−８ｉＧｅ（： Ｈ：Ｘ ）、 １Ｌ−Ｇｅ（：Ｈ：
Ｘ）。
Ｘ）。
ａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）、ａ−３ｉＣ（：Ｈ：Ｘ） また
はａ−ＧｅＣ（： Ｈ： Ｘ ）の使用が好ましい。
はａ−ＧｅＣ（： Ｈ： Ｘ ）の使用が好ましい。
さらに、第２図に示すように電荷輸送層３が自由表面５
を有する場合においても、支持体２と無機光導電層４と
の間に、上記の金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、
絶縁物まだは絶縁性有機化合物からなる障壁層を形成し
ても良く、また特に自由表面５に正電荷を帯電させる場
合は、上記のｎ型半導体で障壁層を形成し、自由表面６
に負電荷を帯電させる場合は、上記のｎ型半導体で形成
するのが好適である。
を有する場合においても、支持体２と無機光導電層４と
の間に、上記の金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、
絶縁物まだは絶縁性有機化合物からなる障壁層を形成し
ても良く、また特に自由表面５に正電荷を帯電させる場
合は、上記のｎ型半導体で障壁層を形成し、自由表面６
に負電荷を帯電させる場合は、上記のｎ型半導体で形成
するのが好適である。
本発明において、感光体の耐摩耗性、耐湿性およびクリ
ーニング性を向上させるために第１図および第２図にお
いて、自由表面５上に表面被覆層が形成される。表面被
覆層形成材料として有効に使用されるものとして、５１
１１ＯＸ ＋ ８１１１ＣＩ ＋５１１ＸＮＸ ｒ Ｇ
ｅ＋ Ｉ ｏＸ ＋ ” ＋ ＸＣＸ ｒ Ｇｅ１１Ｎ
Ｘ ＋ＢＩ ＫＮＸ ＋ ＢｌＸＣＸ ＋ ＡＩ ｊ
ＩＮＸ ＋ ＳｎＩ Ｘ”Ｘ ｒＳｎｌｌｃＨなどの無
機絶縁物あるいはポリエチレンテレフタレート、ポリカ
ーボネート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩
化ビニリデン。
ーニング性を向上させるために第１図および第２図にお
いて、自由表面５上に表面被覆層が形成される。表面被
覆層形成材料として有効に使用されるものとして、５１
１１ＯＸ ＋ ８１１１ＣＩ ＋５１１ＸＮＸ ｒ Ｇ
ｅ＋ Ｉ ｏＸ ＋ ” ＋ ＸＣＸ ｒ Ｇｅ１１Ｎ
Ｘ ＋ＢＩ ＫＮＸ ＋ ＢｌＸＣＸ ＋ ＡＩ ｊ
ＩＮＸ ＋ ＳｎＩ Ｘ”Ｘ ｒＳｎｌｌｃＨなどの無
機絶縁物あるいはポリエチレンテレフタレート、ポリカ
ーボネート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩
化ビニリデン。
ポリビニルアルコール、ポリスチレン、ポリアミド、ポ
リ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチレン、ポリ弗化
ビニリデン、六弗化プロピレン−四弗化エチレンコポリ
マー、三弗化エチレン−弗化ビニリデンコポリマー、ポ
リブテン、ポリビニルブチラール、ポリウレタンなどの
合成樹脂などが挙げられる。
リ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチレン、ポリ弗化
ビニリデン、六弗化プロピレン−四弗化エチレンコポリ
マー、三弗化エチレン−弗化ビニリデンコポリマー、ポ
リブテン、ポリビニルブチラール、ポリウレタンなどの
合成樹脂などが挙げられる。
ａ−ｃ（：ａ：ｘ）の作成には、ＣＨ４＋ Ｃ２Ｈ６ｒ
Ｃ５Ｈ８ｒ Ｃ４ＨＩＱ ＋ Ｃ２Ｈ４、Ｃ５Ｈ６ｒ
Ｃ４Ｈａ ＊ Ｃ２Ｈ２＋Ｃ３ｔ（ａ 、Ｃ；４Ｈ６，
Ｃ６）！６ などの炭化水素、０Ｈ３Ｆ。
Ｃ５Ｈ８ｒ Ｃ４ＨＩＱ ＋ Ｃ２Ｈ４、Ｃ５Ｈ６ｒ
Ｃ４Ｈａ ＊ Ｃ２Ｈ２＋Ｃ３ｔ（ａ 、Ｃ；４Ｈ６，
Ｃ６）！６ などの炭化水素、０Ｈ３Ｆ。
ＣＨ３Ｇ１ 、 ＣＪＢｒ 、 ＣＨ５Ｉ 、 Ｃ２Ｈ
５Ｃ７！、 Ｃ２Ｈ５Ｂｒ 。
５Ｃ７！、 Ｃ２Ｈ５Ｂｒ 。
Ｃ２Ｈ５エ などのハロゲン化アルキル、Ｃ，Ｈ３Ｐ
。
。
Ｃ３Ｈ３ＣＩ 、Ｃ３Ｈ５Ｂｒなトノハロケン化アリル
、ＣＣｌＦ２ ＋ ＣＦ４ ＋ ＣＨ’５ ｒ ０２
’６ ＋ Ｃ５Ｈ８などのフロンガス、Ｃ６Ｈ６−ｍＦ
ｍ（ｍ＝１〜６） の弗化ベンゼンなどのＣ原子の原料
ガスを用いたプラズマＣＶＤ法、または、グラフフィト
をターゲットとし、Ａｒ＋Ｈ２＋’２＋ＣＡ２＋ＣＨ４
＋Ｃ２Ｈ４＋Ｃ２Ｈ２中での反応性スパッタ法が使用さ
れる。また、ａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）に酸素○、、硫黄ある
いは窒素Ｎを含有させるには、０原子の原料ガスとしテ
０２．○、、ｃｏ、ｃｏ２゜Ｎｏ 、Ｎｏ２．Ｎ２ＣＬ
、 Ｎ２Ｏ３＋ Ｎ２０４ ＋ Ｎ２０５ ＋ ＮＯ３
ｒ Ｓ原子ノ原料カスとして、ａｓ、、 、 Ｈ２Ｓ
、 ｓ２ｏ 、ｓｏ２゜ＳＯ２，Ｎ原子ノ原料カスとし
てＮ２．ＮＦ２．Ｈ２ＮＮＨ２゜ＨＮ３． ＮＨ４Ｎ３
．７３Ｎ 、 ｙ４Ｎ２などのガスを、プラズマＣＶＤ
法では上記のＣ原子の原料ガスに混合して用いれば良く
、反応性スパッタ法では人’＋Ｈ２＋２２１０７！２な
どに混合して用いれば良い。
、ＣＣｌＦ２ ＋ ＣＦ４ ＋ ＣＨ’５ ｒ ０２
’６ ＋ Ｃ５Ｈ８などのフロンガス、Ｃ６Ｈ６−ｍＦ
ｍ（ｍ＝１〜６） の弗化ベンゼンなどのＣ原子の原料
ガスを用いたプラズマＣＶＤ法、または、グラフフィト
をターゲットとし、Ａｒ＋Ｈ２＋’２＋ＣＡ２＋ＣＨ４
＋Ｃ２Ｈ４＋Ｃ２Ｈ２中での反応性スパッタ法が使用さ
れる。また、ａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）に酸素○、、硫黄ある
いは窒素Ｎを含有させるには、０原子の原料ガスとしテ
０２．○、、ｃｏ、ｃｏ２゜Ｎｏ 、Ｎｏ２．Ｎ２ＣＬ
、 Ｎ２Ｏ３＋ Ｎ２０４ ＋ Ｎ２０５ ＋ ＮＯ３
ｒ Ｓ原子ノ原料カスとして、ａｓ、、 、 Ｈ２Ｓ
、 ｓ２ｏ 、ｓｏ２゜ＳＯ２，Ｎ原子ノ原料カスとし
てＮ２．ＮＦ２．Ｈ２ＮＮＨ２゜ＨＮ３． ＮＨ４Ｎ３
．７３Ｎ 、 ｙ４Ｎ２などのガスを、プラズマＣＶＤ
法では上記のＣ原子の原料ガスに混合して用いれば良く
、反応性スパッタ法では人’＋Ｈ２＋２２１０７！２な
どに混合して用いれば良い。
少くとも水素またはハロゲン原子を含有し、かつ、シリ
コンおよびゲルマニウムの少くとも一方を主成分とする
無機光導電層の構成材料であるａ−３ｉ（：Ｈ：Ｘ）、
ａ−Ｇｏ（：Ｈ：Ｘ）。
コンおよびゲルマニウムの少くとも一方を主成分とする
無機光導電層の構成材料であるａ−３ｉ（：Ｈ：Ｘ）、
ａ−Ｇｏ（：Ｈ：Ｘ）。
ａ −３ｉｄｅ（： ）Ｉ ： Ｘ）の作成には、先ず
ａ−３ｉ（：Ｈ：Ｘ）の場合、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６、
５ｉ５Ｈ８゜ＳｉＦ４ 、５１１１４． ＳｉＨＦ３
、 ＳｉＨ２Ｆ２ 、５ｉＨ５Ｆ 。
ａ−３ｉ（：Ｈ：Ｘ）の場合、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６、
５ｉ５Ｈ８゜ＳｉＦ４ 、５１１１４． ＳｉＨＦ３
、 ＳｉＨ２Ｆ２ 、５ｉＨ５Ｆ 。
５ｉＨＣ４３、５ｉＨ２Ｃ７１！２ 、５ｉＨ５Ｃ１な
どのＳｉ原子の原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法、ま
たは多結晶シリコンイータ−ゲットとしムｒとＦ２（さ
らにＦ２またはＣβ２を混合しても良い）の混合ガス中
での反応性スパッタ法が用いられ、ａ−Ｇｅ（： Ｈ：
Ｘ）の場合、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈ６、Ｇ
ｅＦ４ 、（ｘｅｃ１４ 。
どのＳｉ原子の原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法、ま
たは多結晶シリコンイータ−ゲットとしムｒとＦ２（さ
らにＦ２またはＣβ２を混合しても良い）の混合ガス中
での反応性スパッタ法が用いられ、ａ−Ｇｅ（： Ｈ：
Ｘ）の場合、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈ６、Ｇ
ｅＦ４ 、（ｘｅｃ１４ 。
ＧａＢｒ４ 、ＧｅＩ４ 、ＧｅＦ２ 、ＣｔｅＣｒ１
２ 、ＧａＢｒ２ 、ＧｅＩ２ 。
２ 、ＧａＢｒ２ 、ＧｅＩ２ 。
ＧｅＨＦ５ 、ＧｅＦ２Ｆ２ 、ＧａＨ５Ｆ 、ＧｅＨ
Ｂｒ３ 、ＧｅＨ２ｆＪ２ 。
Ｂｒ３ 、ＧｅＨ２ｆＪ２ 。
ＣｚｅＨ５Ｃ１、ＧｅＨＢｒ３ 、ＧｅＦ２Ｂｒ２ 、
ＧｅＨＢｒ３ＧｅＦ２Ｉ２ 、ＧｅＨ５工などのＧｅ原
子の原料ガスを用いたプラズマＣ’／Ｉ）法、または多
結晶ゲルマニウムをターゲットとし、人ｒとＦ２（さら
にＦ２またはＣ１２を混合しても良い）の混合ガス中で
の反応性スパッタ法が用いられる。ａ−８ｉＧｅ（：Ｈ
：Ｘ）の場合も同様に、上記のＳｉ原子の原料ガスおよ
びＧｅ原子の原料ガスの混合ガスを用いたプラズマＣＶ
Ｄ法、あるいはＳｉとＧｅの混合されたターゲットまた
はＳｌとｃｒｅの２枚のターゲットを用いた人ｒとＦ２
（さらにＦ２まだはＣ４ｚ を混合しても良い）の
混合ガス中での反応性スパッタ法により形成される。
ＧｅＨＢｒ３ＧｅＦ２Ｉ２ 、ＧｅＨ５工などのＧｅ原
子の原料ガスを用いたプラズマＣ’／Ｉ）法、または多
結晶ゲルマニウムをターゲットとし、人ｒとＦ２（さら
にＦ２またはＣ１２を混合しても良い）の混合ガス中で
の反応性スパッタ法が用いられる。ａ−８ｉＧｅ（：Ｈ
：Ｘ）の場合も同様に、上記のＳｉ原子の原料ガスおよ
びＧｅ原子の原料ガスの混合ガスを用いたプラズマＣＶ
Ｄ法、あるいはＳｉとＧｅの混合されたターゲットまた
はＳｌとｃｒｅの２枚のターゲットを用いた人ｒとＦ２
（さらにＦ２まだはＣ４ｚ を混合しても良い）の
混合ガス中での反応性スパッタ法により形成される。
また、無機光導電層の構成材料のａ−８ｉ（：Ｈ：Ｘ）
。
。
ａ−Ｇｏ（：Ｈ：Ｘ）およびａ−３ｉＧｅ （：Ｈ：Ｘ
）に炭素、酸素、硫黄あるいは窒素を含有させることに
より、無機光導電層中の高抵抗化、高光感度化、高安定
化を図ることができる。炭素、酸素。
）に炭素、酸素、硫黄あるいは窒素を含有させることに
より、無機光導電層中の高抵抗化、高光感度化、高安定
化を図ることができる。炭素、酸素。
硫黄および窒素を含有させる方法としては、それぞれ上
記のＣ原子の原料ガス、Ｃ原子の原料ガス。
記のＣ原子の原料ガス、Ｃ原子の原料ガス。
Ｓ原子の原料ガスおよびＮ原子の原料ガスを、プラズマ
ＣＶＤ法では上記のＳｉ原子の原料ガスあるいはＧｅ原
子の原料ガスに混合して使用すれば良く、反応性スパッ
タ法では人ｒまたはＦ２ に混合して使用すれば良い（
Ｆ２またはＣ７！２に混合しても良い）。
ＣＶＤ法では上記のＳｉ原子の原料ガスあるいはＧｅ原
子の原料ガスに混合して使用すれば良く、反応性スパッ
タ法では人ｒまたはＦ２ に混合して使用すれば良い（
Ｆ２またはＣ７！２に混合しても良い）。
さらに、本発明において上記のａ −Ｓｉ（：Ｈ：Ｘ）
。
。
ａ−Ｇｅ （：Ｈ：Ｘ）、ａ−８ｉＧｅ（：Ｈ：Ｘ）。
ａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）に不純物を添加することにより、伝
導性を制御し、所望の電子写真特性を得ることができる
。特に、電荷輸送層を形成するａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）は、
この不純物の添加により大きくキャリヤ輸送の特性が変
化する。ｐ型缶導性を与えるｐ型不純物としては、周期
表第■族に属するＢ、Ａ／、Ｇａ、Ｉｎなどが有り、好
適にはＢ。
導性を制御し、所望の電子写真特性を得ることができる
。特に、電荷輸送層を形成するａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）は、
この不純物の添加により大きくキャリヤ輸送の特性が変
化する。ｐ型缶導性を与えるｐ型不純物としては、周期
表第■族に属するＢ、Ａ／、Ｇａ、Ｉｎなどが有り、好
適にはＢ。
ｋｌ 、 Ｇａが用いられ、ｎ型伝導性を与えるｎ型不
純物としては、周期表第■族に属するＰ、Ａｓ。
純物としては、周期表第■族に属するＰ、Ａｓ。
ｓｂなどが有り、好適にはＰ、Ａｓ が用いられる。
また、これらの不純物を添加する方法として、ｐ型不純
物の場合・Ｂ２Ｈ６，Ｂ４Ｈ１０，Ｂ５Ｈ９，Ｂ５Ｈ１
１゜Ｂ６ＨＴｏ ｒ Ｂ６Ｈ４２＋Ｂ６Ｈ１４ｒ ”
’５ ｒ ” Ｃ１３５ｒ ＢＢｒ３ ＋ＡＩＧＩＩ３
．（ＣＨ３）３人１３ ＋ （Ｃ２Ｈ５）３人Ｉｔ ｒ
（ｉ（１４Ｈ９）５Ａ６゜（ＣＨ３）３Ｇ４ ＋
（（’２Ｈｓ）ｓｅａ ＋ Ｉｎ（Ｊ３１ （Ｃｉ２Ｈ
５） Ｉｎ、ｎ型不純物の場合、ＰＨ３，Ｐ２Ｈ４，Ｐ
Ｈ４Ｉ 、 ＰＦ３゜ＰＦ５ 、ＰＣｌ３．ＰＣｌ５
、ＰＢｒ３ 、ＰＢｒ３ 、ＰＩ３ 、ＡｓＨ３゜ムｓ
Ｆ５ 、ｋｓｃ１３．人５Ｂｒ３ 、ＡｓＦ５ 、Ｓｂ
Ｈ３、ＳｂＦ５ 。
物の場合・Ｂ２Ｈ６，Ｂ４Ｈ１０，Ｂ５Ｈ９，Ｂ５Ｈ１
１゜Ｂ６ＨＴｏ ｒ Ｂ６Ｈ４２＋Ｂ６Ｈ１４ｒ ”
’５ ｒ ” Ｃ１３５ｒ ＢＢｒ３ ＋ＡＩＧＩＩ３
．（ＣＨ３）３人１３ ＋ （Ｃ２Ｈ５）３人Ｉｔ ｒ
（ｉ（１４Ｈ９）５Ａ６゜（ＣＨ３）３Ｇ４ ＋
（（’２Ｈｓ）ｓｅａ ＋ Ｉｎ（Ｊ３１ （Ｃｉ２Ｈ
５） Ｉｎ、ｎ型不純物の場合、ＰＨ３，Ｐ２Ｈ４，Ｐ
Ｈ４Ｉ 、 ＰＦ３゜ＰＦ５ 、ＰＣｌ３．ＰＣｌ５
、ＰＢｒ３ 、ＰＢｒ３ 、ＰＩ３ 、ＡｓＨ３゜ムｓ
Ｆ５ 、ｋｓｃ１３．人５Ｂｒ３ 、ＡｓＦ５ 、Ｓｂ
Ｈ３、ＳｂＦ５ 。
５ｂｙ５．ｓｂｃβ３，５ｂＣ１５のガスあるいはこれ
らのガスをＦ２ 、 Ｈｅ 、 Ａｒで希釈したガスを
、プラズマＣＶＤ法では、それぞれの材料形成時におい
て使用する上記のＣ原子、Ｓｉ原子またはＧｅ原子の原
料ガスに混合して用いれば良く、反応性スパッタ法では
、人ｒまだはＦ２に混合して用いれば良い（Ｆ２または
Ｃβ２に混合しても良い）。
らのガスをＦ２ 、 Ｈｅ 、 Ａｒで希釈したガスを
、プラズマＣＶＤ法では、それぞれの材料形成時におい
て使用する上記のＣ原子、Ｓｉ原子またはＧｅ原子の原
料ガスに混合して用いれば良く、反応性スパッタ法では
、人ｒまだはＦ２に混合して用いれば良い（Ｆ２または
Ｃβ２に混合しても良い）。
以下、実施例について述べる。
実施例１
鏡面研磨したＡβ基板を容量結合方式プラズマＣＶＤ装
置内に配置し、反応容器内を５Ｘ１０ ’Ｔｏｒｒ以下
に排気後、基板をＩ６０〜２５０℃に加熱したＯ Ｃ２
Ｈ４：１０〜８０ ｓｃｃｍ 、 Ｈ２希釈した濃度０
．１係のＢ２Ｈ６：０．５−５−２０ｓｅ 、 Ｇ Ｏ
： ｏ、１〜ｏ、ｓ ｓｃｃｍを装置内に導入し、反応
容器内の圧力をＱ、１〜１．○ＴＯｒｒ に調整後、１
３．５６ ＭＨｚの高周波電力２０〜２００Ｗでホウ素
および酸素添加したａ−Ｃ：Ｈ層を１５６ｍ形成し、次
にＳｉＦ４：２〜１ｏＳＣＣｍ、ＳｉＨ４：１ｏ〜４０
ｓｃｃｍを導入し、圧力０．２〜１ 、ＯＴＯｒｒ、高
周波電力２０〜１５ＱＷでアンド−プロ−３ｉ：Ｈ：Ｆ
層を０．５〜２μｍ形成して電子写真感光体を作製した
。この電子写真感光体を＋６．３Ｋｖでコロナ帯電させ
たところ、＋３５０ｏｖの表面電位を得、白色光で露光
したところ残留電位＋２０Ｖ以下であった。次に表面電
位を＋４０ＯＶに帯電させたところ、同一膜厚のａ−３
ｉ：Ｈ：Ｆ層のみの時よりも帯電時のコロナ電流は減少
し、光感度は増大しだ。これは、ホウ素および酸素添加
しだａ−Ｃ：Ｈ層が正孔の電荷輸送層として機能し、電
子写真感光体の誘電率を減少させているだめである。
置内に配置し、反応容器内を５Ｘ１０ ’Ｔｏｒｒ以下
に排気後、基板をＩ６０〜２５０℃に加熱したＯ Ｃ２
Ｈ４：１０〜８０ ｓｃｃｍ 、 Ｈ２希釈した濃度０
．１係のＢ２Ｈ６：０．５−５−２０ｓｅ 、 Ｇ Ｏ
： ｏ、１〜ｏ、ｓ ｓｃｃｍを装置内に導入し、反応
容器内の圧力をＱ、１〜１．○ＴＯｒｒ に調整後、１
３．５６ ＭＨｚの高周波電力２０〜２００Ｗでホウ素
および酸素添加したａ−Ｃ：Ｈ層を１５６ｍ形成し、次
にＳｉＦ４：２〜１ｏＳＣＣｍ、ＳｉＨ４：１ｏ〜４０
ｓｃｃｍを導入し、圧力０．２〜１ 、ＯＴＯｒｒ、高
周波電力２０〜１５ＱＷでアンド−プロ−３ｉ：Ｈ：Ｆ
層を０．５〜２μｍ形成して電子写真感光体を作製した
。この電子写真感光体を＋６．３Ｋｖでコロナ帯電させ
たところ、＋３５０ｏｖの表面電位を得、白色光で露光
したところ残留電位＋２０Ｖ以下であった。次に表面電
位を＋４０ＯＶに帯電させたところ、同一膜厚のａ−３
ｉ：Ｈ：Ｆ層のみの時よりも帯電時のコロナ電流は減少
し、光感度は増大しだ。これは、ホウ素および酸素添加
しだａ−Ｃ：Ｈ層が正孔の電荷輸送層として機能し、電
子写真感光体の誘電率を減少させているだめである。
実施例２
鏡面研磨したｌ ドラムを容量結合方式プラズマＣＶＤ
装置内に配置し、反応容器内を６ Ｘｌ ０−６Ｔｏｒ
ｒ以下に排気後、ＡＪドラムを１６０〜２６０°Ｃに加
熱した。次に、ＧｅＦ４： １〜ｓ ５ｃａｎ、 Ｓｉ
Ｈ４： １ｏ 。
装置内に配置し、反応容器内を６ Ｘｌ ０−６Ｔｏｒ
ｒ以下に排気後、ＡＪドラムを１６０〜２６０°Ｃに加
熱した。次に、ＧｅＦ４： １〜ｓ ５ｃａｎ、 Ｓｉ
Ｈ４： １ｏ 。
〜２００ ＳＣＣｍ 、 Ｈ２希釈した２ ０ ｐｐｍ
濃度のＰＨ３： １〜５ ＳＣＣｍ導入し、圧カニ ０
．２〜１．０ Ｔｏｒｒ。
濃度のＰＨ３： １〜５ ＳＣＣｍ導入し、圧カニ ０
．２〜１．０ Ｔｏｒｒ。
高周波室カニ１００〜３００Ｗでリン添加したａ−３ｉ
Ｇｅ ： Ｈ： Ｆ層０．５〜１ μｍ形成し、続いて
ＧｅＦ４の導入を止め、代わりにＯＨ４： ６〜２０
ｓｃｃｍ導入し、リン添加したａ−３ｉＣ：Ｈ層０．６
〜１ μｍ形成した。次に、ＣＨ４： ７０〜１５０５
ｃａｎ。
Ｇｅ ： Ｈ： Ｆ層０．５〜１ μｍ形成し、続いて
ＧｅＦ４の導入を止め、代わりにＯＨ４： ６〜２０
ｓｃｃｍ導入し、リン添加したａ−３ｉＣ：Ｈ層０．６
〜１ μｍ形成した。次に、ＣＨ４： ７０〜１５０５
ｃａｎ。
ＣＦ４： ３０〜５０ ｓｅｃｍ、 Ｎ２： １〜６
ｓｅｃｍを導入し、圧カニ ０．１〜１．０ ＴＯｒｒ
、高周波室カニ１ｏＯ〜６０ｏＷで窒素添加したａ−
Ｃ：Ｈ：７層３〜６ ｐｍを積層し、更にＧｅＨ４：
６〜１ｏ ５ｃａｎ 。
ｓｅｃｍを導入し、圧カニ ０．１〜１．０ ＴＯｒｒ
、高周波室カニ１ｏＯ〜６０ｏＷで窒素添加したａ−
Ｃ：Ｈ：７層３〜６ ｐｍを積層し、更にＧｅＨ４：
６〜１ｏ ５ｃａｎ 。
Ｃ２Ｈ４：ｓｏ 〜１０１００５ｃ、圧カニ ０．１〜
１．ＯＴＯｒｒ。
１．ＯＴＯｒｒ。
高周波電力−１００〜ｓｏｏｗの製作条件でＧｅ１−ｘ
Ｃｘを１ｏｏＯ〜６０ｏＯ人形成し、電子写真感光体を
作製した。この感光体を発振波長８００ｎｍの半導体レ
ーザを光源とするレーザビームプリンタに実装し、負帯
電において鮮明な印字および白点キズのないことを確認
した。まだ、８０万枚の刷耐性および多湿雰囲気中での
画像流れのないことも確認した。
Ｃｘを１ｏｏＯ〜６０ｏＯ人形成し、電子写真感光体を
作製した。この感光体を発振波長８００ｎｍの半導体レ
ーザを光源とするレーザビームプリンタに実装し、負帯
電において鮮明な印字および白点キズのないことを確認
した。まだ、８０万枚の刷耐性および多湿雰囲気中での
画像流れのないことも確認した。
さらに、光導電層のリン添加したａ−３ｉＧｅ：Ｈ：Ｆ
層とリン添加したａ−３ｉＣ：Ｈ層の代わりに、ａ−Ｇ
ｅ：Ｈ（：Ｆ）単層、ｈ−Ｇｅｅ：Ｈ（：Ｆ）単層、ａ
−３ｉＧｅ：Ｈ（：Ｆ）単層、または支持体側からａ−
（、ｅｃ：Ｈ（：Ｆ）とａ−３ｉ：Ｈ（：Ｆ）の積層。
層とリン添加したａ−３ｉＣ：Ｈ層の代わりに、ａ−Ｇ
ｅ：Ｈ（：Ｆ）単層、ｈ−Ｇｅｅ：Ｈ（：Ｆ）単層、ａ
−３ｉＧｅ：Ｈ（：Ｆ）単層、または支持体側からａ−
（、ｅｃ：Ｈ（：Ｆ）とａ−３ｉ：Ｈ（：Ｆ）の積層。
ａ−Ｇｅ：Ｈ（：Ｆ）とａ−ＧｅＣ：Ｈ（：Ｆ）の積層
。
。
ａ −Ｇｅ ：Ｈ（：Ｆ ）とａ−３ｉ：Ｈ（：Ｆ）の
積層。
積層。
ａ−ＧｅＣ：Ｈ（：Ｆ）とａ−８ｉＣ：Ｈ：（：Ｆ）の
、積層。
、積層。
ａ−ＧｅＣ：Ｈ（：Ｆ）とａ−８ｉＧｅ：Ｈ（：Ｆ）の
積層。
積層。
ａ −３ｉ（、ｅ ：Ｈ（：Ｆ）とａ−３ｔ：Ｈ（：Ｆ
）の積層。
）の積層。
ａ−Ｇｅ：Ｈ（：Ｆ）とａ−８ｉＧｅ：Ｈ（：Ｆ）の積
層。
層。
ａ−ＧｅＣ：Ｈ（：Ｆ）とｈ−３ｉＧｅ：Ｈ（：Ｆ）の
積層を使用した場合においても、上記と同様な特性を示
す電子写真感光体を形成できた。
積層を使用した場合においても、上記と同様な特性を示
す電子写真感光体を形成できた。
実施例３
ＭＯを蒸着したガラス基板をマグネトロンスパッタ装置
内に配置し、基板温度を１６０〜２６０℃とし、Ｄ７２
０ ｓ 焼結体をターゲットとし、ムｒ：３〜２０ ｍ
Ｔｏｒｒ 、 ０２ ： １０〜４０ ｍＴｏｒｒ、高
周波電力＝１０Ｑ〜３０ｏＷの条件でＤｙ２Ｏ３層を１
ｏｏ。
内に配置し、基板温度を１６０〜２６０℃とし、Ｄ７２
０ ｓ 焼結体をターゲットとし、ムｒ：３〜２０ ｍ
Ｔｏｒｒ 、 ０２ ： １０〜４０ ｍＴｏｒｒ、高
周波電力＝１０Ｑ〜３０ｏＷの条件でＤｙ２Ｏ３層を１
ｏｏ。
〜２５０００人形成し、次にグラファイトをターゲット
とし、Ａｒ ： １〜１０ ｍＴｏｒｒ 、 Ｈ２：
９〜９０ｍＴＯｒｒ。
とし、Ａｒ ： １〜１０ ｍＴｏｒｒ 、 Ｈ２：
９〜９０ｍＴＯｒｒ。
Ｎｏ ：０．１〜１ ｍＴｏｒｒ 、高周波電力１ｏ○
〜６ｏＯＷの条件で窒素および酸素添加しだａ−Ｃ：Ｈ
層を５μｍ形成した。続いて、多結晶シリコンをターゲ
ットとし、Ａｒ ： ２〜５ ｍＴｏｒｒ 、 Ｈ２：
３〜５ｍＴＯｒｒ。
〜６ｏＯＷの条件で窒素および酸素添加しだａ−Ｃ：Ｈ
層を５μｍ形成した。続いて、多結晶シリコンをターゲ
ットとし、Ａｒ ： ２〜５ ｍＴｏｒｒ 、 Ｈ２：
３〜５ｍＴＯｒｒ。
Ｎ Ｏ：０．１〜０．５ ｍＴｏｒｒ 、高周波電力１
０ｏ〜５００ｗの条件で窒素および酸素添加したａ−３
ｉ：Ｈ層。、５〜２μｍ形成して電子写真感光体を形成
した。この感光体を＋６，３ ＫＶでコロナ帯電したと
ころ、表面電位＋１０００Ｖを得、波長４００〜７００
１ｍの光に対して高感度で、残留電位も＋２０Ｖ以下で
あった。
０ｏ〜５００ｗの条件で窒素および酸素添加したａ−３
ｉ：Ｈ層。、５〜２μｍ形成して電子写真感光体を形成
した。この感光体を＋６，３ ＫＶでコロナ帯電したと
ころ、表面電位＋１０００Ｖを得、波長４００〜７００
１ｍの光に対して高感度で、残留電位も＋２０Ｖ以下で
あった。
実施例４
表面にＪｊを蒸着したガラス基板上に、プラズマＣｖＤ
法によりホウ素添加したａ−３ｉ：Ｈを１Ｑ００〜５０
００人障壁層として形成し、更に、酸素およびホウ素を
添加しだａ−Ｃ：Ｈ層３μｍ、酸素およびホウ素添加し
たａ−３ｉ：Ｈ層０．６〜２μｍ、表面被覆層としてＳ
ｉ、 １０１層１ＱＯｏ〜５ｏｏ〇八を順次積層して電
子写真感光体を作製した。この感光体に＋６．３ＫＶの
コロナ帯電を行い、白色光で露光したところ、帯電電位
が高く、しかも高感度であった。
法によりホウ素添加したａ−３ｉ：Ｈを１Ｑ００〜５０
００人障壁層として形成し、更に、酸素およびホウ素を
添加しだａ−Ｃ：Ｈ層３μｍ、酸素およびホウ素添加し
たａ−３ｉ：Ｈ層０．６〜２μｍ、表面被覆層としてＳ
ｉ、 １０１層１ＱＯｏ〜５ｏｏ〇八を順次積層して電
子写真感光体を作製した。この感光体に＋６．３ＫＶの
コロナ帯電を行い、白色光で露光したところ、帯電電位
が高く、しかも高感度であった。
発明の効果
本発明による電子写真感光体は、帯電時のコロナ電流が
小さく、高光感度で、画像に白点キズがなく、しかも低
コストである。
小さく、高光感度で、画像に白点キズがなく、しかも低
コストである。
第１図および第２図は、それぞれ本発明における電子写
真感光体の実施例の断面図である。 １．６・・・・・・電子写真感光体、２・・・・・・支
持体、３・・・・・・電荷輸送層、４・・・・・・無機
光導電層、６・・・・・・自由表面。 ｌ、乙 −ｍ−僕り子羊１．々き３光イ水２−−一支杓
俸 第２図
真感光体の実施例の断面図である。 １．６・・・・・・電子写真感光体、２・・・・・・支
持体、３・・・・・・電荷輸送層、４・・・・・・無機
光導電層、６・・・・・・自由表面。 ｌ、乙 −ｍ−僕り子羊１．々き３光イ水２−−一支杓
俸 第２図
Claims (5)
- （１）少くとも水素またはハロゲン原子を含有し、かつ
シリコンおよびゲルマニウムの少くとも一方を主成分と
する無機光導電層と、前記無機光導電層に積層され、少
くとも水素またはハロゲン原子を含有し、かつ酸素、硫
黄および窒素の少くとも一つを含有する非晶質カーボン
を主成分とする電荷輸送層とを備えたことを特徴とする
電子写真感光体。 - （２）無機光導電層が、炭素、酸素、硫黄および窒素の
少くともいずれか１つを含有することを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載の電子写真感光体。 - （３）無機光導電層および電荷輸送層の少くともいずれ
か一方が、周期表第III族元素あるいは第Ｖ族元素を含
有することを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
２項に記載の電子写真感光体。 - （４）表面被覆層を有することを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の電子写真感光体。 - （５）支持体と無機光導電層あるいは電荷輸送層との間
に障壁層を有することを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の電子写真感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60217061A JPH0727246B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 電子写真感光体 |
| EP19860110686 EP0211421B1 (en) | 1985-08-03 | 1986-08-01 | Electrophotographic photoreceptor |
| DE8686110686T DE3681655D1 (en) | 1985-08-03 | 1986-08-01 | Elektrophotographischer photorezeptor. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60217061A JPH0727246B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6275538A true JPS6275538A (ja) | 1987-04-07 |
| JPH0727246B2 JPH0727246B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=16698214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60217061A Expired - Fee Related JPH0727246B2 (ja) | 1985-08-03 | 1985-09-30 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727246B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6343156A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-24 | Stanley Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH01163751A (ja) * | 1986-09-26 | 1989-06-28 | Canon Inc | 電子写真用感光体 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60112048A (ja) * | 1983-11-02 | 1985-06-18 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 上塗りした無定形ケイ素組成物を有する電子写真装置 |
| JPS61223748A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-04 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS629355A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-17 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | 無定形炭素を含有する電子写真像形成部材 |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP60217061A patent/JPH0727246B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60112048A (ja) * | 1983-11-02 | 1985-06-18 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 上塗りした無定形ケイ素組成物を有する電子写真装置 |
| JPS61223748A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-04 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS629355A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-17 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | 無定形炭素を含有する電子写真像形成部材 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6343156A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-24 | Stanley Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH01163751A (ja) * | 1986-09-26 | 1989-06-28 | Canon Inc | 電子写真用感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0727246B2 (ja) | 1995-03-29 |
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