JPH0752302B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPH0752302B2 JPH0752302B2 JP60217051A JP21705185A JPH0752302B2 JP H0752302 B2 JPH0752302 B2 JP H0752302B2 JP 60217051 A JP60217051 A JP 60217051A JP 21705185 A JP21705185 A JP 21705185A JP H0752302 B2 JPH0752302 B2 JP H0752302B2
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- JP
- Japan
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- group
- layer
- charge transport
- transport layer
- photosensitive member
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08285—Carbon-based
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子写真方式による複写機あるいはプリンタ
に使用される電子写真感光体に関するものである。
に使用される電子写真感光体に関するものである。
従来の技術 従来、カルコゲンガラスで構成された感光体として、酸
素を含有するSeの単層構造（特開昭59-166960号公
報）、ハロゲンを添加したSe-Teの単層構造（特開昭58-
35543号公報）、Se,Se-TeおよびSe-Asの積層構造（特開
昭58-46344号公報）が提案されている。
素を含有するSeの単層構造（特開昭59-166960号公
報）、ハロゲンを添加したSe-Teの単層構造（特開昭58-
35543号公報）、Se,Se-TeおよびSe-Asの積層構造（特開
昭58-46344号公報）が提案されている。
また、ZnOを用いた感光体（特開昭57-64242号公報，特
開昭57-124738号公報）およびCdSを用いた感光体（特開
昭57-76550号公報，特開昭57-120939号公報）なども提
案されている。
開昭57-124738号公報）およびCdSを用いた感光体（特開
昭57-76550号公報，特開昭57-120939号公報）なども提
案されている。
発明が解決しようとする問題点 Se,Se-TeおよびAs-Seなどのカルコゲンガラスから構成
される電子写真感光体は、光疲労が大きく、また帯電能
（単位膜厚当りの帯電電位）が小さいため良質の画像を
得るために多くの膜厚が必要である。
される電子写真感光体は、光疲労が大きく、また帯電能
（単位膜厚当りの帯電電位）が小さいため良質の画像を
得るために多くの膜厚が必要である。
適当な電気絶縁性の有機重合性結着剤中に分散させて得
られるCdSおよびZnO感光体は、分散系であるがため層全
体がポーラスになっており、そのために湿度依存性が著
しく、多湿雰囲気中で使用すると電気的特性の劣化を生
じ、高品質の画像を得ることが困難になる。また、この
ポーラス性は、感光層への現像剤の侵入を促すため、ク
リーニング性を悪化させるばかりでなく、感光体の寿命
を低下させている。
られるCdSおよびZnO感光体は、分散系であるがため層全
体がポーラスになっており、そのために湿度依存性が著
しく、多湿雰囲気中で使用すると電気的特性の劣化を生
じ、高品質の画像を得ることが困難になる。また、この
ポーラス性は、感光層への現像剤の侵入を促すため、ク
リーニング性を悪化させるばかりでなく、感光体の寿命
を低下させている。
問題点を解決するための手段 少なくとも周期表第VI族元素または第Ｖ族元素を主成分
とする無機光導電層、および電荷輸送層として窒素原
子，酸素原子および硫黄原子のうち１種類以上含有する
非晶質カーボンを主成分とする層を積層する。
とする無機光導電層、および電荷輸送層として窒素原
子，酸素原子および硫黄原子のうち１種類以上含有する
非晶質カーボンを主成分とする層を積層する。
作用 非晶質カーボンは、水素やハロゲンだけでなく、さらに
膜中に窒素原子，酸素原子または硫黄原子を含有させる
ことにより、これらの原子がキャリヤの再結合中心とし
て働くダングリングボンドをさらに減少させることがで
き、電子および正孔の移動度は格段に向上する。また、
非晶質カーボン中に窒素原子，酸素原子または硫黄原子
を含有させることによって、非晶質カーボンの非誘電率
をより小さくできるため、帯電能をより大きくできると
共に、光導電層との積層からなる感光体において光感度
をより高くすることができる。従って、カルコゲンガラ
スのSe,Se-Te,Se-Asなどの光導電体に電荷輸送層として
非晶質カーボンを積層することにより、感光体の膜厚を
薄くでき、また帯電時のコロナ電流が減少するため、光
感度を高くできる。
膜中に窒素原子，酸素原子または硫黄原子を含有させる
ことにより、これらの原子がキャリヤの再結合中心とし
て働くダングリングボンドをさらに減少させることがで
き、電子および正孔の移動度は格段に向上する。また、
非晶質カーボン中に窒素原子，酸素原子または硫黄原子
を含有させることによって、非晶質カーボンの非誘電率
をより小さくできるため、帯電能をより大きくできると
共に、光導電層との積層からなる感光体において光感度
をより高くすることができる。従って、カルコゲンガラ
スのSe,Se-Te,Se-Asなどの光導電体に電荷輸送層として
非晶質カーボンを積層することにより、感光体の膜厚を
薄くでき、また帯電時のコロナ電流が減少するため、光
感度を高くできる。
また、非晶質カーボンは、耐湿性、耐熱性、耐摩耗性に
優れることから、CdSまたはZnOを電荷発生層とし、その
上に非晶質カーボンを積層することにより、従来CdSお
よびZnOの欠点であった多湿時での特性劣化および寿命
の低下を改善することができ、耐環境性および耐久性の
優れた感光体を構成することができる。
優れることから、CdSまたはZnOを電荷発生層とし、その
上に非晶質カーボンを積層することにより、従来CdSお
よびZnOの欠点であった多湿時での特性劣化および寿命
の低下を改善することができ、耐環境性および耐久性の
優れた感光体を構成することができる。
実施例 第１図は、本発明における最も基本的な電子写真感光体
の一実施例の断面を摸式的に示したものである。
の一実施例の断面を摸式的に示したものである。
第１図に示す電子写真感光体１は、電子写真感光体とし
ての支持体２上に、少なくとも水素またはハロゲン原子
（Ｘ）を含有する非晶質カーボン（以下ａ−Ｃ（:H:X）
但しＸ＝F,Cl,Br,Iと略記する）からなる電荷輸送層３
と少なくとも周期表第VI族または第Ｖ族元素を含有する
無機光導電層４とを有し、前記無機光導電層４は自由表
面５を一方の端面に有している。第１図では支持体２上
に電荷輸送層３、少なくとも周期表第VI族または第Ｖ族
元素を含有する無機光導電層４を順に積層しているが、
第２図に示すように支持体２上に少なくとも同期表第VI
族または第Ｖ族元素を含有する無機光導電層４、電荷輸
送層３の順に積層しても、電荷輸送層３のａ−Ｃ（:H:
X）は、可視光に対してほとんど透明であるため、自由
表面５から入射した光の大部分は少くとも第VI族または
第Ｖ族元素を含有する無機光導電層４に到達することが
でき、第１図の構成と同様な特性を有する電子写真感光
体６を得ることができる。
ての支持体２上に、少なくとも水素またはハロゲン原子
（Ｘ）を含有する非晶質カーボン（以下ａ−Ｃ（:H:X）
但しＸ＝F,Cl,Br,Iと略記する）からなる電荷輸送層３
と少なくとも周期表第VI族または第Ｖ族元素を含有する
無機光導電層４とを有し、前記無機光導電層４は自由表
面５を一方の端面に有している。第１図では支持体２上
に電荷輸送層３、少なくとも周期表第VI族または第Ｖ族
元素を含有する無機光導電層４を順に積層しているが、
第２図に示すように支持体２上に少なくとも同期表第VI
族または第Ｖ族元素を含有する無機光導電層４、電荷輸
送層３の順に積層しても、電荷輸送層３のａ−Ｃ（:H:
X）は、可視光に対してほとんど透明であるため、自由
表面５から入射した光の大部分は少くとも第VI族または
第Ｖ族元素を含有する無機光導電層４に到達することが
でき、第１図の構成と同様な特性を有する電子写真感光
体６を得ることができる。
本発明において、少くとも周期表第VI族元素または第Ｖ
族元素を含有する無機光導電層４を構成する材料とし
て、Se,SeTe,As2S,As2Se3,As2Te3,SSe,STe,SbTe,SiTe,S
−Se−Te,As−Ｓ−Se,As−Ｓ−Te,As−Se−Te,As−Sb−
S,As−Sb−Se,As−Bi−S,Ag−As−S,As−Ｓ−I,As−Ｓ
−Br,As−Ｓ−Cl,As−Se−I,As−Te−I,Si−As−Te,Si
−Ｐ−Te,Si−Sb−S,Si−Sb−Se,Ba−Ca−Ga−Ｓなどの
カルコゲナイドガラスおよびCaS,GaSe,CaTe,MgSe,MgTe,
ZnO,ZnS,ZnSe,ZnTe,SrO,SrS,SrSe,SrTe,CdSCdSe,CdTe,B
aO,BaS,BaSe,BaTe,HgS,HgSeなどII-VI化合物およびAl2S
3,Al2Se3,Al2Te3,Ga2O3,GaS,Ga2S3,GaSe,Ga2Se3,GaTe,G
a2Te3,In2O3,In2S3,InSe,In2Se3,In2Te3,Tl2SなどIII-V
I化合物およびCu2O,Ag2S,Ag2TeなどのＩ−VI化合物およ
びNa3Sb,KSb,K3Sb,Rb3Sb,CsSbCs3Sb,Cs3BiなどのＩ−Ｖ
化合物およびMg3Sb2,Zn3P2,Zn3As2,ZnSb,CsSbCs3P2,Cd3
As2,CdSb,などのII−Ｖ化合物,GaN,Gap,GaAs,InPなどの
III−Ｖ化合物，TiO2のIV-VI化合物，WO3化合物VI-VI化
合物が挙げられる。
族元素を含有する無機光導電層４を構成する材料とし
て、Se,SeTe,As2S,As2Se3,As2Te3,SSe,STe,SbTe,SiTe,S
−Se−Te,As−Ｓ−Se,As−Ｓ−Te,As−Se−Te,As−Sb−
S,As−Sb−Se,As−Bi−S,Ag−As−S,As−Ｓ−I,As−Ｓ
−Br,As−Ｓ−Cl,As−Se−I,As−Te−I,Si−As−Te,Si
−Ｐ−Te,Si−Sb−S,Si−Sb−Se,Ba−Ca−Ga−Ｓなどの
カルコゲナイドガラスおよびCaS,GaSe,CaTe,MgSe,MgTe,
ZnO,ZnS,ZnSe,ZnTe,SrO,SrS,SrSe,SrTe,CdSCdSe,CdTe,B
aO,BaS,BaSe,BaTe,HgS,HgSeなどII-VI化合物およびAl2S
3,Al2Se3,Al2Te3,Ga2O3,GaS,Ga2S3,GaSe,Ga2Se3,GaTe,G
a2Te3,In2O3,In2S3,InSe,In2Se3,In2Te3,Tl2SなどIII-V
I化合物およびCu2O,Ag2S,Ag2TeなどのＩ−VI化合物およ
びNa3Sb,KSb,K3Sb,Rb3Sb,CsSbCs3Sb,Cs3BiなどのＩ−Ｖ
化合物およびMg3Sb2,Zn3P2,Zn3As2,ZnSb,CsSbCs3P2,Cd3
As2,CdSb,などのII−Ｖ化合物,GaN,Gap,GaAs,InPなどの
III−Ｖ化合物，TiO2のIV-VI化合物，WO3化合物VI-VI化
合物が挙げられる。
本発明においてさらに電子写真特性を向上させるため
に、第１図において、支持体２と電荷輸送層３の間に、
支持体２から電荷輸送層３に注入するキャリヤを有効に
阻止する障壁層を設けても良い。障壁層を形成する材料
としては、Al2O3,BaO,BaO2,BeO,Bi2O3,CaO,CeO2,Ce2O3,
La2O3,Dy2O3,Lu2O3,Cr2O3,CuO,Cu2O,FeO,PbO,MgO,SrO,T
a2O5,ThO2,ZrO2,HfO2,GeO2,Y2O3,TiO2,MgO,MgO・Al2O3,S
iO2・MgO等の金属酸化物またはTiN,AlN,SnN,NbN,TaN,GaN
などの金属窒化物またはWC,SnC,TiCなどの金属炭化物ま
たは、Si1-xOx,Si1-xNx,Si1-xCx,Ge1-xCx,Ge1-xNx（但
し０＜ｘ＜１）などの絶縁物、ポリエチレン，ポリカー
ボネイト，ポリウレタン，ポリパラキシレンなどの絶縁
性有機化合物が使用され、自由表面５側に正帯電を帯電
させる場合ｐ型半導体例えばB,Al,Gaなどの第III族元素
を添加したａ−Si（:H:X）,a−SiGe（:H:X）,a−Ge（:
H:X）,a−Ｃ（:H:X）,a−SiC（:H:X）またはａ−GeC（:
H:X）が使用される。また、自由表面５に負電荷を帯電
させる場合、障壁層としてｎ型半導体、例えば第Ｖ族元
素のN,P,Arを添加したａ−Si（:H:X）,a−SiGe（:H:
X）,a−Ge（:H:X）,a−Ｃ（:H:X）,a−SiC（:H:X）また
はａ−GeC（:H:X）の使用が好ましい。さらに、第２図
に示すような電荷輸送層３が自由表面５を有する場合に
おいても、支持体２と少くとも第VI族または第Ｖ族元素
を含有する無機光導電層４との間に、上記の金属酸化
物、金属窒化物、金属炭化物、絶縁物または絶縁正有機
化合物からなる障壁層を形成しても良く、また特に自由
表面５に正帯電を帯電させる場合は、上記のｐ型半導体
で障壁層を形成し、自由表面５に負帯電を帯電させる場
合は、上記のｎ型半導体を形成するのが好適である。
に、第１図において、支持体２と電荷輸送層３の間に、
支持体２から電荷輸送層３に注入するキャリヤを有効に
阻止する障壁層を設けても良い。障壁層を形成する材料
としては、Al2O3,BaO,BaO2,BeO,Bi2O3,CaO,CeO2,Ce2O3,
La2O3,Dy2O3,Lu2O3,Cr2O3,CuO,Cu2O,FeO,PbO,MgO,SrO,T
a2O5,ThO2,ZrO2,HfO2,GeO2,Y2O3,TiO2,MgO,MgO・Al2O3,S
iO2・MgO等の金属酸化物またはTiN,AlN,SnN,NbN,TaN,GaN
などの金属窒化物またはWC,SnC,TiCなどの金属炭化物ま
たは、Si1-xOx,Si1-xNx,Si1-xCx,Ge1-xCx,Ge1-xNx（但
し０＜ｘ＜１）などの絶縁物、ポリエチレン，ポリカー
ボネイト，ポリウレタン，ポリパラキシレンなどの絶縁
性有機化合物が使用され、自由表面５側に正帯電を帯電
させる場合ｐ型半導体例えばB,Al,Gaなどの第III族元素
を添加したａ−Si（:H:X）,a−SiGe（:H:X）,a−Ge（:
H:X）,a−Ｃ（:H:X）,a−SiC（:H:X）またはａ−GeC（:
H:X）が使用される。また、自由表面５に負電荷を帯電
させる場合、障壁層としてｎ型半導体、例えば第Ｖ族元
素のN,P,Arを添加したａ−Si（:H:X）,a−SiGe（:H:
X）,a−Ge（:H:X）,a−Ｃ（:H:X）,a−SiC（:H:X）また
はａ−GeC（:H:X）の使用が好ましい。さらに、第２図
に示すような電荷輸送層３が自由表面５を有する場合に
おいても、支持体２と少くとも第VI族または第Ｖ族元素
を含有する無機光導電層４との間に、上記の金属酸化
物、金属窒化物、金属炭化物、絶縁物または絶縁正有機
化合物からなる障壁層を形成しても良く、また特に自由
表面５に正帯電を帯電させる場合は、上記のｐ型半導体
で障壁層を形成し、自由表面５に負帯電を帯電させる場
合は、上記のｎ型半導体を形成するのが好適である。
本発明において、感光体の耐摩耗性、耐湿性、クリーニ
ング性を向上させるために第１図および第２図において
自由表面５上に表面被覆層が形成される。表面被覆形成
材料として有効に使用されるものとして、Si1-xOx,Si
1-xCx,Si1-xNx,Ge1-xOx,Ge1-xCx,Ge1-xNx,B1-xNx,B1-xC
x,Al1-xNx（但し０＜ｘ＜１）などの無機絶縁物あるい
はポリエチレンテレフタレート，ポリカーボネート，ポ
リプロピレン，ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリデン，
ポリビニルアルコール，ポリスチレン，ポリアミド，ポ
リ四弗化エチレン，ポリ三弗化塩化エチレン，ポリ弗化
ビニリデン，六弗化プロピレン−四弗化エチレンコポリ
マー，三弗化エチレン−弗化ビニリデンコポリマー，ポ
リブデン，ポリビニルブチラール，ポリウレタンなどの
合成樹脂などが挙げられる。
ング性を向上させるために第１図および第２図において
自由表面５上に表面被覆層が形成される。表面被覆形成
材料として有効に使用されるものとして、Si1-xOx,Si
1-xCx,Si1-xNx,Ge1-xOx,Ge1-xCx,Ge1-xNx,B1-xNx,B1-xC
x,Al1-xNx（但し０＜ｘ＜１）などの無機絶縁物あるい
はポリエチレンテレフタレート，ポリカーボネート，ポ
リプロピレン，ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリデン，
ポリビニルアルコール，ポリスチレン，ポリアミド，ポ
リ四弗化エチレン，ポリ三弗化塩化エチレン，ポリ弗化
ビニリデン，六弗化プロピレン−四弗化エチレンコポリ
マー，三弗化エチレン−弗化ビニリデンコポリマー，ポ
リブデン，ポリビニルブチラール，ポリウレタンなどの
合成樹脂などが挙げられる。
ａ−Ｃ（:H:X）の作成には、CH4,C2H6,C3H8,C4H10,C
2H4,C3H6,C4H8,C2H2,C3H4,C4H6,C6H6,などの炭化水素、
CH3F,CH3Cl,CH3Br,CH3I,C2H5Cl,C2H5Br,C2H5I，等のハ
ロゲン化アルキル、C3H5F,C3H5Cl,C3H5Br等のハロゲン
化アリル、CClF3,CF4,CHF3,C2F6,C3F8等のフロンガス、
C6H6-mFm（ｍ＝１〜６）の弗化ベンゼン等のＣ原子の原
料ガスを用いたプラズマCVD法、または、グラファイト
をターゲットとし、Ar,H2,F2,Cl2,CH4,C2H4,C2H2,CF4中
での反応性スパッタ法が使用される。
2H4,C3H6,C4H8,C2H2,C3H4,C4H6,C6H6,などの炭化水素、
CH3F,CH3Cl,CH3Br,CH3I,C2H5Cl,C2H5Br,C2H5I，等のハ
ロゲン化アルキル、C3H5F,C3H5Cl,C3H5Br等のハロゲン
化アリル、CClF3,CF4,CHF3,C2F6,C3F8等のフロンガス、
C6H6-mFm（ｍ＝１〜６）の弗化ベンゼン等のＣ原子の原
料ガスを用いたプラズマCVD法、または、グラファイト
をターゲットとし、Ar,H2,F2,Cl2,CH4,C2H4,C2H2,CF4中
での反応性スパッタ法が使用される。
また、本発明において上記のａ−Ｃ（:H:X）に不純物を
添加して伝導性を制御し、電子写真特性の向上を図るこ
とができる。ａ−Ｃ（:H:X）の正孔の移動をし易く刷る
ためにはｐ型伝導性を助長すればよく、電子の移動をし
易くするためにはｎ型伝導性を助長すればよい。
添加して伝導性を制御し、電子写真特性の向上を図るこ
とができる。ａ−Ｃ（:H:X）の正孔の移動をし易く刷る
ためにはｐ型伝導性を助長すればよく、電子の移動をし
易くするためにはｎ型伝導性を助長すればよい。
ｐ型伝導性を与えるｐ型不純物 としては、周期表第III族に属するB,Al,Ga,In,などが有
り、好適にはB,Alが用いられ、ｎ型伝導性を与えるｎ型
不純物としては周期表第Ｖ族に属するP,As,Sb,Biなどが
有り、好適にはP,Asが用いられる。また、これらの不純
物を添加する方法として、ｐ型不純物の場合、B2H6,B4H
10,B5H9,B5H11,B6H10,B6H12,B6H14,BF3,BCl3,BBr3,AlCl
3,(CH3)3Al,(C2H5)3Al,(iC4H9)3Al,(CH3)3Ga,(C2H5)3G
a,InCl3,(C2H5)3In,n型不純物の場合、PH3,P2H4,PF3,PF
5,PCl3,PCl5,PBr3,PBr5,PI3,AsH3,AsF3,AsCl3,AsBr3,As
F5,SbH3,SbF3,SbF5,SbCl3,SbCl5,BiH3,BiF3,BiCl3のガ
スあるいはこれらのガスをH2,He,Arで希釈したガスを、
プラズマでCVD法では膜形成時いおいて使用する上記の
Ｃ原子の原料ガスに混合して用いれば良く、反応性スパ
ッタ法では、ArまたはH2あるいはF2やCl2に混合して用
いれば良い。
り、好適にはB,Alが用いられ、ｎ型伝導性を与えるｎ型
不純物としては周期表第Ｖ族に属するP,As,Sb,Biなどが
有り、好適にはP,Asが用いられる。また、これらの不純
物を添加する方法として、ｐ型不純物の場合、B2H6,B4H
10,B5H9,B5H11,B6H10,B6H12,B6H14,BF3,BCl3,BBr3,AlCl
3,(CH3)3Al,(C2H5)3Al,(iC4H9)3Al,(CH3)3Ga,(C2H5)3G
a,InCl3,(C2H5)3In,n型不純物の場合、PH3,P2H4,PF3,PF
5,PCl3,PCl5,PBr3,PBr5,PI3,AsH3,AsF3,AsCl3,AsBr3,As
F5,SbH3,SbF3,SbF5,SbCl3,SbCl5,BiH3,BiF3,BiCl3のガ
スあるいはこれらのガスをH2,He,Arで希釈したガスを、
プラズマでCVD法では膜形成時いおいて使用する上記の
Ｃ原子の原料ガスに混合して用いれば良く、反応性スパ
ッタ法では、ArまたはH2あるいはF2やCl2に混合して用
いれば良い。
本発明において、電荷輸送層のａ−Ｃ（:H:X）には、窒
素原子、酸素原子または硫黄原子の何れか１つ、あるい
は２種類以上の原子が必ず添加されている。これによっ
て、ａ−Ｃ（:H:X）膜中のダングリングボンド密度が小
さくなるため、電子および正孔の移動度が大きくなると
共に、非誘電率も小さくなるため、電帯電能が大きく、
かつ感光体の光感度をより高くできる。また、ａ−
Ｃ（:H:X）膜の暗抵抗を高くできるとともに、膜特性の
耐光性および耐熱性を向上できる。これらの原子を添加
する方法としては、O2,NO,NO2,N2O,N2O3,N2O4,N2O5,N
O3,N2,NH3,N2NNH2,HN3,NH4N3,F3N,F4N2,H2S,SO2,CS2,SF
6,CH3SH,CH3SH,C2H5SH,C4H4S,(CH3)2S,(C2H5)2Sなどの
ガスを、プラズマCVD法では膜形成時に上記のＣ原子の
原料ガスに混合すれば良く、反応性スパッタ法ではAr,H
2,F2,Cl2などのガスに混合すれば良い。
素原子、酸素原子または硫黄原子の何れか１つ、あるい
は２種類以上の原子が必ず添加されている。これによっ
て、ａ−Ｃ（:H:X）膜中のダングリングボンド密度が小
さくなるため、電子および正孔の移動度が大きくなると
共に、非誘電率も小さくなるため、電帯電能が大きく、
かつ感光体の光感度をより高くできる。また、ａ−
Ｃ（:H:X）膜の暗抵抗を高くできるとともに、膜特性の
耐光性および耐熱性を向上できる。これらの原子を添加
する方法としては、O2,NO,NO2,N2O,N2O3,N2O4,N2O5,N
O3,N2,NH3,N2NNH2,HN3,NH4N3,F3N,F4N2,H2S,SO2,CS2,SF
6,CH3SH,CH3SH,C2H5SH,C4H4S,(CH3)2S,(C2H5)2Sなどの
ガスを、プラズマCVD法では膜形成時に上記のＣ原子の
原料ガスに混合すれば良く、反応性スパッタ法ではAr,H
2,F2,Cl2などのガスに混合すれば良い。
以下実施例について説明する。
実施例１ 鏡面研磨したAl基板を容量結合方式プラズマCVD装置内
に配置し、容量内を５×10-6Torr以下に排気後、基板温
度を150〜250℃とし、CS2:10〜40sccm,CF4:1〜5sccmを
容器内に導入し圧力を0.1〜1Torrに調整した後、13.36M
Hzの高周波電力30〜100Wを電極に印加し、ａ−C:H:F層
４μｍ堆積した。次に、ａ−C:H:F層上に真空蒸着法に
よりａ−Se層２μｍ積層し、電子写真感光体を形成し
た。
に配置し、容量内を５×10-6Torr以下に排気後、基板温
度を150〜250℃とし、CS2:10〜40sccm,CF4:1〜5sccmを
容器内に導入し圧力を0.1〜1Torrに調整した後、13.36M
Hzの高周波電力30〜100Wを電極に印加し、ａ−C:H:F層
４μｍ堆積した。次に、ａ−C:H:F層上に真空蒸着法に
よりａ−Se層２μｍ積層し、電子写真感光体を形成し
た。
この感光体を＋6.3kVの正コロナ電圧で帯電したとこ
ろ、表面電位は＋1500Vであり、続いて波長450nmの単色
光で露光したところ、光感度が高く、さらに残留電位は
＋30V以下であることが確認できた。この場合、ａ−C:
H:F層は正孔の電荷輸送層として働いている。また、上
記の感光体とこれと同じ膜厚のａ−Seだけで構成した感
光体において、同じ表面電位を与えるコロナ電流を比較
したところ、前者の方が小さかった。これは、ａ−C:H:
Fの比誘電率が小さく、ａ−C:H:Fを電荷輸送層とする積
層感光体の静電容量が小さいためである。
ろ、表面電位は＋1500Vであり、続いて波長450nmの単色
光で露光したところ、光感度が高く、さらに残留電位は
＋30V以下であることが確認できた。この場合、ａ−C:
H:F層は正孔の電荷輸送層として働いている。また、上
記の感光体とこれと同じ膜厚のａ−Seだけで構成した感
光体において、同じ表面電位を与えるコロナ電流を比較
したところ、前者の方が小さかった。これは、ａ−C:H:
Fの比誘電率が小さく、ａ−C:H:Fを電荷輸送層とする積
層感光体の静電容量が小さいためである。
実施例２ Alドラムの表面に浸漬法により塗膜形成し、更に170℃
で30分間加熱処理をして２〜３μｍのCdS光導電層を形
成した。続いて、このAlドラムを容量結合方式プラズマ
CVD装置内に配置し、基板温度100〜150℃，C2H2:20〜50
sccm,窒素で希釈した温度10ppm PH3:20〜50sccm,圧力:
0.1〜1Torr,高周波電力50〜200Wの成膜条件でリン添加
したａ−C:H層を４〜５μmCdS光導電層上に積層し、電
子写真感光体を構成した。この感光体を市販の複写機に
実装し、正帯電で画像評価を行ったところ、鮮明な画像
を得、しかも多湿雰囲気中での画像の流れは見られなか
った。また、50万枚の耐刷性を確認できた。
で30分間加熱処理をして２〜３μｍのCdS光導電層を形
成した。続いて、このAlドラムを容量結合方式プラズマ
CVD装置内に配置し、基板温度100〜150℃，C2H2:20〜50
sccm,窒素で希釈した温度10ppm PH3:20〜50sccm,圧力:
0.1〜1Torr,高周波電力50〜200Wの成膜条件でリン添加
したａ−C:H層を４〜５μmCdS光導電層上に積層し、電
子写真感光体を構成した。この感光体を市販の複写機に
実装し、正帯電で画像評価を行ったところ、鮮明な画像
を得、しかも多湿雰囲気中での画像の流れは見られなか
った。また、50万枚の耐刷性を確認できた。
実施例３ 実施例２において、CdSの代わりにZnOを用いて同様に作
製した感光体においても、光感度，耐湿性，耐久性が優
れていることが認められた。
製した感光体においても、光感度，耐湿性，耐久性が優
れていることが認められた。
実施例４ Alドラム上に、プラズマCVD法によりSi1-xOx層を0.1〜
0.5μｍ形成し、更に蒸着法でAs2Se3を２μｍ積層し
た。続いて、プラズマCVD法により、CH4:10〜40sccm,CF
4:1〜5sccm,窒素希釈した100ppm濃度B2H6:10〜40sccm,
圧力:0.1〜1.0Torr,基板温度25〜75℃、高周波電力100
〜400Wでホウ素添加したａ−C:H:F層４μｍを堆積し
て、電子写真感光体を作製した。この感光体を正帯電で
市販の複写機に装着して評価したところ、光疲労がな
く、耐湿正に優れ、残像のない良質な画像が得られるこ
とが認められた。また、80万枚の耐刷性も確認できた。
0.5μｍ形成し、更に蒸着法でAs2Se3を２μｍ積層し
た。続いて、プラズマCVD法により、CH4:10〜40sccm,CF
4:1〜5sccm,窒素希釈した100ppm濃度B2H6:10〜40sccm,
圧力:0.1〜1.0Torr,基板温度25〜75℃、高周波電力100
〜400Wでホウ素添加したａ−C:H:F層４μｍを堆積し
て、電子写真感光体を作製した。この感光体を正帯電で
市販の複写機に装着して評価したところ、光疲労がな
く、耐湿正に優れ、残像のない良質な画像が得られるこ
とが認められた。また、80万枚の耐刷性も確認できた。
実施例５ Moを蒸着したガラス基板を、グラファイトをターゲット
とするマグネトロンスパッタ装置内に配置し、真空容器
内を５×10-6Torr以下に排気後、基板温度を150〜250℃
とした。Ar:1〜2mTorr,窒素希釈した1000ppm濃度のB
2H6:9〜20mTorr導入し、高周波電力100〜400W印加して
ｐ型ａ−C:H層0.1〜１μｍを形成し、続いて、Ar:1〜2m
Torr,水素希釈をした20ppm濃度のB2H6:9〜20mTorr,NO:
0.1〜0.5mTorr導入し、高周波電力100〜400Wで酸素およ
び窒素を微量添加したｉ型ａ−C:H層５μｍ形成し、次
に蒸着法によりSeTe層を２μｍ積層し、更にポリカーボ
ネート樹脂を乾燥後10μｍとなるように均一に塗布して
電子写真感光体を作製した。この感光体は正帯電で帯電
能が大きく、高感度で、光疲労がなく耐湿性に優れてい
た。
とするマグネトロンスパッタ装置内に配置し、真空容器
内を５×10-6Torr以下に排気後、基板温度を150〜250℃
とした。Ar:1〜2mTorr,窒素希釈した1000ppm濃度のB
2H6:9〜20mTorr導入し、高周波電力100〜400W印加して
ｐ型ａ−C:H層0.1〜１μｍを形成し、続いて、Ar:1〜2m
Torr,水素希釈をした20ppm濃度のB2H6:9〜20mTorr,NO:
0.1〜0.5mTorr導入し、高周波電力100〜400Wで酸素およ
び窒素を微量添加したｉ型ａ−C:H層５μｍ形成し、次
に蒸着法によりSeTe層を２μｍ積層し、更にポリカーボ
ネート樹脂を乾燥後10μｍとなるように均一に塗布して
電子写真感光体を作製した。この感光体は正帯電で帯電
能が大きく、高感度で、光疲労がなく耐湿性に優れてい
た。
発明の効果 本発明によれば、静電容量が小さく、大きな帯電能を有
し、高感度で、しかも光疲労がなく、耐久性および耐湿
性の優れた電子写真感光体を実現することができる。
し、高感度で、しかも光疲労がなく、耐久性および耐湿
性の優れた電子写真感光体を実現することができる。
第１図および第２図は、それぞれ本発明における電子写
真感光体の実施例の断面図である。 １……電子写真感光体、２……支持体、３……電荷輸送
層、４……少くとも第VI族または第Ｖ族元素を含有する
無機光導電層、５……自由表面、６……電子写真感光
体。
真感光体の実施例の断面図である。 １……電子写真感光体、２……支持体、３……電荷輸送
層、４……少くとも第VI族または第Ｖ族元素を含有する
無機光導電層、５……自由表面、６……電子写真感光
体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尾道 京子 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 渡辺 正則 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−9355（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】少なくとも水素またはハロゲン原子を含有
する非晶質カーボンを主成分とする電荷輸送層および少
なくとも周期表第VI族元素または第Ｖ族元素を主成分と
する無機光導電層を積層した構造を備え、前記電荷輸送
層が窒素原子，酸素原子および硫黄原子のうち１種類以
上含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 【請求項２】無機光導電層が、少なくとも周期表第Ｉ族
元素または第II族元素または第III族元素を含有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子写真
感光体。 - 【請求項３】電荷輸送層が、周期表第III族元素あるい
は第Ｖ族元素を含有することを特徴とする特許請求の範
囲第１項または第２項に記載の電子写真感光体。 - 【請求項４】表面被覆層を有することを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載の電子写真感光体。 - 【請求項５】支持体と電荷輸送層との間に障壁層を有す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子
写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60217051A JPH0752302B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60217051A JPH0752302B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6275537A JPS6275537A (ja) | 1987-04-07 |
| JPH0752302B2 true JPH0752302B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=16698056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60217051A Expired - Lifetime JPH0752302B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0752302B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0782239B2 (ja) * | 1986-02-24 | 1995-09-06 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体 |
| US4801515A (en) * | 1986-07-08 | 1989-01-31 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer |
| US4898798A (en) * | 1986-09-26 | 1990-02-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having a light receiving layer comprising a carbonic film for use in electrophotography |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4634648A (en) * | 1985-07-05 | 1987-01-06 | Xerox Corporation | Electrophotographic imaging members with amorphous carbon |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP60217051A patent/JPH0752302B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6275537A (ja) | 1987-04-07 |
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