JPS6275537A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS6275537A JPS6275537A JP21705185A JP21705185A JPS6275537A JP S6275537 A JPS6275537 A JP S6275537A JP 21705185 A JP21705185 A JP 21705185A JP 21705185 A JP21705185 A JP 21705185A JP S6275537 A JPS6275537 A JP S6275537A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- group
- inorg
- charge transfer
- photoconductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08285—Carbon-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子写真方式による複写機あるいはプリンタ
に使用される電子写真感光体に関するものである。
に使用される電子写真感光体に関するものである。
従来の技術
従来、カルコゲンガラスで構成された感光体として、酸
素を含有するＳｓの単層構造（特開昭５９−１６６９６
０号公報）、ハロゲンを添加した５Ｏ−Ｔｅの単層構造
（特開昭５８−３５５４３号公報）、Ｓｅ、５ｅ−Ｔｅ
および５ｅ−Ａｓ ノ積層構造（特開昭５８−４６３４
４号公報）が提案されている。
素を含有するＳｓの単層構造（特開昭５９−１６６９６
０号公報）、ハロゲンを添加した５Ｏ−Ｔｅの単層構造
（特開昭５８−３５５４３号公報）、Ｓｅ、５ｅ−Ｔｅ
および５ｅ−Ａｓ ノ積層構造（特開昭５８−４６３４
４号公報）が提案されている。
また、ＺｎＯを用いた感光体（特開昭５７−６４２４２
号公報、特開昭５７−１２４７３８号公報）およびＣｄ
Ｓを用イｆｔ感光体（特開昭６７−７６５５０号公報、
特開昭５７−１２０９３９号公報）なども提案されてい
る。
号公報、特開昭５７−１２４７３８号公報）およびＣｄ
Ｓを用イｆｔ感光体（特開昭６７−７６５５０号公報、
特開昭５７−１２０９３９号公報）なども提案されてい
る。
発明が解決しようとする問題点
Ｓｅ、５ｅ−ＴｏおよびＡｓ−３ｅなどのカルコゲンガ
ラスから構成される電子写真感光体は、光疲労が大きく
、また帯電能（単位膜厚当りの帯電電位）が小さいため
良質の画像を得るために多くの膜厚が必要である。
ラスから構成される電子写真感光体は、光疲労が大きく
、また帯電能（単位膜厚当りの帯電電位）が小さいため
良質の画像を得るために多くの膜厚が必要である。
適当な電気絶縁性の有機重合性結着剤中に分散させて得
られるＣｄＳおよびＺｎＯ感光体は、分散系であるがた
め層全体がポーラスになっており、そのために湿度依存
性が著しく、多湿雰囲気中で使用すると電気的特性の劣
化を生じ、高品質の画像を得ることが困難になる。また
、このポーラス性は、感光層への現像剤の侵入を促すた
め、クリーニング性を悪化させるばかりでなく、感光体
の寿命を低下させている。
られるＣｄＳおよびＺｎＯ感光体は、分散系であるがた
め層全体がポーラスになっており、そのために湿度依存
性が著しく、多湿雰囲気中で使用すると電気的特性の劣
化を生じ、高品質の画像を得ることが困難になる。また
、このポーラス性は、感光層への現像剤の侵入を促すた
め、クリーニング性を悪化させるばかりでなく、感光体
の寿命を低下させている。
問題点を解決するための手段
少くとも周期表第■族元素または第Ｖ族元素を含有する
無機光導電層に、電荷輸送層として非晶質カーボンを主
成分とする層を積層する。
無機光導電層に、電荷輸送層として非晶質カーボンを主
成分とする層を積層する。
作用
非晶質カーボンは、電子・正孔ともに、キャリヤの移動
がし易く、帯電能が大きく、比誘電率も小さいことから
、電荷輸送層として有効である。
がし易く、帯電能が大きく、比誘電率も小さいことから
、電荷輸送層として有効である。
従って、カルコゲンガラスのＳｅ、５ｓ−Ｔｅ、５ｓ−
Ａｓなどの光導電体に電荷輸送層として非晶質カーボン
を積層することにより、感光体の膜厚を薄くでき、また
帯電時のコロナ電流が減少するため、光感度を高くでき
る。
Ａｓなどの光導電体に電荷輸送層として非晶質カーボン
を積層することにより、感光体の膜厚を薄くでき、また
帯電時のコロナ電流が減少するため、光感度を高くでき
る。
また、非晶質カーボンは、耐湿性、耐熱性、耐摩耗性に
優れることから、ＣｄＳまたはＺｎＯを電荷発生層とし
、その上に非晶質カーボンを積層することにより、従来
ＣｄＳおよびＺｎＯの欠点であうた多湿時での特性劣化
および寿命の低下を改善することができ、耐環境性およ
び耐久性の優れた感光体を構成することができる。
優れることから、ＣｄＳまたはＺｎＯを電荷発生層とし
、その上に非晶質カーボンを積層することにより、従来
ＣｄＳおよびＺｎＯの欠点であうた多湿時での特性劣化
および寿命の低下を改善することができ、耐環境性およ
び耐久性の優れた感光体を構成することができる。
実施例
第１図は、本発明における最も基本的な電子写真感光体
の一実施例の断面を模式的に示したものである。
の一実施例の断面を模式的に示したものである。
第１図に示す電子写真感光体１ば、電子写真感光体とし
ての支持体２上に、少なくとも水素または・・ロダン原
子（Ｘ）を含有する非晶質カーボン（以下ａ−Ｃ（：Ｈ
：Ｘ）但しＸ＝Ｆ、 ＣＩ、 Ｂｒ。
ての支持体２上に、少なくとも水素または・・ロダン原
子（Ｘ）を含有する非晶質カーボン（以下ａ−Ｃ（：Ｈ
：Ｘ）但しＸ＝Ｆ、 ＣＩ、 Ｂｒ。
■と略記する）からなる電荷輸送層３と少なくとも冑期
表第■族または第Ｖ族元素を含有する無機光導電層４と
を有し、目で１艶無機光導電層４は自由表面５を一方の
端面に有している。第１図では支持体２上に電荷輸送層
３、少なくとも周期表第■族または第Ｖ族元素を含有す
る無機光導電層４を順に積層しているが、第２図に示す
ように支持体２上に少なくとも周期表第■族または第Ｖ
族元素を含有する無機光導電層４、電荷輸送層３の順に
積層しても、電荷輸送層３のλ−Ｇ（：Ｈ：Ｘ）は、可
視光に対してほとんど透明であるため、自由表面５から
入射した光の大部分は少くとも第■族または第ｖ１元素
を含有する無機光導電層４に到達することができ、第１
図の構成と同様な特性を有する電子写真感光体６を得る
ことができる。
表第■族または第Ｖ族元素を含有する無機光導電層４と
を有し、目で１艶無機光導電層４は自由表面５を一方の
端面に有している。第１図では支持体２上に電荷輸送層
３、少なくとも周期表第■族または第Ｖ族元素を含有す
る無機光導電層４を順に積層しているが、第２図に示す
ように支持体２上に少なくとも周期表第■族または第Ｖ
族元素を含有する無機光導電層４、電荷輸送層３の順に
積層しても、電荷輸送層３のλ−Ｇ（：Ｈ：Ｘ）は、可
視光に対してほとんど透明であるため、自由表面５から
入射した光の大部分は少くとも第■族または第ｖ１元素
を含有する無機光導電層４に到達することができ、第１
図の構成と同様な特性を有する電子写真感光体６を得る
ことができる。
本発明において、少くとも周期表第■族元素または第Ｖ
族元素を含有する無機光導電層４を構成する材料として
、Ｓｅ、５ｅＴｅ、Ａｓ２５．Ａｓ、、Ｓｓ、。
族元素を含有する無機光導電層４を構成する材料として
、Ｓｅ、５ｅＴｅ、Ａｓ２５．Ａｓ、、Ｓｓ、。
Ａｓ２Ｔｏ、、ＳＳａ、ＳＴｅ、５ｂＴｅ、５ｉＴａ、
Ｓ−５ｅ−７０１人５−３−Ｓｏ、Ａｓ −５−Ｔｏ、
人５−８ｓ −Ｔｅ。
Ｓ−５ｅ−７０１人５−３−Ｓｏ、Ａｓ −５−Ｔｏ、
人５−８ｓ −Ｔｅ。
Ａｓ−３ｂ−３，Ａｓ−３ｂ−３ｅ、Ａｓ−Ｂ１−３゜
Ａｇ−Ａｓ−３，Ａｓ−３−Ｉ、人ｓ −３−Ｂｒ、
Ａｓ −３−Ｃｒ（１，Ａｓ −８ｅ−Ｉ、 Ａｓ−
Ｔｅ−工、 ５ｉ−Ａｓ −Ｔｅ、５ｉ−Ｐ−Ｔｏ、５
ｉ−３ｂ−３，５ｉ−３ｂ−３ｅ。
Ａｇ−Ａｓ−３，Ａｓ−３−Ｉ、人ｓ −３−Ｂｒ、
Ａｓ −３−Ｃｒ（１，Ａｓ −８ｅ−Ｉ、 Ａｓ−
Ｔｅ−工、 ５ｉ−Ａｓ −Ｔｅ、５ｉ−Ｐ−Ｔｏ、５
ｉ−３ｂ−３，５ｉ−３ｂ−３ｅ。
Ｂａ−Ｃａ −Ｃａ−３などのカルコゲナイドガラスお
よびＣａＳ、 Ｇａ５５． ＣａＴｅ、 ＭｇＳｅ、
ＭｇＴｅ。
よびＣａＳ、 Ｇａ５５． ＣａＴｅ、 ＭｇＳｅ、
ＭｇＴｅ。
ＺｎＯ，ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＴ’ｅ、ＳｒＯ，Ｓｒ
Ｓ、５ｒＳｅ。
Ｓ、５ｒＳｅ。
５ｒＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、（ｄＴｅ、Ｂａｄ、Ｂａ
ｄ。
ｄ。
Ｂａ５ｅ、ＢａＴａ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ などの■−
■化合吻オ、Ｊ： Ｄ Ｎｅ２Ｓｓ 、 Ｎｅ２ Ｓ
ｅ ３． ｋｌ１２ Ｔ ｅ３． Ｇ ？Ｌ２０５゜Ｇ
ａＳ、（ｒａ２Ｓ３．Ｇａ５５．（ｒａ２Ｓｅ３．Ｇａ
Ｔｅ。
■化合吻オ、Ｊ： Ｄ Ｎｅ２Ｓｓ 、 Ｎｅ２ Ｓ
ｅ ３． ｋｌ１２ Ｔ ｅ３． Ｇ ？Ｌ２０５゜Ｇ
ａＳ、（ｒａ２Ｓ３．Ｇａ５５．（ｒａ２Ｓｅ３．Ｇａ
Ｔｅ。
Ｇａ２Ｔｅ３．Ｉｎ２Ｏ，、Ｉｎ２Ｓ３．ＩｎＳｅ、Ｉ
ｎ２Ｓｅ３゜Ｉｎ２Ｔｏ、、Ｔｅ２ＳなどＩＩＩ−ＶＩ
化合物およびＣｕ２Ｏ。
ｎ２Ｓｅ３゜Ｉｎ２Ｔｏ、、Ｔｅ２ＳなどＩＩＩ−ＶＩ
化合物およびＣｕ２Ｏ。
Ａｇ２Ｓ 、 Ａｇ２Ｔｅ などの１−■化合物オヨ
ヒＮａ Ｓｂ、ＫＳｂ、Ｋ Ｓｂ、Ｒｂ Ｓｂ、ＣｓＳ
ｂ、Ｃｓ、Ｓｂ。
ヒＮａ Ｓｂ、ＫＳｂ、Ｋ Ｓｂ、Ｒｂ Ｓｂ、ＣｓＳ
ｂ、Ｃｓ、Ｓｂ。
０ｓ３ＢｉなどのＩ−Ｖ化合物およびＭｇ、Ｓｂ２゜Ｚ
ｎ Ｐ Ｚｎ Ａｓ Ｚｎ５ｂ、 Ｃｄ、Ｐ２．
Ｃｄ、Ａｓ２゜５ ２ ＋ ３ ２ ＋ ＣｄＳｂ、などのｎ−ｖ化合物、ＧａＮ、ＧａＰ。
ｎ Ｐ Ｚｎ Ａｓ Ｚｎ５ｂ、 Ｃｄ、Ｐ２．
Ｃｄ、Ａｓ２゜５ ２ ＋ ３ ２ ＋ ＣｄＳｂ、などのｎ−ｖ化合物、ＧａＮ、ＧａＰ。
ＧａＡｓ、ＩｎＰ などのｍ−ｖ化合物、Ｔｉｅ２
のＭ−■化合物、ＷＯ３の■−■化合物が挙げられる。
のＭ−■化合物、ＷＯ３の■−■化合物が挙げられる。
本発明においてさらに電子写真特性を向上させるために
、第１図において、支持体２と電荷輸送層３０間に、支
持体２から電荷輸送層３に注入するキャリヤを有効に阻
止する障壁層を設けても良い。障壁層を形成する材料と
しては、Ｊｅ２０．。
、第１図において、支持体２と電荷輸送層３０間に、支
持体２から電荷輸送層３に注入するキャリヤを有効に阻
止する障壁層を設けても良い。障壁層を形成する材料と
しては、Ｊｅ２０．。
Ｂａｄ、ＢａＯＢｏｏ、Ｂｉ□Ｏ，、Ｃａ、、Ｇｅｅ２
゜２＋ Ｃｅ２Ｏ３，Ｌａ２０．、Ｄｙ２Ｏ３，Ｌｕ２Ｏ３，Ｃ
ｒ２Ｏ５゜Ｃｕｂ、Ｃｕ２Ｏ，Ｆｅｄ、ＰｂＯ，ＭｇＯ
，ＳｒＯ，Ｔａ２Ｏ，、。
゜２＋ Ｃｅ２Ｏ３，Ｌａ２０．、Ｄｙ２Ｏ３，Ｌｕ２Ｏ３，Ｃ
ｒ２Ｏ５゜Ｃｕｂ、Ｃｕ２Ｏ，Ｆｅｄ、ＰｂＯ，ＭｇＯ
，ＳｒＯ，Ｔａ２Ｏ，、。
ＴｈＯＺｒＯＨｆＯＧｅｅ２．Ｙ２Ｏ５，Ｔｉｅ２゜２
’ ２’ ２’ＭｇＯ、
ＭｇＯ−Ａｇ２Ｏ３，ＳｉＯ２−ＭｇＯ等の金属酸化物
またはＴｉＮ、Ａ５Ｎ、ＳｎＮ、ＮｂＮ、Ｔａｇ。
’ ２’ ２’ＭｇＯ、
ＭｇＯ−Ａｇ２Ｏ３，ＳｉＯ２−ＭｇＯ等の金属酸化物
またはＴｉＮ、Ａ５Ｎ、ＳｎＮ、ＮｂＮ、Ｔａｇ。
ＧａＮなどの金属窒化物またはＷＣ，ＳｎＣ，Ｔｉｅな
どの金属炭化物または、Ｓｉ Ｏｘ、 ５ｉ１−ｘＮ
ｘ。
どの金属炭化物または、Ｓｉ Ｏｘ、 ５ｉ１−ｘＮ
ｘ。
＋−Ｘ
Ｓｉ、−ｘＯｘ、Ｇｅ、−ｘＣｘ、Ｇｅ、−ｘＮｘ （
但しｏ（ｘく１）などの絶縁物、ポリエチレン、ポリカ
ーボネイト、ポリウレタン、ポリパラキシレンなどの絶
縁性有機化合物が使用され、自由表面５側に正帯電を帯
電させる場合ｐ型半導体例えばＢ、Ａｅ。
但しｏ（ｘく１）などの絶縁物、ポリエチレン、ポリカ
ーボネイト、ポリウレタン、ポリパラキシレンなどの絶
縁性有機化合物が使用され、自由表面５側に正帯電を帯
電させる場合ｐ型半導体例えばＢ、Ａｅ。
（ｒａなどの第■族元素を添加したａ−３ｉ（：Ｈ：Ｘ
）、 ａ −３ｉＧｅ （： Ｈ：Ｘ ）、 ａ−Ｇ
ｅ（：Ｈ：Ｘ）、ａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）、ａ−ＳｉＣ（：
Ｈ：Ｘ）またばａ−（ｒｅＣ（：Ｈ：Ｘ）が使用される
。また、自由表面５に負電荷を帯電させる場合、障壁層
としてｎ型半導体、例えば第■族元素のＮ、 Ｐ、ムｒ
を添加したａ−３ｉ（：Ｈ：Ｘ）、ａ−３ｉＧｅ（：
Ｈ： ｘ）＋ ２Ｌ−” （： Ｈ： ｘ）＋ ”（：
Ｈ：Ｘ）、ａ−３ｉＣ（：Ｈ：Ｘ）またはａ−Ｇｅｅ（
：Ｈ：Ｘ）の使用が好ましい。さらに、第２図に示すよ
うな電荷輸送層３が自由表面５を有する場合においても
、支持体２と少くとも第■族または第■族元素を含有す
る無機光導電層４との間に、上記の金属酸化物、金属窒
化物、金属炭化物、絶縁物または絶縁性有機化合物から
なる障壁層を形成しても良く、また特に自由表面５に正
帯電を帯電させる場合は、上記のｐ型半導体で障壁層を
形成し、自由表面５に負帯電を帯電させる場合は、上記
のｎ型半導体を形成するのが好適である。
）、 ａ −３ｉＧｅ （： Ｈ：Ｘ ）、 ａ−Ｇ
ｅ（：Ｈ：Ｘ）、ａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）、ａ−ＳｉＣ（：
Ｈ：Ｘ）またばａ−（ｒｅＣ（：Ｈ：Ｘ）が使用される
。また、自由表面５に負電荷を帯電させる場合、障壁層
としてｎ型半導体、例えば第■族元素のＮ、 Ｐ、ムｒ
を添加したａ−３ｉ（：Ｈ：Ｘ）、ａ−３ｉＧｅ（：
Ｈ： ｘ）＋ ２Ｌ−” （： Ｈ： ｘ）＋ ”（：
Ｈ：Ｘ）、ａ−３ｉＣ（：Ｈ：Ｘ）またはａ−Ｇｅｅ（
：Ｈ：Ｘ）の使用が好ましい。さらに、第２図に示すよ
うな電荷輸送層３が自由表面５を有する場合においても
、支持体２と少くとも第■族または第■族元素を含有す
る無機光導電層４との間に、上記の金属酸化物、金属窒
化物、金属炭化物、絶縁物または絶縁性有機化合物から
なる障壁層を形成しても良く、また特に自由表面５に正
帯電を帯電させる場合は、上記のｐ型半導体で障壁層を
形成し、自由表面５に負帯電を帯電させる場合は、上記
のｎ型半導体を形成するのが好適である。
本発明において、感光体の耐摩耗性、耐湿性、クリーニ
ング性を向上させるために第１図および第２図において
自由表面５上に表面被覆層が形成される。表面波腹形成
材料として有効に使用されるものとして、Ｓｉ、ｘＯｘ
、Ｓｉ、−ｘＯｘ、Ｓｉ、−ｘＮｘ。
ング性を向上させるために第１図および第２図において
自由表面５上に表面被覆層が形成される。表面波腹形成
材料として有効に使用されるものとして、Ｓｉ、ｘＯｘ
、Ｓｉ、−ｘＯｘ、Ｓｉ、−ｘＮｘ。
Ｇｅ、−ｘＯｘ、Ｇｅ、−ｘＣｘ、Ｇｅ、−ｘＮｘ、Ｂ
、−ｘＮｘ。
、−ｘＮｘ。
Ｂ、−ｘＯｘ、 Ａｅ、−ｘＮｘ （但しｏ＜ｘく１）
などの無機絶縁物あるいはポリエチレンテレフタレート
。
などの無機絶縁物あるいはポリエチレンテレフタレート
。
ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、
ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリスチ
レン、ポリアミド、ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩
化エチレン、ポリ弗化ビニリデン、六弗化プロピレン−
四弗化エチレンコポリマー、三弗化エチレン−弗化ビニ
リデンコポリマー、ポリブデン、ポリビニルブチラール
、ポリウレタンなどの合成園脂などが挙げられる。
ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリスチ
レン、ポリアミド、ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩
化エチレン、ポリ弗化ビニリデン、六弗化プロピレン−
四弗化エチレンコポリマー、三弗化エチレン−弗化ビニ
リデンコポリマー、ポリブデン、ポリビニルブチラール
、ポリウレタンなどの合成園脂などが挙げられる。
ａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）の作成には、ＣＨ４，Ｃ２Ｈ６゜Ｃ
３Ｈ８，Ｃ４Ｈ，。、Ｃ２Ｈ４，Ｃ５Ｈ６，Ｃ４Ｈ８，
Ｃ２Ｈ５・Ｃ３Ｈ４，Ｃ４Ｈ６，Ｃ６Ｈ６，などの炭化
水素、ＯＨ３Ｆ。
３Ｈ８，Ｃ４Ｈ，。、Ｃ２Ｈ４，Ｃ５Ｈ６，Ｃ４Ｈ８，
Ｃ２Ｈ５・Ｃ３Ｈ４，Ｃ４Ｈ６，Ｃ６Ｈ６，などの炭化
水素、ＯＨ３Ｆ。
ＣＨ！ｌ（４，ＣＨ，Ｂｒ、０Ｈ５１，Ｃ２Ｈ５Ｃ１，
Ｃ２Ｈ５Ｂｒ。
Ｃ２Ｈ５Ｂｒ。
Ｃ２Ｈ５工等のハロゲン化アルキノペＣ，Ｈ５Ｆ。
Ｃ，Ｈ５Ｃｇ、Ｃ，Ｈ５Ｂｒ等のハロゲン化アリノヘＣ
ＧｅＦ３．ＣＦ４．ＣＨＦ、、０２Ｆ６，０３Ｆ８等（
７）７０ンガス、０６Ｈ６−ｍＦ、（ｍ ＝ １〜ｅ
） の弗化ベンゼン等のＣ原子の原料ガスを用いたプ
ラズマＣｖＤ法、または、グラファイトをターゲットと
し、Ａｒ 、 Ｈ２＋ Ｆ ２１ Ｃ（１２，ＣＨａ
、 Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２。
ＧｅＦ３．ＣＦ４．ＣＨＦ、、０２Ｆ６，０３Ｆ８等（
７）７０ンガス、０６Ｈ６−ｍＦ、（ｍ ＝ １〜ｅ
） の弗化ベンゼン等のＣ原子の原料ガスを用いたプ
ラズマＣｖＤ法、または、グラファイトをターゲットと
し、Ａｒ 、 Ｈ２＋ Ｆ ２１ Ｃ（１２，ＣＨａ
、 Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２。
ＣＦ４ 中での反応性スパッタ法が使用される。
また、本発明において上記のａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）に不純
物を添加して伝導性を制御し、電子写真特性の向上を図
ることができる。ａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）の正孔の移動をし
易く刷るためにはｐ型缶導性を助長すればよく、電子の
移動をし易くするためにはｎ型伝導はを助長すればよい
。
物を添加して伝導性を制御し、電子写真特性の向上を図
ることができる。ａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）の正孔の移動をし
易く刷るためにはｐ型缶導性を助長すればよく、電子の
移動をし易くするためにはｎ型伝導はを助長すればよい
。
ｐ型缶導性を与えるｐ型不純物
としでは、周期表第■族に属するＢ 、 ｋｌ、 Ｇａ
。
。
Ｉｎ、などが有り、好適にばＢ、Ａ５が用いられ、ｎ型
伝導性を与えるｎ型不純物としては周期表第■族に属す
るＰ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ などが有り、好適にはＰ、
Ａｓが用いられる。また、これらの不純物を添加する方
法として、ｐ型不純物の場合、Ｂ２Ｈ６，Ｂ４Ｈ１ｏ、
Ｂ５Ｂ２．Ｂ５Ｈ１４，Ｂ６Ｈ１ｏ。
伝導性を与えるｎ型不純物としては周期表第■族に属す
るＰ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ などが有り、好適にはＰ、
Ａｓが用いられる。また、これらの不純物を添加する方
法として、ｐ型不純物の場合、Ｂ２Ｈ６，Ｂ４Ｈ１ｏ、
Ｂ５Ｂ２．Ｂ５Ｈ１４，Ｂ６Ｈ１ｏ。
Ｂ６Ｈ，２，Ｂ６Ｈ，４，ＢＦ、、ＢＣｅ、、ＢＢｒ３
． ＡｅＣ４３゜（ＯＨ，）３ＡＣ（Ｃ２Ｈ５）３ＡＬ
（１ｃ４Ｈｐ）３Ａｅ。
． ＡｅＣ４３゜（ＯＨ，）３ＡＣ（Ｃ２Ｈ５）３ＡＬ
（１ｃ４Ｈｐ）３Ａｅ。
（ＣＨ３） ｓ Ｇ ＆ ＋ （Ｃ２Ｈｓ ） ｓ Ｇ
ａ 、 Ｉ ｎ Ｃｌ ｓ 。
ａ 、 Ｉ ｎ Ｃｌ ｓ 。
（Ｃ２Ｈ５）、Ｉｎ、ｎ型不純物の場合、ＰＨ５゜Ｐ２
Ｈ４，ＰＦ、、ＰＦ５．ＰＣＩ、、ＰＣｌ５．ＰＢｒ３
゜ＰＢｒ３．ＰＩ、、 人ｓＨ，，人ｓＦ５． 人ｓｃ
ｌ、、 ムｓＢｒ、。
Ｈ４，ＰＦ、、ＰＦ５．ＰＣＩ、、ＰＣｌ５．ＰＢｒ３
゜ＰＢｒ３．ＰＩ、、 人ｓＨ，，人ｓＦ５． 人ｓｃ
ｌ、、 ムｓＢｒ、。
ＡｓＦ ＳｂＨＳｂＦ ＳｂＦ５，５ｂＣｆｆ
、、５ｂｆＪ５゜５＋ ５＋
３＋ＢｉＨ３，ＢｉＦ３．Ｂ１１Ｊ、ｔ７）ガス
あルイはコレらのガスをＢ２．Ｈｅ、ムｒで希釈したガ
スを、プラズマでＣＶＤ法では膜形成時において使用す
る上記のＣ原子の原料ガスに混合して用いれば良く、反
応性スパッタ法では、ＡｒまたばＢ２あるいはＦ２やＣ
ｅ２に混合して用いれば良い。
、、５ｂｆＪ５゜５＋ ５＋
３＋ＢｉＨ３，ＢｉＦ３．Ｂ１１Ｊ、ｔ７）ガス
あルイはコレらのガスをＢ２．Ｈｅ、ムｒで希釈したガ
スを、プラズマでＣＶＤ法では膜形成時において使用す
る上記のＣ原子の原料ガスに混合して用いれば良く、反
応性スパッタ法では、ＡｒまたばＢ２あるいはＦ２やＣ
ｅ２に混合して用いれば良い。
更に本発明において、電荷輸送層のａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）
に酸素原子、硫黄原子または窒素原子の何れか１つ、あ
るいは２種類以上の原子を添加することにより、ａ−Ｃ
（：Ｈ：Ｘ）の安定化および高抵抗化を図ることができ
る。これらの原子を添加する方法としては、０□、Ｎｏ
、Ｎｏ□、Ｎ２０゜Ｎ ＯＮ ＯＮ ＯＮｏ５．Ｎ
、、、ＮＨ，。
に酸素原子、硫黄原子または窒素原子の何れか１つ、あ
るいは２種類以上の原子を添加することにより、ａ−Ｃ
（：Ｈ：Ｘ）の安定化および高抵抗化を図ることができ
る。これらの原子を添加する方法としては、０□、Ｎｏ
、Ｎｏ□、Ｎ２０゜Ｎ ＯＮ ＯＮ ＯＮｏ５．Ｎ
、、、ＮＨ，。
２５１ ２４ ＋ ２ ５ ＋Ｎ Ｎ
ＮＨＨＮ ＮＨＮ Ｆ Ｎ、Ｐ４Ｈ２，Ｈ２Ｓ
。
ＮＨＨＮ ＮＨＮ Ｆ Ｎ、Ｐ４Ｈ２，Ｈ２Ｓ
。
Ｓｏ Ｏ８ＳＦ ＣＨＳＨ，Ｃ２Ｈ５５Ｈ，Ｃ
４Ｈ４Ｓ。
４Ｈ４Ｓ。
２１ ２’ ６＋ ５（
ＣＨ，）２Ｓ、（Ｃ２Ｈ５）２３ などのガスを、プ
ラズマＣＶＤ法では膜形成時に上記のＣ原子の原料ガス
に混合すれば良く、反応性スパッタ法でけＡｒ、Ｂ２．
Ｆ２，０５２などのガスに混合すれば良い。
ＣＨ，）２Ｓ、（Ｃ２Ｈ５）２３ などのガスを、プ
ラズマＣＶＤ法では膜形成時に上記のＣ原子の原料ガス
に混合すれば良く、反応性スパッタ法でけＡｒ、Ｂ２．
Ｆ２，０５２などのガスに混合すれば良い。
以下実施例について説明する。
実施例１
鏡面研磨したＡ５基板を容量結合方式プラズマｃｖｎ装
置内に配置し、容量内を５Ｘ１０Ｔｏｒｒ以下に排気後
、基板温度を１５０〜２５０°Ｃとし、（Ｈ４： Ｉ
Ｃ）〜４０ＳＣＣｍ、 ＣＦ４： １〜６ＳＱＣｍを容
器内に導入し圧力を０．１〜１Ｔｏｒｒに調整した後、
１３．５６ ＭＨｚ （７）高周波電力３０〜１ｏｏ
Ｗを電極に印加し、ａ−Ｃ：Ｈ：Ｆ層４μｍ堆積した。
置内に配置し、容量内を５Ｘ１０Ｔｏｒｒ以下に排気後
、基板温度を１５０〜２５０°Ｃとし、（Ｈ４： Ｉ
Ｃ）〜４０ＳＣＣｍ、 ＣＦ４： １〜６ＳＱＣｍを容
器内に導入し圧力を０．１〜１Ｔｏｒｒに調整した後、
１３．５６ ＭＨｚ （７）高周波電力３０〜１ｏｏ
Ｗを電極に印加し、ａ−Ｃ：Ｈ：Ｆ層４μｍ堆積した。
次に、ａ−Ｃ：Ｈ：Ｆ層上に真空蒸着法によりａ−３ｅ
層２μｍ 積層し、電子写真感光体を形成した。
層２μｍ 積層し、電子写真感光体を形成した。
この感光体を＋ｅ、ｓｌ／の正コロナ電圧で帯電したと
ころ、表面電位は＋１５００Ｖであり、続いて波長４５
０ｎｍの単色光で露光したところ、光感度が高く、さら
に残留電位は＋３０ｖ以下であることが確認できた。こ
の場合、ａ−Ｃ：Ｈ：７層は正孔の電荷輸送層として働
いている。また、上記の感光体とこれと同じ膜厚のａ−
８ｅだけで構成した感光体において、同じ表面電位を与
えるコロナ電流を比較したところ、前者の方が小さかっ
た。これは、ａ−Ｃ：Ｈ：Ｆの比誘電率が小さく、ａ−
Ｃ：Ｈ：Ｆを電荷輸送層とする積層感光体の静電容量が
小さいためである。
ころ、表面電位は＋１５００Ｖであり、続いて波長４５
０ｎｍの単色光で露光したところ、光感度が高く、さら
に残留電位は＋３０ｖ以下であることが確認できた。こ
の場合、ａ−Ｃ：Ｈ：７層は正孔の電荷輸送層として働
いている。また、上記の感光体とこれと同じ膜厚のａ−
８ｅだけで構成した感光体において、同じ表面電位を与
えるコロナ電流を比較したところ、前者の方が小さかっ
た。これは、ａ−Ｃ：Ｈ：Ｆの比誘電率が小さく、ａ−
Ｃ：Ｈ：Ｆを電荷輸送層とする積層感光体の静電容量が
小さいためである。
実施例２
Ａ５ ドラムの表面に浸漬法により塗膜形成し、更に１
７０°Ｃで３０分間加熱処理をして２〜３μｍのＣｄＳ
光導電層を形成した。続いて、この人でドラムを容量結
合方式プラズマＣＶＤ装置内に配置し、基板温度１ｏ○
〜１５０°Ｃ１Ｃ２Ｈ２：２゜〜５ｏＳＣＣｍ、水素で
希釈した濃度１ＱｐｐｍＰＨ３： ２０〜５０ｓｃｃｍ
、圧カニ０．１〜１Ｔｏｒｒ。
７０°Ｃで３０分間加熱処理をして２〜３μｍのＣｄＳ
光導電層を形成した。続いて、この人でドラムを容量結
合方式プラズマＣＶＤ装置内に配置し、基板温度１ｏ○
〜１５０°Ｃ１Ｃ２Ｈ２：２゜〜５ｏＳＣＣｍ、水素で
希釈した濃度１ＱｐｐｍＰＨ３： ２０〜５０ｓｃｃｍ
、圧カニ０．１〜１Ｔｏｒｒ。
高周波電力５０〜２００Ｗの成膜条件でリン添加したａ
−Ｃ：Ｈ層を４〜５μｍ ＣｄＳ 光導電層上に積層
し、電子写真感光体を構成した。この感光体を市販の複
写機に実装し、正帯電で画像評価を行ったところ、鮮明
な画像を得、しかも多湿雰囲気中での画像の流れは見ら
れなかった。また、５０万枚の耐刷性を確認できた。
−Ｃ：Ｈ層を４〜５μｍ ＣｄＳ 光導電層上に積層
し、電子写真感光体を構成した。この感光体を市販の複
写機に実装し、正帯電で画像評価を行ったところ、鮮明
な画像を得、しかも多湿雰囲気中での画像の流れは見ら
れなかった。また、５０万枚の耐刷性を確認できた。
実施例３
実施例２において、Ｃｄ５０代わりにＺｎＯを用いて同
様に作製した感光体においても、光感度。
様に作製した感光体においても、光感度。
耐湿性、Ｉｉｔ久住が優れていることが認められたつ実
施例４ Ａｅ ドラム上に、プラズマＣＶＤ法によりＳｉ、ｘＯ
ｘ層を０．１〜０．５ ｐ ｍ形成し、更に蒸着法でＡ
ｓ２Ｓｅ２を２μｍ 積層した。続いて、プラズマＣＶ
Ｄ法により、ＯＨ４： １０〜４０ ＳＣＣｍ 。
施例４ Ａｅ ドラム上に、プラズマＣＶＤ法によりＳｉ、ｘＯ
ｘ層を０．１〜０．５ ｐ ｍ形成し、更に蒸着法でＡ
ｓ２Ｓｅ２を２μｍ 積層した。続いて、プラズマＣＶ
Ｄ法により、ＯＨ４： １０〜４０ ＳＣＣｍ 。
ＣＦ ：１〜５ ｓｃｃｍ、水素希釈した１ｏｏｐｐ
ｍａｖＢ２Ｈ６：１０〜４ｏＳＣＣｍ、圧カニ０．１〜
１．○Ｔｏｒｒ 、基板温度２５〜７５°Ｃ１高周波電
力１００〜４０ｏＷでホウ素添加したａ−Ｃ：Ｈ：２層
４μｍを堆積して、電子写真感光体を作製した。この感
光体を正帯電で市販の複写機に装着して評価したところ
、光疲労がなく、耐湿性に優れ、残像のない良質な画像
が得られることが認められた。また、８０万枚の耐刷性
も確認できた。
ｍａｖＢ２Ｈ６：１０〜４ｏＳＣＣｍ、圧カニ０．１〜
１．○Ｔｏｒｒ 、基板温度２５〜７５°Ｃ１高周波電
力１００〜４０ｏＷでホウ素添加したａ−Ｃ：Ｈ：２層
４μｍを堆積して、電子写真感光体を作製した。この感
光体を正帯電で市販の複写機に装着して評価したところ
、光疲労がなく、耐湿性に優れ、残像のない良質な画像
が得られることが認められた。また、８０万枚の耐刷性
も確認できた。
実施例５
ＭＯを蒸着したガラス差板を、グラファイトをターゲッ
トとするマグネトロンスパッタ装置内に配置し、真空容
器内を５ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒ以下に排気後、基板温
度を１５０〜２６０°Ｃとした。ムｒ：１〜２ｍＴｏｒ
ｒ、水素希釈した１１０００ｐｐ濃度の８２Ｈ６： ９
〜２０ｍＴｏｒｒ導入し、高周波電力１００〜４ｏＯＷ
印加してｐ型ａ−Ｃ：Ｈ層０１〜１μｍを形成し、続い
て、人ｒ ：１〜２ ｍＴｏｒｒ水素希釈した２ ０
ｐｐｍ 濃度のＢ２Ｈ６：９〜２０ｍＴｏｒｒ、Ｎｏ
：０．１〜０．５ｍＴｏｒｒ導入し、高周波電力１００
〜４００Ｗで酸素および窒素を微量添加したｉ型ａ−Ｃ
：Ｈ１ｓμｍ形成し、次に蒸着法により５ｅＴｅ層を２
μｍ積層し、更にポリカーボネート樹脂を乾燥後１０μ
ｍとなるように均一に塗布して電子写真感光体を作製し
た。この感光体は正帯電で帯電能が大きく、高感度で、
光疲労がなく耐湿性に優れていた。
トとするマグネトロンスパッタ装置内に配置し、真空容
器内を５ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒ以下に排気後、基板温
度を１５０〜２６０°Ｃとした。ムｒ：１〜２ｍＴｏｒ
ｒ、水素希釈した１１０００ｐｐ濃度の８２Ｈ６： ９
〜２０ｍＴｏｒｒ導入し、高周波電力１００〜４ｏＯＷ
印加してｐ型ａ−Ｃ：Ｈ層０１〜１μｍを形成し、続い
て、人ｒ ：１〜２ ｍＴｏｒｒ水素希釈した２ ０
ｐｐｍ 濃度のＢ２Ｈ６：９〜２０ｍＴｏｒｒ、Ｎｏ
：０．１〜０．５ｍＴｏｒｒ導入し、高周波電力１００
〜４００Ｗで酸素および窒素を微量添加したｉ型ａ−Ｃ
：Ｈ１ｓμｍ形成し、次に蒸着法により５ｅＴｅ層を２
μｍ積層し、更にポリカーボネート樹脂を乾燥後１０μ
ｍとなるように均一に塗布して電子写真感光体を作製し
た。この感光体は正帯電で帯電能が大きく、高感度で、
光疲労がなく耐湿性に優れていた。
発明の効果
本発明によれば、静電容量が小さく、大きな帯電能を有
し、高感度で、しかも光疲労がなく、耐久性および耐湿
性の優れた電子写真感光体を実現することができる。
し、高感度で、しかも光疲労がなく、耐久性および耐湿
性の優れた電子写真感光体を実現することができる。
第１図および第２図は、それぞれ本発明における電子写
真感光体の実施例の断面図である。 １・・・・・電子写真感光体、２・・・・・・支持体、
３・・・・電荷輸送層、４・・・・・少くとも第■族ま
たは第■族元素を含有する無機光導電層、５・・・・・
自由表面、６・・・電子写真感光体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１基部
１ 図 ６一−−目自表面第２図
真感光体の実施例の断面図である。 １・・・・・電子写真感光体、２・・・・・・支持体、
３・・・・電荷輸送層、４・・・・・少くとも第■族ま
たは第■族元素を含有する無機光導電層、５・・・・・
自由表面、６・・・電子写真感光体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１基部
１ 図 ６一−−目自表面第２図
Claims (6)
- （１）少なくとも周期表第VI族元素または第Ｖ族元素を
含有する無機光導電層と、少なくとも水素またはハロゲ
ン原子を含有する非晶質カーボンを主成分とする電荷輸
送層を積層体を備えたことを特徴とする電子写真感光体
。 - （２）無機光導電層が、少なくとも周期表第 I 族元素
または第II族元素または第III族元素を含することを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感光体
。 - （３）電荷輸送層が、周期表第III族元素あるいは第Ｖ
族元素を含有することを特徴とする特許請求の範囲第１
項又は第２項に記載の電子写真感光体。 - （４）電荷輸送層が、窒素原子、酸素原子および硫黄原
子の少くとも一種を含有することを特徴とする特許請求
の範囲第１項から第３項のいずれかに記載の電子写真感
光体。 - （５）表面被覆層を有することを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の電子写真感光体。 - （６）支持体と無機光導電層あるいは電荷輸送層との間
に障壁層を有することを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60217051A JPH0752302B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60217051A JPH0752302B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6275537A true JPS6275537A (ja) | 1987-04-07 |
| JPH0752302B2 JPH0752302B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=16698056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60217051A Expired - Lifetime JPH0752302B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0752302B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62195674A (ja) * | 1986-02-24 | 1987-08-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| EP0252442A2 (en) * | 1986-07-08 | 1988-01-13 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer |
| JPH01163751A (ja) * | 1986-09-26 | 1989-06-28 | Canon Inc | 電子写真用感光体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS629355A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-17 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | 無定形炭素を含有する電子写真像形成部材 |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP60217051A patent/JPH0752302B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS629355A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-17 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | 無定形炭素を含有する電子写真像形成部材 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62195674A (ja) * | 1986-02-24 | 1987-08-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| EP0252442A2 (en) * | 1986-07-08 | 1988-01-13 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer |
| JPH01163751A (ja) * | 1986-09-26 | 1989-06-28 | Canon Inc | 電子写真用感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0752302B2 (ja) | 1995-06-05 |
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