JPH01163751A - 電子写真用感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は例えば電子写真装置に用いられる電子写真用感
光体に関する。尚、本明細書において、炭素原子をマト
リックスの主体とする膜とは膜中の炭素原子濃度が６５
原子％以上のものを意味し、標準条件とは大気中１気圧
、温度２０℃湿度５０％であることをいう。

〔従来の技術〕

従来、例えば電子写真用感光体の光導電層は、Ａ−Ｓｅ
　（非晶質Ｓｓ）　、　ＣｄＳ　、　ＺｎＯ、Ａ−Ｓｔ
　（非晶質シリコン）等の無機光導電材料で構成したり
、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（ＰＶに）とトリニト
ロフルオレノン（ＴＮＦ　）の電荷移動鎖体、トリフェ
ニルメタン誘導体とチアピリリウム塩をポリカーボネー
ト中に含む系、ジスアゾ顔料やフタロシアニン顔料など
の有機顔料系の材料等を含む電荷発生層とヒドラゾン誘
導体やトリフェニルアミン誘導体などの電子供与性分子
を有機ポリマー中に含む電荷輸送層との積層構造とした
りするのが一般的である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、これらの電子写真用感光体においては未
だ種々の解決されるべき点がある。

例えばＡ−３ｅを光導電層形成材料とする電子写真用感
光体は、Ｓｓ単独ではその分光感度領域が可視域の短波
長側に偏っているので応用範囲が限られてしまう。そこ
でＴｅ−？１ＩＡＳを添加して分光感度領域を拡げるこ
とが試みられている。しかしこの様なＴｅやＡｓを含む
Ｓｅ系の光導電層を有する電子写真用感光体は、その分
光感度領域は改良されるものの、光疲労の増大、高温環
境での帯電性低下、あるいは低温環境での残留電位上昇
などがあり、画質の低下や繰り返し使用時の安定性が失
なわれてしまう等の問題点があった。しかもＳｅ、　Ａ
ｓ、　　Ｔｅ　、特にＡｓやＴｅは人体に対し極めて有
害な物質であるので製造時に於て人体への接触がないよ
うな製造装置を使用する工夫が必要であった。また、光
導電層の硬度が低くクリーニングの確実性と装置の小型
化に優れたブレードクリーニングを適用すると光導電層
表面が露出している場合には、光導電層表面がじかに摺
擦されることによって、その一部が削り取られて現像剤
中に混入したり、あるいは複写機内に飛散したり、複写
画像中に混入したりして人体に接触する原因を与える結
果を生じる。また、Ｓｅは結晶化温度が低いので、少し
の加熱や光照射などで容易に結晶化を起こし、これが原
因で帯電性の低下を引き起こすことがあった。

一方、ＺｎＯ，ＣｄＳ等を光導電層構成材料として使用
する電子写真用感光体は、一般的にはその光導電層がＺ
ｎＯやＣｄＳ等の光導電材料粒子を適当な樹脂結着材中
に均一に分散して形成されている。

しかしながら、ＺｎＯを使用する場合には可視光に感度
を持たせるために有機顔料を添加するなどの分光増感が
必要になる、あるいは繰り返し使用により感度が低下し
ていくという欠点があるため余り多数回の繰り返し使用
はできなかった。又、ＣｄＳはＺｎＯと違って人体に影
響がある為に、ＣｄＳを使用する場合には製造時及び使
用時に於いて人体に接触したり或は周囲環境に飛散した
りすることのないようにする必要があった。更に、バイ
ンダー系光導電層は、光導電材料粒子が樹脂結着材中に
均一に分散されなければならないという特殊性の為に、
光導電層の電気的及び光導電的特性や物理的化学的特性
を決定するパラメータが多く、かかるパラメータを厳密
に調整しなければ所望の特性を有する光導電層を再現性
良く形成する事ができず、そのため歩留りの低下を招き
量産性に欠けるという欠点があった。加えてバインダー
系光導電層は分散系という特殊性故に層全体がポーラス
になっており、湿度依存性が著しく、多湿雰囲気中で使
用すると電気的特性の劣化を来たし高品質の複写画像を
得られなくなる場合が少なくないなどの問題もあった。

又、これとは別にｐｖに／ＴＮＦ電荷移動鎖体、有機顔
料、電子供与性分子あるいは有機ポリマー等の有機材料
を用いる電子写真用感光体は、耐コロナイオン性が低い
ため使用中に特性が劣化する、トナーと同様に有機ポリ
マーを使うためクリーニング性に問題が生じ易い、機械
強度が弱いため表面が傷つき易い等の問題があり、長期
間にわたって高画質を維持しながら使用するのが困難な
ことが多かった。また、比較的自由な分子設計が可能で
あるといっても、実際には例えば電荷輸送層の場合、電
子供与性分子とバインダーポリマーとの相溶性不良など
のために使用出来るバインダーポリマーにかなり制約が
出るなどの問題があった。

また、これら有機光導電材料の中でも広く利用されてい
る電子吸引性分子や電子供与性分子などには人体に害を
及ぼすものも多く、発癌性を有するものも多々あるので
、これらの面からの制約も実際の材料選択の際に大きな
障害となることが多かった。

一方、電子写真用感光体では、現像、転写の後に感光体
表面のクリーニングを通常行なうが、このクリーニング
にはクリーニングブラシやウレタン樹脂製クリーニング
ブレードが用いられており、現在では小型化が可能であ
る、クリーニング性が良い等の利点のために、後者のク
リーニングブレードが主流となっている。しかしながら
クリーニングブレードを用いる場合、クリーニングブレ
ードと感光体ドラム間の摩擦が問題となる場合が多かっ
た。例えば動摩擦係数とクリーニング性との間の関係は
、その間にトナーがある等の複雑さがあるために明らか
になっていない部分も多いが、動摩擦係数が大きいと、
クリーニングブレードと感光体間に大きな圧力を加える
ことが困難になってクリーニング性が悪くなってしまう
ことがあった。

本発明は、上記の事情に基づいて成されたものであって
、従来の問題点の総てを解決した電子写真用感光体を提
供することを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、機械的強度及び熱的安定性に優れ
た電子写真用感光体を提供することでもある。本発明の
更に別の目的は、高い帯電特性と高い光感度を有する電
子写真用感光体を提供することでもある。

本発明のもう１つの目的は、表面潤滑性に優れ、繰り返
し連続使用を行なってもコロナ放電生成物や紙粉等の汚
染物の付着の少ない電子写真用感光体を提供することで
もある。

本発明の更にもう１つの目的は、熱的キャリアの生成及
び捕獲準位の少ない感光層を有する電子写真用感光体を
提供することでもある。

本発明の更に別のもう１つの目的は、後に詳述される製
造条件に従えば原料ガスの流量制御のみで安定した再現
性のある成膜が可能である電子写真用感光体を提供する
ことである。

本発明の他の目的は高い帯電能をもち、少ない帯電電流
と少ない露光エネルギー量で画像形成可能な電子写真用
感光体を提供する事にある。

また、本発明の他の目的は、高速画像形成が可能な電子
写真用感光体を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は濃度が高く、八−フトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質な画像を得る事が
容易に出来る電子写真用感光体を提供する事にある。

本発明のさらに他の目的は湿度、湿度等の使用環境の変
、動に対して安定な画像を維持する事が可能な電子写真
用感光体を提供する事にある。

本発明のさらに他の目的は繰り返し使用の際のコロナ放
電生成物や紙粉などの付着の影響が少なく、また表面に
傷がつかず長期間継続的に安定な画像を維持しながら使
用可能な電子写真用感光体を提供する事にある。

本発明のさらに他の目的は、感光層の化学変化や劣化あ
るいは結晶化等の変質がおこらず、長期間の悪環境化で
の保管に耐えて保管前と変わらない良好な画質を再現す
る事が可能な電子写真用感光体を提供する事にある。

本発明のさらに他の目的は、製造工程の途中やオフィス
等での取扱いの際に人体に触れても全く害がなく、また
現像剤中に感光層の一部が削れて混入し、それがコピー
上のトナー画像に含まれて人体に接触したりしても全く
安全で、必要ならば使用終了後に一部ゴミと一緒に廃棄
する事も安全上全く問題なく、一般家庭で使用する際に
も特別の注意なしに安全に使用可能で、火災などの非常
時に他のものと一緒に燃えてしまっても有毒な気体を放
出しない、従ってあらゆる点で全く安全な電子写真用感
光体を提供する事にある。

本発明のさらに他の目的は、製造時に有害な原料を使用
せず、又は従来に較べて必要な有害原料の使用量が極端
に少なくても製造可能で、このため製造設備に取り付け
る必要のある有害物除外装置やその他の製造上の安全対
策に要するコストな著しく削減出来る電子写真用感光体
を提供する事にある。

本発明のさらに他の目的は製造用の原料として入手し易
く、安価な原料を使用する事の出来る低コストな電子写
真用感光体を提供する事にある。

本発明のさらに他の目的は不均一材料の混合や分散ある
いは粒度分布制御などといった複雑な工程を取る事なく
、また塗布液の調液や塗布中の粘度制御あるいは多層構
造の際に起きる店開汚染や溶剤排気の処理などを必要と
しない簡略化された工程で製造でき、またメンテナンス
の容易な製造装置を用いて製造出来る電子写真用感光体
を提供する事にある。

本発明のさらに他の目的は製造時の微粉未形成や製造容
器内に付着した膜のはがれによる微粒子の発生がなく、
長時間安定して欠陥のない均一な感光層を得る事の出来
る電子写真用感光体を提供する事にある。

本発明の他の目的はクリーニング性を向上させた電子写
真用感光体を提供するものであり、さらには高速におけ
るクリーニング性をも可能にし、また長時間の使用後に
も使用前と同様なりリーニング性と画像を示す耐久性を
持たせることにある。

本発明のさらに他の目的は湿度、湿度等の使用環境の変
動に対して安定なりリーニング性と画像を維持する事が
可能な電子写真用感光体を提供する事にある。

本発明のさらに別の目的は、高速クリーニング、高速画
像形成が可能な電子写真用感光体を提供することにある
。

〔問題点を解決するための手段］ 本発明の上記目的は、支持体上に電荷発生層と電荷輸送
層とを積層した機能分離型の光受容層を有する電子写真
用感光体であって、前記電荷輸送層が炭素原子をマトリ
ックスの主体とする膜から成る事を特徴とする電子写真
用感光体により達成される。

本発明における炭素原子をマトリックスの主体とする膜
（以後、殊に断わらぬ限り「炭素質膜」と呼ぶことにす
る）とは、例えばポリエチレンの様な炭化水素系の高絶
縁性直鎖有機ポリマーや、炭素原子からなる黒鉛の真空
蒸着膜の様な低抵抗のグラファイト多結晶膜の如きもの
とは、その特性が大きく異なるものである０本発明の目
的は、この様な従来の膜では達成されない、その理由は
、水素原子を多量に含む上記ポリエチレンの様な有機ポ
リマーを電荷輸送層に使用した場合には、帯電能を向上
することはできたとしても、可視域や近赤外域の光に対
する電子写真用感光体としての感度がほとんど得られな
いためである。また、上記グラファイト多結晶のような
ものでは、帯電能が低下して実用的な電子写真用感光体
が得られないためである。

本発明における炭素原子をマトリックスの主体とする膜
は多結晶相、非晶質相あるいはこれらの相の混合した相
、又は、これ等の構造に単結晶相が混合した相のいずれ
の形態をとってもよい。加えて、好ましくは、少なくと
もその電気伝導度σ。が１ｏ−１１Ω−１ｃ　ｍ　−１
以下であって、しかも層中に含まれる水素原子濃度が４
０原子％以下、さらにその光学的バンドギャップＥｇｏ
ｐｔが１．５ｅＶ以上、より好ましくは２．　ＯｅＶ以
上のものであることが望ましい。

本発明は上記のような物性範囲の炭素質膜が、高絶縁性
でありながらその層中に電荷が注入されると注入された
電荷が電場により輸送されるという現象を見い出したこ
とに基づいており、かかる炭素質膜は、従来の製造条件
では製造できない。

一般に、電子写真用感光体における電荷の伝導形態は成
膜条件にかなり大きく依存し、きれいなバンド伝導を起
こせる成膜条件は必ずしも広くなく、分散型の性格の強
い過渡電流波形が得られる場合も少なくない。このこと
は本発明においても同様であるが、本発明における炭素
質膜は、このような状態にあっても電子写真用感光体の
電荷輸送層として充分に使用可能なものである。ところ
で、過去においてＡ−ＳｉやＡ−Ｇｅを主体としてこれ
に炭素原子を加えた層を電子写真用感光体の構成層の１
つとして利用した例としては、特開昭５４−５５４３９
、特開昭５５−４０４０　、特開昭５５−４９３０４、
特開昭５６−１２１０４１、特開昭６０−２６３４５、
特開昭６１−９４０４８、特開昭６１−９４０４９、特
開昭６１−１０５５５１などがある。しかしこれらはＡ
−３ｉ又はＡ−Ｇｅから得られる機能を維持させつつ、
炭素原子の添加によりその膜特性を改良したものであり
、炭素原子をマトリックスの主体とすることによって得
られる炭素質膜の機能を利用したものではない。すなわ
ち、第１に本発明の炭素質膜には、上記ＳｉやＧｅは含
まれないか、もしくは含ませたとしてもなるべく少なく
されたものである。さらに上記の諸提案で成膜に使われ
ている成膜条件はＡ−ＳｉやＡ−Ｇｅ層の形成の際に適
用されているものであって、その様な条件では本発明の
目的を達成する膜は出来ない。

本発明における炭素質膜の更に好適な実施態様としては
、光学吸収係数が２．５ｅＶ以下のエネルギーの光に対
して１０’ｃｍ−’以下の物性値を有することが望まし
い。

また、本発明における別の好適な実施態様においては、
炭素質膜中にフッ素原子を含有させるのが望ましい。そ
の際の濃度は、１０原子ｐｐｍ以上１５原子％以下であ
ることが望ましい。

本発明は上記のような諸物性値のいくつかを適宜有する
炭素質膜が、高絶縁性でありながらその層中に電荷が注
入されると注入された電荷が電場により輸送されるとい
う現象を見い出したことに基づいている。

本発明における炭素質膜は、光受容層の最表層として設
けられる場合には、クリーニング特性を更に向上させる
ために該炭素質膜同士の標準条件下における動摩擦係数
が０．５以下のものを選択して使用するのが望ましい。

ここで本発明における動摩擦係数の測定法について触れ
ておく。動摩擦係数の測定は非常に敏感であり、原因は
定かではないが温度、湿度によって値が２〜３倍、場合
によってはｌＯ倍程度変化してしまう。よって測定には
、まず測定環境を規定しておく必要がある。動摩擦係数
は一般に次の式％式％ ここでμは動摩擦係数であり、Ｆが加える力、Ｐが垂直
加重である。（１）式によりμが接触面積によらないの
でドラムのような円柱状のものでも測定が容易である。

実際のクリーニングの際には、感光体とクリーニングブ
レード間の動摩擦係数が問題となり、またその間にはト
ナーがありクリーニングブレードの材質、トナー量等の
不安定要素があるので、はっきりした動摩擦係数が決定
できない、このことから本明細書では、感光体表面同士
の動摩擦係数を規定するが、後に記載するように１．こ
の動摩擦係数とクリーニング特性の間には良い相関が得
られ、この規定が十分に意義のあるものであることがわ
かった。

次に第６図（ａ）および（ｂ）にて動摩擦係数の実際の
測定法について説明する。測定には２本の感光体ドラム
１１１を用い、第６図のように一方を固定し、他方をあ
る一定速度で回転させ、両方な力Ｆで押しつける。そう
するとトルクを受は回転しにくくなる。このトルクを測
定し、力Ｆの値が分っているので動摩擦係数が測定でき
る。

実際には、動摩擦係数が力Ｆや回転速度に依存する場合
が出てくるが、この場合本明細書における動摩擦係数を
次のように規定する。すなわち、力Ｆに動摩擦係数が依
存する場合、力Ｆを変え、力Ｆに対し動摩擦係数をプロ
ットし、力ＦをＯに外挿した値をこの材料の動摩擦係数
とする。又、動摩擦係数がドラムの回転速度に依存する
場合、やはり回転速度に対し動摩擦係数の値をプロット
し、回転速度が０のところに外挿する。しかし双方とも
外挿する場合、極端にＯに近いポイントは接触の不安定
さや、静摩擦係数の値を測る可能性があるので、そこの
ポイントを除いたものでグラフを描き外挿するものとす
る。又、測定を同じドラムで何回も行なうと、最初と最
後に得られた動摩擦係数に変化が生じるが、この場合は
測定初期の値を動摩擦係数とする。このように動摩擦係
数の値に変動が生じる原因として、摩擦による熱の発生
、摩耗、またそれによる微粒子の発生等が挙げられる。

つまり測定はそれらの原因が発生しない程度の条件で行
なうのが良いとされている。

次に前記の方法で、動摩擦係数なｏｐｃ　、アモルファ
スシリコン、Ｓｅ、そして今回作成の炭素質膜の感光体
にておのおの測定したところ、ＯＰＣとＳｅの感光体で
０．６〜０６７、アモルファスシリコンで０．７〜０．
８の値を得た。作成した炭素質膜の感光体に関しては、
炭素原子の含有量６５％以上で基板温度が高めの条件の
もとで成膜されたもので０．０５〜０．２の値が得られ
た。このことから本発明における炭素質膜が低い動摩擦
係数をもつことが分る。この動摩擦係数は、膜中にフッ
素原子を含有させることによってより効果的に低下させ
ることが出来る。

本発明における炭素質膜の更に別の好適な実施態様にお
いてはそのギャップステート密度が５×１０”ｃｍ””
以下のものであることが望ましい。

ここでギャップステート密度を測定する手段として、容
量法や電界効果法等が用いられる。アモルファスシリコ
ンの場合、ギャップステートが多くなる原因としてダン
グリングボンド等による構造欠陥や不純物準位等が挙げ
られているが、炭素原子を主体とする膜の場合には現在
のところ定かではないが、やはり構造欠陥等が考えられ
る。

本発明における炭素質膜は、ダイヤモンド相が体積比で
５０〜９５％含有されており、残りは多結晶相、非晶質
相あるいはこれらの相の混合した相のいずれの形態をと
っても良い。

本発明における炭素質膜は、その膜中にグラファイト相
の量が体積比で２０％以下、好ましくは１０％以下であ
るような、アモルファス状炭素又はダイヤモンド状炭素
を主体とする膜から構成されることが好ましい。本発明
で述べるダイヤモンド相及びグラファイト相は、夫々、
全体としては単結晶、多結晶のいずれの形態をとっても
よいが、夫々ダイヤモンド及びグラファイトの結晶性を
有しているのもであり、非晶質構造のものは含めない。

しかしながら、粒径の大きなダイヤモンド結晶は、電子
写真用感光体に必要な平坦性を害する傾向があるので、
望ましくは、より微細な結晶のダイヤモンド相が好まし
い。このようなより微細な結晶のダイヤモンド相を含む
ことによって、Ｅｇの増加、電気伝導度の減少等を計る
ことが出来る。

このような特定されたグラファイト相の量を有する本発
明における炭素原子をマトリックスの主体とする膜とは
、例えばポリエチレンの様な炭化水素系の高絶縁性直鎖
有機ポリマーや、炭素原子からなる黒鉛の真空蒸着膜の
ような低抵抗のグラファイト多結晶膜の如きものとは、
その特性が大きく異なるのもである。

グラファイト相の量が前記の値を越えると帯電能が低下
する傾向が生じ、強いては電子写真用感光体として不適
当となる場合がある。グラファイト構造の検知は幾つか
の方法で可能であり、例えばラマンスペクトルの分析に
よれば、完全なグラファイト構造を有するものは１５８
０ｃｍ−’付近に鋭いラマンビークを示す。グラファイ
ト構造からの乱れが大きくなるにつれてラマンスペクト
ルは１３６０ｃｍ−’付近に新たなラマンバンドが現わ
れ、１５８０ｃｍ−’付近のピークは高波長側ヘシフト
し、１６２０Ｃｍ−’付近にショルダーが現われてくる
。そしてラマンピーク幅も広くなっていく。さらに２０
００ｃｍ−’より高波長側に倍音等によるピークが現わ
れるが、一般的には２０００ｃｍ”以下のピークのみで
構造を分析することが可能である。

さらに、本発明においてはダイヤモンド相、グラファイ
ト相の存在比の確認は、電子線回折及び電子顕微鏡観察
によって行なう。まず、本発明で得られた炭素質膜を、
イオンミリング、電界研磨等により非常に薄く薄片化し
、これを電子顕微鏡の試料として電子顕微鏡の試料室へ
入れる。まず、電子線回折により、ダイヤモンド相又は
グラファイト相の存在を確認し、次に明視野像に切りか
え、この明視野像の撮影を行なう。結晶相と非結晶相の
比は、この明視野像の写真上の面積比を比較し、これよ
り体積比を見積もる。

本発明における炭素質膜は、例えば炭素化合物と水素分
子とを原料とする気相成膜法により、先に述べたような
特定の性状や特性を有する炭素質膜を形成できるような
条件、具体的には後述の実施例に記載されたよりな成膜
条件を設定して形成する事が出来る。この条件の設定は
、本発明者によって初めてなされたものである。成膜の
メカニズムについては必ずしも定かではないが、原料ガ
スの放電や原料ガスの加熱などによって原料気体分子に
エネルギーを与えたり、成膜中の基板を加速電子でたた
いたり、成膜途中で生じるイオンを電場で加速したり、
プラズマ生成領域に磁場印加したりする事が本発明に言
うところの炭素質膜を得る上で有効である。

本発明におけるダイヤモンド相が体積比で５０〜９５％
を占める炭素質膜は、例えばメタン等の炭素化合物と水
素分子、更に必要な添加物ガス分子を含む混合気体を原
料とする気相成膜法により、先に述べたような特定の条
件を設定して形成する事が出来る。

ここでいう気相成膜法とは、原料ガスを直流又は交流電
場による放電で励起し、支持体表面にダイヤモンド相を
含む炭素質膜を形成するプラズマＣＶＤ法や、原料ガス
をイオン化室においてイオン化し、これを電場により引
き出し、ビーム状として支持体表面に照射することによ
り膜形成を行なうイオンビーム蒸着法、更には原料ガス
を熱エネルギーにより活性化あるいは分解することによ
り支持体表面に膜形成を行なう熱ＣＶＤ法、また更には
加速されたイオンをグラファイトなどの炭素から成るタ
ーゲツト材に照射することにより炭素原子又は炭素含有
分子粒子を発生せしめ、この粒子により支持体表面に膜
を形成せしめるスパッタ法、また更には電子線やイオン
線など荷電粒子により原料ガスを励起し支持体表面に膜
形成を行なう方法、また更には水素分子やハロゲン分子
をプラズマや熱エネルギーにより活性化し、これら水素
ラジカルやハロゲンラジカルにより原料ガスを分解、結
合反応させることにより支持体表面に膜形成せしめる方
法、更に原料に紫外線やレーザ光を作用させ、光化学反
応により支持体に膜を形成せしめる光ＣＶＤ法を指す。

これら気相成膜法により、ダイヤモンド相を含む炭素質
膜が支持体表面に形成される機構は十分に解明されては
いない。しかし、これら気相成膜法の各種条件を目的に
合わせ制御することにより、電子写真用感光体の電荷輸
送層として十分な機能を発揮するためのダイヤモンド相
を体積比で５０〜９５％含む炭素質膜を形成することが
可能となる。

第１図及び第２図に本発明の電子写真用感光体の最も代
表的な構成例を示す。これら図において、符合１３及び
２３で示すものが本発明で言う炭素質膜で構成された電
荷輸送層である。１２及び２２は電荷発生層、１４及び
２４は支持体、１１は表面相、２１は電荷注入阻止層で
ある。

電荷輸送層１３及び２３は、水素原子を多量に含むこと
は好ましくなく、水素原子含有量としては４０原子％以
下、望ましくは３０原子％以下であることが好ましい。

多すぎる水素原子量は光感度低下、残留電位上昇あるい
は表面の傷のつき易さの原因になるからである。しかし
水素原子の膜中への構造的含有は、帯電性の向上や残留
電位の低減に効果があるので、好ましくは、その下限を
０．Ｏ１原子％とするのが望ましい。

また、上記水素原子のみならず、電荷輸送Ｍを構成する
炭素質膜には、窒素原子も含有してよく、これらの原子
の場合も上記水素原子と同様の効果がある。更に、酸素
原子の含有も帯電性の向上に効果的である。

電荷輸送層１３及び２３を構成する炭素質膜は非晶質で
あっても良いし、結晶質を含むものであってもよい。殊
にダイヤモンド構造をもつアモルファス又は結晶に起因
するピークであるラマンスペクトルの１３３３ｃｍ−’
を含む領域のストークス線で特徴づけられる構造を少な
くとも部分的に含むことが望ましい。電荷輸送層を構成
する炭素質膜が完全なダイヤモンド構造を多量に含むダ
イヤモンド多結晶に近い膜であれば、電子写真用感光体
の帯電性及び感度１表面硬度、耐久性等を向上させるこ
とができる。また、得られる炭素質膜は非晶質もしくは
結晶質のいかんにかかわらず、成膜条件によって例えば
成膜時の水素ガスの流量比を高める事により光学的バン
ドギャップを大きくする事が出来る。

電荷輸送層１３及び２３を構成する炭素質膜は半導体的
不純物として、周期律表第■族又は第Ｖ族に属する原子
のドーピングを行ない、その特性を改善する事ができる
。このような第■族又は第Ｖ族原子によるドーピングは
、本発明の電子写真用感光体を正帯電又は負帯電で使用
する際の帯電性を高め、感度を向上させ、残留電位を下
げる効果がある。これは、これら原子のドーピングによ
り電荷輸送層１３及び２３の電荷キャリアの濃度が変化
するか、又は電荷キャリアの輸送性が変化するためと考
えられる。この変化は比較的おだやかである　−ので、
その制御は容易である。これら原子の添加量は５原子ｐ
ｐｍ以上５原子％以下の範囲、より有効な範囲としては
５０原子ｐｐｍ以上１原子％以下であるのが望ましい。

これらのより詳しい条件は実施例中で述べる。第■族に
属する原子としてはＢ、　ＡＩ、　Ｇａ、　Ｉｎ、　Ｔ
１等が挙げられる。第Ｖ族の原子としてはＮ、　Ｐ、　
Ａｓ、　Ｓｂ、　Ｂｉ等が挙げられる。製造安定性、コ
スト、効果の大きさなどからはＮ。

Ｐ、　Ｂ、　ＡＩなどが特に望ましい。

電荷輸送層１３及び２３の膜厚は使用条件等により適宜
選択することができるが、好ましくは１μ以上１００μ
ｍ以下の間にあることが望ましい、これは、１μ未満で
は通常の実用化されている現像方法では満足できる可視
画像濃度が得られない場合があり、他方１−００μｍを
越えると残留電位が大きすぎる場合があったり、成膜に
要する時間がかかり過ぎたり、支持体との密着性等に問
題を生じる場合があるためである。前記層厚のより好ま
しい範囲は、５μｍ以上５０μｍ以下である。この範囲
では使用条件がゆるやかになって使い易いばかりか、従
来の感光体に比して膜厚が薄くても画像濃度が高くなる
傾向があるので、製造コスト低減にとって有利である。

本発明の電荷輸送層を構成する炭素質膜の膜構造は、例
えば、ラマンスペクトルの分析によって検知される。先
にも述べたように炭素質膜が完全なグラファイト構造を
有する場合は、１５８０ｃｍ−’付近に鋭いラマンピー
クが検出される。グラファイト構造からの乱れが大きく
なる（結晶性が崩れアモルファスの傾向が増す）につれ
て１３６０ｃｍ−’付近に新たにラマンビークが現われ
、１５８０ｃｍ−’付近のラマンビークは高周波側にシ
フトし、１６２０ｃｍ”付近にショルダーが現われてく
る。そしてピーク幅も広くなっていく、炭素質膜がＳＦ
３の炭素からなるダイヤモンド構造の場合は、１３３３
ｃｍ−’に非常に鋭いピークが検出される。このピーク
巾によってダイヤモンド構造において結晶性が高いかど
うか、アモルファス性が高いかどうかを判別することが
できる。

本発明において好適に使用される炭素質膜としては、ラ
マンスペクトルにおける１３３３ｃｍ−’のピーク強度
Ｉｏと１５８０ｃｍ−’のピーク強度Ｉａの比ＩＤ／工
。が好ましくは０．１８〜５．９、より好ましくは１．
８〜５．９となるように作成されるのが望ましい。本発
明においてはラマンスペクトルのピーク強度は、測定さ
れたラマンスペクトルを通常この分野において採用され
ている方法によってピーク分割し、分割された所定の各
ピークごとに三角形近似法に従って求められる値が採用
される。

本発明の電子写真用感光体における電荷発生層１２及び
２２は、光導電性を有するものであれば従来公知のいか
なる構成のものでもよい。し力゛シ奮フも組み合せの良
好さから、例えばプラズマＣＶＤにより成膜したＡ−Ｓ
ｉ：Ｈを主体とする０、５〜２０μ程度の膜厚のものや
、これに更にＧｅや０１Ｃ％Ｎ等を含有させたものが好
ましいものとして挙げることができる。本発明ではこの
ような電荷発生層からの電荷輸送層への電荷注入を良好
に行なう事が出来る。

本発明の電子写真用感光体では、電荷輸送層（１３，２
３）として下記実施例に記載された条件で作成された電
荷輸送能力に優れ、且つ電気抵抗（電気伝導度の逆数）
の高い炭素原子を主体とする膜を用いているため、電荷
発生層（１２，２２）を従来の電子写真用感光体におけ
るよりも低抵抗のものとすることができる。具体的に例
えば、電気抵抗の値としてＩＱ−１００ｃｍ程度あるい
はそれよりやや低いものであってもよい。従って、光導
電性が大きくても低抵抗であるために利用困難であった
材料でも使用する事が可能になり、電子写真感光体全体
の特性として極めて高い感度が得られるものである。

電荷輸送層（１３，２３）中に、含有されるフッ素原子
や水素原子は電荷輸送層（１３，２３）の自由表面近く
にのみ含有されるか、又はその表面から内部方向に向っ
て濃度勾配を持って含有されてもよい。又、電荷輸送層
（１３，２３）を構成する炭素質膜が完全なダイヤモン
ド構造を多量に含むタイヤモンド多結晶に近い膜であれ
ば、電子写真用感光体の帯電性及び感度０表面硬度、耐
久性等を向上させることができるが、残留電位を低く押
えるためには、電荷輸送層（１３，２３）を構成する炭
素質膜は、適量のダイヤモンド構造を有する膜とされる
のが望ましい。

本発明における炭素質膜で構成される電荷輸送層が第２
図のように表面層としての機能す持たせる場合、光学的
バンドギャップは、２．　ＯｅＶ以上、より好ましくは
２．５ｅＶ以上であることが望ましく、且つ二重結合が
多量に含まれない様にするのが好ましい。このために水
素原子やフッ素原子を適当量含有させることは効果的で
あり、特にフッ素原子を含有させる場合、動摩擦係数の
減少にも効果があり、好ましい。

本発明における電荷輸送層を構成する炭素質膜は、ギャ
ップステート密度が５　Ｘ　１０１１０ｌ７”以下にな
゛る様に成膜されるのが好ましいが、より好ましくは、
　１．５ｘ　１０１０１７ａ”以下とされるのが望まし
い。

即ち、ギャップステート密度が大きいと、電荷発生層で
発生した電荷が電荷輸送層の輸送途中でトラップされ易
く、残留電位が上がる等のことから、画質に悪影響を及
ぼす。ギャップステート密度を下げるには、前記した特
別な条件の成膜方法の他に、水素原子やフッ原子、窒素
原子、酸素原子を含有させることも効果的である。

本発明の電子写真用感光体の支持体１４及び２４は支持
体としての機械的強度が満たされれば絶縁体であっても
導電体であってもよいが、繰り返し使用する場合には少
なくとも支持体（１４，２４）の光受容層が設けられる
側が導電性処理されていることが望ましい。導電性支持
体としてはＡＩ、　Ｆｅ。

Ｎｉ、ステンレス、　Ｓｎ、　Ｚｎ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、
　Ｔｉ、　Ｔａ、　Ｗ。

Ａｕ、　Ａｇ、　Ｐｔ等の金属やＳｔ、　Ｇｅ、グラフ
ァイトなどが使用可能である。光受容層の接着性等の改
良その他の目的で導電性支持体表面に支持体金属とは別
の導電性の物質をコーティングしても良い。絶縁性支持
体としてはポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ポリアミド、　ＰＥ等の有機ポリ
マーの他、ガラス、セラミックスなどの無機材料も使用
できる。支持体の大きさ及び形状は本発明の電子写真用
感光体の使用用途により自由に選択する事が出来、手の
平に乗る様な小さなカード状のものや円筒型あるいはベ
ルト状のものなどどれも使用可能である。

第１図の電子写真感光体の場合には、通常、表面層１１
を設ける事が望ましい。特に電荷発生層１２をＡ−Ｓｔ
：Ｈで構成した場合には、高湿環境化での画像劣化防止
の向上やコロナ放電生成物の影響による画質低下防止の
向上をはかるために表面層１１を設けることが望ましい
０表面層１１は可視光領域においである程度透明で電気
伝導度が低ければ色々な材料が使用可能である。例えば
プラズマＣＶＤなとで形成されたＡ−３ｉＣ（Ｈ）、　
Ａ−３ｉＮ（Ｈ）などの膜でも良い。また電荷輸送層（
１３，２３）に使用できる炭素質膜であっても良いが、
その場合は光学的バンドギャップが、望ましくは２．　
ＯｅＶ又はそれ以上であることが望ましい。この場合、
電気伝導度、水素原子やフッ素原子の含有量は表面層１
１に要求される特性を満足するものであれば特に限定さ
れない。また、表面層１１に含有される水素原子やフッ
素原子は表面層１１の自由表面近くにのみ含有されるか
、又はその表面から内部方向に向って濃度勾配を持って
いても良い。

第２図の電子写真感光体の場合には電荷注入阻止層２１
を、電荷発生Ｍ２２と支持体２４との間に設ける事が望
ましい。これにより帯電能の一層の向上や画質の欠陥の
発生をより一層防止出来る。電荷注入阻止層２１として
はプラズマＣＶＤなとで成膜された半導体的不純物がド
ービン４グされたＡ−３ｉ　（Ｈ。

Ｘ）などが使用可能である。この場合感光体を正帯電で
使用する場合には電荷注入阻止層２１はｐ型又は電子易
動度の小さいもの、負帯電で使用する場合にはｎ型又は
正孔易動度の小さいものとすることが好ましい。ｐ型又
は電子易動度の小さいものとする場合にはＢ、　ＡＩの
ような第■族原子が、ｎ型又は正孔易動度の小さいもの
とする場合にはＮ、　Ｐ、　Ａｓのような第Ｖ族原子が
ドーパントとして適当である。

本発明の電子写真用感光体の電荷輸送層（１３，２３）
は、後述するような気相成膜法を用い、具体的には実施
例に示した条件で炭素化合物を含む気体を放電エネルギ
ーや熱エネルギーあるいは光エネルギーを利用しての励
起、イオン化あるいは分解する等により得る事ができる
。この成膜の際、基板を加速電子でたたいたり、途中で
生じるイオンを電場で加速したり、プラズマ生成領域に
磁場を印加したりすることにより本発明の炭素質膜を得
ることができる。もちろん、炭素化合物の気体を全く用
いず、炭素又は炭素化合物を主体とする固体をターゲッ
トとするスパッタリングを利用する事もある特定の成膜
条件下では可能である。

成膜のメカニズムの詳細は定かではないが、炭素イオン
又は炭素化合物のイオンあるいは炭素化合物のラジカル
生成と、水素を用いる場合には水素の供給量が本発明に
適用される良質の炭素質膜を得る上で重要である。水素
を用いる場合には成膜前の励起過程で少なくとも部分的
にラジカル化又はイオン化させておくとよい。さらに、
気体にバイアス電圧をかけて成膜面をイオン衝撃するか
、又は基体方向へ電子を加速して成膜面付近で炭素化合
物を電子で励起するのも有効である。この場合の電子の
供給は、プラズマによる他、加熱したフィラメントを利
用してもよい。また、基体に直接外部電源によりバイア
ス電圧を印加しない場合であっても、例えばＲＦプラズ
マＣＶＤを実施する場合におけるように基体を接地させ
ず、この基体側に高周波印加する事によって生じる自己
バイアスを利用することが望ましい。基体温度も重要な
パラメータであって、好ましくは、２５０℃以上、より
好ましくは、４５０℃以上に設定する事が望ましい。

本発明の電子写真用感光体の電荷輸送層を作成するため
の成膜条件は、成膜方法、使用される装置の構造、寸法
、材質、使用する原料の種類などによって種々異なるも
のであり又、各成膜パラメータの値は独立的に決められ
るものではなく各成膜パラメータの有機的関係に基いて
適宜所望に従って決められる。

放電を利用する気相成膜法（ＣＶＤ　）の場合一般的に
は、放電パワー（ｐｗ　）として２５０〜６５０Ｗ、成
膜時の圧力（Ｐ）として７　Ｘ　１０”’〜１０Ｔｏｒ
ｒ、基体温度（’ｒ、）としては２５０〜７ｄＯ℃、基
体バイアス（Ｅｍｕｓ）としては−３００〜Ｏｖ、磁場
（Ｈ）としては、ＲＦの場合は４００〜８００Ｇａｕｓ
ｓ　、マイクロ波の場合は、８７５Ｇａｕｓｓ又はその
近くの値とされるのが望ましい。

本発明においては、これらの各成膜パラメータの値の範
囲の中より本発明の目的とする炭素質膜で構成された電
荷輸送層が作製されるように装置に合せて適宜所望に従
って各成膜パラメータの値が具体的に選択されて成膜条
件がデザインされる。

その場合、暗導電率（δ。）は、放電パワー、基体温度
、基体バイアスを上げることによって下げることができ
る。又、暗導電率は、炭素化合物の原料ガスと水素ガス
とを使用する場合には、炭素化合物の原料ガスの水素ガ
スに対する流量比を増大することによって上げることが
できる。光学的吸収係数又はバンドギャップを増大させ
るには、原料ガス種を適当に選択して使用したり、或は
、放電パワー、基体温度、基体バイアスを増大させるこ
とによって成される。

炭素質膜中の水素原子及びフッ素原子の含有量は、主と
して、原料の種類、原料の組み合わせ、ガス流量、放電
パワー、基体温度、圧力等を有機的関連性の下に適宜選
択することによって所望値に制御することができる。

動摩擦係数を下げるには、一般的に、放電パワー、基体
温度、基体バイアスを増大させることによって成される
。又、前記炭素化合物のガスの流量を減少させれば、一
般的には、動摩擦係数を下げることができる。

炭素質膜の膜構造は主として基体バイアス、基体温度を
増大させるか又は／及び炭素原子供給用の原料ガスの水
素原子もしくはハロゲン原子供給用の原料ガスに対する
流量の割合（ガス流量比）を減少させることによってよ
り完全なダイヤモンド構造を取る傾向になり、逆の場合
にはより完全なグラファイト構造を取る傾向になる。

本発明においては、上記の点を十分考慮した上で本発明
の目的とする炭素質膜を得る成膜条件が適宜選択され、
いくつかの例が以降の実施例において具体的に示される
。

第３図に本発明の電子写真用感光体の製造に好適な成膜
装置の一例を示す。この第３図において、符号２６．２
７．２８．２９．３０．３１．３２．３３．３４゜６２
．６３．６６、６７で示すものは、成膜に使用するガス
のコントロールに用いるバルブである。３９゜４０、４
１．４２．６０は主原料ガス、エツチングガス。

キャリアーガスあるいはドーピング用ガス等の所望のガ
スを保持するガスボンベ、６１は液体材料を気化させる
装置で必要に応じ水素ガスやアルゴンガスを一緒に流す
事が出来る様になっている。

３５、３６．３７．３８．６４．６５はマスフローコン
トローラーである。５２は真空槽で主バルブ２５を介し
て真空排気ポンプへ通じている。真空槽５２は全体を水
冷出来る様にしである。４５及び４６は電極で、直流又
は交流の電圧を印加できるようになっている。

電極４６の表面には必要に応じてスパッタリング用ター
ゲットを置くことができる。５４．６８はガード電極で
、真空槽５２と同様にアースされており、不要な場合は
取り外せるようになっている。５３は基体で、この表面
に機能分離型の光受容層を成膜する。４４は基体加熱ヒ
ーターで、高さを調節することが出来、タングステン、
タンタル等のワイヤー、うす巻き線又はメツ、シュ等の
種々の形状のものを必要に応じて使用し、加熱の際には
通常は５０Ｈｚの交流電力を印加する。４３は真空槽５
２のまわりに巻いたコイルで、必要に応じて直流を流し
て磁場を発生させる。４７は１３．５６ＭＨｚの高周波
電源で負荷インピーダンスに応じてマツチングを取れる
　　゛ようにしである。４８は直流電源、５０および５
１はキャパシター、４９はインダクタンスコイルである
。　６９．７０は電極４５および４６の高周波印加側な
上下に入れ換えるための切り換え回路である。

第４図は本発明の電子写真感光体の製造に好適な成膜装
置の他の一例である。この第４図において、符号７９．
８０．８１．８２．８３．８４．８５．８６．８７゜８
８、８９．９０．９１．９２で示すものは、成膜に使用
するガスのクントロールに用いるバルブである。バルブ
８６と８５を使いわける事によりガス導入場所を選択出
来るようになっている。？２．７３．７４．７５゜７６
は原料ガス、エツチングガス、キャリアーガス、あるい
はドーピング用ガス等の所望のガスを保持するガスボン
ベ、７８は液体材料を気化させる装置で必要に応じ水素
ガスやアルゴンガスを一緒に流す事が出来る様になって
いる。９３．９４．９５゜９６、９７．９８はマスフロ
ーコントローラーである。

７１は真空槽で主バルブ１０４を介して真空排気ポンプ
へ通じている。１０７はマイクロ波電源、１０９はマイ
クロ波の導波管である。１０８はインピーダンスのマツ
チングを取るためのチューナーである。

１１０はマイクロ波投入口の窓ガラスで、石英板もしく
はその他のマイクロ波を吸収しにくい材料で出来ている
。９９は仕切り板で、その設置位置を変化させる事が出
来るようになっており、この仕切板９９の位置を調整す
ることにより真空槽７１内へ入射したマイクロ波を反射
して、その位置により共振を起こさせ、効率よくマイク
ロ波が原料ガス等へ吸収される様にする事が出来るよう
になっている。

１０６は電磁コイルで直流印加により静磁場を発生させ
ることができる。１００は基体ホルダーで基体１０３を
支えている。基体１０３は基体ヒーター１０１及び１０
２により基体を加熱する事が出来るようになっている。

基体ホルダー１００はアースから絶縁されており、直流
電源１０５で電圧印加する事が出る膜の製造原料として
用いることのできる炭素化合物としては、メタン、エタ
ン、プロパン、ブタン等のアルカン系炭化水素又はその
誘導体、またエチレン、プロピレン、ブチレン、アミジ
ノ等のアルカン系炭化水素又はその誘導体、またアセチ
レン、ペンチン、ブチン、ヘキシン等のアルキン系炭化
水素又はその誘導体が挙げられる。さらにはベンゼン、
ナフタリン、アントラセン、トルエン、キシレン、ある
いはとリジン、ピコリン、キノリン、インドール、アク
リジン、フェノール。

クレゾール等の芳香族炭化水素又はその誘導体、メタノ
ール、エタノール、プロパツール、ブタノール等のアル
コール、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケト
ン、ジイソプロピルケトン、ジイソブチルケトン、ジア
セチル等のケトン類又はその誘導体、アセトアルデヒド
、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド等のアルデ
ヒド又はその誘導体、メチルアミン、ジメチルアミン、
トリメチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン等の
アミン又はその誘導体、ジメチルエーテル、メチルエチ
ルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルｎブチル
エーテル等のエーテル又はその誘導体、酢酸メチル、酢
酸エチル等の酢酸誘導体なども使用可能である。また、
フッ素原子を導入する場合のフッ化炭化水素及びフッ化
炭素化合物としては、フッ化メタン、フッ化エタン、フ
ッ化プロパン、フッ化シクロヘキサン、ジフッ化メタン
、トリフッ化メタン、テトラフッ化メタン、フルオルア
セチレン、フルオルベンゼン、フッ化アセチル、フッ化
ホルミル等が挙げられる。これら炭素化合物とフッ素と
混合して用いる場合や、フッ化炭化水素のみを用いる場
合、またフッ化炭化水素と炭化水素化合物を混合する場
合、またフッ化炭化水素と水素を用いる場合等の組み合
わせが可能である。これらのうち常温で液体又は固体の
ものは、水素、アルゴン等のキャリアーガスを用いて、
バブリングその他により反応室内へ運ぶか、又は加熱に
より気化させて用いることが好ましい。上記の様な炭素
化合物とともに、水素、アンモニアなどを反応室内へ送
り込んでも良い。

また、周期律表第■族又は第Ｖ族の元素をドーピングす
る場合には、３Ｈ３，Ｂ２Ｈ６，ＰＨ３，ＡＳＨ！。

ＮＨｓの様な水素化物などやＡＩ　（ＣＨｓ）　＊、　
Ｇａ　（ＣＨｓ）　。

などの気体を同時に送り込んで成膜を行なうと良い。

〔実施例Ｊ 以下、実施例によって本発明を具体的に説明する。

実施例１ 第３図の装置を用い、第１図に例示の電子写真用感光体
を以下のようにして作成した。

まず、電気伝導度が約１０−２Ω−１ｃ　ｍ　−１の円
板型のｎ型シリコンウェハーを気体５３として用い、フ
ッ酸の希釈水溶液で基体表面の酸化膜を除去した後、こ
の基体を上部電極４５に固定した。次に真空槽５２を密
閉し、真空排気系により約２　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒま
で減圧した０次に基体の円形形状に合せてうず巻き状に
まいたタングステンワイアー４４に５０Ｈｚの交流電力
を印加して、このワイヤー４４を約２５００℃まで加熱
して、得られる輻射熱により、上記シリコン基体を加熱
した。シリコン基体の裏側が４５０℃になるまで待った
後に、ワイヤー４４を約２０００℃まで下げて基体温度
を安定させた。

次に電磁コイル４３に直流電力を流して真空槽５２の上
部容器表面での磁場が８００Ｇａｕｓｓになる様に電流
の大きさを制御した。さらに切り換え回路６９゜７０を
Ａの位置にセットし、直流電源４８を基体側が一３００
Ｖになる様に合せた。そしてマスフローコントローラー
３７．３８を最もしぼった状態でＣＨ４のボンベ４１の
バルブ２８及び３３、Ｈ２のボンベ４２のバルブ２９及
び３４を開いた。そして、各々のガスの流量が５　ＳＣ
ＣＭ及び１１００５ＣＣとなる様にマスフローコントロ
ーラー３７及び３８をセットした。このときの圧力は０
．００２Ｔｏｒｒであった。

次に電源４７をＯＮにして放電を始め、投入パワーを３
５０Ｗに合せた。全体が安定状態に達してから４８時間
後に放電電源４７と４８をＯＦＦにし、バルブ２８．２
９を閉じて放電を停止した。こうして炭素を主体とする
約８μの電荷輸送層を得た。

次に、基体加熱フィラメント４４の電流を弱くしてその
まま放置し、基体温度が測定値で２５０℃まで下がるの
を待ってから極性切換スイッチ６９と７０をＢの状態に
した０次に５ｉ）Ｉ４のボンベ６０のバルブ６２と６６
及びＨ２のボンベ４２のバルブ２９及び３４を開き、Ｓ
ｉＨ，がＩＯＳＣＣＭ％Ｈ２が９０ＳＣＣＭとなる様に
マスフローコントローラー６４と３８を調節した。そし
て高周波電源４７をＯＮにし、約１μの厚さのＡ−Ｓｔ
：Ｈからなる電荷発生層を前記の電荷輸送層上に積層し
た。

これに続いて、ＣＩ２のボンベ４０のバルブ２７及び３
２を開き、マスフローメータ３６を使ってアセチレンを
５１ｇ４とＨ２に加えて行き、Ａ−Ｓｉ：）Ｉからなる
電荷発生層上に約１（１００ＡのＡ−５ｉ：Ｈからなる
表面石を積層した。

すべての成膜が終った後、バルブ２７．２８．２９゜３
２、３３．３４．３０を閉じ、加熱フィラメント４４の
電流を切って基体が充分に冷却した後、真空を破って前
述の各層を形成した基体を真空槽５２から取り出した。

こうして得られた電子写真用感光体を実験用の電子写真
複写装置にセットして、電子写真特性を測定したところ
、良好な帯電性と光感度を示した。続いて負帯電し像露
光して、トナー現象したところ良好な画像が得られた。

上記のようにして得られた電子写真用感光体の電荷輸送
層と同様の成膜条件で膜厚１．５μｍとして、光学的バ
ンドギャップ、電気伝導度、ラマンスペクトル及び水素
原子濃度の測定用の各試料を作成した。こうして得られ
た各試料の測定の結果により、前記感光体の電荷輸送層
の光学的バンドギャップは３．２ｅＶ、電気伝導度は約
ＩＱ−１４Ω−１ｃｍ−’、水素原子濃度は５原子％で
、ラマン・スペクトルには１３３３ｃｍ−’を含む領域
に明瞭なストークス線が認められることが傍証された。

実施例２ 電荷輸送層の作成条件を以下のように変更する以外は、
実施例１と同様にして電子写真用感光体を作成した。

基体バイアスは一１００Ｖで、基体温度を４５０℃とし
た。原料ガスとしてＣ）１３０８とＨ２を用い、ＣＩ（
３０ＨをＩＯＳＣＣＭ％Ｈ２を１１００５ＣＣで真空層
５２の中へ送り込んだ、フィラメント温度は２４００℃
とし、ＲＦパワーは３００Ｗとした。コイル４３に電流
を流し、磁場６００ガウスで成膜を行なった。成膜時の
圧力は１０Ｔｏｒｒとした。

このようにして得られた電子写真用感光体を実施例１と
同様に電子写真特性を測定したところ、高い帯電能と感
度を示し、負帯電して像露光し、トナー現像したところ
良好な画像が得られた。

これとは別に上記と全く同一の条件で電荷輸送層だけを
Ｓｔ基体上に形成したものを膜組成分析したところ、膜
中には酸素が含まれており、また赤外吸収スペクトルに
よる水素原子濃度の測定によると水素原子は１１原子％
含有されることが確認された。また別に光学的バンドギ
ャップ、電気伝導度の測定用の各試料を該実施例の電荷
輸送層の作成条件と同一条件で膜厚２μとして作成した
。これ等の試料の測定により光学的バンドギャップは２
．８ｅＶで電気伝導度は乾燥雰囲気内で４　Ｘ　ｔｏ−
”Ω−１ｃ　ｍ−１であることが傍証された。

実施例３ 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例１と同様にして電子写真用感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜はエタンと水素とアンモニアの混合ガ
スを用い、流量はエタンをＩＯ３ＣＣＭ、水素を８７３
ＣＣＭ、アンモニアを３３ＣＣＭとした。圧力は０．０
０２Ｔｏｒｒ　、　ＲＦパワー３５０　Ｗ、基体バイア
ス−２３０Ｖ　、基体温度５５０℃で磁場は８００Ｇａ
ｕｓｓとした。この条件と同一条件で物性測定用として
成膜した各試料の測定結果により、光学的バンドギャッ
プは３．１ｅＶ、電気伝導度は１０−１３Ω−１ｃｍ−
’、水素原子濃度は７原子％で、窒素原子が膜中に更に
含まれていることが傍証された。

他方、電子写真用感光体を実施例１と同様に実験用電子
写真複写装置にセットして電子写真特性を測定したとこ
ろ良好な帯電性と感度を示だ。正帯電像露光してトナー
現像したところ、明瞭な画像が得られた。

実施例４ 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例１と同様にして電子写真用感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜にはメタンと水素の混合ガスを用いた
。流量はメタンを５ＳＣＣＭ　、水素を１１００５ＣＣ
，ＲＦハ’）−４５０Ｗ、基体バイアスｏｖ１基体温度
２５０℃、圧力０．０ＩＴｏｒｒとして行なった。この
ようにして得られた電子写真用感光体は実施例１の場合
と同様に良好な帯電性を示し、正帯電で良好な画質のト
ナー像が得られた。この条件で成膜した電荷輸送層の各
物性値を実施例１と同様に測定したところ、バンドギャ
ップは２．３ｅＶ　、電気伝導度は３．８　ＸＩＯ””
Ω−１ｃ　ｍ　−１、水素原子濃度は１１原子％である
事が傍証された。

実施例５ 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例１と同様にして電子写真用感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜はメタンと水素の混合ガスを用いて行
ない、流量はメタンを５３ＣＣＭ　、水素を９５ＳＣＣ
Ｍとした。そして、これに水素で１ｍｏ１％まで希釈し
たジボランを０．５３ＣＣＭの割合で流し込んだ。圧力
は０．０６Ｔｏｒｒ、基体温度３５０℃、ＲＦパワー２
５０　Ｗ、基体バイアス−１００Ｖで成膜を行なった。

できあがった電子写真用感光体は実施例１と同様に良好
な帯電性を示し、正帯電で良好な画質のトナー像が得ら
れた。

実施例１と同様にして求めた測定結果より、この条件で
成膜した電荷輸送層は光学的バンドギャップ２．１ｅＶ
％電気伝導度４　Ｘ　１０−”Ω−１ｃ　ｍ　−１で水
素原子を１７原子％含んでいることが傍証された。

実施例６ 円筒状の基体上に成膜出来るように改造した第３図の装
置を用い、第２図に例示の電子写真用感光体を以下のよ
うにして作成した。

ＡＩ製円筒基体を用い、まず真空槽５２を約２×１０−
’Ｔｏｒｒまで真空排気した。次にＡＩ基体を２３０℃
に加熱し、ＳｉＨ４流量１１０５ＣＣ，Ｈｚ流量９０Ｓ
ＣＣＭ、　Ｂ、）ＩＳ流量０．５３ＣＣＭとして０．　
ＩＴｏｒｒにて、ＲＦパワー１５０ＷでＢを高濃度で含
むＰ型のＡ−３ｔ：）ｌからなる電荷注入阻止層を１０
０ＯＡの厚さに形成した６次にＳｉＨ４とｔｈＨｅ＋の
流量を０にして、Ｈ２のみを流して１ｈｒ放電を続けた
。その後、再びＳｉＨ４をＩＯ３ＣＣＭ流し、Ｈ２流量
９０ＳＣＣＭで放電させ、約１μのＡ−Ｓｉ　：Ｉ（か
らなる電荷発生層を上記電荷注入阻止層上に形成した。

この後、ＳｉＨ４とＨ２の流れを止め、４　Ｘ　１０−
’Ｔｏｒｒまで減圧した後、電荷輸送層の成膜を次の条
件で行なった。すなわち、アセトンを含有するＨ２ガス
を気化装置６１を用いて発生させ、真空槽５２へ送り込
んだ。Ｈ２中のアセトンは約３ｍｏ１％であり、混合気
の流量は２００ＳＣＣＭ　、圧力はＩＴｏｒｒとした。

また、ＲＦパワーを４５０Ｗ、基体バイアスを一７０Ｖ
、磁場の強さは５００Ｇａｕｓｓとした。

こうして得られた電子写真用感光体を実験用に改造した
ＮＰ７５５０　（キャノン株式会社製）にセットし、連
続繰り返し画像形成を行なったところいずれの転写画像
も良好な画質であった。

実施例１と同様にして求めた測定結果により、上記成膜
した電荷輸送層は、光学的バンドギャップが３．２ｅＶ
、電気伝導度６　Ｘ　１０−＋３Ω−１ｃ　ｍ　−１、
水素原子濃度が１２原子％であることが傍証された。

実施例７ 第４図の装置を用い、以下の様にして第１図の構造の電
子写真用感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜条件として、マイクロ波パワー６００
Ｗ、原料ガスとしてエチレンと水素の混合ガスを用いた
。マイクロ波周波数は２．４５　Ｇ）！ｚとした。エチ
レンの流量は５ＳＣＣＭ　、水素の流量は５０ＳＣＣＭ
で圧力は０．０００７Ｔｏｒｒとした。磁場は８７５Ｇ
ａｕｓｓとし、電子サイクロトロン共鳴が起きる様にし
た。この条件で隔壁９９の位置を調節し、真空槽７１が
マイクロ波の空洞共振器として動作する様にしたところ
、隔壁９９の開口部からプラズマ吹き出しが見られた。

基体温度は３５０℃、基体バイアスは一１５０Ｖとした
。

この様にして作成した電荷輸送層（膜厚９．３μ）の上
に引き続いてＡ−３ｉ：Ｈの電荷発生層を作成した。ま
ず基体加熱ヒータ１０２の電流を切って基体温度が１０
０℃まで下がるのを待ち、それから電流を再び流して２
００℃で一定に保った。次にＳｉＨ４をＩＯ３ＣＣＭ％
Ｈ２を５０ＳＣＣＭ流して、圧力を２．６　Ｘｌ０−’
Ｔｏｒｒにし、磁場を８７５Ｇａｕ３ｇとしてマイクロ
波を投入した。マイクロ波パワーは３００Ｗとした。こ
うして電荷輸送層上に約１鱗のＡ−Ｓｉ：Ｈからなる電
荷発生層を成膜し、さらに連続してＣＨ，流量７ＳＣＣ
Ｍ　、　ＳｉＬ流量３ＳＣＣＭ％Ｈ２流量５０ＳＣＣＭ
で表面層を形成し、第１図の構造の電子写真用感光体を
得た。

この感光体を実験用電子写真複写装置にセットし、電子
写真特性を測定したところ、高い帯電性と良好な感度を
示し、負帯電で像露光してトナー現像したところ良好な
画像が得られた。

実施例１と同様にして求めた測定結果より、上記成膜し
た電荷輸送層の光学的バンドギャップは３ｅＶ以上あり
電気伝導度はｔｏ−＋ｇΩ−Ｉｃｍ−１テ、水素原子が
膜中に僅かに存在していることが傍証された。

実施例８ 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例１と同様にして電子写真用感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜はエチレンと水素の混合ガスを用いて
行ない、流量はエチレンを５ＳＣＣＭ、水素１１００５
ＣＣ、水素で１０　ｍｏ１％に希釈したフォスフイン０
．５ＳＣＣＭとし、圧力は０．３Ｔｏｒｒとした。

基体温度３５０℃、ＲＦパワー６００Ｗ、磁場４００Ｇ
ａｕｓｓ　、基体バイアスは一２００ｖで成膜を行なっ
た。

こうして得られた電子写真用感光体について実施例１と
同様にして電子写真特性を測定したところ、負帯電で良
好な画質のトナー像が得られた。

又、電荷輸送層中の水素原子濃度は７原子％であった。

実施例９ 第５図の装置を用い、以下のような成膜条件及び操作を
用いる以外は実施例６と同様の方法によって第２図の構
造の電子写真用感光体を作成した。

Ａｌ製円筒基体を用い、まず真空層５２を約６×１０−
’Ｔｏｒｒまで真空排気した。次にＡｔ基体を２３０℃
に加熱しＳｉＨ４流量３０ＳＣＣＭ％Ｈ２流量１８０Ｓ
ＣＣＭ％Ｂ２Ｈａ流量１．５ＳＣＣＭとして、０．　Ｉ
ＴｏｒｒにてＲＦパワー５００ＷでＢが高濃度にドープ
されたＰ型のＡ−３ｉ：Ｈからなる電荷注入阻止層を１
００ＯＡの厚さに形成した。次にＳｉＨ４と８２）１８
の流量な○にし、Ｈ２のみを流してｌｈｒ放電をつづけ
た。その後、再び５ｉｔ１４を３０ＳＣＣＭ流し、Ｈ２
流量１８０ＳＣＣＭで放電させ、約１μのＡ−３ｉ：Ｈ
からなる電荷発生層を上記電荷注入阻止層上に形成した
。

この後、５ｉＨａとＨ２の流れを止め、４　Ｘ　１０−
’Ｔｏｒｒまで減圧した後、電荷輸送層の成膜を次の条
件で行なった。すなわち、アセトンを含有するＨ２ガス
を気化装置６１を用いて発生させ、真空層５２へ送り込
んだ。Ｈ２中のアセトンは約３ｍｏ１％であり混合気の
流量は３００ＳＣＣＭ　、圧力は０．７　Ｔｏｒｒとし
た。また、ＲＦパワーを６５０　Ｗ、基体バイアスを一
１１０ｖ１磁場の強さは６００Ｇａｕｓｓとした。

こうして得られた電子写真用感光体は正帯電で良好な帯
電性を示した。この感光体を市販の複写機（キャノン製
Ｎ　Ｐ　７５５０）を改造した実験装置にとりつけた後
、画像形成を行なったところ良好な画質が得られ、１２
０万枚のコピーテスト後も初期の良好な画質が維持され
た。

実施例１と同様して求めた測定結果より、上記の電荷輸
送層の光学的バンドギャップは３．６ｅＶ、電気伝導度
が８．６　Ｘｌ０−”Ω−１ｃ　ｍ　−ｒ、水素原子濃
度が５原子％であることが傍証された。

比較例１ 第３図の装置を用い、極性切換スイッチ６９と７０をＢ
の状態にし、電荷輸送層の成膜条件を以下のように変え
た以外は実施例１と同様の手順により、第１図の構造の
電子写真用感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜は、ＣｚＨｓ　　ＩＯ３ＣＣＭ％Ｈ２
９０ＳＣＣＭを原料とし、圧力５Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー
２５０Ｗ、基体温度２００℃とし、成膜中は基体加熱フ
ィラメント４４を８００℃程度に下げて行なった。電磁
コイルには電流は流さず、基体付近に磁場はかけなかっ
た。この条件で得られた電荷輸送層の膜厚は１８．であ
った、こうして得られた構造の電子写真用感光体は実用
的に使用するには耐久性の点で問題のあることが確認さ
れた。又、実施例１と同様にして求めた測定結果から上
記の電荷輸送層は、光学的バンドギャップは２．４５ｅ
Ｖ、電気伝導度は約１０−１２Ω−１ｃ　ｍ　−１、水
素原子濃度は６３原子％であることが傍証された。

比較例２ 第３図の装置を用い、電荷輸送層の成膜条件を以下のよ
うにする以外は実施例１と同様にして電子写真用感光体
を作成した。

電荷輸送層の成膜はエチレンガスと水素ガスの混合ガス
を使用し、流量はエチレン５ＳＣＣＭ　、水素１２０Ｓ
ＣＣＭ　、圧力０．０３Ｔｏｒｒ、　ＲＦパワー４５０
　Ｗ、基体バイアスＯｖ、基体温度は成膜開始時に４５
０℃、その後成膜中には基体加熱ヒーター４４の電流を
切って行なった。直流バイアス用電源４８の電圧は０■
に設定し、極性切換スイッチ６９と７０は電荷輸送層成
膜時にはＡの状態にした。磁場は用いなかった。この条
件で成膜した電荷輸送層の膜厚は８ＩｉｆｆＩであった
。こうして得られた電子写真用感光体は実用的に使用す
るには、光感度の点で問題があることが確認された。

実施例１と同様にして求めた測定結果から上記の電荷輸
送層は、光学的バンドギャップは１．４３ｅＶ、電気伝
導度は２．３　Ｘｌ０−”Ω″ｌ　ｃ　ｍ　−１、水素
原子濃度は８原子％であることが傍証された。

比較例３ 第３図の装置を用い、極性切換スイッチ６９と７０をＢ
の状態にし、電荷輸送層の成膜条件を以下のように変え
た以外は実施例１と同様の手順により、第１図の構造の
電子写真用感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜は、ＣｚＨｓ　　ＩＯｓｃｃＭ、　Ｈ
ｚ　　９０ＳＣＣＭ、を原料とし、圧力５Ｔｏｒｒ　、
ＲＦパワー２５０Ｗ、基体温度２００℃とし、成膜中は
基体加熱フィラメント４４を８００℃程度に下げて行な
った。電磁コイルには電流は流さず、基体付近に磁場は
かけなかった。この条件で得られた電荷輸送層の膜厚は
１８μｍであった。こうして得られた電子写真用感光体
は実用的に使用するには問題があること確認された。又
、実施例１と同様にして求めた測定結果から上記の電荷
輸送層の、光学的バンドギャップは２．２４ｅＶ、電気
伝導度は約ＩＱ−１３Ω−１ｃ　ｍ−１、水素原子濃度
は４３原子％であることが傍証された。

比較例４ 第３図の装置を用い、電荷輸送層の成膜条件を以下のよ
うにする以外は実施例１と同様にして電子写真用感光体
を作成した。

電荷輸送層の成膜はエチレンガスと水素ガスの混合ガス
を使用し、流量はエチレン５ＳＣＣＭ　、水素１２０３
ＣＣＭ　、圧力０．０３Ｔｏｒｒ％ＲＦパワー４５０　
Ｗ、基体バイアスＯｖ、基体温度は成膜開始時に４５０
℃、その後成膜中には基体加熱ヒーター４４の電流を切
って行なった。直流バイアス用電源４８の電圧は０■に
設定し、極性切換スイッチ６９と７０は電荷輸送層成膜
時にはＡの状態にした。磁場は用いなかった。この条件
で成膜した電荷輸送層の膜厚は８μｓであった。こうし
て得られた電子写真用感光体は実用的に使用するには問
題があることが確認された。又、実施例１と同様にして
求めた測定結果から上記の電荷輸送層は、光学的バンド
ギャップは１．４３ｅＶ、電気伝導度は３　Ｘ　１０−
”Ω−１ｃ　ｍ　−１゜水素原子濃度は８原子％である
ことが傍証された。

実施例１０ 第３図の装置を用い、次の様にして本発明の電子写真用
感光体を作成した。

ＡＩ製同円板状基体用い、まず真空層５２を約２×１０
−’Ｔｏｒｒまで真空排気した。次に基体を２３０℃に
加熱し、Ｓｌ）＋４　１１０５ＣＣ％Ｈａ　　９ＯＳＣ
ＣＭ％Ｂ２Ｈｓ　　Ｏ０５ＳＣＣＭとして０．　ＩＴｏ
ｒｒにて、ＲＦパワー１５０　ＷでＰ型のＡ−Ｓｉ：Ｈ
の電荷注入阻止層を１００ＯＡの厚さに形成した。次に
ＳｉＨ，をＩＯ３ＣＣＭ流し、Ｈ２９ＯＳＣＣＭで放電
させ、約１戸のＡ−Ｓｉ：８層を電荷発生層として形成
した。

この後、ＳｉＨ４とＨ２の流れを止め５．３　Ｘ　１０
−’Ｔｏｒｒまで減圧した後、電荷輸送層の成膜を次の
条件で行なった。　ＣＨ３０８を含有するＨ２ガスを気
化装置６１を用いて発生させ、真空層５２へ送り込んだ
、Ｈ２の中のＣ）ＩｎＯｆ（は約５ｍｏ１％であり、混
合気の流量は２００３ＣＣＭ　、圧力はＩ　Ｔｏｒｒで
あった。又基体温度は３５０℃に保った。ＲＦパワー４
５０　Ｗ、基体バイアス−７０ｖ、磁場の強さ５００Ｇ
ａｕｓｓで放電させて、炭素を主体とする層（膜厚１．
５ＩＪＪｌ）を、既に成膜したＡ−３ｉ：Ｈ電荷発生層
上に積層した。

このようにして得られた電子写真用感光体を実験用の電
子写真複写装置にセットし、電子写真特性を測定したと
ころ、正帯電で良好な帯電性と感度を示した。続いて、
帯電し、像露光して、トナー現像したところ、得られた
画像は良好なトナー画像であった。

これとは別に、上記の様に得られた電子写真用感光体の
電荷輸送層と同様の成膜条件で、光学吸収係数の測定用
試料を形成し、それを常法に従って測定したところ、上
記条件で形成された炭素を主体とする層の光学吸収係数
は２．５ｅＶにおいて８Ｘ　１０’ｃｍ’−’で光子の
エネルギーが小さくなる程吸収係数は小さくなるという
ことが傍証された。

又、電荷輸送層中の水素原子濃度は７原子％であった。

実施例１１ 第４図に示す様な装置を用い、以下の様にして本発明の
電子写真用感光体を作成した。

ＡＩ製円板基体を用い、まず真空層７１を約１Ｏ−７Ｔ
ｏｒｒまで真空排気した。次にこの基体を３００℃まで
加熱した。そしてＣＨａ　　Ｏ，５ＳＣＣＭ、　Ｈｚ　
５ＯＳＣＣＭを流して圧力を３　Ｘ　１０−”Ｔｏｒｒ
にし、磁場５００Ｇａｕｓｓ。

マイクロ波パワー４００Ｗ、基体バイアス１．５０Ｖで
マイクロ波放電をおこさせ、電荷注入阻止層を約５００
Ａの厚さに形成した。次に圧力を２．４　Ｘｌ０−’Ｔ
ｏｒｒに下げ、基体加熱ヒーター１０２の電流を切って
基体温度を２００℃まで下げ、その後ヒーター１０２を
再びＯＮにして２００℃に保った。そして磁場８７５Ｇ
ａｕｓｓ、マイクロ波パワー３００　Ｗ、　ＳＳｉＨ４
１ＯＳＣＣ％Ｈｚ　５ＯＳＣＣＭでＡ−Ｓｉ：　８層を
ＩＪＡｊＩの厚さに成膜した。

次に基体温度を３００℃まで上げ、マイクロ波パワー４
５０　Ｗ、磁場５００Ｇａｕｓｓ、基体バイアス−７０
ＶでＣＨｓＢｒ　５　ＳＣＣＭ、　Ｈｚ　７５ＳＣＣＭ
を流し、圧力は約１０−’Ｔｏｒｒでマイクロ波放電さ
せた。

このようにして得られた電子写真用感光体の電子写真特
性を実施例１と同様にして、測定したところ、正帯電で
良好な帯電性と感度とを示した。

続いて、実施例１と同様にしてトナー画像が得られた。

これと別に、上記の様に得られた電子写真用感光体の電
荷輸送層と同様の成膜条件で、光学吸収係数及び水素原
子含有量の各測定用試料を形成してこれを常法に従って
測定したところ、上記条件で成膜した電荷輸送層である
炭素を主体とした膜中には水素原子が５原子％含有され
ており、その光学吸収係数が２．５ｅＶにて８　Ｘ　１
０”ｃｍ−’程度であることが傍証された。

実施例１２ 第３図の装置を用い、第１図に例示の電子写真用感光体
を以下のようにして作成した。

まず、電気伝導度が約１（１−”Ω−１ｃ　ｍ　−１の
円板のｎ型シリコンウェハーを基体５３として用い、フ
ッ酸の希釈水溶液で基体表面の酸化膜を除去した後、こ
の基体を上部電極４５に固定した０次に真空槽５２を密
閉し、真空排気系により約２　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒま
で減圧した８次に基体の円形形状に合せてうす巻き状に
まいたタングステンワイヤー４４に５０Ｈｚの交流電力
を印加して、このワイヤー４４を約２５００℃まで加熱
して、得られる輻射熱により、上記シリコン基体を加熱
した。シリコン基体の裏側が４５０℃になるまで待った
後に、ワイヤー４４を約２０００℃まで下げて基体温度
を安定させた。

次に電磁コイル４３に直流電力を流して真空槽５２の上
部容器表面での磁場が８０００ａｕｓｓになる様に電流
の大きさを制御した。さらに切り換え回路６９゜７０を
Ａの位置にセットし、直流電源４８を基体側が−６０Ｖ
になる様に合せた。そしてマスフローコントローラー３
７．３８を最もしぼった状態でＣＨ４のボンベ４１のバ
ルブ２８及び３３、Ｆ２のボンベ４２のバルブ２９及び
３４を開いた。そして、各々のガスの流量が５ＳＣＣＭ
及び６０ＳＣＣＭとなる様にマスフローコントローラ３
７及び３８をセットした。このときの圧力は０、００７
Ｔｏｒｒであった・ 次に電源４７をＯＮにして放電を始め、投入パワーを３
５０Ｗに合せた。全体が安定状態に達してから４８時間
後に放電電源４７と４８をＯＦＦにし、バルブ２８．２
９を閉じて放電を停止した。こうして炭素を主体とする
約８μの電荷輸送層を得た。

次に、基体加熱フィラメント４４の電流を弱くしてその
まま放置し、基体温度が測定値で２５ｆ１℃まで下がる
のを待ってから極性切換スイッチ６９と７０をＢの状態
にした０次にＳｉＨ４のボンベ６０のバルブ６２と６６
及びＨ２のボンベ３９のバルブ２６及び３１を開き、５
ｉＨｎがＩＯ３ＣＣＭ、　Ｈ２が９０ＳＣＣＭとなる様
にマスフローコントローラー６４と３７を調節した。そ
して高周波電源４７をＯＮにし、約１μの厚さのＡ−３
ｊ：Ｈからなる電荷発生層を前記の電荷輸送層上に積層
した。

これに続いて、　Ｃ２Ｈｚのボンベ４０のバルブ２７及
び３２を開き、マスフローメータ３６を使ってアセチレ
ンをＳｉＨ４とＨｌに加えて行き、Ａ−Ｓｉ：）Ｉから
なる電荷発生層上に約１００ＯＡのＡ−３ｉ：Ｈからな
る表面層を積層した。

すべての成膜が終った後、バルブ２６．２７．２８゜２
９、３１．３２．３３．３４．３０を閉じ、加熱フィラ
メント４４の電流を切って基体が充分に冷却した後、真
空を破って前述の各層を形成した基体を真空槽５２から
取り出した。

こうして得られた電子写真用感光体を実験用の電子写真
複写装置にセットして、電子写真特性を測定したところ
、良好な帯電性と光感度を示した。続いて負帯電し像露
光して、トナー現像したところ良好な画像が得られた。

上記のようにして得られた電子写真用感光体の電荷輸送
層と同様の成膜条件で膜厚１．５μとして、光学的バン
ドギャップ、電気伝導度、ラマンスペクトル、フッ素原
子及び水素原子の濃度の測定用の各試料を作成した。こ
うして得られた各試料の測定の結果により、前記感光体
の電荷輸送層の光学的バンドギャップは３．７ｅＶ、電
気伝導度は約１Ｏ−１ａΩ−１ｃ　ｍ　−Ｚ、フッ素原
子濃度は３原子％程度、水素原子濃度は５原子％で、ラ
マンスペクトルには１３３３ｃｍ−’を含む領域に明瞭
なストークス線が認められることが傍証された。

実施例１３ 電荷輸送層の作成条件を以下のように変更する以外は、
実施例１２と同様にして電子写真用感光体を作成した。

基体バイアスは−７０Ｖで、基体温度を４５０℃とした
。原料ガスとしてＣＨ３ＦとＨ２を用い、ＣＨ３Ｆを１
１０５ＣＣ，ＨｚをＩ（１０５００Ｍで真空槽５２の中
へ送り込んだ。フィラメント温度は２４００℃とし、Ｒ
Ｆパワーは３００Ｗとした。コイル４３に電流を流し、
磁場６００ガウスで成膜を行なった。成膜時の圧力は０
、０２Ｔｏｒｒとした。

このようにして得られた電子写真用感光体を実施例１２
と同様に電子写真特性を測定したところ、高い帯電能と
感度を示し、負帯電して像露光し、トナー現像したとこ
ろ良好な画像が得られた。

これとは別に上記と全く同一の条件で電荷輸送。

ＭだけをＳｉ基体上に形成したものを膜組成分析したと
ころ、膜中には酸素が含まれており、また赤外吸収スペ
クトルによるフッ素原子濃度及び水素原子濃度の測定に
よると、フッ素原子が８原子％、水素原子が７原子％含
有されることが確認された。また別に光学的バンドギャ
ップ、電気伝導度の測定用の各試料を該実施例の電荷輸
送層の作成条件と同一条件で膜厚２μとして作成した。

これ等の試料の測定により光学的バンドギャップは２、
８ｅＶで電気伝導度は乾燥雰囲気内で４　Ｘ　１０−”
Ω−１ｃｍ−１であることが傍証された。

実施例１４ 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例１２と同様にして電子写真用感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜はＣＦ４と水素とアンモニアの混合ガ
スを用い、流量はＣＦ４をＩＯＳＣＣＭ、水素を８７Ｓ
ＣＣＭ、アンモニアを３３ＣＣＭとした。圧力は０．０
０７Ｔｏｒｒ、　ＲＦパワー３５０Ｗ、基体バイアス−
ａＯＶ、基体温度５５０℃で磁場は８００　Ｇａｕｓｓ
とした。この条件と同一条件で物性測定用として成膜し
た各試料の測定結果により、光学的バンドギャップは３
．２ｅＶ　、電気伝導度は０．５　Ｘｌ０−”　Ｑ−’
ａｍ−’、フッ素原子濃度は１２原子％、水素原子濃度
はｌＯ原子％で、窒素が膜中に更に含まれていることが
傍証された。

他方、電子写真用感光体を実施例１２と同様に実験用電
子写真複写装置にセットして電子写真特性を測定したと
ころ良好な帯電性と感度を示した。

正帯電像露光してトナー現像したところ、明瞭な画像が
得られた。

実施例１５ 電荷発生層と表面層の成膜条件を以下のように変更する
以外は実施例１２と同様にして電子写真用感光体を作成
した。

電荷発生層の成膜にはＣａＨ２と水素とフッ素の混合ガ
スを用いた。流量はＣＪ４を２０ＳＣＣＭ、水素を６０
ＳＣＣＭ、フッ素をＩＯ３ｃｃＭ、　ＲＦパワー４５０
　Ｗ、基体バイアスＯＶ、基体温度２５０℃、圧力０．
１Ｔｏｒｒとして行なった。この様にして得られた電子
写真用感光体は実施例１２の場合と同様に良好な帯電性
を示し、正帯電で良好な画質のトナー像が得られた。

この条件で成膜した電荷輸送層のバンドギャップは２．
３ｅＶ、電気伝導度は２．ＯＸｌ０−１３Ω−’Ｃｍ−
’ｓフッ素原子濃度は１０原子％、水素原子濃度は１２
原子％である事が傍証された。

次にＣＨ４を２ＳＣＣＭ　、　）１２を６０ＳＣＣＭ、
　Ｆ２を２０ＳＣＣＭ流し、ＲＦパワーを５００Ｗ、基
体バイアス−５０Ｖ、基体温度２５０℃、圧力０．０Ｉ
Ｔｏｒｒとして成膜を行なった。そして約１００ＯＡの
表面層を得た。この表面層の電気伝導度は２．６　Ｘｌ
０−”Ω−１ｃ　ｍ　−１、フッ素原子濃度２原子％、
水素原子濃度５原子％の硬質の膜であった。

このようにして得られた電子写真用感光体は帯電性がよ
かった。

実施例１６ 円筒状の基体上に成膜出来るように改造した第３図の装
置を用い、第２図に例示の電子写真用感光体な以下のよ
うにして作成した。

ＡＩ製円筒基体を用い、まず真空槽５２を約２×１０−
’Ｔｏｒｒまで真空排気した０次にＡＩ基体を２３０℃
にし、ＳｉＨ４流量１１０５ｃｃ％Ｈ２流量９０ＳＣＣ
Ｍ％ＢＪａ流量０、５ＳＣＣＭとして０．　ＩＴｏｒｒ
にて、ＲＦパワー１５０　ＷでＢを高濃度で含むＰ型の
Ａ−Ｓｉ：Ｈからなる電荷注入阻止屡を１００ＯＡの厚
さに形成した０次にＳｉＨ４とＢＪｓの流量を０にして
、Ｈ２のみを流してｌｈｒ放電を続けた。その後、再び
ＳｉＨ４をＩＯＳＣＣＭ流し、Ｈ２流量９０ＳＣＣＭで
放電させ、約１μのＡ−５ｉからなる電荷発生層を上記
電荷注入阻止Ｍ上に形成した。

この後、ＳｉＨ４とＨ２の流れを止め、４　Ｘ　１０−
’Ｔｏｒｒまで減圧した後、電荷輸送層の成膜を次の条
件で行なった。すなわち、アセトンを含有するＨ２ガス
を気化装置６１を用いて発生させ、真空槽５２へ送り込
んだ＋＋　８２中のアセトンは約３ｍｏ１％であり、混
合気の流量は２００ＳＣＣＭ、これにフッ素４０ＳＣＣ
Ｍ流し圧力は０．５Ｔｏｒｒとした。また、ＲＦパワー
を４５０Ｗ、基体バイアスを一７０ｖ１磁場の強さは５
００Ｇａｕｓｓとした。

こうして得られた電子写真用感光体を実験用に改造した
ＮＰ７５５Ｇ　（キャノン株式会社製）にセットし、連
続繰り返し画像形成を行なったところいずれの転写画像
も良好な画質であった。又、電荷輸送層中の水素原子濃
度は３原子％、フッ素原子濃度は１原子％であった。

実施例１７ 第４図の装置を用い、以下の様にして第１図の構造の電
子写真用感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜条件として、マイクロ波パワー６００
　Ｗ、原料ガスとしてＣｔ（ｔｈと水素の混合ガスを用
いた。マイクロ波周波数は２．４５ＧＨｚとした。ＣＨ
２Ｆｚの流量は５ＳＣＣＭ　、水素の流量は５０ＳＣＣ
Ｍで圧力は０．０００７Ｔｏｒｒとした。磁場は８７５
Ｇａｕｓｓとし、電子サイクロトロン共鳴が起きる様に
した。

この条件で隔壁９９の位置を調節し、真空槽７１がマイ
クロ波の空洞共振器として動作する様にしたところ、隔
壁９９の開口部からプラズマ吹き出しが見られた。基体
温度は３５０℃、基体バイアスは一９０Ｖとした。電荷
輸送層の膜厚は８．０μで水素原子及びフッ素原子の含
有量は０．１原子％程度と少なかった。

この様にして作成した電荷輸送層（膜厚９．３μ）の上
に引き続いてＡ−３ｉ：Ｈの電荷発生層を作成した。ま
ず基体加熱ヒータ１０２の電流を切って基体温度が１０
０℃まで下がるのを待ち、それから電流を再び流して２
００℃で一定に保った０次にＳｉＨ４をＩＯｓｃｃＭ％
Ｈ２を５０ＳＣＣＭ流して、圧力を２．６　Ｘｌ０−”
Ｔｏｒｒにし、磁場を８７５Ｇａｕｓｓとしてマイクロ
波を投入した。マイクロ波パワーは３００Ｗとした。こ
うして電荷輸送層上に約１μのＡ−３ｉ：Ｈからなる電
荷発生層を成膜し、さらに連続してＣＨ４流量７ＳＣＣ
Ｍ、ＳｉＨ４流量３ＳＣＣＭ　、　Ｈ２流量５０ＳＣＣ
Ｍで表面層を形成し、第１図の構造の電子写真用感光体
を得た。

この感光体を実験用電子写真複写装置にセットし、電子
写真特性を測定したところ、高い帯電性と良好な感度を
示し、負帯電で像露光してトナー現像したところ良好な
画像が得られた。

実施例１８ 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例１２と同様にして電子写真用感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜はＣＨＪｚと水素の混合ガスを用いて
行ない、流量はＣＨａＦｉを５ＳＣＣＭ　、水素１１０
０５ＣＣ、水素で１０ｍｏ　１％に希釈したフォスフイ
ン０．５３ＣＣＭとし、圧力は０．３Ｔｏｒｒとした。

基体温度３５０℃、ＲＦパワー６００　Ｗ、磁場４００
Ｇａｕａｓ、基体バイアスは一１２０ｖで成膜をなった
。

こうして得られた電子写真用感光体について実施例１２
と同様にして電子写真特性を測定したところ、負帯電で
良好な画質のトナー像が得られた。

又、電荷輸送層中のフッ素原子濃度は２原子％、水素原
子濃度は５原子％であった。

実施例１９ 第５図の装置を用い、以下のような成膜条件及び操作を
用いる以外は実施例１６と同様の方法によって第１図の
構造の電子写真用感光体を作成した。

ＡＩ製円筒基体を用い、まず真空層５２を約６×１０−
’Ｔｏｒｒまで真空排気した０次にＡｌ基体を２３０℃
に加熱し５ｉＨａ流量３０ＳＣＣＭ％Ｈ２流量１８０Ｓ
ＣＣ：Ｍ％ＢＪａ流量１．５ＳＣＣＭとして、０．　Ｉ
ＴｏｒｒにてＲＦパワー５００ＷでＢが高濃度にドープ
されたＰ型のＡ−３ｉ：Ｈからなる電荷注入阻止層を１
００ＯＡの厚さに形成した。次にＳｉＨ４とＢ＊）Ｉｓ
の流量なＯにし、Ｈｌのみを流してｌｈｒ放電をつづけ
た。その後、再びＳｉＨ４を３０ＳＣＣＭ流し、Ｈ２流
量１８０ＳＣＣＭで放電させ、約１μのＡ−Ｓｉ：ｆｌ
からなる電荷発生層を上記電荷注入阻止層上に形成した
。

この後、ＳｉＨ４とＨ２の流れを止め、４　Ｘ　１０−
’Ｔｏｒｒまで減圧した後、電荷輸送層の成膜を次の条
件で行なった。すなわち、アセトンを含有するＨ２ガス
を気化装置６１を用いて発生させ、真空層５２へ送り込
んだａ　Ｈ２中のアセトンは約３ｍｏ１％であり混合気
の流量は３００３ＣＣＭこれにフッ素を４０ＳＣＣＭ流
し圧力は０．８Ｔｏｒｒとした。また、ＲＦパワーを６
５０Ｗ、基体バイアスを一１１０Ｖ、磁場の強さは６０
０Ｇａｕｓｓとした。

こうして得られた電子写真用感光体は正帯電で良好な帯
電性を示した。この感光体を市販の複写機（キャノン製
ＮＰ７５５０）を改造した実験装置にとりつけた後、画
像形成を行なったところ良好な画質が得られ、１２０万
枚のコピーテスト後も初期の良好な画質が維持された。

又、電荷輸送層中のフッ素原子濃度はｌＯ原子％、水素
原子濃度は７原子％であった。

比較例５ 第３図の装置を用い、極性切換スイッチ６９と７０をＢ
の状態にし、電荷輸送層の成膜条件を以下のように変え
た以外は実施例１３と同様の手順により、第１図の構造
の電子写真用感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜は、１００％メタンを３０ＳＣＣＭ。

フッ素を７０ＳＣＣＭ流し、圧力５　Ｔｏｒｒ、ＲＦパ
ワー２５０Ｗ、基体温度２００℃とし、成膜中は基体加
熱フィラメント４４を８００℃程度に下げて行なった。

電磁コイルには電流は流さず、基体付近に磁場はなけな
かった。この条件で得られた電荷輸送層の膜厚は１８Ｊ
Ｉｆｆｉであった。こうして得られた第１図の構造の電
子写真用感光体は実用的に使用するには問題があること
が確認された。

比較例６ 第３図の装置を用い、電荷輸送層の成膜条件を以下のよ
うにする以外は実施例１３と同様にして電子写真用感光
体を作成した。

電荷輸送層の成膜はエチレンガスと水素ガスとフッ素ガ
スの混合ガスを使用し、流量はエチレン２０ＳＣＣＭ、
水素５０ＳＣＣＭ、フッ素を２０ＳＣＣＭ、圧力０．０
４Ｔｏｒｒ、　ＲＦパワー４５０　Ｗ、基体バイアス０
■、基体温度は成膜開始時に４５０℃、その後成膜中に
は基体加熱ヒーター４４の電流を切って行なった。直流
バイアス用電源４８の電圧はＯｖに設定し、極性切換ス
イッチ６９と７０は電荷輸送層成膜時にはＡの状態にし
た。磁場は用いなかった。この条件で成膜した電荷輸送
層の膜厚は８μであった。こうして得られた電子写真用
感光体は実用的に使用するには問題があることが確認さ
れた。

実施例１３と同様にして求めた測定結果から上記の電荷
輸送層は、光学的バンドギャップは１．３４ｅＶ、電気
伝導度は？、８　Ｘｌ０−”Ω−１ｃ　ｍ　−１１フッ
素原子濃度は１７原子％、水素原子濃度２０％であるこ
とが傍証された。

実施例２゜ 第３図の装置を用い、第１図に例示の電子写真用感光体
を以下のようにして作成した。

まず、電気伝導度が約１０−２Ω−１ｃ　ｍ　−１の円
板型のｎ型シリコウェハーを基体５３として用い、フッ
酸の希釈水溶液で基体表面の酸化膜を除去した後、この
基体を上部電極４５に固定した。次に真空槽５２を密閉
し、真空排気系により約２　Ｘ　１０”’Ｔｏｒｒまで
減圧した。次に基体の円形形状に合せてうす巻き状にま
いたタングステンワイヤー４４に５０Ｈｚの交流電力を
印加して、このワイヤー４４を約２５００℃まで加熱し
て得られる輻射熱により、上記シリコン基体を加熱した
。シリコン基体の裏側が４５０℃になるまで待った後に
、ワイヤー４４を約２０００℃まで下げて基体温度を４
５０℃に安定させた。

次に電磁コイル４３に直流電力を流して真空槽５２の上
部容器表面での磁場が８００Ｇａｕｓｓになる様に電流
の大きさを制御した。さらに切り換え回路６９．７０を
Ａの位置にセットし、直流電源４８を基体側が一７０ｖ
になる用に合せた。そしてマスフローコントローラー３
７．３８を最もしぼった状態でＣＨ４のボンベ４１のバ
ルブ２８及び３３、Ｈ２のボンベ４２のバルブ２９及び
３４を開いた。そして、各々のガスの流量が５ＳＣＣＭ
及び１１００５ＣＣとなるようにマスフローコントロー
ラー３７及び３８をセットした。このときの圧力は０．
０ＩＴｏｒｒであった。

次に電源４７をＯＮにして放電を始め、投入パワーを３
５０Ｗに合せた。全体が安定状態に達してから４８時間
後に放電電源４７と４８をＯＦＦにし、バルブ２８．２
９を閉じて放電を停止した。こうして炭素を主体とする
約８μの電荷輸送層を得た。

次に、基体加熱フィラメント４４の電流を弱くしてその
まま放置し、基体温度が測定値で２５０℃まで下がるの
を待ってから極性切換スイッチ６９と７０をＢの状態に
した。次にＳｉＨ４のボンベ６０のバルブ６２と６６及
びＨ２のボンベ４２のバルブ２９及び３４を開き、５ｉ
）１４がｌ０ｓ（、ＣＭ％Ｈ２が９０ＳＣＣＭとなる様
にマスフローコントローラー６４と３８を調節した。そ
して高周波電源４７をＯＮにし、約１μの厚さのＡ−Ｓ
ｔ：）ｌからなる電荷発生層を電荷輸送層上に積層した
。

これに続いて、ＣＨ４の流量をＩ　ＳＣＣＭ％Ｈ３の流
量を５０３ＣＣＭ、圧力を０．０ＩＴｏｒｒ、また基体
温度を３００℃、バイアス−９０Ｖ、磁力８００Ｇａｕ
ｓｓ％ＲＦパワー４５０Ｗとしてすでに基体上に成膜さ
れた上記層上に新たな層（表面層）を成膜積層した。

すべての成膜が終った後、バルブ２７．２８．２９．３
２．３３．３４．３０を閉じ、加熱フィラメント４４の
電流を切って基体が充分に冷却した後、真空を破って前
述の各層を形成した基体を真空槽５２から取り出した。

更に最終層（表面層）の成膜時のＣ）＋４の流量を２．
３．４．５、ＩＯＳＣＣＭに各成膜操作ごとにそれぞれ
変化させる以外は、上記と同様の操作によって合計６種
類の電子感光体を形成した。

こうして得られた第１図に示した構造を有する６種の電
子写真用感光体の本明細書本文に規定の方法で動摩擦係
数を測定し、更に実験用電子写真装置に組み込んで、負
帯電、像露光、トナー現像、転写、クリーニングの操作
を行ない、そのクリーニング特性を調べた。その結果を
表１に示す。

表　　１ ０・・・極めて良好　○・・・良好 △・・・実用的に使用するには問題があるこの表１から
も明らかなように本明細書規定の動摩擦係数が０．５以
下の場合、よいクリーニング特性が得られることがわか
った。

実施例２１ 表面層の作成条件を以下のように変更する以外は、実施
例２０と同様にして電子写真用感光体を作成した。

基体バイアスは一１００Ｖで、基体温度を３００’Ｃと
した。原料ガスとしてＣＨ３０ＨとＨ２を用い、Ｃ）１
．ＯＨを３　ＳＣＣＭ％Ｈ２を１１００５ＣＣで真空槽
５２の中へ送り込んだ。フィラメント温度は２４００℃
とし、ＲＦパワーは３００Ｗとした。コイル４３に電流
を流し、８００Ｇａｕｓｓとし、成膜を行なった。成膜
時の圧力は０、０１Ｔｏｒｒとした。

このようにして得られた電子写真用感光体の実施例２０
と同様にして測定した動摩擦係数は、０．１５となった
。又、膜中水素原子濃度は１０原子％であった。

また、実験用電子写真複写装置に、これをセットして、
その電子写真特性を測定したところ、高い帯電能と良好
な感度を示した。更に、負帯電して像露光し、トナー現
像したところ良好なトナー画像が得られ、またそのクリ
ーニング特性も良好であった。

実施例２２ 表面層の成膜条件を以下のように変更する以外は実施例
２ｏと同様にして電子写真用感光体を作成した。

表面層の成膜はエタンと水素とアンモニアの混合ガスを
用い、流量はエタンを３３ＣＣＭ、水素を８７３ＣＣＭ
、アンモニアを３３ＣＣＭとした。圧力は０．０１Ｔｏ
ｒｒ、　ＲＦパワー３５０Ｗ　、基体温度２５０℃で磁
場は８００Ｇａｕｓｓとした。

この条件で成膜した表面層の実施例２０と同様にして測
定した動摩擦係数は０．２であった。

また、この様にして得られた電子写真用感光体の電子写
真特性を実施例２１ど同様に測定したところ、良好な帯
電能と感度を示した。更に、正帯電し、像露光してトナ
ー現像したところ、明瞭なトナー画像が得られた。また
そのクリーニング特性も良好であった。

これとは別に、上記の様に得られた電子写真用感光体の
表面層と同様の成膜条件で、膜組成分析用の試料を作成
して、その組成について測定したところ、上記条件で成
膜した表面層を形成する膜中には、８原子％の水素原子
が含まれ、また窒素原子が含まれていることが傍証され
た。

実施例２３ 表面層の成膜条件を以下のように変更する以外は実施例
２０と同様にして電子写真用感光体を作成した。

表面層の成膜にはメタンと水素とフッ化水素の混合ガス
を用いた。流量はメタンを３３ＣＣＭ、水素を７７ＳＣ
ＣＭ、フッ化水素１０ｍｏ１％の水素による稀釈ガスを
３ＳＣＣＭ％ＲＦパワー４５０Ｗ　、基体バイアス−ａ
ＯＶ、基体温度２５０℃、磁場は８００Ｇａｕｓｓ、圧
力０、０１Ｔｏｒｒとして行なった。このようにして得
られた電子写真用感光体の表面層の実施例２０と同様に
して測定した動摩擦係数は０．２であった。

この様にして得られた電子写真用感光体の電子写真特性
を、実施例２と同様にして測定したところ、良好な帯電
能と感度を示した。更に、正帯電し、像露光して、トナ
ー現像したところ、良好な画質のトナーが得られた。更
にそのクリーニング特性も非常に良好であった。

これとは別に、表面層の膜組成分析用の試料を上記と同
様の成膜条件で作成して、その組成について測定したと
ころ、上記条件で成膜した表面層を形成する膜中には、
水素原子が８原子％含まれ、更に膜中にフッ素原子が取
り込まれている事が傍証された。

実施例２４ 円筒状の基体上に成膜できるように改造した第３図の装
置を用い、第２図に例示の電子写真用感光体を以下のよ
うにして作成した。

へβ製円筒状基体を用い、まず真空槽５２を約２Ｘ　１
０−’Ｔｏｒｒまで真空排気した。次にこのＡβ基体を
２３０℃に加熱し、ＳｉＨ４流量１１０５ＣＣ％Ｈ３流
量９０ＳＣＣＭ、　ＢｘＨａ流量０．５ＳＣＣＭとして
０．　ＩＴｏｒｒにて、ＲＦパワー１５０ＷでＢを高濃
度で含むＰ型のＡ−Ｓｔ：Ｈからなる電荷注入阻止層を
１００ＯＡの厚さに形成した。次にＳｉＨ４とＢｚＨａ
の流量をＯにして、Ｈ２のみを流してｌｈｒ放電を続け
た。その後、再び５ｉＨａを１１０５ＣＣ流し、Ｈ２流
量９０ＳＣＣＭで放電させ、約１μｓのＡ−３ｉ：Ｈか
らなる電荷発生層を上記電荷注入阻止層上に形成した。

この後、ＳｉＨ４とＨ２の流れを止め、４　Ｘ　１０−
”ｒｏｒｒまで減圧した後、電荷輸送層の成膜を次の条
件で行なった。すなわち、アセトンを含有するＨ２ガス
を気化装置６１を用いて発生させ、真空槽５２へ送り込
んだ。Ｈ２中のアセトンは約３　ｍｏ１％であり、混合
気の流量は１２０３ＣＣＭ、圧力は０．５Ｔｏｒｒとし
た。

また、ＲＦパワーを４５０Ｗ　、基体バイアスを一７０
ｖ１磁場の強さは５００Ｇａｕｓｓとした。

こうして得られた電子写真用感光体の本明細書本文に記
載の方法によって測定した動摩擦係数は、０，１５であ
った。

更に、この電子写真用感光体を実験用に改造したＮＰ７
５５０　（商品名、キャノン株式会社社製）にセットし
、その電子写真特性を測定したところ、高い帯電能と良
好な感度を示した。更に、正帯電し、像露光してトナー
現像したところ良好な画質のトナー像が得られた。しか
も、そのクリーニング特性も良好であった。また、連続
繰返し画像形成を行なったところ、いずれの転写画像も
、良好な画質であった。又、表面層中の水素原子濃度は
１０原子％であった。

実施例２５ 第４図の装置を用い、以下の様にして第１図の構造の電
子写真用感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜条件として、マイクロ波パワー４００
Ｗ、原料ガスとしてメチルブロマイドと水素との混合ガ
スを用いた。マイクロ波周波数は２、４５ＧＨｚとした
。メチルブロマイドの流量は５ＳＣＣＭ、水素の流量は
５０ＳＣＣＭで圧力は０．０００７Ｔｏｒｒとした。磁
場は８７５Ｇａｕｓｓとし、電子サイクロトロン共鳴が
起きる様にした。この条件で隔壁９９の位置を調節し、
真空槽７１がマイクロ波の空洞共振器として動作する様
にしたところ、隔壁９９の開口部からプラズマ吹き出し
が見られた。基体温度は３５０℃、基体バイアスは一１
００Ｖとした。

この様にして作成した電荷輸送層（膜厚８．８μｍ）の
上に引き続いてＡ−３ｔ：Ｈの電荷発生層を作成した。

まず基体加熱ヒータ１０２の電流を切って基体温度が１
００℃まで下がるのを待ち、それから電流を再び流して
２００℃で一定に保った。次にＳｉＨ４をＩＯＳＣＣＭ
、　Ｈｚを５０ＳＣＣＭ流して、圧力を　２．６ｘ１０
−’Ｔｏｒｒにし、磁場を８７５０ａｕｓｓとしてマイ
クロ波を投入した。マイクロ波パワーは３００Ｗとした
。

こうして電荷輸送層上に約１μのＡ−３ｔ：Ｈからなる
電荷発生層を成膜し、さらに連続してメチルブロマイド
流量４．ＳＣＣＭ、　Ｈ２流量５０ＳＣＣＭ、圧力０．
０００７Ｔｏｒｒ、マイクロ波パワー４５０Ｗで表面層
を形成し、第１図の構造の電子写真用感光体を得た。

この感光体の本願明細書本文に記載の方法で測定した動
摩擦係数は０．０５であった。

得られた電子写真用感光体の電子写真特性を実施例２と
同様にして測定したところ、良好な帯電能と感度を示し
た。更に、負帯電し、像露光してトナー現像したところ
良好な画質のトナー画像が得られた。しかも、そのクリ
ーニング特性も良好であった。

これとは別に、上記の様に得られた電子写真用感光体の
電荷輸送層と同様の成膜条件で、膜の物性及び組成の分
析用の各試料を作成して、その組成及び物性について測
定したところ、上記条件で成膜した電荷輸送層の光学バ
ンドギャップは３ｅＶ以上あり、電気伝導度はＩＱ−１
！１Ω−１ｃｍ−１で、水素原子が３原子％と臭素が僅
かに膜中に存在していることが傍証された。

実施例２６ 表面層の成膜条件を以下のように変更する以外は実施例
２ｏと同様にして電子写真用感光体を作成した。

表面層の成膜はメチルブロマイドと水素の混合ガスを用
いて行ない、流量はメチルブロマイドを５　ＳＣＣＭ、
水素１１００５ＣＣ、水素で１０ｍｏ１％に希釈したフ
ォスフイン０．５３ＣＣＭとし、圧力は０．３Ｔｏｒｒ
とした。基体温度３５０℃、ＲＦパワー４００Ｗ、磁場
４００Ｇａｕｓｓ、基体バイアスは一１２０ｖで成膜を
行なった。

こうして得られた電子写真用感光体の実施例２ｏと同様
にして測定した動摩擦係数は０．０８であった。

また、この電子写真用感光体の電子写真特性を実施例２
１と同様にして測定したところ、良好な帯電能と感度を
示した。また、負帯電し、像露光して、トナー現像した
ところ、良好な画質のトナー画像が得られた。しかも、
そのクリーニング特性も良好であった。又、表面石中の
水素原子濃度は１０原子％であった。

実施例２７ 第５図の装置を用い、以下のような成膜条件及び操作を
用いる以外は実施例２４と同様の方法によって第２図の
構造の電子写真用感光体を作成した。

、ｌ製円筒基体を用い、まず真空槽５２を約６×１０−
’Ｔｏｒｒまで真空排気した０次にこのＡＩ２基体を２
３０℃に加熱し５ｆＨ４流量３０ＳＣＣＭ％Ｈ２流量１
８０ＳＣＣＭ、　ＢＡＨ，流量１．５３ＣＣＭとして、
　０．　ＩＴｏｒｒにてＲＦパワー５００ＷでＢが高濃
度にドープされたＰ型のＡ−３ｉ：）ｌからなる電荷注
入阻止層を１００ＯＡの厚さに形成した０次に５ｆＨ４
とＢＪａの流量を０にし、Ｈ２のみを流してｌｈｒ放電
を続けた。その後、再びＳｉＨ４を３０ＳＣＣＭ流し、
Ｈ！流量１８０３ＣＣＭで放電させ、約１μＡ−Ｓｉ　
：Ｈからなる電荷発生層を上記電荷注入阻止層上に形成
した。

この後、ＳｉＨ４とＨ２の流れを止め、４　Ｘ　１０−
’Ｔｏｒｒまで減圧した後、電荷輸送層の成膜を次の条
件で行なった。すなわち、アセトンを含有するＨ２ガス
を気化装置６１を用いて発生させ、真空槽５２へ送り込
んだ。Ｈ２中のアセトンは約３ｍｏ１％であり混合気の
流量は２００３ＣＣＭ、圧力は０．５Ｔｏｒｒとした。

また、ＲＦパワーを６５０Ｗ　、基体バイアスを一１０
０Ｖ　、磁場の強さは６００Ｇａｕｓｓとした。

こうして得られた電子写真用感光体の実施例２４と同様
にして測定した動摩擦係数は０．０６であった。又、表
面層の水素原子濃度は５原子％であった。

更に、この電子写真用感光体を実験用に改造したＮＰ７
５５０　（商品名、キャノン株式会社製）にセットし、
その電子写真特性を測定したところ、高い帯電能と良好
な感度を示した。更に、正帯電し、像露光してトナー現
像したところ良好な画質のトナー像が得られた。しかも
、　１２０万枚のコピーチク、ト後も初期の良好なりリ
ーニング特性が維持された。

実施例２８ 第３図の装置を用い、第１図に例示の電子写真用感光体
を以下のようにして作成した。

まず、電気伝導度が約ｌロー２Ω−１ｃ　ｍ　−１の円
板型のｎ型シリコウェハーを基体５３として用い、フッ
酸の希釈水溶液で基体表面の酸化膜を除去した後、この
基体を上部電極４５に固定した０次に真空槽５２を密閉
し、真空排気系により約２　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒまで
減圧した。次に基体の円形形状に合せてうす巻き状にま
いたタングステンワイヤー４４に５０Ｈｚの交流電力を
印加して、このワイヤー４４を約２５００℃まで加熱し
て得られる輻射熱により、上記シリコン基体を加熱した
。シリコン基体の裏側が４５０℃になるまで待った後に
、ワイヤー４４を約２０００℃まで下げて基体温度を約
４５０℃に安定させた。

次に電磁コイル４３に直流電力を流して真空槽５２の上
部容器表面での磁場が８００Ｇａｕｓｓになる様に電流
の大きさを制御した。さらに切り換え回路６９．７０を
Ａの位置にセットし、直流電源４８を基体側が一８０ｖ
になる様に合せた。そしてマスフローコントローラー３
７．３８を最もしぼった状態でＣＨ４のボンベ４１のバ
ルブ２８及び３３、Ｈ２のボンベ４２のバルブ２９及び
３４を開いた。そして、各々のガスの流量が２　ＳＣＣ
Ｍ及び１１００５ｃｃとなる様にマスフローコントロー
ラ３７及び３８をセットした。このときの圧力は０、０
１Ｔｏｒｒであツタ。

次に電源４７をＯＮにして放電を始め、投入パワーを３
５０Ｗに合せた。全体が安定状態に達してから４８時間
後に放電電源４７と４８をＯＦＦにし、バルブ２８．２
９を閉じて放電を停止した。こうして炭素を主体とする
約９μの電荷輸送層を得た。

次に、基体加熱フィラメント４４の電流を弱くしてその
まま放置し、基体温度が測定値で２５０℃まで下がるの
を待ってから極性切換スイッチ６９と７０をＢの状態に
した０次にＳｉＨ４のボンベ６０のバルブ６２と６６及
びＨ３のボンベ４２のバルブ２９及び３４を開き、Ｓｉ
Ｈ＜がＩＯ３ＣＣＭ％Ｈ２が９０ＳＣＣＭとなる様にマ
スフローコントローラー６４と３８を調節した。そして
高周波電源４７をＯＮにし、約１μの厚さのＡ−Ｓｔ：
Ｈからなる電荷発生層を前記電荷輸送層上に積層した。

これに続いて、ＣＪｔのボンベ４０のバルブ２７及び３
２を開き、マスフローメータ３６を使ってアセチレンを
ＳｉＨ４とＨ２に加えて行き、Ａ−Ｓｔ：Ｈからなる電
荷発生層上に約１００ＯＡのＡ−Ｓｔ：ＨＣからなる表
面層を積層した。

すべての成膜が終った後、バルブ２７．２８．２９．３
２．３４．３０を閉じ、加熱フィラメント４４の電流を
切って基体が充分に冷却した後、真空を破って前述の各
店を形成した基体を真空槽５２から取り出した。

得られた電子写真用感光体を実験用の電子写真複写装置
にセットして、電子写真特性を測定したところ、良好な
帯電性と光感度を示した。続いて、負帯電し、像露光し
てトナー現像したところ高品位な画像が得られた。

これとは別に、上記の様に得られた電子写真用感光体の
電荷輸送層と同様の成膜条件で、ギャップステート密度
測定用の試料を作成し、測定したところ、上記条件で形
成された炭素を主体とする膜のギャップステート密度が
９　Ｘ　１０”ａｍ−”であることが傍証された。又、
電荷輸送層中の水素原子濃度は５原子％であった。

実施例２９ 電荷輸送層の作成条件を以下のように変更する以外は、
実施例２８と同様にして電子写真用感光体を作成した。

最後の表面層を成膜する際、基体バイアスは一１ｏｏｖ
で、基体温度を３５０℃とした。原料ガスとし”ｒｃＦ
Ｉｓｏ）ＩとＨ２を用い、ＣＨ３０）１を２　ＳＣＣＭ
％Ｈ２を１００　ＳＣＣＭで真空槽５２の中へ送り込ん
だ。フィラメント温度は２４００℃とし、ＲＦパワーは
３００Ｗとした。コイル４３に電流を流し、磁場強度を
実施例１と同じにして成膜を行なった。成膜時の圧力は
０、０Ｏ８Ｔｏｒｒとした。

このようにして得られた電子写真用感光体の電子写真特
性を実施例２８と同様にして測定したところ、高い帯電
能と良好な感度を示した。続いて、負帯電して像露光し
、トナー現像したところ良好なトナー画像が得られた。

これとは別に、表面層だけを上記と全く同一の条件でＳ
ｉ基体上に形成した試料を作成し、それをブステート密
度が３　Ｘ　１０１１０ｌ７’であることが傍証された
。又、膜中の水素原子濃度は１０原子％であった。

実施例３０ 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例２８と同様にして電子写真用感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜はエタンと水素とアンモニアの混合ガ
スを用い、流量はエタンをＩＯ３ＣＣＭ、水素を８７３
ＣＣＭ、アンモニアを３　ＳＣＣＭとした。圧力は０．
００８Ｔｏｒｒ　、ＲＦパワー３５０Ｗ、基体温度４０
０℃、磁場は８００Ｇａｕｓｓとした。この条件と同一
の条件で物性測定用として成膜した各試料の測定結果よ
り、この炭素を主体とする膜のギャップステート密度は
１．３　Ｘ　１０”ａｍ−’であることが傍証され、ま
た窒素が膜中に含まれていることが確認され、又、膜中
の水素原子濃度は７原子％であった。

他方、得られた電子写真用感光体を実施例２８と同様に
実験用電子写真複写装置にセットしてその電子写真特性
を測定したところ、良好な帯電性と感度を示した。更に
、正帯電し、像露光してトナー現像したところ、明瞭な
画像が得られた。

実施例３１ 電荷発生層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例２８と同様にして電子写真用感光体を作成した。

電荷発生Ｍの成膜にはＣ２Ｈ４と水素とフッ化水素の混
合ガスを用いた。流量はＣ２Ｈ４を５　ＳＣＣＭ、水素
を７７ＳＣＣＭ、フッ化水素１０ｍｏ１％の水素による
希釈ガスを３ＳＣＣＭ、　ＲＦパワー４５０Ｗ、基体バ
イアス−７０Ｖ　、基体温度３５０℃、圧力０．０１Ｔ
ｏｒｒ、磁場８００Ｇａｕｓｓとして行なった。

この様にして得られた電子写真用感光体の電子写真特性
を実施例２８と同様に測定したところ、良好な帯電性を
示した。

これとは別に、実施例２８と同様にして求められた測定
結果から、電荷発生層のギャップステート密度は９　Ｘ
　１０”ａｍ””であることが傍証され、膜中にフッ素
が取り込まれていることが確認され、又、水素原子濃度
は７原子％であった。

実施例３２ 円筒状の基体上に成膜できるように改造した第３図の装
置を用い、第２図に例示の電子写真用感光体を以下のよ
うにして作成した。

へβ製円筒基体を用い、まず真空槽５２を約２×１０”
”Ｔｏｒｒまで真空排気した。次にへρ基体を２３０℃
に加熱し、ＳｉＨ４流量１１０５ＣＣ％Ｈ２流量９０Ｓ
ＣＣＭ。

ＢｚＨａ流量０．５ＳＣＣＭとして０．　ＩＴｏｒｒに
て、ＲＦパワー１５０ＷでＢを高濃度で含むＰ型のＡ−
Ｓｔ：Ｈからなる電荷注入阻止層を１００ＯＡの厚さに
形成した。

次にＳｉＨ４とＢＪａの流量なＯにして、Ｈ２のみを流
してｌｈｒ放電を続けた。その後、再び５ｉＨａをＩＯ
ｓｃｃＭ流し、Ｈ２流量９０ＳＣＣＭで放電させ、約１
μのＡ−Ｓｉ：Ｈからなる電荷発生層を上記電荷注入阻
止層に形成した。

この後、ＳｉＨ４とＨ２の流れを、止め、４　Ｘ　１０
−’Ｔｏｒｒまで減圧した後、電荷輸送層の成膜を次の
条件で行なった。すなわち、アセトンを含有するＨ２ガ
スを気化装置６１を用いて発生させ、真空槽５２へ送り
込んだａ　ＨＲ中のアセトンは約３　ｍｏ１％であり、
混合気の流量は１２０ＳＣＣＭ、圧力は０．４Ｔｏｒｒ
とした。

またＲＦパワーを４５０Ｗ　、基体バイアスを一７０Ｖ
、基体温度２７０℃、磁場の強さは５００Ｇａｕｓｓと
した。

こうして得られた電子写真用感光体を実験用に改造した
ＮＰ７５５０　（商品名　キャノン株式会社製）にセッ
トし、電子写真特性を測定したところ、正帯電で良好な
帯電性を示し、良好な画質が得らえた。更に連続繰返し
画像形成を行なったところ、いずれの画像も良好な画像
であった。

また、これとは別に実施例２８と同様にして求めた測定
結果から上記条件で成膜された電荷輸送層を形成する炭
素を主体とする膜中のギャップステート密度は１．２ｘ
　１０１１０ｌ７’であることが傍証された。又、電荷
輸送層中の水素原子濃度は１８原子％であった。

実施例３３ 第４図の装置を用い、以下の様にして第１図の構造の電
子写真用感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜条件として、マイクロ波パワー４００
Ｗ　、原料ガスとしてメチルブロマイドと水素との混合
ガスを用いた。マイクロ波周波数は２．４５ＧＨｚとし
た。メチルブロマイドの流量は２３ＣＣＭ、水素の流量
は５０ＳＣＣＭで圧力は０．０００７Ｔｏｒｒとした。

磁場は８７５Ｇａｕｓｓとし、電子サイクロトロン共鳴
が起きる様にした。この条件で隔壁９９の位置を調節し
、真空槽７１がマイクロ波の空洞共振器として動作する
様にしたところ、隔壁９９の開口部からプラズマ吹き出
しが見られた。基体温度は３５０℃、基体バイアスは一
９０Ｖとした。

この様にして作成した電荷輸送層（膜厚、８μｍ）の上
に引き続いてＡ−Ｓｉ：Ｈの電荷発生層を作成した。ま
ず基体加熱ヒータ１０２の電流を切って基体温度が１０
０℃まで下がるのを待ち、それから電流を再び流して２
００℃で一定に保った。次にＳｉＨ４をＩＯ３ＣＣＭ、
　Ｈ２を４０ＳＣＣＭ流して、圧力を９　Ｘ　１０−’
Ｔｏｒｒにし、磁場を８７５Ｇａｕｓｓとしてマイクロ
波を投入した。マイクロ波パワーは３００Ｗとした。こ
うして電荷輸送層上に約１μｍのＡ−Ｓｉ：Ｈからなる
電荷発生層を成膜し、さらに連続してＣＨ４流量７ＳＣ
ＣＭ％ＳｉＨ４流量３　ＳＣＣＭ、　Ｈｚ流量５０ＳＣ
ＣＭで表面層を形成し、第１図の構造の電子写真用感光
体を得た。

この感光体を実験用電子写真複写装置にセットし、電子
写真特性を測定したところ、高い帯電性と良好な感度を
示し、負帯電で像露光してトナー現像したところ良好な
画像が得られた。

これとは別に実施例２８と同様にして求められた測定結
果より、上記の成膜した電荷輸送層のギャップステート
密度は６　Ｘ　１０１０１６ａ’であることが傍証され
、水素原子が４原子％と、臭素が僅かに膜中に存在して
いることが確認された。

実施例３４ 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例２８と同様にして電子写真用感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜はメチルブロマイドと水素の混合ガス
を用いて行ない、流量はメチルブロマイドを５　ＳＣＣ
Ｍ、水素１１００５ＣＣ，水素で１０ｍｏ１％に希釈し
たフォスフイン０．５ＳＣＣＭとし、圧力は０．３Ｔｏ
ｒｒとした。基体温度３５０℃、ＲＦパワー６００Ｗ１
磁場４００Ｇａｕｓｓ、基体バイアスは一７０Ｖで成膜
を行なった。

こうして得られた電子写真用感光体の電子写真特性を実
施例２８と同様にして測定したところ、負帯電で良好な
画質のトナー画像が得られた。

更に、これとは別に、実施例２８と同様にして求めた測
定結果より、上記電荷輸送層のギャップステート密度は
１．４Ｘ　１０１７ｃｍ−３であることが傍証された。

又、電荷輸送層中の水素原子濃度はｌＯ原子％であった
。

実施例３５ 第５図の装置を用い、以下のような成膜条件及び操作を
用いる以外は実施例３２と同様の方法によって第２図の
構造の電子写真用感光体を作成した。

ＡＩ２製円筒基体を用い、まず真空槽５２を約６×１０
−’Ｔｏｒｒまで真空排気した。次にこのＡβ基体を２
３０℃に加熱しＳｉＨ４流量３０ＳＣＣＭ％Ｈ２流量１
８０ＳＣＣＭ、　９ｍＨｍ流量１．５ＳＣＣＭとして、
　０．　ＩＴｏｒｒにてＲＦパワー５００ＷでＢが高濃
度にドープされたＰ型のＡ−３ｔ：Ｈからなる電荷注入
阻止層を１００ＯＡの厚さに形成した。次にＳｉＨ４と
ＢＪａの流量をＯにし、Ｈ２のみを流してｌｈｒ放電を
続けた。その後、再びＳｉＨ４を３Ｏ３ＣＧｌｉ！流し
、Ｈ２流量１８０ＳＣＣＭで放電させ、約１μのＡ−３
ｉ：Ｈからなる電荷発生層を上記電荷注入阻止層上に形
成した。

この後、５ｉ）１４とＨ２の流れを止め、４　Ｘ　１０
−’Ｔｏｒｒまで減圧した後、電荷輸送層の成膜を次の
条件で行なった。すなわち、アセトンを含有するＨ２ガ
スを気化装置６１を用いて発生させ、真空槽５２へ送り
込んだ、Ｈ２中のアセトンは約３　ｍｏ１％であり混合
気の流量は３００ＳＣＣＭ、圧力は０．７Ｔｏｒｒとし
た。またＲＦパワーを６５０Ｗ　、基体バイアスを一１
００Ｖ。

基体温度３５０℃、磁場の強さは６００Ｇａｕｓｓとし
た。

こうして得られた電子写真用感光体は電子写真特性を実
施例３２と同様に測定したところ、正帯電で良好な帯電
性を示した。また、この感光体を実施例３２と同様に市
販の複写機（キャノン製ＮＰ７５５０）を改造した実験
装置にセットし、画像形成を行なったところ良好な画質
が得られ、　１２０万枚のコピーテスト後も初期の良好
な画質が維持された。

更に、これとは別に、実施例１と同様にして求めた測定
結果より、上記電荷輸送層のギャップステート密度は７
　Ｘ　１０”ｃｍ−”であることが傍証された。又、電
荷輸送層中の水素原子濃度は７原子％であった。

実施例３６ 第３図の装置を用い、第１図に例示の電子写真用感光体
を以下のようにして作成した。

まず、電気伝導度が約１０−２Ω−１ｃ　ｍ　−１の円
板型のｐ型シリコンウェハーを基体５３として用い、フ
ッ酸の希釈水溶液で基体表面の酸化膜を除去した後、こ
の基体を上部電極４５に固定した０次に真空槽５２を密
閉し、真空排気系により約２Ｘ　１０”’Ｔｏｒｒまで
減圧した。次に基体の円形形状に合せてうす巻き状にま
いたタングステンワイアー４４に５０Ｈｚの交流電力を
印加して、このワイヤー４４を約２５００℃まで加熱し
て得られる輻射熱により、上記シリコン基体を加熱した
。シリコン基体の裏側が６００℃になるまで待った後に
、ワイヤー４４を約２０００℃まで下げて基体温度を約
６００℃に安定させた。

次に電磁コイル４３に直流電力を流して真空槽５２の上
部容器表面での磁場が８００Ｇａｕｓｓになる様に電流
の大きさを制御した。さらに切り換え回路６９゜７０を
Ａの位置にセットし、直流電源４８を基体側が一３００
Ｖになる様に合せた。そしてマスフローコントローラー
３７．３８を最もしぼった状態でＣＨ４のボンベ４１の
バルブ２８及び３３、Ｈ２のボンベ４２のバルブ２９及
び３４を開いた。そして、各々のガスの流量がＩ　ＳＣ
ＣＭ及び１１００５ｃｃとなる様にマスフローコントロ
ーラー３７及び３８をセットした。このときの圧力は０
．００２Ｔｏｒｒであった。

次に電源４７をＯＮにして放電を始め、投入パワーを３
５０Ｗに合せた。全体が安定状態に達してから４８時間
後に放電電源４７と４８をＯＦＦにし、バルブ２８．２
９を閉じて放電を停止した。こうして炭素を主体とする
約８μの電荷輸送層を得た。

次に、基体加熱フィラメント４４の電流を弱くしてその
まま放置し、基体温度が測定値で２５０℃まで下がるの
を待ってから極性切換スイッチ６９と７０をＢの状態に
した０次に５ｉＨａのボンベ６０のバルブ６２と６６及
びＨ２のボンベ４２とバルブ２９及び３４を開き、Ｓｉ
Ｈ４がＩＯＳＣＣＭ、　Ｈｚが９０ＳＣＣＭとなる様に
マスフローコントローラー６４と３８を調節した。そし
て高周波電源４７をＯＮにし、約１μの厚さのＡ−Ｓｉ
　：Ｈからなる電荷発生層を前記の電荷輸送Ｍ上に積層
した。

これに続いて、ＣｘＨｘのボンベ４０のバルブ２７及び
３２を開き、マスフローメータ３６を使ってアセチレン
を３ｉＨ４とＨ２に加えて行き、Ａ−Ｓｉ：）Ｉからな
る電荷発生層上に約１０００人のＡ−３ｉ：）ＩＣから
なる表面層を積層した。

すべての成膜が終った後、バルブ２７．２８．２９゜３
２、３３．３４．３０を閉じ、加熱フィラメント４４の
電流を切って基体が充分に冷却した後、真空を破って前
述の各層を形成した基体を真空槽５２から取り出した。

こうして得られた電子写真用感光体を実験用の電子写真
複写装置にセットして、その電子写真特性を測定したと
ころ、良好な帯電性と光感度を示した。続いて、負帯電
し像露光して、トナー現像したところ高品位な画像が得
られた。

これとは別に、上記のようにして得られた電子写真用感
光体の電荷輸送層と同様の成膜条件で、光学的バンドギ
ャップ、電気伝導度、ラマンスペクトル及び水素原子濃
度測定用の各試料な膜厚１．５μｍとして作成した。又
、ダイヤモンド相測定用ＴＥＭ試料も合せて作成した。

こうして得られた各試料の測定結果より、前記感光体の
電荷輸送層の光学バンドギャップが３．５ｅＶの範囲に
あり、電気伝導度がＩＱ−ＩＩΩ−１ｃｍ−１の範囲に
あり、また水素原子濃度が５原子％で、ラマン・スペク
トルには１３３０ｃｍ−’付近に明瞭なストークス線が
認められることか傍証され、又、ダイヤモンド相の割合
は体積比で６０％であった。

実施例３７ 電荷輸送槽の作成条件を以下のように変更する以外は、
実施例３６と同様にして電子写真用感光体を作成した。

基体バイアスは一１００ｖで、基体温度を６００℃とし
た。原料ガスとしてＣ）１３０）１とＨ２を用い、ＣＬ
Ｏ）ＩをＩ　ＳＣＣＭ、　Ｈｚを１１００５ｃｃで真空
槽５２の中へ送り込んだ。フィラメント温度は２４００
℃とし、ＲＦパワーは３００Ｗとした。コイル４３には
電流を流さずに成膜を行なった。成膜時の圧力は０．０
０２Ｔｏｒｒとした。

このようにして得られた電子写真用感光体の電子写真特
性を実施例３６の場合と同様に測定したところ、高い帯
電能と感度を示し、負帯電して像露光し、トナー現像し
たところ良好な画像が得られた。

これとは別に、上記と全く同一の条件で電荷輸送層だけ
をＳｉ基体上に形成したものを膜組成分析したところ、
膜中には酸素原子が含まれており、また赤外吸収スペク
トルミニ−よる水素原子濃度の測定によると水素原子が
１１原子％含有されていることが確認された。

また、これとは別に光学的バンドギャップ、電気伝導度
の測定用の試料を該実施例の電荷輸送層の作成条件と同
一条件で膜厚２μｍとして作成した。ダイヤモンド相測
定用ＴＥＭ試料も合せて作成した。この試料の測定結果
により、光学的バンドギャップは２．８ｅＶで電気伝導
度は乾燥雰囲気内で４　Ｘ　１０−”Ω−′ｃ　ｍ　−
１であり、ダイヤモンド相の割合は体積比で８５％であ
った。

実施例３８ 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例３６と同様にして電子写真用感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜はエタンと水素とアンモニアの混合ガ
スを用い、流量はエタンをＩ　ＳＣＣＭ、水素を８７Ｓ
ＣＣＭ、アンモニアを３３ＣＣＭとした。圧力は０．０
０２Ｔｏｒｒ　％ＲＦパワー３５０Ｗ　、基体温度６５
０℃で磁場は８００Ｇａｕｓｓとした。この条件と同一
条件で物性測定用として成膜した各試料の測定結果より
、光学的バンドギャップは３．１ｅＶ　、電気伝導度は
１Ｏ−ＩＳΩ−Ｉｃｍ−１、水素原子濃度は７原子％で
、窒素が膜中に更に含まれていることが傍証された。又
、ダイヤモンド層の割合は体積比で６５％であった。

他方、得られた電子写真用感光体を実施例３６と同様に
実験用電子写真複写装置にセットして電子写真特性を測
定したところ、良好な帯電性と感度を示した。また、別
に、正帯電し像露光して、トナー現像したところ明瞭な
画像かえられた。

実施例３９ 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例・３６と同様にして電子写真用感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜にはメタンと水素とフッ化水素の混合
ガスを用いた。流量はメタンを５３ＣＣＭ、水素を７７
ＳＣＣＭ、フッ化水素１０ｍｏ１％の水素による希釈ガ
スを３ＳＣＣＭ、　ＲＦパワー４５０Ｗ　、基体バイア
スｏｖ、基体温度５５０℃、圧力０．０１Ｔｏｒｒとし
て行なった。

この様にして得られた電子写真用感光体は実施例３６の
場合と同様に、良好な帯電性を示し、正帯電で良好な画
質のトナー画像が得られた。

これとは別に、実施例３６と同様に求められた測定結果
から電荷輸送層の光学的バンドギャップは２．３ｅＶ、
電気伝導度は３．８　Ｘｌ０−”Ω−ＩＣＩ１１−１、
水素原子濃度は１１原子％で、膜中にはフッ素原子が取
り込まれている事が傍証された。又、ダイヤモンド相の
割合は体積比で５０％であった。

実施例４０ 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例３６と同様にして電子写真用感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜はメタンと水素の混合ガスを用いて行
ない、流量はメタンをＩ　ＳＯＣＭ、水素を１００３Ｃ
ＣＭとした。そして、これに水素で１　　ｍａ１％まで
希釈したジボランを０．５５Ｃ（：Ｍの割合で流し込ん
だ、圧力は０．０６Ｔｏｒｒ、基体温度６００℃、ＲＦ
パワー２５０Ｗ、基体バイアス−１００Ｖで成膜を行な
った・ できあがった電子写真用感光体は実施例３６と同様に良
好な帯電性を示し、正帯電で良好な画質のトナー像が得
られた。

これとは別に、実施例３６と同様に求めた測定結果より
、成膜した電荷輸送層の光学的バンドギャップは３．２
ａＶ、電気伝導度は４　Ｘ　１０−”Ω−１ｃｍ−’、
水素原子濃度は９原子％、ダイヤモンド相の割合は体積
比で６５％であることが傍証された。

実施例４１ 第４図の装置を用い、以下の様にして本発明の電子写真
用感光体を作成した。

化学研磨したＭＯ基体１０３を基体ホルダー１０８に取
付け、真空槽内を１０−’ｍｍＨｇまで排気し、同時に
ヒータ１０２に電流を流して基体を３００℃まで加熱し
た後、Ｈ，ガスの供給バルブ８４．９２．８６を開ける
とともに、マスフローコントローラー９８にてＴｏガス
７８を２００ＳＣＣＭ真空槽に導入した。マイクロ電源
１０７により周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波３００
Ｗを真空槽に導入すると同時にコイル１０６により真空
槽中心が８７５Ｇａｕｓｓとなる様に磁場を発生させ、
これによってＨ２ガスプラズマがＭｏ基体に照射された
。この状態を約３０分経過せしめた後、アセチレンガス
７６をマスフローコントローラーを用いて真空槽に導入
、同時にシランガス７５をマスフローコントローラー９
６により真空槽に導入し、ＭＯ基体上にＡ−３ｉＣ：１
層を約１０００人形成した。

その後、アセチレンの導入を停止し、Ａ−３ｉＣ：）Ｉ
膜上にＡ−３ｔ：Ｈ［を約１μ形成した。その後、シラ
ンガスの導入を停止し、基体温度を７００℃に上昇せし
めた後、ＣＨ４ガス７２をマスフローコントローラー９
３により２３ＣＣＭ導入した。このＨ２とＣＨ４ガスを
導入して、マイクロウェーブプラズマが発生中はＷフィ
ラメント１０１を約２５００℃に加熱すると同時に直流
電源１０５により、基体ホルダーを一１２５ＶにしてＡ
−３ｔ：ｔｌｌｉ上にダイヤモンド層を多く含む炭素質
膜を１ＯＪＪ！１１積層し、電子写真用感光体を作った
。全てのガス導入を停止し、マイクロ波電源、コイル電
流、直流電源を切り、基体が充分冷却された後、真空槽
から取出した。こうして第２図に示した構造の電子写真
用感光体が得られた。

この電子写真特性を実施例１と同様にして実験用の電子
写真複写装置にセットしてチエツクしたところ電子写真
用感光体として充分に実用的なものであった。

これとは別に、実施例３６と同様にして膜組成及び物性
分析用の試料を、上記の最終層（電荷輸送１ｉ）の形成
条件と同一条件で作成し、分析したところ、上記最終層
を構成する炭素を主体とする膜は、ダイヤモンド相の割
合が体積比で６０％であり、電気伝導度がほぼＩＱ−１
１Ω−Ｉｃｍ−１であり、水素原子濃度は１原子％、光
学的バンドギャップは２、７ａＶ程度であることが傍証
された。

実施例４２ 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例３６と同様にして電子写真用感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜はメチルブロマイドと水素ガスの混合
ガスを用いて行ない、流量はメチルブロマイドをＩ　Ｓ
ＣＣＭ、水素１１００５ＣＣ，水素で１０　ｍｏ１％に
希釈したフォスフイン０．５ＳＣＣＭとし、圧力は０、
３Ｔｏｒｒとした。基体温度６００℃、ＲＦパワー６０
０　Ｗ、磁場４００Ｇａｕｓｓ、基体バイアスは一２０
０ｖで成膜を行なった。

こうして得られた電子写真用感光体について実施例３６
と同様にして電子写真特性を測定したところ、負帯電で
良好な画質のトナー画像が得られた。又、電荷輸送層中
の水素原子濃度は３原子％、ダイヤモンド相の割合は体
積比で８０％であった。

実施例４３ 第５図の装置を用い、以下のような成膜条件及び操作を
用いる以外は実施例４１と同様の方法によって第２図の
構造の電子写真用感光体を作成した。

ＡＩ製円筒基体を用い、まず真空層５２を約６×１０−
’Ｔｏｒｒまで真空排気した。次にこの人１基体を２３
０℃に加熱しＳｉＨ４流量３０ＳＣＣＭ、　Ｈ２流量１
８０ＳＣＣＭ、　８２Ｈ６流量１．５３ＣＣＵとして、
０．１ＴｏｒｒにしてＲＦパワー５００ＷでＢが高濃度
にドープされたＰ型のＡ−Ｓｔ：Ｈからなる電荷注入阻
止層を１０００人の厚さに形成した。次にＳｉＨ４と８
□Ｈ６の流量なＯにし、Ｈ２のみを流してｌｈｒ放電を
つづけた。その後、再びＳｉＨ４を３０ＳＣＣＭ流し、
Ｈ２流量　１８０ＳＣＣＭで放電させ、約１μのＡ−３
ｔ：Ｈからなる電荷発生層を上記電荷注入阻止層上に形
成した。

この後、ＳｉＨ４とＨ２の流れを止め、４　Ｘ　１０−
’Ｔｏｒｒまで減圧した後、電荷輸送層の成膜を次の条
件で行なった。すなわち、アセトンを含有するＨ２ガス
を気化装置６１を用いて発生させ、真空層５２へ送り込
んだ。Ｈ２中のアセトンは約１　　ｍｏ１％であり混合
気の流量は３００３ＣＣＭ、圧力は０．７Ｔｏｒｒとし
た。また、ＲＦパワーを６５０Ｗ　、基体バイアスを一
１００ｖ２磁場の強さは６００Ｇｕａｓｓとした。

こうして得られた電子写真用感光体は正帯電で良好な帯
電性を示した。この感光体を市販の複写機キャノン製Ｎ
Ｐ７５５０を改造した実験用装置にとりつけた後、画像
形成を行なったところ良好な画質が得られ、　１２０万
枚のコピーテスト後も初期の良好な画質が維持された。

又、電荷輸送層中の水素原子濃度は７原子％、ダイヤモ
ンド相の割合は体積比で９０％であった拳 実施例４４ 第３図の装置を用い、次の様にして本発明の電子写真用
感光体を作成した。

電気伝導度が約ｌロー２Ω−Ｉｃ　ｍ　−ｉの円板型の
ｐ型シリコンウェハーを基体５３として用い、表２のよ
うな成膜条件で電子写真用感光体を作成した。

表　　２ このように作成した感光体を実験用電子写真複写装置に
セットし、その電子写真特性を測定したところ、良好な
帯電性を示した。更に、負帯電し像露光して、トナー現
像したところ良好なトナー画像が得られた。

これとは別に、上記電荷輸送層の成膜条件と同一条件で
膜組成及び物性分析用の各試料を作成した。これら試料
のラマン分析の結果から上記電荷輸送層を構成する膜は
１３３３ｃｍ−’付近に鋭いピークを有することが傍証
された。又、ＩＲ測測定よればＣ−Ｈの吸収はみられな
いことが確認され、更に電気伝導度の測定結果から上記
電荷輸送層を構成する膜の電気伝導度はＩＱ−１１Ω−
１ｃｍ−１であることが傍証された。又、ＴＥＭによる
観測によれば膜中のグラファイト層の割合は体積比で１
％程度であった。

比較例７ 実施例４４と同じ装置で電荷輸送層のガス流量のみを表
３のように変える以外は、実施例４４と同様にして電子
写真用感光体を作成した。

表３ このように作成した電子写真用感光体の電子感光特性を
実施例４４と同様にして測定したところ、帯電性が低く
、更に満足なトナー画像が得られなかった。

これとは別に、上記電荷輸送層の成膜条件と同一条件で
膜組成及び物性分析用の各試料を作成した。これら試料
のラマン分析の結果から上記電荷輸送層を構成する膜は
１５８０ｃｒ１１−’付近と１３６０ｃｍ−’付近に大
きなブロードなピークを有していることが傍証された。

また、ＩＲ測測定は２９００〜３１００ｃｍ−’で吸収
がみられ、電気伝導度の測定結果から上記電荷輸送層を
構成する膜の電気伝導度は１Ｏ−６Ω−１Ｃｆｆｌ−’
であることが傍証された。又、膜中のグラファイト相の
割合は体積比で２１％であった。

実施例４５ 実施例４４と同じ装置を用い、電荷輸送層のガス流量の
みを表４のように変える以外は実施例４４と同様にして
電子写真用感光体を作成した。

表４ この条件で作成した電子写真用感光体の電子写真特性を
実施例４４と同様にして測定したところ、良好な帯電性
を示した。更に、正帯電で良好な画質のトナー画像が得
られた。

これとは別に、実施例４４と同様にして求めた測定結果
から、上記電荷輸送層を構成する膜の膜中の水素原子濃
度はＩＯ原子％、電気伝導度は５×１Ｏ−ＩＩΩ−１ｃ
　ｍ　−１であり、更にラマン分光によれば１３６０ｃ
ｍ−’と１５８０ｃｍ−１に弱いブロードなピークが存
在することが傍証された。又、膜中グラファイト相の割
合は体積比で６％であった。

実施例４６ 実施例４４と同じ装置を用い、電荷輸送層のガス流量の
みを表５のように変える以外は実施例４４と同様にして
電子写真用感光体を作成した。

表　　　５ この条件で作成した電子写真用感光体の電子写真特性を
実施例４４と同様にして測定したところ、良好な帯電性
を示し、更に正帯電で良好なトナー画像が得られた。

これとは別に、実施例４４と同様にして求めた測定結果
から、上記電荷輸送層を構成する膜の水素原子濃度は６
原子％、電気伝導度はＩＱ−目Ω−１ｃｍ−’であり、
ラマン分析によれば、１３６０ｃｍ−’と１５８０ｃｍ
”に弱いブロードなピークが存在することが傍証された
。又、膜中グラファイト相の割合は体積比で５％であっ
た。

実施例４７ 実施例４４と同じ装置を用い、電荷輸送層のガス流量の
みを表６のように変える以外は実施例４４と同様にして
電子写真用感光体を作成した。

表　　　に の条件で作成した電子写真用感光体の電子写真特性を実
施例４４と同様にして測定したところ、良好な帯電性を
示し、更に正帯電で良好なトナー画像が得られた。

これとは別に、実施例４４と同様にして求めた測定結果
から、上記電荷輸送層を構成する膜の電気伝導度はＩＱ
−目Ω−１ｃ　ｍ　−１、水素原子濃度は１１原子％で
、ラマン分析によれば、１３６０ｃｍ−’と１５８０ｃ
ｍ−’に弱いブロードなピークが存在することが傍証さ
れた。又、ダイヤモンド相の割合は体積比で１０％であ
った。

実施例４８ 第４図に示す様な装置を用いて表７の条件で電子写真用
感光体を作成した。２ 表　　７ このように作成した電子写真用感光体の電子写真特性を
実施例４４と同様にして測定したところは帯電性が非常
に高く、更に、負帯電で現像したところ良好なトナー画
像が得られた。

これとは別に、実施例４４と同様にして求めた測定結果
から、上記電荷輸送層を構成する膜の水素原子濃度は１
５原子％、電気伝導度はＩＱ−＋ｓΩ−！ａｍ−’で、
ラマン分析によれば１３３３ｃｍ−’のみに鋭いピーク
が表われることが傍証された。又、グラファイト相の割
合は体積比で２％程度であった。

〔発明の効果１ 以上に説明したように、本発明によってもたらされる効
果としては下記に列挙するようなものを挙げることがで
きる。

ｌ）高い帯電能をもち、少ない帯電電流と少ない露光エ
ネルギー量で画像形成可能な電子写真用感光体を提供す
ることが可能となった。

２）高速画像形成が可能な電子写真用感光体を提供する
ことが可能となった。

３）濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度
の高い、高品質な画像を得る事が容易に出来る電子写真
用感光体を提供する事が可能となった。

４）湿度、湿度等の使用環境の変動に対して安定な画像
を維持する事が可能な電子写真用感光体を提供する事が
可能となった。

５）繰り返し使用の際のコロナ放電生成物や紙粉などの
付着の影響が少なく、また表面に傷がつかず長期間継続
的に安定な画像を維持しながら使用可能な電子写真用感
光体を提供する事が可能となった。

６）光冑末層の化学変化や劣化あるいは結晶化等の変質
がおこらず、長期間の悪環境化での保管に耐えて保管前
と変わらない良好な画質を再現する事が可能な電子写真
用感光体を提供する事が可能となった。

７）製造工程の途中やオフィス等での取扱いの際に人体
に触れても全く害がなく、また現像剤中にム碑層の一部
が削れて混入し、それがコピー上のトナー画像に含まれ
て人体に接触したりしても全く安全で、必要ならば使用
終了後に一部ゴミと一緒に廃棄する事も安全上全く問題
なく、一般家庭で使用する際にも特別の注意なしに安全
に使用可能で、火災などの非常時に他のものと一緒に燃
えてしまっても有毒な気体を放出しない、従ってあらゆ
る点で全く安全な電子写真用感光体を提供する事が可能
となった。

８）製造時に有害な原料を使用せず、又は従来に較べて
必要な有害原料の使用量が極端に少なくても製造可能で
、このため製造設備に取り付ける必要のある有害物除外
装置やその他の製造上の安全対策に要するコストを著し
く削減出来る電子写真用感光体を提供する事が可能とな
った。

９）製造用の原料として入手し易く、安価な原料を使用
する事の出来る低コストな電子写真用感光体を提供する
事が可能となった。

１０）不均一材料の混合や分散あるいは粉度分布制御な
どといった複雑な工程を取る事なく、また塗布液の調液
や塗布中の粘度制御あるいは多層構造の際に起きる眉間
汚染や溶剤排気の処理などを必要としない簡略化された
工程で製造でき、またメンテナンスの容易な製造装置を
用いて製造出来る電子写真用感光体を提供する事が可能
となった。

１１）製造時の微粉未形成や製造容器内に付着した膜の
はがれによる微粒子の発生がなく、長時間安定して欠陥
のない均一な丸ｎ層を得る事の出来る電子写真用感光体
を提供する事が可能となった。

１２）クリーニング性を向上させた電子写真用感光体を
提供することが可能となった。

１３）高速におけるクリーニング性のみならず、長時間
の使用後にも使用前と同様なりリーニング性と画像を示
す耐久性を持った電子写真用感光体を提供することが可
能となった。

１４）湿度、湿度等の使用環境の変動に対して安定なり
リーニング性と画像を維持する事が可能な電子写真用感
光体を提供することが可能となった。

１５）繰り返し使用の際のコロナ放電生成物や紙粉など
の付着の影響が少なく、また表面に傷がつかず長期間継
続的に安定なりリーニング性や画像を維持しながら使用
可能な電子写真用感光体を提供する事が可能となった。

１６）高速クリーニング、高速画像形成が可能な電子写
真用感光体を提供することが可能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の電子写真用感光体の実施形
態の例を示す模式的構成断面図、第３図、第４図及び第
５図は本発明の電子写真用感光体の製造に用いることの
できる装置の一例を示す模式的概略図、第６図は動摩擦
係数の測定方法を示す概略図である。 １４、２４は支持体、１３．２３は電荷輸送層、１２．
２２は電荷発生層、１１は表面層、２１は電荷注入阻止
層、５２．７１は成膜な行なう真空槽、４７は高周波電
源、１０７はマイクロ波電源、４５．４６は電極、１０
０は基体ホルダー、４３及び１０６は電磁コイル、　１
１１はドラム、　１１２．１１３は中心棒である。

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体上に電荷発生層と電荷輸送層とを積層した
   機能分離型の光受容層を有する電子写真用感光体であっ
   て、前記電荷輸送層が炭素原子をマトリックスの主体と
   する膜からなる事を特徴とする電子写真用感光体。
2. （２）前記炭素原子をマトリックスの主体とする膜が、
   光学的バンドギャップ１．５ｅＶ以上、電気伝導度１０
   ＾−＾１＾１Ω＾−＾１ｃｍ＾−＾１以下の物性値を有
   し、水素原子含有濃度が４０原子％以下である特許請求
   の範囲第１項に記載の電子写真用感光体。
3. （３）前記炭素原子をマトリックスの主体とする膜が、
   水素、窒素及び酸素から成る群から選ばれる少なくとも
   １つ以上の原子を含む特許請求の範囲第１項に記載の電
   子写真用感光体。
4. （４）前記炭素原子をマトリックスの主体とする膜がラ
   マン・スペクトルの１３３３ｃｍ＾−＾１を含む領域の
   ストークス線で特徴づけられる膜構造を有する特許請求
   の範囲第１項に記載の電子写真用感光体。
5. （５）前記炭素原子をマトリックスの主体とする膜が周
   期律表第III族に属する原子を５原子％以下の濃度で含
   有する特許請求の範囲第１項に記載の電子写真用感光体
   。
6. （６）前記炭素原子をマトリックスの主体とする膜が周
   期律表第Ｖ族に属する原子を５原子％以下の濃度で含有
   する特許請求の範囲第１項に記載の電子写真用感光体。
7. （７）前記電荷輸送層の光学吸収係数が２．５ｅＶ以下
   のエネルギーの光に対して１０＾４ｃｍ＾−＾１以下で
   ある特許請求の範囲第１項に記載の電子写真用感光体。
8. （８）前記電荷輸送層に、フッ素原子が１０原子ｐｐｍ
   以上１５原子％以下の範囲で含有されている特許請求の
   範囲第１項に記載の電子写真用感光体。
9. （９）前記光受容層の最上層を前記電荷輸送層で構成し
   、該電荷輸送層の動摩擦係数が標準条件下において０．
   ５以下である特許請求の範囲第１項に記載の電子写真用
   感光体。
10. （１０）前記電荷輸送層中のギャップステート密度が５
    ×１０＾１＾７ｃｍ＾−＾３以下である特許請求の範囲
    第１項に記載の電子写真用感光体。
11. （１１）前記電荷輸送層は、ダイヤモンド相が体積比で
    、５０〜９５％を占める特許請求の範囲第１項に記載の
    電子写真用感光体。
12. （１２）前記電荷輸送層は、層中のグラファイト相が体
    積比で２０％以下である特許請求の範囲第１項に記載の
    電子写真用感光体。