JPS6231862A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS6231862A JPS6231862A JP17164785A JP17164785A JPS6231862A JP S6231862 A JPS6231862 A JP S6231862A JP 17164785 A JP17164785 A JP 17164785A JP 17164785 A JP17164785 A JP 17164785A JP S6231862 A JPS6231862 A JP S6231862A
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- Japan
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- layer
- amorphous carbon
- amorphous
- electrophotographic photoreceptor
- surface protective
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
-
- G—PHYSICS
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- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
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- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08292—Germanium-based
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14704—Cover layers comprising inorganic material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕本発明は電子写真方式の複写機、プリン
タに用いられる電子写真感光体に関するものである。電
子写真感光体には一般に非晶質シリコン光導層が用いら
れておシ、従来の電子写真感光体においては非晶質シリ
コン光導層に支持体側からの電荷の注入を阻止する電荷
注入阻止層および表面保護層として非晶質シリコンの炭
化層、窒化層、酸化層を設けることが提案されている（
特開昭５７−５６８４６号公報・特開昭５７−５８１５
９号公報等）。また、非晶質水素化ボロンを非晶質シリ
コン光導電層に対する障壁層として用いることも提案さ
れておシ（特開昭５７−１１６３４７号公報、特開昭５
７−１１５５５５号公報等）、さらに、非晶質シリコン
光導電層への電荷注入阻止層として非晶質シリコンのｐ
層、ｎ層を用いることも知られている（特開昭５７−４
０５３号公報）。
タに用いられる電子写真感光体に関するものである。電
子写真感光体には一般に非晶質シリコン光導層が用いら
れておシ、従来の電子写真感光体においては非晶質シリ
コン光導層に支持体側からの電荷の注入を阻止する電荷
注入阻止層および表面保護層として非晶質シリコンの炭
化層、窒化層、酸化層を設けることが提案されている（
特開昭５７−５６８４６号公報・特開昭５７−５８１５
９号公報等）。また、非晶質水素化ボロンを非晶質シリ
コン光導電層に対する障壁層として用いることも提案さ
れておシ（特開昭５７−１１６３４７号公報、特開昭５
７−１１５５５５号公報等）、さらに、非晶質シリコン
光導電層への電荷注入阻止層として非晶質シリコンのｐ
層、ｎ層を用いることも知られている（特開昭５７−４
０５３号公報）。
ところで非晶質シリコンの炭化層、窒化層および酸化層
を表面保護層として用いると、炭化層の場合は硬度のバ
ラツキによって使用中に表面に傷が発生し、窒化層およ
び酸化層の場合は高湿時に解像度が劣化する欠点がある
。また、支持体側からの電荷注入阻止層としてこれらを
絶縁体として用いると非晶質シリコン光電層側からの電
荷の注入が十分に行なわれないため、残留電位が上昇す
る欠点がある。すなわち、非晶質シリコン光導電層は比
誘電率が約１０４で、電子写真感光体としての静電容量
が犬となり、帯電に大きなコロナ電流が必要となる。ま
た、表面電荷が大きくなるので露光量を多く必要とする
のである。したがって電荷注入阻止層は、支持体側から
は絶縁性、非晶質シリコン光導電層からは電荷の注入効
率のよい半絶縁性のものが望ましいことＫなる。本発明
はこの要請に答えると共に、上記従来の表面保護層およ
び電荷注入阻止層のもつ欠点を解消してよりすぐれた特
性を有する電子写真感光体とすることを発明の目的とす
るものである。
を表面保護層として用いると、炭化層の場合は硬度のバ
ラツキによって使用中に表面に傷が発生し、窒化層およ
び酸化層の場合は高湿時に解像度が劣化する欠点がある
。また、支持体側からの電荷注入阻止層としてこれらを
絶縁体として用いると非晶質シリコン光電層側からの電
荷の注入が十分に行なわれないため、残留電位が上昇す
る欠点がある。すなわち、非晶質シリコン光導電層は比
誘電率が約１０４で、電子写真感光体としての静電容量
が犬となり、帯電に大きなコロナ電流が必要となる。ま
た、表面電荷が大きくなるので露光量を多く必要とする
のである。したがって電荷注入阻止層は、支持体側から
は絶縁性、非晶質シリコン光導電層からは電荷の注入効
率のよい半絶縁性のものが望ましいことＫなる。本発明
はこの要請に答えると共に、上記従来の表面保護層およ
び電荷注入阻止層のもつ欠点を解消してよりすぐれた特
性を有する電子写真感光体とすることを発明の目的とす
るものである。
〔発明の構成〕本発明の電子写真感光体は、非晶質カー
ボン層と非晶質シリコン光導電層とを導電製支持体上に
積層して形成した電子写真感光体であって、前記非晶質
カーボン層は表面保護層としての機能と、電荷移動層と
しての機能と、前記導電性支持体側からの電荷の注入を
阻止する電荷注入阻止層としての機能を有することを特
徴とする。
ボン層と非晶質シリコン光導電層とを導電製支持体上に
積層して形成した電子写真感光体であって、前記非晶質
カーボン層は表面保護層としての機能と、電荷移動層と
しての機能と、前記導電性支持体側からの電荷の注入を
阻止する電荷注入阻止層としての機能を有することを特
徴とする。
図面において、１は表面保護層としての非晶質カーボン
層、２は非晶質シリコン光導電層、３は電荷移動層およ
び電荷注入阻止層としての非晶質カーボン層、４は導電
性支持体である。
層、２は非晶質シリコン光導電層、３は電荷移動層およ
び電荷注入阻止層としての非晶質カーボン層、４は導電
性支持体である。
非晶質カーボンは半絶縁性で硬度が高く、光の透過率も
良好で、これを非晶質シリコン光導電層２の表面保護層
１として用いると耐刷性、耐熱性および耐環境性のすぐ
れた高感度、高解像度の電子写真感光体がえられる。非
晶質カーボン層３は元素周期率表筒■族Ａ又は第Ｖ族Ａ
の元、素、例えばボロンを非晶質カーボンにドープして
ｐ型にすると外部からの電子の注入を阻止し、非晶質シ
リコン光導電層２からのホールの注入を容易にする。し
たがってこれを電荷の移動層および導電性支持体４側か
らの電荷の注入を阻止する電荷注入阻止層として用いる
ときは暗減衰が遅く、残留電位の少い電子写真感光体が
えられる。非晶質カーボン層の比誘電率は約６で、非晶
質シリコン光導電層の比誘電率１０よυもかなシ小さい
。したがってこれを電荷移動層とする多層の電子写真感
光体の比誘電率は、単層の非晶質シリコン光導電層の電
子写真感光体の比誘電率よυも低い。それ故、帯電のた
めのコロナ電流が減少し、光感度の高い電子写真感光体
となるのである。
良好で、これを非晶質シリコン光導電層２の表面保護層
１として用いると耐刷性、耐熱性および耐環境性のすぐ
れた高感度、高解像度の電子写真感光体がえられる。非
晶質カーボン層３は元素周期率表筒■族Ａ又は第Ｖ族Ａ
の元、素、例えばボロンを非晶質カーボンにドープして
ｐ型にすると外部からの電子の注入を阻止し、非晶質シ
リコン光導電層２からのホールの注入を容易にする。し
たがってこれを電荷の移動層および導電性支持体４側か
らの電荷の注入を阻止する電荷注入阻止層として用いる
ときは暗減衰が遅く、残留電位の少い電子写真感光体が
えられる。非晶質カーボン層の比誘電率は約６で、非晶
質シリコン光導電層の比誘電率１０よυもかなシ小さい
。したがってこれを電荷移動層とする多層の電子写真感
光体の比誘電率は、単層の非晶質シリコン光導電層の電
子写真感光体の比誘電率よυも低い。それ故、帯電のた
めのコロナ電流が減少し、光感度の高い電子写真感光体
となるのである。
〔実施例１〕図面のアルミ製導電性支持体４の上にメタ
ンガスのプラズマ分解により、ボロンをドープした非晶
質カーボン層３を０．１〜０．２μｍの厚さに形成する
。なお、基板の温度は１５０〜２００Ｃである。次にこ
の非晶質カーボン層３の上にボロンをドープした非晶質
水素化シリコン光導電層２をプラズマＣＶＤ法によシ１
０〜１５μｍの厚さに形成し、さらにその上に表面保護
層としての非晶質カーボン層１を０．１〜０．２μｍの
厚さに形成して電子写真感光体とした。
ンガスのプラズマ分解により、ボロンをドープした非晶
質カーボン層３を０．１〜０．２μｍの厚さに形成する
。なお、基板の温度は１５０〜２００Ｃである。次にこ
の非晶質カーボン層３の上にボロンをドープした非晶質
水素化シリコン光導電層２をプラズマＣＶＤ法によシ１
０〜１５μｍの厚さに形成し、さらにその上に表面保護
層としての非晶質カーボン層１を０．１〜０．２μｍの
厚さに形成して電子写真感光体とした。
そして正に４００■帯電して非晶質カーボン層１の側か
ら光を入射したところ、高感度で、耐刷性、耐熱性およ
び耐湿性のすぐれた特性を有することが確認された。
ら光を入射したところ、高感度で、耐刷性、耐熱性およ
び耐湿性のすぐれた特性を有することが確認された。
〔実施例２〕アルミ製導電性支持体４の上に、メタンガ
スのプラズマ分解に′よシ、ボロンをドープした非晶質
カーボン層３を５〜１０μｍの厚さに形成し、その上に
、ボロンをドープした非晶質水素化シリコン光導電層２
をプラズマＣＶＤ法によシ５〜１０μｍの厚さに形成し
、さらにその上に表面保護層としての非晶質カーボン層
１を０．１〜０．２μｍの厚さに形成して電子写真感光
体とした。この実施例は非晶質カーボン層３の電荷移動
層としての作用を確認するためのもので、正に４００■
帯電させたところ、同一厚さの非晶質シリコン光導電層
のみの場合よりも帯電のコロナ電流が減少し、光感度も
上昇することが確認された。これは非晶質カーボン層３
がホールの電荷移動層として作用し、電子写真感光体の
比誘電率を下げていることによるものと考えられる。
スのプラズマ分解に′よシ、ボロンをドープした非晶質
カーボン層３を５〜１０μｍの厚さに形成し、その上に
、ボロンをドープした非晶質水素化シリコン光導電層２
をプラズマＣＶＤ法によシ５〜１０μｍの厚さに形成し
、さらにその上に表面保護層としての非晶質カーボン層
１を０．１〜０．２μｍの厚さに形成して電子写真感光
体とした。この実施例は非晶質カーボン層３の電荷移動
層としての作用を確認するためのもので、正に４００■
帯電させたところ、同一厚さの非晶質シリコン光導電層
のみの場合よりも帯電のコロナ電流が減少し、光感度も
上昇することが確認された。これは非晶質カーボン層３
がホールの電荷移動層として作用し、電子写真感光体の
比誘電率を下げていることによるものと考えられる。
〔実施例３〕アルミ展導電性支持体４の上にメタンガス
のプラズマ分解により非晶質水素化カーボン層３を０．
１〜０．２μｍの厚さに形成し、その上にボロンをドー
プした非晶質水素化シリコン光導電層２をプラズマＣＶ
Ｄ法により１〜５μｍの厚さに形成し、さらにその上に
窒素あるいはリンをドープした非晶質水素化カーボン層
１を５〜１０μｍの厚さに形成して電子写真感光体とし
だ。この実施例は表面保護層としての非晶質カーボン層
１に電荷移動層の機能を付与したものであって、正に４
００Ｖ帯電させ、光を表面から入射すると、光は表面の
非晶質水素化カーボン層１を透過して非晶質シリコン光
導電層２で吸収されて電荷を発生し、発生した電荷のう
ち電子は非晶質カーボン層１内を移動して表面電位を低
下させ、高感度の電子写真感光体かえられた。
のプラズマ分解により非晶質水素化カーボン層３を０．
１〜０．２μｍの厚さに形成し、その上にボロンをドー
プした非晶質水素化シリコン光導電層２をプラズマＣＶ
Ｄ法により１〜５μｍの厚さに形成し、さらにその上に
窒素あるいはリンをドープした非晶質水素化カーボン層
１を５〜１０μｍの厚さに形成して電子写真感光体とし
だ。この実施例は表面保護層としての非晶質カーボン層
１に電荷移動層の機能を付与したものであって、正に４
００Ｖ帯電させ、光を表面から入射すると、光は表面の
非晶質水素化カーボン層１を透過して非晶質シリコン光
導電層２で吸収されて電荷を発生し、発生した電荷のう
ち電子は非晶質カーボン層１内を移動して表面電位を低
下させ、高感度の電子写真感光体かえられた。
〔発明の効果〕以上述べたように本発明の電子写真感光
体は、非晶質カーボン層と非晶質シリコン光導電層とを
積層することにより従来のこの種の電子写真感光体のも
つ欠点を解消し、高感度で耐刷性、耐熱性および耐環境
性のすぐれた電子写真感光体とすることができるすぐれ
た効果を有する。
体は、非晶質カーボン層と非晶質シリコン光導電層とを
積層することにより従来のこの種の電子写真感光体のも
つ欠点を解消し、高感度で耐刷性、耐熱性および耐環境
性のすぐれた電子写真感光体とすることができるすぐれ
た効果を有する。
図面は本発明の電子写真感光体の構成を示す模式断面図
である。 １・・・非晶質カーボン層（表面保護層）、２・・・非
晶質シリコン光導電層、３・・・非晶質カーボン層（電
荷移動層および電荷注入阻止層）、４・・・導電性支持
体 一々 −（１□
である。 １・・・非晶質カーボン層（表面保護層）、２・・・非
晶質シリコン光導電層、３・・・非晶質カーボン層（電
荷移動層および電荷注入阻止層）、４・・・導電性支持
体 一々 −（１□
Claims (2)
- （１）非晶質カーボン層と非晶質シリコン光導電層とを
導電製支持体上に積層して形成した電子写真感光体であ
つて、前記非晶質カーボン層は表面保護層としての機能
と、電荷移動層としての機能と、前記導電性支持体側か
らの電荷の注入を阻止する電荷注入阻止層としての機能
を有することを特徴とする電子写真感光体 - （２）前記電荷移動層および電荷注入阻止層としての機
能を有する非晶質カーボン層は、元素周期率表第III族
Ａ又は同第Ｖ族Ａの元素を不純物として含むことを特徴
とする特許請求の範囲（１）の電子写真感光体
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17164785A JPS6231862A (ja) | 1985-08-03 | 1985-08-03 | 電子写真感光体 |
| DE8686110686T DE3681655D1 (en) | 1985-08-03 | 1986-08-01 | Elektrophotographischer photorezeptor. |
| EP19860110686 EP0211421B1 (en) | 1985-08-03 | 1986-08-01 | Electrophotographic photoreceptor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17164785A JPS6231862A (ja) | 1985-08-03 | 1985-08-03 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6231862A true JPS6231862A (ja) | 1987-02-10 |
Family
ID=15927089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17164785A Pending JPS6231862A (ja) | 1985-08-03 | 1985-08-03 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6231862A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01163751A (ja) * | 1986-09-26 | 1989-06-28 | Canon Inc | 電子写真用感光体 |
| US4994337A (en) * | 1987-06-17 | 1991-02-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer |
-
1985
- 1985-08-03 JP JP17164785A patent/JPS6231862A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01163751A (ja) * | 1986-09-26 | 1989-06-28 | Canon Inc | 電子写真用感光体 |
| US4994337A (en) * | 1987-06-17 | 1991-02-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer |
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