JP2638511B2 - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子写真方式の複写
機、光プリンタ等に用いられる電子写真感光体の製造方
法に関する。
機、光プリンタ等に用いられる電子写真感光体の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子写真感光体における光導電体とし
て、10〜40atm%の水素を局在化状態密度を減少せしめる
修飾物質として含む非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉ：
Ｈと記す）が高い光感度、無公害性、及び高い硬度を有
することにより注目され利用されている。
て、10〜40atm%の水素を局在化状態密度を減少せしめる
修飾物質として含む非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉ：
Ｈと記す）が高い光感度、無公害性、及び高い硬度を有
することにより注目され利用されている。
【０００３】しかしながら、上記のａ−Ｓｉ：Ｈで構成
される電子写真感光体ではまだまだ解決すべき問題も多
い。
される電子写真感光体ではまだまだ解決すべき問題も多
い。
【０００４】例えば、第１の問題としてａ−Ｓｉ：Ｈ
は、他の感光体材料である有機光半導体（以下ＯＰＣと
記す）、あるいはＳｅに比較して誘電率が約１１と大き
く（ＯＰＣ：約３、Ｓｅ：約６）静電容量が大きいた
め、表面への帯電処理を行う際には非常に大きな帯電電
流を必要とする。
は、他の感光体材料である有機光半導体（以下ＯＰＣと
記す）、あるいはＳｅに比較して誘電率が約１１と大き
く（ＯＰＣ：約３、Ｓｅ：約６）静電容量が大きいた
め、表面への帯電処理を行う際には非常に大きな帯電電
流を必要とする。
【０００５】また、実用表面電位（〜400Ｖ）を得るに
は表面電荷の電荷密度も高く、この電荷を光除電するた
めには多くの光エネルギーを必要とするため、実際の光
感度は十分高いとは言えない。
は表面電荷の電荷密度も高く、この電荷を光除電するた
めには多くの光エネルギーを必要とするため、実際の光
感度は十分高いとは言えない。
【０００６】さらに、第２の問題としてシラン（ＳｉＨ
4と記す）ガスを原料ガスとしたプラズマＣＶＤ法で
は、堆積速度も10μｍ／Ｈ以下と遅く、ＳｉＨ4ガスも
高価であることから、製造コストの低減は困難である。
4と記す）ガスを原料ガスとしたプラズマＣＶＤ法で
は、堆積速度も10μｍ／Ｈ以下と遅く、ＳｉＨ4ガスも
高価であることから、製造コストの低減は困難である。
【０００７】また、第３の問題は、膜厚においても30μ
ｍ以下で使用されることが多く帯電電界強度も30V/μｍ
程度から、実用の表面電位はＳｅ感光体の800Ｖに比べ5
00Ｖ以下と低い電位で使用されるため、通常の２成分現
像剤では十分な画像濃度のコピーが得られないと言った
問題がある。
ｍ以下で使用されることが多く帯電電界強度も30V/μｍ
程度から、実用の表面電位はＳｅ感光体の800Ｖに比べ5
00Ｖ以下と低い電位で使用されるため、通常の２成分現
像剤では十分な画像濃度のコピーが得られないと言った
問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このような諸問題を解
決する手段として、特開昭54-143645号公報には、有機
半導体材料を用いた機能分離型の感光体が開示されてい
る。
決する手段として、特開昭54-143645号公報には、有機
半導体材料を用いた機能分離型の感光体が開示されてい
る。
【０００９】この有機半導体材料を用いた光導電層上に
形成し用いた場合、誘電率の減少による帯電電位向上が
望めるものの、有機半導体材料は硬度が小さいため、Ｓ
ｉを含む非晶質光導電膜の持つ高い硬度の長寿命感光体
としての特長が生かせない。また、従来の有機半導体上
に温度150℃以上で良質なａ−Ｓｉ：Ｈ膜を形成するに
は耐熱性に乏しいため良好な電子写真感光体が得られな
い。あるいは、耐熱性を有するポリアクリルニトリル
（ＰＡＮ）を加熱処理を行うことも提案されているが、
十分なキャリアの移動度、キャリア寿命のものが得られ
ていないため、残留電位が高く、感度も十分とは言えな
い。
形成し用いた場合、誘電率の減少による帯電電位向上が
望めるものの、有機半導体材料は硬度が小さいため、Ｓ
ｉを含む非晶質光導電膜の持つ高い硬度の長寿命感光体
としての特長が生かせない。また、従来の有機半導体上
に温度150℃以上で良質なａ−Ｓｉ：Ｈ膜を形成するに
は耐熱性に乏しいため良好な電子写真感光体が得られな
い。あるいは、耐熱性を有するポリアクリルニトリル
（ＰＡＮ）を加熱処理を行うことも提案されているが、
十分なキャリアの移動度、キャリア寿命のものが得られ
ていないため、残留電位が高く、感度も十分とは言えな
い。
【００１０】
【課題を解決するための手段】光励起によって移動可能
なキャリアを発生する光導電層と、上記キャリアが効果
的に注入され、且つ注入面から反対面に効果的に移動し
得る電荷移動層とを積層する電子写真感光体の製造方法
において、前記電荷移動層を主鎖にｐ−フェニレンと
Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのいずれかを含む下記の構造を主成分と
する高分子層を形成後に、酸素を含む雰囲気中で加熱処
理を行うことによって耐熱性の優れたキャリア移動度の
大きな、また光導電層からの電荷注入効率の良い電荷移
動層を得る。
なキャリアを発生する光導電層と、上記キャリアが効果
的に注入され、且つ注入面から反対面に効果的に移動し
得る電荷移動層とを積層する電子写真感光体の製造方法
において、前記電荷移動層を主鎖にｐ−フェニレンと
Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのいずれかを含む下記の構造を主成分と
する高分子層を形成後に、酸素を含む雰囲気中で加熱処
理を行うことによって耐熱性の優れたキャリア移動度の
大きな、また光導電層からの電荷注入効率の良い電荷移
動層を得る。
【００１１】
【化２】
【００１２】
【作用】主鎖にｐ−フェニレンとＳ、Ｓｅ、Ｔｅのいず
れかを含む上記の構造を主成分とする高分子層を形成後
に、150〜450℃にて0.1〜15時間の酸素を含む雰囲気中
で加熱処理を行うことによって、高分子層に熱分解反
応、あるいは熱重合反応や酸素ドープを誘起し、ａ−Ｓ
ｉ：Ｈのようなイオン化ポテンシャルの小さな光導電層
に対して耐熱性の優れたキャリア移動度の大きな、また
光導電層からの電荷注入効率の良い電荷移動層を得る。
特に一部の構造変化により光学的禁止帯幅を減少せし
め、注入効率を向上せしめる。
れかを含む上記の構造を主成分とする高分子層を形成後
に、150〜450℃にて0.1〜15時間の酸素を含む雰囲気中
で加熱処理を行うことによって、高分子層に熱分解反
応、あるいは熱重合反応や酸素ドープを誘起し、ａ−Ｓ
ｉ：Ｈのようなイオン化ポテンシャルの小さな光導電層
に対して耐熱性の優れたキャリア移動度の大きな、また
光導電層からの電荷注入効率の良い電荷移動層を得る。
特に一部の構造変化により光学的禁止帯幅を減少せし
め、注入効率を向上せしめる。
【００１３】また、誘電率も３〜３．５と小さく表面電
位の向上と帯電電流の減少をもたらす。
位の向上と帯電電流の減少をもたらす。
【００１４】以上の相乗効果により、残留電位の小さ
な、高感度で帯電電位の大きな電子写真感光体が得られ
る。
な、高感度で帯電電位の大きな電子写真感光体が得られ
る。
【００１５】
【実施例】図１は、本発明における基本的な電子写真感
光体の一実施例の断面を模式的に示したものである。
光体の一実施例の断面を模式的に示したものである。
【００１６】図１に示す電子写真感光体は、電子写真感
光体としての支持体１上に、主鎖にｐ−フェニレンと
Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのいずれかを含む高分子層からなる電荷
移動層２と光導電層３とを有し、前記光導電層３は一方
で自由表面４を有している。
光体としての支持体１上に、主鎖にｐ−フェニレンと
Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのいずれかを含む高分子層からなる電荷
移動層２と光導電層３とを有し、前記光導電層３は一方
で自由表面４を有している。
【００１７】本発明において、光導電層として硬度の高
いシリコンを含有する非晶質層を用い、光導電層として
は、ａ−Ｓｉ（：Ｈ：Ｘ）、ａ−Ｓｉ1-yＣy（：Ｈ：
Ｘ）(０＜ｙ＜１）、ａ−Ｓｉ1-yＯy（：Ｈ：Ｘ）(０＜
ｙ＜１）、ａ−Ｓｉ1-yＮy（：Ｈ：Ｘ）(０＜ｙ＜
１）、ａ−Ｓｉ1-zＧｅz（：Ｈ：Ｘ）(０＜ｚ＜１）、
ａ−（Ｓｉ1-zＧｅz）1-yＮ y（：Ｈ：Ｘ）(０＜ｙ，ｚ
＜１）、ａ−（Ｓｉ1-zＧｅz）1-yＣy（：Ｈ：Ｘ）(０
＜ｙ，ｚ＜１）、または、ａ−（Ｓｉ1-zＧｅz）1-yＯy
（：Ｈ：Ｘ）(０＜ｙ，ｚ＜１）ここでＸはハロゲン元
素の単層、あるいはこれらの積層体を用いる。また、ｙ
を連続的に変化させた場合も使用できる。
いシリコンを含有する非晶質層を用い、光導電層として
は、ａ−Ｓｉ（：Ｈ：Ｘ）、ａ−Ｓｉ1-yＣy（：Ｈ：
Ｘ）(０＜ｙ＜１）、ａ−Ｓｉ1-yＯy（：Ｈ：Ｘ）(０＜
ｙ＜１）、ａ−Ｓｉ1-yＮy（：Ｈ：Ｘ）(０＜ｙ＜
１）、ａ−Ｓｉ1-zＧｅz（：Ｈ：Ｘ）(０＜ｚ＜１）、
ａ−（Ｓｉ1-zＧｅz）1-yＮ y（：Ｈ：Ｘ）(０＜ｙ，ｚ
＜１）、ａ−（Ｓｉ1-zＧｅz）1-yＣy（：Ｈ：Ｘ）(０
＜ｙ，ｚ＜１）、または、ａ−（Ｓｉ1-zＧｅz）1-yＯy
（：Ｈ：Ｘ）(０＜ｙ，ｚ＜１）ここでＸはハロゲン元
素の単層、あるいはこれらの積層体を用いる。また、ｙ
を連続的に変化させた場合も使用できる。
【００１８】このときの膜厚は、電荷移動層は５〜５０
μｍ好適には１０〜２５μｍ、また光導電層の膜厚は
０．５〜１０μｍ好適には１〜５μｍとすればよい。
μｍ好適には１０〜２５μｍ、また光導電層の膜厚は
０．５〜１０μｍ好適には１〜５μｍとすればよい。
【００１９】本発明において、更に電子写真特性を向上
させるために、図１において、支持体１と電荷移動層２
との間に、支持体１から電荷移動層２に注入するキャリ
アを効果的に阻止するための障壁層を設けてもよい。
させるために、図１において、支持体１と電荷移動層２
との間に、支持体１から電荷移動層２に注入するキャリ
アを効果的に阻止するための障壁層を設けてもよい。
【００２０】障壁層を形成する材料としては、Ａｌ
2Ｏ3、ＢａＯ、ＢａＯ2、ＢｅＯ、Ｂｉ2Ｏ3、ＣａＯ、
ＣｅＯ2、Ｃｅ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｌｕ2Ｏ3、
Ｃｒ2Ｏ3、ＣｕＯ、Ｃｕ2Ｏ、ＦｅＯ、ＰｂＯ、Ｍｇ
Ｏ、ＳｒＯ、Ｔａ2Ｏ3、ＴｈＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、
ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、ＳｉＯ、ＧｅＯ等の金属
酸化物またはＴｉＮ、ＡｌＮ、ＳｎＮ、ＮｂＮ、Ｔａ
Ｎ、ＧａＮ等の金属窒化物、またはＷＣ、ＳｎＣ、Ｓｉ
Ｃ、ＴｉＣ等の金属炭化物またはＳｉ2Ｎ3、ＧｅＣ、Ｇ
ｅＮ、ＢＣ、ＢＮ等の絶縁物、ポリイミド、ポリアミド
イミド、ＰＡＮ等の耐熱性を有する有機化合物が使用さ
れる。
2Ｏ3、ＢａＯ、ＢａＯ2、ＢｅＯ、Ｂｉ2Ｏ3、ＣａＯ、
ＣｅＯ2、Ｃｅ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｌｕ2Ｏ3、
Ｃｒ2Ｏ3、ＣｕＯ、Ｃｕ2Ｏ、ＦｅＯ、ＰｂＯ、Ｍｇ
Ｏ、ＳｒＯ、Ｔａ2Ｏ3、ＴｈＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、
ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、ＳｉＯ、ＧｅＯ等の金属
酸化物またはＴｉＮ、ＡｌＮ、ＳｎＮ、ＮｂＮ、Ｔａ
Ｎ、ＧａＮ等の金属窒化物、またはＷＣ、ＳｎＣ、Ｓｉ
Ｃ、ＴｉＣ等の金属炭化物またはＳｉ2Ｎ3、ＧｅＣ、Ｇ
ｅＮ、ＢＣ、ＢＮ等の絶縁物、ポリイミド、ポリアミド
イミド、ＰＡＮ等の耐熱性を有する有機化合物が使用さ
れる。
【００２１】また、クリーニング性あるいは耐摩耗性あ
るいは耐コロナ性を向上させるため、図１における自由
表面４上に表面被覆層を形成する。表面被覆層として好
適な材料としては、ＳｉxＯ1-x、ＳｉxＣ1-x、ＳｉxＮ
1-x、ＧｅxＮ1-x、ＧｅxＯ1-x、ＧｅxＣ1-x、Ｂ
xＣ1-x、ＢxＮ1-x、ＡｌxＮ1-x（０＜ｘ＜１）、および
これらに水素あるいはハロゲンを含有する層等の無機物
などが上げられる。
るいは耐コロナ性を向上させるため、図１における自由
表面４上に表面被覆層を形成する。表面被覆層として好
適な材料としては、ＳｉxＯ1-x、ＳｉxＣ1-x、ＳｉxＮ
1-x、ＧｅxＮ1-x、ＧｅxＯ1-x、ＧｅxＣ1-x、Ｂ
xＣ1-x、ＢxＮ1-x、ＡｌxＮ1-x（０＜ｘ＜１）、および
これらに水素あるいはハロゲンを含有する層等の無機物
などが上げられる。
【００２２】シリコンを含有する光導電層であるａ−Ｓ
ｉ（：Ｈ：Ｘ）の作成には、ＳｉＨ 4、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ3
Ｈ8 、ＳｉＦ4、ＳｉＣｌ4、ＳｉＨＦ3、ＳｉＨ2Ｆ2、
ＳｉＨ3Ｆ、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨ3Ｃｌ
等のＳｉ原子の原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法、ま
たは多結晶シリコンをターゲットとし、Ａｒと水素（さ
らにＦ2叉はＣｌ2を混合してもよい）の混合ガス中での
反応性スパッタ法が用いられる。また、ａ−Ｓｉ1-yＣy
（：Ｈ：Ｘ）(０＜ｙ＜１）、ａ−Ｓｉ1-yＯy（：Ｈ：
Ｘ）(０＜ｙ＜１）、ａ−Ｓｉ1-yＮy（：Ｈ：Ｘ）(０＜
ｙ＜１）の作成には、更に炭素源としてＣＨ4、Ｃ
2Ｈ6、Ｃ3Ｈ8、Ｃ4Ｈ10、Ｃ2Ｈ4、Ｃ3Ｈ6、Ｃ 6Ｈ6等の
炭化水素、ＣＨ3Ｆ、ＣＨ3Ｃｌ、ＣＨ3Ｉ、Ｃ2Ｈ5Ｃ
ｌ、Ｃ2Ｈ5Ｂｒ等のハロゲン化アリル、ＣＣｌＦ3、Ｃ
Ｆ4、ＣＨＦ3、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8等のフロンガス、Ｃ6Ｈ
6-mＦm（ｍ＝１〜６）のベンゼン等のＣ原子原料ガスと
混合してあるいは反応性スパッタ法にはＡｒ等のスパッ
タガスと混合して用いる。また、酸素源としてはＯ2、
ＣＯ、ＣＯ2、ＮＯ、ＮＯ2等、また、窒素源としてはＮ
2、ＮＨ3、ＮＯ等を混合して用いる。
ｉ（：Ｈ：Ｘ）の作成には、ＳｉＨ 4、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ3
Ｈ8 、ＳｉＦ4、ＳｉＣｌ4、ＳｉＨＦ3、ＳｉＨ2Ｆ2、
ＳｉＨ3Ｆ、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨ3Ｃｌ
等のＳｉ原子の原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法、ま
たは多結晶シリコンをターゲットとし、Ａｒと水素（さ
らにＦ2叉はＣｌ2を混合してもよい）の混合ガス中での
反応性スパッタ法が用いられる。また、ａ−Ｓｉ1-yＣy
（：Ｈ：Ｘ）(０＜ｙ＜１）、ａ−Ｓｉ1-yＯy（：Ｈ：
Ｘ）(０＜ｙ＜１）、ａ−Ｓｉ1-yＮy（：Ｈ：Ｘ）(０＜
ｙ＜１）の作成には、更に炭素源としてＣＨ4、Ｃ
2Ｈ6、Ｃ3Ｈ8、Ｃ4Ｈ10、Ｃ2Ｈ4、Ｃ3Ｈ6、Ｃ 6Ｈ6等の
炭化水素、ＣＨ3Ｆ、ＣＨ3Ｃｌ、ＣＨ3Ｉ、Ｃ2Ｈ5Ｃ
ｌ、Ｃ2Ｈ5Ｂｒ等のハロゲン化アリル、ＣＣｌＦ3、Ｃ
Ｆ4、ＣＨＦ3、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8等のフロンガス、Ｃ6Ｈ
6-mＦm（ｍ＝１〜６）のベンゼン等のＣ原子原料ガスと
混合してあるいは反応性スパッタ法にはＡｒ等のスパッ
タガスと混合して用いる。また、酸素源としてはＯ2、
ＣＯ、ＣＯ2、ＮＯ、ＮＯ2等、また、窒素源としてはＮ
2、ＮＨ3、ＮＯ等を混合して用いる。
【００２３】また、ａ−Ｓｉ（：Ｈ：Ｘ）にＧｅを添加
する場合もＧｅＨ4、Ｇｅ2Ｈ6、Ｇｅ3Ｈ8、ＧｅＦ4、Ｇ
ｅＣｌ4、ＧｅＨＦ3、ＧｅＨ2Ｆ2、ＧｅＨ3Ｆ、ＧｅＨ
Ｃｌ 3、ＧｅＨ2Ｃｌ2、ＧｅＨ3Ｃｌ等のガスを上記Ｓｉ
原料ガスと混合しプラズマＣＶＤ法によって形成するこ
ともできる。
する場合もＧｅＨ4、Ｇｅ2Ｈ6、Ｇｅ3Ｈ8、ＧｅＦ4、Ｇ
ｅＣｌ4、ＧｅＨＦ3、ＧｅＨ2Ｆ2、ＧｅＨ3Ｆ、ＧｅＨ
Ｃｌ 3、ＧｅＨ2Ｃｌ2、ＧｅＨ3Ｃｌ等のガスを上記Ｓｉ
原料ガスと混合しプラズマＣＶＤ法によって形成するこ
ともできる。
【００２４】さらに、本発明において、上記の、ａ−Ｓ
ｉ1-yＣy（：Ｈ：Ｘ）(０＜ｙ＜１）、ａ−Ｓｉ1-yＯy
（：Ｈ：Ｘ）(０＜ｙ＜１）、ａ−Ｓｉ1-yＮy（：Ｈ：
Ｘ）(０＜ｙ＜１）、あるいはこれらにＧｅを添加した
膜中に、不純物を添加することによって伝導性を制御
し、所望の電子写真特性を得ることができる。ｐ型伝導
性を与えるｐ型不純物としては、周期律表第III族ｂに
属するＢ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ等があり、好適にはＢ、Ａ
ｌ、Ｇａが用いられ、ｎ型伝導性を与えるｎ型不純物と
しては、周期律表第Ｖ族ｂに属するＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ
等があり、好適にはＰ、Ａｓが用いられる。
ｉ1-yＣy（：Ｈ：Ｘ）(０＜ｙ＜１）、ａ−Ｓｉ1-yＯy
（：Ｈ：Ｘ）(０＜ｙ＜１）、ａ−Ｓｉ1-yＮy（：Ｈ：
Ｘ）(０＜ｙ＜１）、あるいはこれらにＧｅを添加した
膜中に、不純物を添加することによって伝導性を制御
し、所望の電子写真特性を得ることができる。ｐ型伝導
性を与えるｐ型不純物としては、周期律表第III族ｂに
属するＢ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ等があり、好適にはＢ、Ａ
ｌ、Ｇａが用いられ、ｎ型伝導性を与えるｎ型不純物と
しては、周期律表第Ｖ族ｂに属するＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ
等があり、好適にはＰ、Ａｓが用いられる。
【００２５】また、これらの不純物を添加する方法とし
て、ｐ型不純物の場合、Ｂ2Ｈ6、Ｂ 4Ｈ10、Ｂ5Ｈ9、Ｂ5
Ｈ11、ＢＦ3、ＢＣｌ3、ＢＢｒ3ＡｌＣｌ3、（ＣＨ3）3
Ａｌ、（Ｃ2Ｈ5）3Ａｌ、（ｉ−Ｃ4Ｈ9）3Ａｌ、（ＣＨ
3）3Ｇａ、（Ｃ2Ｈ5）3Ｇａ、ＩｎＣｌ3、（Ｃ2Ｈ5）3
Ｉｎを、ｎ型不純物の場合、Ｎ2、ＮＨ3、ＮＯ、Ｎ
2Ｏ、ＮＯ2、ＰＨ3、Ｐ2Ｈ4、ＰＨ4Ｉ、ＰＦ3、ＰＣ
ｌ3、ＰＣｌ5、ＰＢｒ3、ＰＢｒ5、ＰＩ3、ＡｓＨ3、Ａ
ｓＦ3、ＡｓＣｌ3、ＡｓＢｒ3、ＳｂＨ3、ＳｂＦ3、Ｓ
ｂＦ5、ＳｂＣｌ3、ＳｂＣｌ5等のガスを、あるいはこ
れらのガスをＨ2、Ｈｅ、Ａｒで希釈したガスを、プラ
ズマＣＶＤ法ではそれぞれの膜形成時の原料ガスに混合
して用いればよく、反応性スパッタ法では、Ａｒまたは
Ｈ2あるいはＦ2、Ｃｌ2に混合して用いればよい。以下
実施例に付いて述べる。
て、ｐ型不純物の場合、Ｂ2Ｈ6、Ｂ 4Ｈ10、Ｂ5Ｈ9、Ｂ5
Ｈ11、ＢＦ3、ＢＣｌ3、ＢＢｒ3ＡｌＣｌ3、（ＣＨ3）3
Ａｌ、（Ｃ2Ｈ5）3Ａｌ、（ｉ−Ｃ4Ｈ9）3Ａｌ、（ＣＨ
3）3Ｇａ、（Ｃ2Ｈ5）3Ｇａ、ＩｎＣｌ3、（Ｃ2Ｈ5）3
Ｉｎを、ｎ型不純物の場合、Ｎ2、ＮＨ3、ＮＯ、Ｎ
2Ｏ、ＮＯ2、ＰＨ3、Ｐ2Ｈ4、ＰＨ4Ｉ、ＰＦ3、ＰＣ
ｌ3、ＰＣｌ5、ＰＢｒ3、ＰＢｒ5、ＰＩ3、ＡｓＨ3、Ａ
ｓＦ3、ＡｓＣｌ3、ＡｓＢｒ3、ＳｂＨ3、ＳｂＦ3、Ｓ
ｂＦ5、ＳｂＣｌ3、ＳｂＣｌ5等のガスを、あるいはこ
れらのガスをＨ2、Ｈｅ、Ａｒで希釈したガスを、プラ
ズマＣＶＤ法ではそれぞれの膜形成時の原料ガスに混合
して用いればよく、反応性スパッタ法では、Ａｒまたは
Ｈ2あるいはＦ2、Ｃｌ2に混合して用いればよい。以下
実施例に付いて述べる。
【００２６】（実施例１）表面研磨したアルミニウムド
ラムにポリ−ｐ−フェニレンサルファイド（以下ＰＰＳ
と記す）の粉末を〜３００℃で不活性ガス中にてホット
プレスにより〜２０μｍにする。ＰＰＳを溶融するため
プレス時に離型剤を治具に塗布することは言うまでもな
い。形成後表面を鏡面にわずかに研磨し電荷移動層とす
る。この状態でのＰＰＳはわずかに黄色を帯びた透明に
近い膜である。 ＰＰＳは、下記の構造においてＸ：
Ｓ、ｎ＝１０〜３０の高分子であった。
ラムにポリ−ｐ−フェニレンサルファイド（以下ＰＰＳ
と記す）の粉末を〜３００℃で不活性ガス中にてホット
プレスにより〜２０μｍにする。ＰＰＳを溶融するため
プレス時に離型剤を治具に塗布することは言うまでもな
い。形成後表面を鏡面にわずかに研磨し電荷移動層とす
る。この状態でのＰＰＳはわずかに黄色を帯びた透明に
近い膜である。 ＰＰＳは、下記の構造においてＸ：
Ｓ、ｎ＝１０〜３０の高分子であった。
【００２７】
【化３】
【００２８】このドラムを更に空気中にて１５０〜２５
０℃にて０．１〜５時間の加熱処理を行う。このように
して得られたドラムは褐色を帯びたものとなり光学的禁
止帯幅で〜２．４ｅＶであった。
０℃にて０．１〜５時間の加熱処理を行う。このように
して得られたドラムは褐色を帯びたものとなり光学的禁
止帯幅で〜２．４ｅＶであった。
【００２９】これを、長さ４５ｃｍ、内径１６ｃｍφの
円筒型の放電電極を有する容量結合方式プラズマＣＶＤ
装置内に配置し、反応容器内を５×１０-6Ｔｏｒｒ以下
に排気後、アルミニウムドラムを１５０〜２００℃に加
熱した。ＳｉＨ4を５０〜１５０ｓｃｃｍ、Ｃ2Ｈ2を２
〜１０ｓｃｃｍ、Ｂ2Ｈ6をＳｉＨ4に対し５〜１００ｐ
ｐｍ、圧力０．２〜１Ｔｏｒｒ、高周波電力１００〜２
５０Ｗで光導電層としてａ−Ｓｉ1-xＣx：Ｈ層を１〜５
μｍ形成し、続いて、ＳｉＨ4に対してＣ2Ｈ2を２０〜
５０ｓｃｃｍと増加し、表面被覆層としてａ−Ｓｉ1-x
Ｃx：Ｈ層を０．０５〜０．５μｍ形成し電子写真感光
体とした。この時の光導電層のａ−Ｓｉ1- xＣx：Ｈ層の
光学的禁止帯幅が１．７〜１．９ｅＶであり、この感光
帯を６７０ｎｍのＬＥＤを光源とする光プリンタに実装
し、正帯電において＋５００〜８００Ｖの表面電位で鮮
明な印字を確認した。
円筒型の放電電極を有する容量結合方式プラズマＣＶＤ
装置内に配置し、反応容器内を５×１０-6Ｔｏｒｒ以下
に排気後、アルミニウムドラムを１５０〜２００℃に加
熱した。ＳｉＨ4を５０〜１５０ｓｃｃｍ、Ｃ2Ｈ2を２
〜１０ｓｃｃｍ、Ｂ2Ｈ6をＳｉＨ4に対し５〜１００ｐ
ｐｍ、圧力０．２〜１Ｔｏｒｒ、高周波電力１００〜２
５０Ｗで光導電層としてａ−Ｓｉ1-xＣx：Ｈ層を１〜５
μｍ形成し、続いて、ＳｉＨ4に対してＣ2Ｈ2を２０〜
５０ｓｃｃｍと増加し、表面被覆層としてａ−Ｓｉ1-x
Ｃx：Ｈ層を０．０５〜０．５μｍ形成し電子写真感光
体とした。この時の光導電層のａ−Ｓｉ1- xＣx：Ｈ層の
光学的禁止帯幅が１．７〜１．９ｅＶであり、この感光
帯を６７０ｎｍのＬＥＤを光源とする光プリンタに実装
し、正帯電において＋５００〜８００Ｖの表面電位で鮮
明な印字を確認した。
【００３０】このドラムの残留電位は＋１００〜２００
Ｖであった。また、ａ−Ｓｉ1-xＣx：Ｈ層にＧｅを添加
したａ−（Ｓｉ1-zＧｅz）1-xＣx：Ｈを用いれば更に感
度の向上が図られた。
Ｖであった。また、ａ−Ｓｉ1-xＣx：Ｈ層にＧｅを添加
したａ−（Ｓｉ1-zＧｅz）1-xＣx：Ｈを用いれば更に感
度の向上が図られた。
【００３１】また、電荷移動層として硫化高分子層を用
いたが、Ｓｅ、あるいはＴｅのカルコゲン化高分子でも
同様な特性が得られる。
いたが、Ｓｅ、あるいはＴｅのカルコゲン化高分子でも
同様な特性が得られる。
【００３２】表面被覆層としてａ−Ｓｉ1-xＣx：Ｈ層に
代わる材料として０．１〜０．５μｍのａ−Ｇｅ
1-xＣx：Ｈ（０＜ｘ＜１）層をプラズマＣＶＤ法で形成
し、同様に光プリンタに実装したところ、この構成の電
子写真感光体が耐熱性、耐湿性に優れ、５０万枚の耐刷
性を有することを確認した。
代わる材料として０．１〜０．５μｍのａ−Ｇｅ
1-xＣx：Ｈ（０＜ｘ＜１）層をプラズマＣＶＤ法で形成
し、同様に光プリンタに実装したところ、この構成の電
子写真感光体が耐熱性、耐湿性に優れ、５０万枚の耐刷
性を有することを確認した。
【００３３】また、ＰＰＳ高分子層にＴＣＮＱを電子受
容体として０．０５〜０．１ｗｔ％添加することによっ
て更に残留電位が減少し５０〜９０Ｖと小さな電子写真
感光体を得ることができた。
容体として０．０５〜０．１ｗｔ％添加することによっ
て更に残留電位が減少し５０〜９０Ｖと小さな電子写真
感光体を得ることができた。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、光励起によって移動可
能なキャリアを発生する光導電層を、電荷移動層上に積
層する際、前記電荷移動層を主鎖にｐ−フェニレンと
Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのいずれかを含む高分子層を形成した後
に、酸素を含む雰囲気中で加熱処理行うことによって、
耐熱性に優れた、キャリア移動度の大きな、また光学的
禁止帯幅の減少により光導電層からの電荷注入効率のよ
い電荷移動層を形成することが可能となる。
能なキャリアを発生する光導電層を、電荷移動層上に積
層する際、前記電荷移動層を主鎖にｐ−フェニレンと
Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのいずれかを含む高分子層を形成した後
に、酸素を含む雰囲気中で加熱処理行うことによって、
耐熱性に優れた、キャリア移動度の大きな、また光学的
禁止帯幅の減少により光導電層からの電荷注入効率のよ
い電荷移動層を形成することが可能となる。
【００３５】以上の相乗効果により残留電位の小さな、
高感度で帯電電位の大きな電子写真感光体が得られる。
高感度で帯電電位の大きな電子写真感光体が得られる。
【図１】本発明の一実施例における電子写真感光体の断
面図
面図
１ 支持体 ２ 電荷移動層 ３ 光導電層 ４ 自由表面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秋山 浩二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 渡辺 正則 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭56−95354（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−90954（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−59353（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】光励起によって移動可能なキャリアを発生
する光導電層と、上記キャリアが効果的に注入され、且
つ注入面から反対面に効果的に移動し得る電荷移動層と
を積層する電子写真感光体の製造方法において、前記電
荷移動層を主鎖にｐ−フェニレンとＳ、Ｓｅ、Ｔｅのい
ずれかを含む下記の構造を主成分とする高分子層を形成
後に、酸素を含む雰囲気中で加熱処理を行う工程を含む
電子写真感光体の製造方法。 【化１】 - 【請求項２】高分子層に電子受容体を添加することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体の
製造方法。 - 【請求項３】光導電層が局在化状態密度を減少せしめる
修飾物質を含む非晶質層を形成する工程を有する特許請
求の範囲第１項記載の電子写真感光体の製造方法。 - 【請求項４】光導電層が、少なくとも水素あるいはハロ
ゲン元素のいずれかを含む特許請求の範囲第３項記載の
電子写真感光体の製造方法。 - 【請求項５】自由表面に表面被覆層を形成する工程を有
する特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6269437A JP2638511B2 (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | 電子写真感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6269437A JP2638511B2 (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | 電子写真感光体の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62111002A Division JPH07120057B2 (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07271074A JPH07271074A (ja) | 1995-10-20 |
| JP2638511B2 true JP2638511B2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=17472428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6269437A Expired - Lifetime JP2638511B2 (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2638511B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11749833B2 (en) | 2012-04-11 | 2023-09-05 | Ionic Materials, Inc. | Solid state bipolar battery |
| US10559827B2 (en) | 2013-12-03 | 2020-02-11 | Ionic Materials, Inc. | Electrochemical cell having solid ionically conducting polymer material |
| US9819053B1 (en) | 2012-04-11 | 2017-11-14 | Ionic Materials, Inc. | Solid electrolyte high energy battery |
| WO2015153729A1 (en) * | 2014-04-01 | 2015-10-08 | Ionic Materials, Inc. | High capacity polymer cathode and high energy density rechargeable cell comprising the cathode |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5590954A (en) * | 1978-12-29 | 1980-07-10 | Toray Ind Inc | Photoconductor |
| JPS5695354A (en) * | 1979-12-28 | 1981-08-01 | Akira Okumura | Dispensing and discharging method of liquid component in centrifugal rotor |
| JPS6059353A (ja) * | 1983-09-13 | 1985-04-05 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
-
1994
- 1994-11-02 JP JP6269437A patent/JP2638511B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07271074A (ja) | 1995-10-20 |
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