JPS62242948A

JPS62242948A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPS62242948A
Application number: JP8744986A
Authority: JP
Inventors: Eiichiro Tanaka; 栄一郎田中; Koji Akiyama; 浩二秋山; Akio Takimoto; 昭雄滝本; Kyoko Onomichi; 尾道　京子; Masanori Watanabe; 正則渡辺
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1986-04-15
Filing date: 1986-04-15
Publication date: 1987-10-23

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、電ｒ写ｌ”Ｌ方式の複写機、光プリンタ等に
用いられる電子写真感光体に関する。

（従来の技術）電子写１°を感光体における光導電体として周知なもの
に、局在化状態密度を減少する修飾物質として１０〜４
０ａｔｉ＋％の水素を含む非晶質シリコン（以下ａ−Ｓ
ｉ：Ｈと記す）が高い光感度、無公害性、及び高い峻度
を有することにより注目され利用されている。

しかしながら、１ユ記のａ−５ｉ：Ｈで構成される電子
写真感光体ではまだまだ次のような問題がある。

例えば、第１の間類としてａ−５ｌ　：Ｈは、他の感光
体材料である有機光゛１−導体（以下ＯＰＣと記す）、
あるいはＳｅに比較して誘電率が約１１と人きく　（Ｏ
ＰＣ：約３．Ｓｅ：約６）、静電古川が人きいため、表
面への帯電処理を行う際には非常に大きな帯電電流を必
四とする。

また、実用表面電位（〜４００Ｖ）を得るには表面電荷
の電荷密度も高く、この電荷を光除電するためには多く
の光エネルギーを必要とするため、実際の光感度は１分
高いとはｉｏえない。

さらに、ａ−５ｉ：Ｈ膜の製膜に際して最も良（用いら
れるシラン（ＳｉＨ４と記す）ガスを原料ガスとじたプ
ラズマＣＶＤ法では、堆積速度も１０μｍ／Ｈ以−ドと
遅＜、シランガスも高価であることから、製造コストの
低減は困難である。

また、膜厚においても３０μｍ以下で使用されることか
ら、実用の表面電位はＳｅ感光体の８００ｖに比べ５０
０ｖ以下と低い電位で使用されるため、通常の２成分現
像剤では１・分な画像濃度のコピーが得られないと言っ
た問題がある。

史に、前記のａ−５ｌ二Ｈが有する諸問題を解決する１
段として、特開昭５４−１４３８４５号公報で開示され
たように、有機゛１４導体材料を用いた機能分ｉＩ！Ｉ
Ｉ型の感光体が、また特開昭５８−２４３５５−シ公報
で間車されているように、ｊ！！！機半導機材導体材料
た機能分１１１１ｔ　Ｊ’ｌ’ｌ感光体が知られている
。

（発明が解決しようとする問題点）然し乍ら、前者の有機゛１４導体材料を用いた機能分子
ｉ４１町＋１感光体の場合は、誘電率の減少による帯電
電位の向１−が望めるものの、有機゛１′：導体材料の
硬度が小さいため、ａ−５ｌ：Ｈ膜の持つ高い硬度の長
寿命感光体としての特長が活かせないことから、決して
自″効な手段とは；ｉｏえない。

また、後者、の無機半導体材料を用いた機能分離型感光
体においては、多結晶化しやすいカルコゲン材料、ある
いは誘電率の大きなＳｉＣ等を用いるため温度特性の低
下、あるいは表面電位の向上が期待されないと、ｊ゛う
問題があった。

本発明は以十、の実情に鑑み、誘電率及び表面電荷密度
の減少によって、帯電電位及び光感度を向１〕でき、し
かも低コストで高硬度長寿命の電ｒ−写１°〔感光体を
提供する点に目的をイｆする。

（問題点を解決するための手段）１−記の目的を達成するために本発明に係る電子写真感
光体は、光励起によって移動可能なキャリアを発生する
光導電層と、非晶質カーボンを主成分とする電荷移動層
とが積層し、その電荷移動層の誘電率が２．３〜３とし
たことを特徴とするものである。

（作用）」ユ記のような特徴構成をもつ本発明に係る電子写真感
光体によれば、誘電率が２．３〜３と小さい電荷移動層
を形成する主成分の非晶質カーボンは、光′？的禁市帯
幅が２．１ｅＶ　〜２．６ｅＶと大きく、例えば約１．
８ｅＶのａ−Ｓｌ：Ｈを光導電層として、これに、誘電
率が２．３〜３と小さな非晶質カーボンを主成分とする
電荷移動層を積層して機能分離型の感光体としたもので
は、感光体全体として誘電率の著しい減少により帯電時
の帯電電流が減少し、また表面電荷密度も減少すること
から光感度も向」ニさせることが可能となる。

また、誘電率が２．３〜３と小さな非晶質カーボンはａ
−５ｔ：ＨＩＱのみで形成される感光体の１／４〜１１
５の膜厚で同程度の電−ｒ写真特性を得ることができる
。さらに、非晶質カーボンの製膜にプラズマＣＶ　Ｉ）
　法を使用した場合の原料ガスとしては、ＳｉＨ４ガス
に比べて安価なＣＨ，、Ｃ，Ｈ，。

Ｃ，Ｈ，、Ｃ，Ｈ，、Ｃ，Ｈ，、Ｃ，Ｈ，などのガスが
使用Ｉ１７能であり、そのため、感光体の製造コストを
大幅に低減できる。

反面、誘電率の小さな非晶質カーボンは光学的禁１１−
帯幅が約０．３ｅＶ以上人きいため、電荷発生層からの
電４：ｊ注大効率に問題がある。

しかし、」−記の誘電率が２．３〜３と小さな非晶質カ
ーボンは、非晶質シリコンを主成分とする電荷発生層と
の伝導帯が近似しているのであり、それ故に、電子を移
動ｉ＋（能なキャリアとする感光体を製作可能で、非常
に高感度な感光体が得られることになるのであり、これ
らは以ド述べる実施例群において確認した。

（実施例）第１図及び第２図は、本発明における最も基本的な電子
写真感光体の実施例の断面を模式的に示したものであっ
て、第１図は電ｒ写ｒ〔感光体としての支持体（１）上
に、少なくとも水素またはハロゲン原ｆ’　（Ｘ）を金
白する非晶質カーボン（以下Ａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）と略記
する。但しＸ＝Ｆ、ＣＩ、Ｂｒ又は１゜）を主成分とす
る電荷移動層（２）とシリコンを含む光導電層（３）と
を積層してなり、前記光導電層（３）は−力で自由表面
（４）を有している。第２図は電荷移動層（２）と光導
電層（３）とを第１図のものとは支持体（＋）に対しに
上述に配置して、電荷移動層（２）の一方を自由表面（
４）としたものである本発明において、シリコンを含有
する光導電層（３）としては、ａ−５ｌ（：ＩＩ：Ｘ）
、ａ−５ｉｘ　−ｙｃｙ（：Ｈ：Ｘ）（０＜３１（１）
　　、　ａ−３ｉ１−ｙｏｙ（：Ｈ：Ｘ）（０＜ｙ〈置
）、　ａ−５ｉｔ　−ｙＮｙ（：Ｈ：Ｘ）（０＜ｙく璽
Ｌ　　ａ−５ｉ１−ｘＧｅｚ（：Ｈ：Ｘ）（Ｏくｚ＜１
）　　、　ａ−（Ｓｉ１−ｘＧｅｚ）ｚ　−ｙＮｙ（：
Ｈ：Ｘ）（Ｏくｙ、Ｚ（１）、　ａ−（Ｓｈ　−ｔＧｅ
ｚｈ−、Ｏｙ（：Ｈ：Ｘ）（Ｏｃ：ｙ、ｚ＜ｌ）、また
はａ−（Ｓｌｔ−ｚＧｅＺ）１−ｙＣｙ（：Ｈ：Ｘ）（
０（ｙ、Ｚ（＋）の中層、あるいはこれらの積層からな
る。また、ｙを連続的に変化させたものを使用しても良
い。

この時の膜厚において、電荷移動層（２）は５〜５０　
Ｉｚ　ｍ　Ｎ好ましくは１０〜２５μｍ１また光導電層
（３）は０．５〜ｌｏｌ１ｍｔ好ましくは１〜５ｔｔ　
ｍとすれば良い。

本発明において、史に電ｒ写１°〔特性を向１−させる
ために、第１図において、支持体（１）と電荷移動層（
２）との間に、支持体（＋）から電荷移動層（２）に注
入するキャリアを効果的に阻止するため障ｕ、ｙ層（図
示省略）を設けてもよい。

この障壁層を形成する材料としては、Ａｌ□０３、Ｂａ
０１ＢａＯｚ１Ｂｅ０１ＢＩｚＯ１、ＣａＯ１ＣｅＯｚ
、　ＣｅｚＯ。

、Ｌａｔ、ｓ　、ＤｙｚＯｘ　、ＬｕｚＯｓ　、Ｃｒｚ
Ｏｓ　、ＣｕＯｓ　Ｃｕ２Ｏ、ＦｅＯｓ　ｐｂｏ　、Ｍ
ｇＯ１ＳｒＯ、ＴａｚＯｓ　、Ｔｈｏｚ、　Ｚｒ０ｚ、
Ｈｆｏｚ％Ｔｉ（ｈ、ＴｉＯ１Ｓ１０２、ＧｇＯ□、Ｓ
ｉＯ、ＧｅＯ等の金属酸化物またはＴＩＮ　、　ＡＩＮ
　、　ＳｎＮ　１ＮｂＮ　、　ＴａＮ　、　ＧａＮ等の
金属窒化物、またはＷＣｌＳｎＣ、Ｔｉｃ等の金属炭化
物またはＳＩＣ、ＳｊＮ　１ＧｅＣ、ＧｅＮ　１ＢＣ１
ＢＮ等の絶縁物、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポ
リウレタン、ポリパラキシレン等の有機化合物が使用さ
れる。

また、クリーニング性あるいは耐摩耗性あるいは耐コロ
ナ性を向トされるため第１図および第２図において、自
由表面（４）上に表面被覆層（図示省略）を形成しても
良い。この表面被覆層として好適な材料は、Ｓｌｘ　（
ｈ−ｘ　％　５ＩｘＣ１−’　１ＳＩｘＮｌ−ｘ、Ｇｅ
ｘＯｉ−ｘ　　、　　ＧｅＸＣ１−Ｘ　　、　Ｇｅ夙Ｎ
１−ｘ　　、　ＢＪＩ−ｘｌ　　ＢＡＣ）−Ｘ、Ａ１．
ＮＺ−ｘ（０（Ｘ（１）、およびこれらに水素あるいは
ハロゲンを含有する層等の無機物、あるいはポリエチレ
ンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリプロピレン
、ポリ塩化ビニルポリビニルアルコール、ポリスチレン
、ポリアミド、ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エ
チレン、ポリ弗化ビニリデン、ポリウレタン等の合成樹
脂などが揚げられる。

ａ−Ｃ（：ｌ：）［）の作成には、ＣＨ，、Ｃ，Ｈ，、
Ｃ。

Ｈ，、Ｃ，Ｈ頽、Ｃ，Ｈ，、Ｃ，Ｈ，、Ｃ，Ｈ。

、Ｃ，Ｈ，、Ｃ，Ｈ，、Ｃ，Ｈ，、Ｃ，Ｈ，等の炭化水
素、ＣＨ，Ｆ、ＣＨ，Ｃ１，ＣＨ，１，Ｃ−１Ｈｓ　　
Ｃ１，Ｃｔ　　Ｈｓ　　Ｂｒ、等のハロゲン化アリル、
ＣＣＩＦ＝　、　ＣＦ−、ＣＨＦ−、Ｃ−Ｆ−、ＣＩＦ
ｌ等のフロンガス、Ｃｍ　　Ｈａ　−ｍＦ＋ｎ（ｍ＝１
〜ｅ）の弗化ベンゼン等のＣ原ｒ・のＪ５”、ｉ料ガス
を用いたプラズマＣＶ　ｌ）法、または、ゲラファイト
をターゲットとした、Ａｒｔ　Ｈｌ　、　　Ｆｓ　、Ｃ
１ｓ　、ＣｍＨ，、Ｃ，Ｈ，中での反応性スバンタ法が
使用される。

シリコンを含有する光り電層であるａ−５ｔ（：ＩＩＸ
）、　　ａ−５ｉｘ−ｙｃｙｌＨ：Ｘ）（０＜ｙ（１）
　　、　ａ−Ｓｉｔ−ｙｏｙ（：Ｈ：Ｘ）（Ｑ＜ｙ＜　
ｌ　）、あるいはａ−Ｓｉｔ−ｙＮｙ（：Ｈ：Ｘ）（Ｏ
＜ｙｃｌ）の作成には、ＳｉＨ４，５ｉｚｅｓ　、５Ｉ
３ＨＩ　、５ＩＦａ、５ｉＣ１，，５ｔｆｌＦｓ　、５
ＩＨｚＦ２．５ＩＨ３Ｆ　、　５ＩＨＣｈ、５ＩＨ２Ｃ
１１，５ｉＨ３Ｃ１等のＳｉ原ｒの原料ガスを用いたプ
ラズマＣＶＩ）法、または多結晶シリコンをターゲット
とし、ＡｒとＨ，（さらにＦ！又はＣ１，を混合しても
良い）の混合ガス中での反応病ミスバ、ツタ法が用いら
れる。また、ａ−５ｉ１−ｙＣｙ（’旧Ｘ）（Ｏ＜ｙ＜
ｌ）、ａ−Ｓｉｚ−ｙＵ２（：Ｈ：Ｘ）（０＜ｙ（＋）
、　ａ−５１１・ｙＮｙ（：ｌＩ：Ｘ）（Ｏぐｙく重）
の伯・１戊には、史に炭素源、として、ＣＨ，、Ｃ，Ｈ
，。

Ｃ，Ｉ−１，、Ｃ，Ｈ工。、−Ｃ，ｔ＋、　、　Ｃ，Ｈ
，、Ｃ。

Ｈ，、Ｃ，Ｈ，、Ｃ，Ｈ，、Ｃ，Ｈ，、Ｃ，Ｈ。

等の炭化水素、ＣＨ，Ｆ、ＣＨ，Ｃ１，ＣＨ，Ｉ、　Ｃ
ｓ　Ｈｉ　Ｃｌ＋　Ｃｚ　Ｈｓ　Ｂｒ、等のハロゲン化
アリル、ＣＣＩＦ、、ＣＦ、、ＣＨＦ、、Ｃ，Ｆ。

＋　　Ｃｓ　　Ｆ＊　”！ｊのフロンガス、Ｃｓ　　Ｈ
ｓ　−ｍＦｈ＋　（ｍ＝１〜６）の弗化ベンゼン等のＣ
原ｒの原料ガスをプラズマＣＶＤ法に用いるシリコン原
料ガスと混合して、あるいは、反応性スパッタ法にはＡ
ｒ等のスパッタガスと混合して用いる。また、酸素源と
しては０．　、Ｃ０１Ｃｏ、　、Ｎｏ、ＮＯｌ等、また
、窒素源としてはＮ、　、ＮＨ，、Ｎｏ等を混合して用
いる。

また、ａ−５ｊ（：Ｈ：Ｘ）　　にＧｅを添加する場合
もＧｅＨ＊、ＧｅＪｓ　、Ｇｅ５Ｈａ　、ＧｅＦ＋、Ｇ
ｅＣｌ４　、ＧｅＨＦ＝　％　ＧｅＨｔＦ２、ＧｅＨＩ
Ｆ　１ＧｅＨＣｌｓ、ＧｅｔｌｚＣＩｓ　、Ｇｅ１１３
ＣＩ等のガスをに記Ｓｉ原子の原料ガスと混合しプラズ
マＣＶＤ法によって形成することもできる。

さらに、本発明において、ｌ−記のａ−５ｉ（：Ｈ：Ｘ
）、ａ−５ｉｘ−ｙＣｙ（：Ｈ：Ｘ）（Ｏくｙくｌ）　
　、　ａ−５ｉ１−ｙｏｙ（’Ｈ：Ｘ）（０くｙ＜ｌ）
、ａ−５ｉ１−ｙＮｙ（：Ｈ：Ｘ）（０＜ｙ＜１）、あ
るいはこれらにＧｅ添加のこれらの膜中に、不純物を添
加することにより伝導性を制御し、所望の電子写真特性
を得ることも１丁能である。ｐ型伝導性をｌｊ、えるｐ
型不純物としては、周期律表第■族すに属するＢ。

Ａ　Ｉ　＋　Ｇ　ａＩ　　Ｉ　ｔｌ等があり、好適には
Ｂ、ＡＩ。

（ｙ　ａが用いられ、ｒｌ型伝導性をりえるｎ型不純物
としては、周期律表第■族すに属するＮ、　Ｐ、　Ａｓ
、Ｓｂ等が自り、好適にはＰ　＋　Ａ　ｓが用いられる
。

また、これらの不純物を添加する方法として、ｐ型不純
物の場合、ＢＺ　Ｈ＆、８４　Ｈ，。、Ｂ、ＩＱ、Ｔｏ
Ｈｌｌ、Ｂ４Ｈ＋ｚ、Ｂ、Ｉｌ、、、ＢＦ−、ＢＣＩｉ
、ＢＢｒ３、ＡｌＣｌ５　、（Ｃ１ｈ）−ＡＩ、（ＣＪ
ｑ）ｓＡｌ　ｓ　（ＩＣ４Ｈｑ）ＩＡｌｌ（ＣＩ？）Ｉ
ＧａＮ　（ＣＪｃ、）ｉＧａ　１１ｎＣＩ＝　、（Ｃ２
■ｙ）Ｉｌｎを、ｎ型不純物の場合、Ｎ２、ＮＨ，、Ｎ
ｏ、Ｎ−１０％　ＮＯｓ　％　ＰＨ３、Ｐ２Ｈ４、ＰＨ
４＋１ＰＦｓ　１ＰＦｓ　１ＰＣＩ１１ＰＣ１ｑ、ＰＢ
ｒ３、ＰＢｒｒ、Ｐｌ、　、　ＡｓＨ２、ＡＳＦ３、＾
ｓｃ＋、　、ＡｓＢｒ、　、５ｂＨｘ、ＳｂＦ　ｑ、Ｓ
ＢＦ　＝；、５ｂＣ１，，５ｂＣＬ＄等のガスを、ある
いはこれらのガスをＨｚ＋　Ｈｅ、　Ａｒで希、釈した
ガスを、プラズマＣＶり法では、それぞれの膜形成時に
おいて、使用する！−記のＣ原ｆ’１Ｓｔ原ｒ等の原料
ガスと混合して用いれば良く、反応性スパッタ法では、
ＡｒまたはＨ２あるいはＦｚｌＣｌｌ　に混合して用い
れば良い。

以下天川的な実施例について述べる。

実施例１゜鏡面研磨したアルミニウム基板を６インチの放電電極を
有する車行重板型の容ｌ結合方式プラズマＣＶ　Ｉ）　
’Ａ置内に配置し、反応容器内を５　Ｘ　Ｉ　Ｏ−’Ｔ
ｏｒｒ以下に排気後、基板を１５０〜２００℃に加熱し
た。Ｃ，Ｈ，を１０＝８０ｓｃｃｍ、Ｈｅ希釈ガスを１
５〜２０ｓｅｃＩｌ装置内に導入し、反応容器内の圧力
を０．１〜０．８Ｔｏｒｒに調整した。１３゜５６ＭＨ
ｚの高周波電力８０〜１００Ｗの条件でａ−〇：Ｈ層を
電荷移動層として２５μｍ厚に形成し、つぎに５ｉＨａ
　を１０〜４０ｓｅｃ＋ｓ導入し、圧力０、２〜１　、
０Ｔｏｒｒ１高周波電力２０〜１００Ｗでノンドープ（
ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ）　ａ−５ｌ：０層を光導電層とし
て０．５〜５μｍ厚に形成し、更に、５ｉＨａ　を１０
〜３０ｓｃｃｍ１Ｃ，Ｈ，を２０〜４０ｓｅｃｍ導入し
、圧力０．２〜１．０Ｔｏｒｒ、高周波電力５０〜１５
０Ｗで５ｈ−ｘｃ（：Ｈ（０＜ｘ＜１）を表面被覆層と
して０．０８〜０．３ｔｔｍ厚に形成して電ｒ写真感光
体を作成した。

この時のａ−Ｃ：■層の誘電率は２．５〜３と小さい値
を、ｊ（シた。また、この電Ｆ’　”Ｊｌｏ〔感光体を
−６、ＯＫＶでコロナ帯電させたところ、−３２００Ｖ
の表面電位を得ることができ、白色光で露光したところ
、残留電位−３０Ｖ以ドで）１１減電位露光Ｉ１１は１
　ｌｕｘ　ｓｅｃ以下と非常に高い感度が得られた。ま
た、この感光体を一９００Ｖに帯電させ同じく白色光に
て露光したところ、半減電位露光電は０　、２　ｌｕｘ
　ｓｅｃ以下と感度は非常に高い。これを、従来のａ−
Ｓｉ：Ｈの２０μｍからなる感光体を＋４００ｖに帯電
させ白色光で露光した場合と比較すれば３倍の感度があ
り、＋１）視光のみに限り露光を１１Ｔ度行い比較した
ところ、４信置１ｊの感度が確認された。また、同じコ
ロナ電位での帯電ではａ−５ｉ：Ｈのみに比べ、帯電電
位も４倍量１−と少ない帯電電流で高い感度の感光体が
得られることを示したこれは、誘電率２．５〜３のａ−
Ｃ：０層は電子の電る：ｆ移動層として機能し、電ｒ写
１°〔感光体の誘電率を減少させているためである。

また、０．２〜２μｍ厚のａ−５ｔ：Ｈ光導電層に酸素
を２００〜３０００ｐｐｍ添加した場合も、Ｂを０．５
〜５　ｐｐｍ添加した場合も」−記と同様な特性を示す
電ｒ写１゛〔感光体を形成できた。

また、Ｃ，Ｈ，にＣＦ、を１％混合しａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ
）膜を形成した場合、誘電率は２．３〜２．５となりＩ
−記と同様な特性が得られた。

実施例２゜鏡面研磨したアルミニウムドラムを、長さ４５ｃｆｆｉ
、内径１６ｃｆｆｉΦの円筒型の放電電極を有する容ｔ
Ｉ記結合方式プラズマＣＶ　Ｉ）装置内に配置し、反応
容器内を５　Ｘ　１０−’　Ｔｏｒｒ以下に排気後、ア
ルミニウムドラムを１５０〜２００℃に加熱した。Ｓｉ
Ｈ４を５０〜１５０ｓｅｃｍ１Ｈ，希釈した４００ｐｐ
ｍのＢ、　Ｈ，を５０〜１５０ｓｅｃｍ導入し、圧力０
、２〜１．０Ｔｏｏｒ１高周波電力１００〜２５０Ｗで
、障壁層としてｐ型ａ−Ｓｔ：Ｈ層を０．３〜１．５μ
ｍ厚に形成し、つぎにＳ　Ｉ　Ｈａ　を５０〜１５０Ｓ
ＣＣ１１１圧力０．２〜１　、０Ｔｏｏｒ、高周波電力
１００〜２５０Ｗでノンドープ（ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ）
　、ａ−５ｉ：Ｈ層を１〜５　／１ｍＪ’ノに形成し、
続いて、Ｓ　ｒ　Ｈａ　に加えてＣ，Ｈ，を２０〜５０
ｓｅｃｍ導入し、ａ−５ｉｚ−ＸＣＡ層を０．５〜１μ
ｍ厚に形成した。次に、５ＩＨ４を遮断し、Ｃ，Ｈ，の
みで５〜１０／ｌｚｍ厚に形成し電子写真感光体とした
。この１１，５のａ−Ｃ：Ｈ層の誘電率は２．３〜２．
５であり、光学的禁１゜帯幅が２．６ｅＶであり、この
感光体を８７０ｎｍのＬ　Ｅ　ｆ）を光源とする光プリ
ンタに実装し、ＩＥ帯電において＋５００〜８００Ｖの
表面電位で鮮明な印字が得られることを確認した。また
、光導電層であるａ−Ｓｌ　：Ｈ層に代わりａ−５ｌ（
：Ｈ：Ｆ）を、ａ−５１１−ｘＣ（層に代わってａ−５
ｌｔ−ｒＯｃ層、ａ−５ｈ−ｘＮｘ層を用いてもＩ−記
と同様な特性を持つ電子写１°Ｌ感光体を形成できた。

また、ａ−Ｓｌ：Ｏあるいはａ−Ｓｉ（：Ｈ：Ｆ）にＧ
ｅを添加したａ−５ｉ１−ｘＧｅｚ：Ｈｌａ−５ｉＧｅ
：Ｈ，ａ−５ｉ１−ｚＧｅｉ（：Ｈ：Ｘ）（０（Ｚ（１
）を用いれば史に感度の向１・、が計られた。

実施例３゜実施例２で制作した電ｒ写１′〔感光体に、表面被覆層
として０．１〜０．５．ｃｚｍ厚のａ−Ｇｅ１−ｘｃｘ
：Ｈ（０（Ｘ（１）をプラズマＣＶ　Ｄ法で形成し、実
施例２で使用した光プリンタに実装したところ、この構
成の電子写ｊ：を感光体が耐熱性、耐湿性に優れ、５０
万枚の耐刷性を有することが確認された。

実施例４゜実施例２で製作した電子写真感光体に、表面被覆層とし
てポリカーボネート樹脂を乾燥後の膜厚が１μｍとなる
ように均一に塗布し電子写真感光体を得た。実施例２で
使用した光プリンタに実装したところ、この構成の電子
写真感光体は耐湿性に優れ５ｈ枚以りの耐刷性を有する
ことを確認した。

実施例５゜表面にＭｏを蒸着した基板１−に、実施例１のプラス？
　ＣＶ　Ｉ）法ニより、Ｐを５００〜１０００原子ｐｐ
ｎ＋含有するａ−Ｃ：Ｈ層を６　ｔｔ　ｍ厚さ、Ｐを０
゜５〜５０原Ｙ　ｐｐ＋＊含自°金白ａ−５ｌ　：Ｈ層
を０．５〜２μｍ厚、オヨびＳｉ　−Ｎ　：Ｈ層を０．
１−０．２μｍ厚順次積層して電ｒ写１゛〔感光体を作
成した。この感光体を−６，ＯＫＶでコロナ帯電をした
ところ、表面電位−８００ｖを得、白色光に対し、０、
４　ｌｕｘ　ｓｅｅの゛１１減電位露光ｊｉｌと１１）
感度で、残留電位も一１５Ｖ以ドであった。この場合、
Ｐ添加したａ−Ｃ：Ｈ層は電ｒの電φ：ｆ移動層として
機能している。

実施例６゜アルミニウム支持体（１）　ｌに、Ｃ，Ｈ，を用いてプ
ラズマＣＶＤ法により光学的禁１に帯幅２．３〜２．６
ｅＶ、誘電率２．３〜２．５のノンドープ（ｎｏｎ−ｄ
ｏｐｅｄ）　、ａ−Ｃ：Ｈ層と１０−１５μｍＪ２に形
成し、その後Ｓ＋Ｈａ　と５ｉＦ１の混合ガスにより光
導電層としてａ−５ｉ　：Ｈ：Ｆ層を１〜３　ｔｔ　ｍ
形成した。

次に、Ｓ　ｒ　Ｆ　４　をＮ、に切り替え、表面被覆層
としてａ−５ｉ　−Ｎ　（０（Ｘ（＋）を０．０８〜０
．２ｕｍ１°ノに形成し電ｒ写１°Ｌ感光体をｊ！Ｊた
。

この感光体に−６，ＯＫＶのコロナ電圧で帯電処理を行
った。表面電位は一１５００Ｖと高い電位が得られ、白
色光によって゛１１減電位露光ｉ＋ｔは０′、　５　ｌ
ｕｘ　ｓｅｅと高感度が実証された。これは誘電率２．
３〜２．５のノンドープ（ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ）　、ａ
−Ｃ：Ｈ層が１・、記の範囲では電ｒに対し能率良い電
荷移動層として機能していることを裏付けている。

また、表面被覆層としてａ−Ｇｅ　−Ｃ：Ｈ（０（Ｘ（
１）を０．１〜０．５ｔ１ｍ厚に形成した感光体は繰り
返し帯電の１１１現が特に優れ、１−記と同様な特性が
再現良く得られることを確認した。

（発明の効果）以１−の拡実施例の説明からも明らかなように、本発明
に係る電ｒ写真感光体は、非晶質カーボンを゛Ｌ酸成分
し、誘電率が２．３〜３である電荷移動層と光励起によ
って移動可能なキャリアを発生する光導電層とを積層す
ることにより、感光体全体としての誘電率を非晶質シリ
コンのみから構成されるものに比べて、著しく減少する
ことが可能で、帯電時のコロナ電流を極めて小さくでき
、かつ可視光に対する感度も非常に高め得る。しかも低
コストで高硬度長寿命であり、更に耐刷性、耐環境性（
耐熱性、耐湿性等）に　優れた効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、それぞれ本発明の実施例におけ
る電ｒ写１“〔感光体の実施例の断面模式図である。（：）・・・支持体、（２）・・・電荷移動層、（３）
・・・光導電層、（４）・・・自由表面。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光励起によって移動可能なキャリアを発生する光
導電層と、非晶質カーボンを主成分とする電荷移動層と
が積層された電子写真感光体において、前記電荷移動層
の誘電率が２．３〜３である電子写真感光体。
（２）前記非晶質カーボン層が、少なくとも水素あるい
はハロゲン元素を含む特許請求の範囲第１項記載の電子
写真感光体。
（３）前記光導電層が、局在化状態密度を減少する修飾
物質を含む非晶質層である特許請求の範囲第１項記載の
電子写真感光体。
（４）前記光導電層が、少なくとも水素あるいはハロゲ
ン元素のいずれかを含むものである特許請求の範囲第３
項記載の電子写真感光体。
（５）前記非晶質カーボン層が周期律表第III族Ｂ、あ
るいは第Ｖ族Ｂの元素を含有する特許請求の範囲第１項
記載の電子写真感光体。
（６）自由表面に表面被覆層を形成した特許請求の範囲
第１項記載の電子写真感光体。