JPS62270961A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 産業上の利用分野 本発明は、電子写真方式の複写機、光プリンタ等に用い
られる電子写真感光体に関する。

従来の技術 電子写真感光体における光導電体として、１０〜４Ｑ＆
ｔｍ％の水素を局在化状態密度を減少せしめる修飾物質
として含む非晶質シリコン（以下ａ−８ｉ二Ｈと記す）
が高い光感度、無公害性、及び高い硬度を有することに
より注目され利用されている。

しかしながら、上記の＆−８ｉ：Ｈで構成される電子写
真感光体ではまだまだ解決すべき問題も多い。

例えば、第１の問題としてａ−８ｉ：Ｈは、他の感光体
材料である有機光半導体（以下ｏｐｃと記す）、あるい
はＳａに比較して誘電率が約１１と太きく　（ｏｐｃ　
：約３、Ｓｅ：約６）静電容量が大きいため、表面への
帯電処理を行う際には非常に大きな帯電電流を必要とす
る。

また、第２の問題としては、実用表面電位（〜４ｏｏｖ
）を得るには表面電荷の電荷密度も高く、この電荷を光
除電するためには多くの光エネルギーを必要とするため
、実際の光感度は十分高いとは言えない。

さらに、第３の問題としては、ａ−５ｉ：Ｈ膜の製膜に
際して最も良く用いられるシラン（３ｉＨｎと記す）ガ
スを原料ガスとしたプラズマＣｖＤ法では、堆積速度も
１０μｍ／Ｈ以下と遅く、シランガスも高価であること
から、製造コストの低減は困難である。

また、コストおよび光励起された電荷の飛程（μτ積）
以下の膜厚で使用することが望まれることから、膜厚に
おいても３０μｍ以下で使用される。このことから、第
４の問題として、実用の表面電位はＳｓ感光体の８００
ｖに比べ５ｏｏｖ以下と低い電位で使用されるため、通
常の２成分現像剤では十分な画像濃度のコピーが得られ
ないと言った間層がある。

前記の諸問題を解決する手段として、誘電率が小さな非
晶質カーボン主成分とした膜を電荷移動層として用いた
機能分離型感光体が提案されている。

また、誘電率が小さな非晶質カーボンはａ−８ｉ：Ｈ膜
のみで形成される感光体の１／４〜１／Ｓの膜厚で同程
度の電子写真特性を得ることができる。さらに、非晶質
カーボンの製膜にはプラズマｃｖｎ法を使用した場合、
原料ガスとしてＳｉＨ４ガスに比べて安価’ｘ　Ｏ”ａ
　＋　Ｃ２Ｈ４１０２Ｈｂ　。

Ｇｊ２Ｈ２、Ｃ５Ｈａ　＊　Ｃ６Ｈ６などのガスが匣用
可能なため、感光体の製造コストを大幅に低減できる。

このような機能分離型感光体は、感光体全体の誘電率が
減少するため、静電容量が減少し、帯電時のコロナ帯電
電流の減少、表面電荷密度が減少するため実用上におい
ても高感度で、十分な高い表面電位を容易に得られるた
め、通常の２成分現像剤をもちいても高い画像濃度が得
られる。

発明が解決しようとする問題点 電子写真感光体の光導電層に使用される、＆　−８ｉ：
Ｈ，非晶質ゲルマニウム（以下ａ−Ｇａ：Ｈと記す）、
あるいは非晶質シリコンゲルマニウム（以下ａ−８ｉｌ
−２Ｇｅｚ：Ｈ（０（Ｘ（１）と記す）はプラズマＣｖ
Ｄ法では、アノード側に設置され、製膜されても、大き
な圧縮応力を有している。このため、電荷移動層である
非晶質カーボンを主成分とする膜との界面に大きな歪力
が発生し、繰り返し使用される場合に、膜剥離あるいは
残留電位の増加が生じるといった問題があった。

問題点を解決するだめの手段 光励起によって移動可能なキャリアを発生する光導電層
と、非晶質カーボンを主成分とする電荷移動層を積層し
、その電荷移動層のヤング率を。

０．１〜１０　Ｘ　１０”　’　ｃ１７ｎ／ｃ、ｉする
。

作用 電荷移動層として用いる非晶質カーボンを主成分とする
膜は、その製膜方法あるいはその条件によって著しく異
なった膜質を有する。例えば、高温に加熱された、ある
いはカソード側に設置された基板上では、非常に硬質な
ｉ−Ｃと言われるダイアモンド状の膜が得られ、表面保
護層として実用化が検討されている。また、反面プラズ
マ重合に相当する高圧、低放電電力条件では、有機膜状
の物が得られる。

また、誘電率が小さな非晶質カーボンは、光学的禁止帯
幅が１，７ｅＶ〜２．５ｅｖと大きく、例えば約１．８
ｅ’Ｖのａ−３ｉ：Ｈを光導電層として用いた場合、光
学的禁止帯幅が約０〜ｏ、ｓｅｖ大きいため、電荷発生
層からの電荷注入効率が問題である。

しかし、上記のヤング率が０．１〜１０Ｘ１０”ｄｙｎ
　／−と小さく、誘電率も小さな非晶質カーボンでは、
非晶質シリコンを主成分とする電荷発生層からの電荷注
入効率も良く、また繰り返し使用にも特性変化の少ない
機能分離型感光体が得られる事を確認した。

このことにより、高感度で、繰り返し特性の優れた安価
な感光体が得られることを確認した。

実施例 図は、本発明における最も基本的な電子写真感光体の一
実施例の断面を模式的に示したものである。

図に示す電子写真感光体は、電子写真感光体としての支
持体１上に、少なくとも水素またはハロゲン原子（ｘ）
を含有する非晶質カーボン（以下ａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）と
略記する。但しＸ＝Ｆ　。

（１，Ｂｒ又は１　）からなる電荷移動層２とシリコン
を含む光導電層３とを有し、前記光導電層３は一方で自
由表面４を有している。

本発明において、シリコンを含有する光導電層としては
、ａ−５ｉ（二Ｈ：Ｘ）、＆　−８１１−ｙＣｙ（：Ｈ
：Ｘ）（０＜Ｙ＜１）、ｔ−３ｉ１−ｙｏｙ　（：Ｈ：
Ｘ）（０＜Ｙ＜１　）、ｔｈ−８ｉ＋　−ｙＮｙ　（：
　Ｈ：Ｘ　）　（０＜Ｙ＜１　）、！Ｌ−８ｉ１−２Ｇ
６ｚ　（：　Ｈ：　Ｘ）（０＜Ｚ＜１）、ＩＬ　−（５
ｉ１ｚＧ４ｚ　）　＋　−ｙＮｙ　（：　Ｈ：Ｘ）（０
＜Ｙ、Ｚ＜１）、’　−（Ｓ１＋　−Ｚ　Ｇｏｚ）＋　
ｙｏｙ（二Ｈ二Ｘ　）　（０＜　Ｙ　、　Ｚ　＜　１　
）、または＆−（Ｓｉ＋−ｚＧ６ｚ）＋−ｙＣｙ　（：
　Ｈ：　Ｘ　）　（Ｑ＜ｙ　。

Ｚく１）の単層、あるいはこれらの積層からなる。

また、Ｙを連続的に変化させた場合も使用できる。

この時の膜厚は、電荷移動層は５〜６０μｍ好適には１
０〜２６μｍＳまだ光導電層の膜厚は０．６〜１０μｍ
好適には１〜６μｍとすれば良い。

本発明において、更に電子写真特性を向上させるために
、図において、支持体１と電荷移動層２との間に、支持
体１から電荷移動層２に注入するキャリアを効果的に阻
止するため障壁層を設けてもよい。

障壁層を形成する材料としては、ム１２０３　＊ＢａＯ
、ＢａＯ２、Ｂｏｏ　、　Ｂｉ２Ｏ５、ＣａＯ、ＣａＯ
２゜Ｃｅ２Ｏ３＊　Ｌａ２Ｏ３１Ｄ７２０５　＋　Ｌｕ
２Ｏ３１Ｃｒ２Ｏ５−ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、ＦｅＯ、Ｐｂ
Ｏ、ＭｇＯ、ＳｒＯ。

ＴＩＬ２０３　、　Ｔｈ０２　、　ＺｒＯ２、ＨｆＯ２
、ＴｉＯ２、Ｔｉｅ。

５ｉ０２　、　ＧｅＯ２、ＳｉＯ、ＧａＯ等の金属酸化
物またはＴａＮ　、ムＩＮ　、　ＳｎＮ　、　ＮｂＮ　
、　ＴａＮ　、　ＧａＮ等の金属窒化物、またはＶＣ、
ＳｎＣ、Ｔｉｅ、等の金属炭化物またはＳｉＣ、ＳｉＮ
　、　Ｇｅｅ　、　ＧａＮ　、　Ｂｅ。

ＢＮ等の絶縁物、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポ
リウレタン、ポリパラキシレン等の有機化合物が吏用さ
れる。

また、クリーニング性あるいは耐摩耗性あるいは耐コロ
ナ性を向上させるため、図において、自由表面４上に表
面被覆層を形成する。表面被覆層として好適な材料とし
ては、５ｉｚＯ１）Ｃ、５ｉｚＣ，Ｘ。

５ｉｚＮ１　ｚ　、　ＧａＸｏｌ−Ｘ　、　Ｇ６ｚＣ１
−１、ＣｚｅｚＮｌ−ｚ。

ＢＸＮｊ　−Ｘ　、　Ｂｘｃｌ−ｘ　、ム１ＸＮ１−Ｘ
　（ｏ（Ｘ（１）。

およびこれらに水素あるいはハロゲンを含有する層等の
無機物、あるいはポリエチレンテレフタレート、ポリカ
ーボネート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリビ
ニルアルコール、ポリスチレン、ポリアミド、ポリ四弗
化エチレン、ポリ三弗化塩化エチレン、ポリ弗化ビニリ
デン、ポリウレタン等の合成樹脂などが上げられる。

ａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）の作成には、ＯＨ，、Ｃ２Ｈ６。

Ｃ５Ｈ８＊　ｃ４Ｌａ　、（”２Ｈ４、Ｃ５’６　＋　
ｃ４ｕａ　ｌ０２Ｈ２、Ｇ５Ｈａ　、　ＣａＨ６、Ｃ６
Ｈ６等の炭化水素、ＣＨ３Ｆ　、　ＣＨ３Ｃｌ　、　Ｃ
Ｈ３１、Ｃ２Ｈ５Ｃ１、Ｃ２Ｈ５Ｂｒ。

等のハロゲン化アリル、ＤＣＩＦ３　、　ＣＦ４　　、
　ＣＨＦ５゜ｃ２ｙ６．　Ｃ，Ｈ８等のフロンガス−ｓ
　Ｃ６Ｈ６−ｍＦｍ　（ｍ＝１〜６）の弗化ベンゼン等
のＣ原子の原料ガスを用いたプラズマＣｖＤ法が使用さ
れる。

シリコンを含有する光導電層である＆−５ｉ（：Ｈ：Ｘ
）　、ａ−３ｉ１−ｙＣｙ　（：１’ｉ：Ｘ）　（０＜
Ｙ＜１　）　、　ａ−３ｉ＋−ｙｏｙ（：Ｈ：Ｘ　）　
（０（Ｙ＜１　）、あるいはａ−３ｉ１−ｙＮｙ　（：
　Ｈ：　”　）　（ｏ（τく１）の作成には、ＳｉＨ４
、Ｓｉ２Ｈ６、５ｉ３Ｈ６、ＳｉＦ４゜５ｉＣ１４、Ｓ
ｉＨＦ３　、　Ｓ工Ｈ２Ｆ２　、５ＬＨ５Ｆ　、　５ｉ
ＨＣ１３゜５ｉＨ２Ｃ１２、５ｉＨ３Ｃ１等のＳｉ　　
原子の原料ガスを用いたプラズマＣｖＤ法が用いられる
。まだ、ａ−８ｉ１−ｙｃｙ　（：　Ｈ：　Ｘ　）　（
０＜Ｙ＜１　）　、　ａ−３ｉ＋−ｙｏｙ（：　Ｈ：　
Ｘ　）　（０＜Ｙ（１）　、　ａ−Ｓｉ１　ｙＮｙｌＨ
：Ｘ）（０＜Ｙ＜１）の作成には、更に炭素源として、
ＣＨ４，Ｃ２Ｈ６、Ｃ３ＨＢ　　、　Ｃ４Ｈ１ｏ。

Ｃ２Ｈ４＋　（ｓＨ６、Ｃ４Ｈ８、Ｃ２Ｈ２、Ｃ５Ｈ４
。

ｃ４ａ６．０６Ｈ６等の炭化水素、ＣＨｓＦ　、　ＣＨ
３Ｃｌ　。

ＣＨ３１、Ｃ２Ｈ５Ｃ１、Ｃ２Ｈ５Ｂｒ、等のハロゲン
化アリル、ＣＣｌＦ２　　、　ＣＦａ　　、　ＣＨＦ３
　　、　　Ｃ２Ｆ６　、　Ｇ５’ＦＢ等のフロンガス、
ｃ６Ｈ，ｍｙ、　（ｍ　＝　１〜ｅ　）の弗化ベンゼン
等のＣ原子の原料ガスをプラズマＣｖＤ法に用いるシリ
コン原料ガスと混合して用いる。

また、酸素源としては０２　、　Ｇｏ　、　ＣＯ２、Ｎ
ｏ　。

Ｎｏ２等、また、望素源としてはＮ２　　、　ＮＨ３、
Ｎ。

等を混合して用いる。

また、ａ−５ｉ（：Ｈ：Ｘ）にＧ６を添加する場合もＧ
６Ｈ４＊　（ｒ６２Ｈ６、Ｃｊｒｅ５ＨＢ　　、　Ｇｅ
Ｆ＜　、　Ｇ６Ｃ１ｎ。

（ｒ６ＨＦ３　、　ＧｅＮ２Ｆ２　、　ｅａＨ５Ｆ　、
　ＧｅＨＣｌ５　。

ＧｅＮ２Ｇ１２　、　ＧｅＨＣｌ５のガスを上記Ｓ＝原
子の原料ガスと混合しプラズマＣＶＤ法によって形成す
ることも出来る。

さらに、本発明において、上記の！Ｌ−５ｉ（：Ｈ：Ｘ
）　、　ａ−８ｉ１−ｙＣｙ　（：Ｈ：ｘ）　（０＜Ｙ
（１）。

ａ−３ｉ１ｙｏｙ　（：Ｈ：Ｘ）　（ｏ（Ｙ（１）　、
　ａ−３ｉ＋−ｙＮｙ（：　Ｈ：　Ｘ　）　（ｏ＜Ｙ＜
１　）、あるいはこれらに０６添加のこれらの膜中に、
不純物を添加することにより伝導性を制御し、所望の電
子写真特性を得ることができる。ｐ型伝導性を与えるｐ
型不純物としては、周期律表第１族すに属するＢ。

ムｌ　、　Ｇａ　、　Ｉｎ　　等があり、好適にはＢ、
ムｌ。

ＧＩＬが用いられ、ｎ型伝導性を与えるｎ型不純物とし
ては、周期律表第Ｖ族すに属するＮ、Ｐ。

人ｓ　、　ｓｂ　等が有シ、好適にはＰ、ムＳが用いら
れる。

また、これらの不純物を添加する方法として、ｐ型不純
物の場合、Ｂ２Ｈ６＋　Ｂ４Ｈ＋ｏ　＋　Ｂ５Ｈ９＋１
３ｓｌ（＋＋　　・Ｂ６Ｈ１２・Ｂ６Ｈ１４・Ｂｒ５　
・ＢＣＩ、・ＢＢｒ３　、ム１０１３　、　（ＣＨ３）
３ムｌ　、　（（ｚＨｓ）ｓム１゜（ｉ０４Ｈ９）３Ａ
ｌ　＊　（ＣＨ３）５Ｇ４　、　（（ｚＨｓ）５Ｇ４　
ｅＩｎＣ１３、（０２Ｈ５）３Ｉｎを、ｎ型不純物の場
合、Ｎ２　　、　ＮＨ５、Ｎｏ　、　Ｎ２０　、　Ｎ０
２　　、　ＰＨ３、Ｐ２Ｈ４゜ＰＨ４１、ＰＦ５　　、
　ＰＦ５　、　ＰＣｌ３　　、　ＰＣｌ５．　、　ＰＢ
ｒ３゜ＰＢｒ３　、　ＰＩ３　、　ＡｓＨ３、ムｓｙ５
　　、ム５ｃ１５　。

ＡｓＢｒ３　　、５ｂＨ５、ＳｂＦ５　、　ＳｂＦ５　
、５ｂＣ１３。

５ｂＣ１５等のガスを、あるいはこれらのガスをＮ２　
、　Ｈ６、ムｒで希釈したガスを、プラズマＣＶＤ法で
は、それぞれの膜形成時において、使用する上記のＣ原
子、　Ｓｉ原子等の原料ガスと混合して用いれば良い。

一方、製膜後、膜のヤング率を求めるため、熱熱膨張係
数の異なる２種類以上の細長いガラス（例えば、コーニ
ング社７ｏ５９．８１０２等）を吏用し、これらガラス
の製膜前後の反りを測定する、いわゆる片持ち柔性によ
シ残留応力を求めた。

その計算方法を以下に記す。

一般に、残留応力（σｒ　と記す）は、真性応力（σ１
　と記す）、熱応力（σｔ　と記す）によって以下のよ
うに表記される。

σｒ＝σ１＋σｔ（１） また、熱応力（σｔ）は同じく以下のように表記される
。

ここでＥｆ：ヤング率、シ：ボアッソン比（０，３３と
する）、αｆ：膜の熱膨張係数、αｇニガラスの熱膨張
係数、Δで：膜形成時のガラス温度と反りの測定時の温
度差 これらの式を用いて、異なる熱膨張係数のガラス基板に
対し求めた残留応力の大きさの差が、（２）式の内、ガ
ラス基板の熱膨張係数の差に起因する値と一致する。

つまり、応力の差は以下のように表記される。

ここで、△σｔ：応力差、α１ｇ＝１番目のガラスの熱
膨張係数、α２ｇ：２番目のガラスの熱膨張係数 （３）を用いて、ヤング率を求め、ドラム基板上へ膜形
成を行う前に、予め、同一条件で応力を測定しヤング率
を求めて評価する。

以下実施例について述べる。

実施例１ 鏡面研磨したアルミニウム基板と応力測定用のガラスを
６インチの放電電極を有する平行平板型の容量結合方式
プラズマＣＶＤ装置内のアノード側に配置し、反応容器
内を６　Ｘ　１０−６Ｔｏｒｒ以下に排気後、基板を１
６０〜２５０°Ｃに加熱した。

ｃｚ）１．を１０〜８０　ＳＣＣｍ　、　Ｈｅ希釈ガス
を１５〜２０５ｃａｎ装置内に導入し、反応容器内の圧
力をＯｊ　〜０，８　Ｔｏｒｒに調整した。１３．５６
ＭＨｚの高周波電力８０〜１００Ｗの条件でｈ−Ｃ：１
層を電荷移動層として２６μｍ形成し、つぎにＳｉＨ４
を１０〜４０８００１！１導入し、圧力０．２〜１．０
Ｔｏｒｒ１高周波電力２０〜１００Ｗでノンドープ（ｎ
ｏｎ　−ｄｏｐａｄ　）　ａ−３ｉ　：　Ｈ層を光導電
層として０．５〜５６ｍ形成し、更に、ＳｉＨ４を１ｏ
〜３ｏＳＣＣ勲０２Ｈ４を２０〜４ｏＳＣＣｍ導入し、
圧力０．２〜１．０Ｔｏｒｒ、高周波電力５０〜１５０
Ｗで５ｉ１−ｚｃｚ　：Ｈ（０（Ｘ　（１）を表面被覆
層としてｏ、０８〜０．３μｍ形成して電子写真感光体
を作成した。

この時のＩＬ−Ｃ：１層の誘電率は２．３〜５と小さい
値を示し、またヤング率においても２．５〜１０　Ｘ　
１０”　’　ｄｙｎ／ｃ、４　であった。

また、この電子写真感光体を−６，０ＫＶでコロナ帯電
させたところ、−３２００Ｖの表面電位を得ることが出
来、白色光で露光したところ、残留電位−１３０Ｖ以下
で半減電位露光量は１１ｕｘ・ｓｅｃ以下と非常に高い
感度が得られた。また、この感光体を一９００ｖに帯電
させ同じく白色光にて露光したところ、半減電位露光量
は０，２１ｕｘ−Ｓｅｃ以下と感度は非常に高い。これ
を、従来のａ−ｓｉ：Ｈの２０μｍからなる感光体を＋
４００７に帯電させ白色光で露光した場合と比較すれば
３倍の感度があり、可視光のみに限り露光を再度行い比
較したところ、４倍以上の感度が確認された。また、同
じコロナ電位での帯電ではａ−３ｉ：Ｈのみに比べ、帯
電電位も４倍以上と少ない帯電電流で高い感度の感光体
が得られる事を示した。

このような条件で作成した感光ドラムを、繰り返し使用
しても、残留電位の変化は極めて少なく、８０万枚以上
の使用にも耐える。

また、０．２〜２μｍのａ−３ｉ：Ｈ光導電層に酸素を
２ｏＯ〜３ｏｏｏｐｐｍ添加した場合も、ＢをＯ，Ｓ〜
ｓ　ｐｐｍ添加した場合も上記と同様な特性を示す電子
写真感光体を形成できた。

一方、同じ＜　Ｃ２Ｈ４ガスの代わりにＣ２Ｈ２ガスを
用い、放電電力１５０〜２００Ｗでａ−Ｃ：１層を形成
したところ、この時のヤング率は１２〜１５　Ｘ　１０
”ｄｙｎ／ｅＪでおった。この電荷移動層上に光導電層
を形成し、帯電特性を評価したところ、初期特性ではＣ
２Ｈ４で作成した前記の感光体と比較し、残留電位は１
５０〜４６０’ｌと大きく、後記のような条件で作成し
た、感光ドラムは、繰り返し医用に対し、残留電位は徐
々に上昇し、ヤング率の大きな値の膜では１部光導電層
が剥離する場合もあった。

実施例２ アルミニウムドラムを基板ホルダとして加工し応力測定
用ガラスを設置し、長さ４５ｃｍ、内径１６ｃＩｎφの
円筒型の放電電極を有する容量結合方式プラズマｃｖｎ
装置内に配置し、反応容器内を５　Ｘ　１０−６Ｔｏｒ
ｒ　以下に排気後、アルミニウムドラム基板ホルダを２
５０〜２００°Ｃに加熱した。

０２Ｈ２を２５０〜４００ＳＯＣｍとＣＦ４を１ｏＯ〜
２００ｓｃｃｍを導入し、圧力０．２〜１．０Ｔｏｒｒ
　に調整した後、高周波電力１００〜２５０Ｗでａ−Ｃ
：Ｈ：７層を１５〜２０μｍ形成した。次に、５ｉｌ（
４を５０〜１６０　ｓｃｃｍ　、　ＧｅＨ４を６ｏ〜１
００　Ｓｅｅｍ　、　Ｈ２希釈ガスを２５０〜４５０３
００！ＩＩ導入し、圧力０．２〜１．０ＴＯｒｒ　、高
周波電力１００〜２５０Ｗで、光導電層を形成し、さら
に、表面被覆層として実施例１と同じ（Ｓｉ、　ｘｃｘ
　：Ｈ（０＜Ｘ＜１　）層を０．０８〜０．６μｍ形成
し電子写真感光体とした。

この時のａ−〇：Ｈ層の誘電率は２．３〜２．５であり
、ヤング率はＯｊ　〜０．９　Ｘ　１０”　’　ｄｙｎ
／ｃ４　であった。

一方、このような条件で鏡面加工したアルミニウムドラ
ムに機能分線型感光体を形成し、６７０ｎｕのＬＫＩ）
を光源とする光プリンタに実装し、正帯電において一６
００〜５ｏｏｖの表面電位で鮮明な印字を確認した。

また、このような感光体は、繰り返し１史用に帯電特性
、感度とも変化は少なく、１０ｏ万ペ一ジ以上の繰り返
しにも初期特性と差はみられない。

一方、圧力を１．１〜１．５　Ｔｏｒｒ　、基板温度を
１５０〜２００°Ｃとし、上記と同様に感光体を作成し
た。このような後記の条件では、ヤング率は０−０９〜
０．０５　Ｘ　１０”　ｄｙｎ／、、ｆ、　　と小さい
値を示した。この感光体を上記と同じプリンタに実装し
、繰り返し使用したところ、ヤング率の大きな光導電層
に１部クラックが発生し画像を悪化させる原因となった
。これは、電荷移動層と光導電層とのヤング率の差が大
きくなるため、感光ドラムにかかる圧力に対し、支えき
れなくなると考えられる。

実施例３ 実施例２における前記条件で作製した電子写真感光体に
、表面被覆層として０．１〜０．６μｍのａ−ｅ’１−
ＸｃＸ　：Ｈ（０＜　Ｘ　＜　１　）をプラズ？Ｃ’ｌ
／Ｄ法で形成し、実施例２で吏用した光プリンタに実装
し評価を行ったところ、この構成の電子写真感光体が耐
熱性、耐湿性に優れ、６０万ページの耐刷性を有するこ
とを確認した。

実施例４ 実施例２と同様に、０２Ｈ２，ａｙ４に加え、ＰＨ５を
０．００５〜１．０＆ｔ！１％を添加し、プラスマＣｖ
Ｄ法により光学的禁止帯幅２．３〜２．６６Ｖ、誘電率
２．３〜２．５のＰドープａ−Ｃ：Ｈ層を１０〜１５μ
ｍ形成し、その後ＳｉＨ４とＳｉＦ４の混合ガスにより
光導電層としてａ−３ｉ：Ｈ：Ｈ層を１〜３μｍ形成し
た。

次に、ＳｉＦ４をＨ層に切り替え、表面被覆層としてａ
−Ｓｉ＋−ｘＮｘ　（０＜Ｘ（１）を０．０８〜Ｏ−２
μｎ形放し電子写真感光体を得た。

この感光体に−ｅ−ｏ　ｘ　ｖのコロナ電圧で帯電処理
を行った。表面電位は一１５ｏｏｖと高い電位が得られ
、白色光によって半減電位露光量はｏ、５１ｕＸ’ｓｅ
ｃ　　と高感度が実証された。これは誘電率２．３〜２
．６のノンドープ（ｎｏｎ　−ｄｏｐａｄ　）　ａ−Ｃ
：Ｈ層が上記の範囲では電子に対し効率良い電荷移動層
として機能していることを裏付けている。

また、表面被覆層として′ａ−Ｇｅ１−ｚＣｚ：Ｈ（０
＜Ｘ＜１　）を０．１〜Ｏ−５μｍ形成した感光体は繰
り返し帯電の再現が特に優れ、上記と同様な特性が再現
良く得られることを確認した。

このようなＰドープト、ｃ　：　Ｈ：　Ｆ膜のヤング率
は０．３〜１．２×１ｏ１１ｄｙｎ／ｄ　であった。

発明の効果 本発明による電子写真感光体は、非晶質カーボンを主成
分とするヤング率がＯ−１〜１０×１０１１ｄｙｎ／ｃ
ｍ２である電荷移動層と光導電層とを積層した電子写真
感光体は、帯電時のコロナ電流が極めて小さく、可視光
に対して非常に高感度で、しかも低コストで繰り返し使
用にも安定な、耐刷性。

耐環境性（耐熱性、耐湿性等）に優れたものである。

【図面の簡単な説明】

図は、七＃専も本発明の実施例における電子写真感光体
の実施例の断面図である。 １・・・・・・支持体、２・・・・・・電荷移動層、３
・・・・・・光導電層、４・・・・・・自由表面。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名ノー
ーー＊ギＨ本 ４−白虫表百

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）光励起によって移動可能なキャリアを発生する光
   導電層と、非晶質カーボンを主成分とする電荷移動層が
   積層された電子写真感光体において、前記電荷移動層の
   ヤング率が０．１〜１０×１０＾１＾１ｄｙｎ／ｃｍ＾
   ２である電子写真感光体。
2. （２）非晶質カーボン層が少なくとも水素あるいはハロ
   ゲン元素を含む特許請求の範囲第１項記載の電子写真感
   光体。
3. （３）光導電層が局在化状態密度を減少せしめる修飾物
   質を含む非晶質層である特許請求の範囲第１項記載の電
   子写真感光体。
4. （４）光導電層が、少なくとも水素あるいはハロゲン元
   素のいずれかを含む特許請求の範囲第１項記載の電子写
   真感光体。
5. （５）非晶質カーボン層が周期律表第III族Ｂ、あるい
   は第Ｖ族Ｂの元素を含有する特許請求の範囲第１項記載
   の電子写真感光体。
6. （６）自由表面に表面被覆層を形成した特許請求の範囲
   第１項記載の電子写真感光体。