JPS62299856A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子写真方式の複写機、光プリンタ等に用い
られる電子写真感光体に関する。

従来の技術 電子写真感光体における光導電体として、１０〜４０　
ａｔｍ％の水素を局在化状態密度を減少せしめる修飾物
質として含む非晶質シリコン（以下ａ−５ｉ：Ｈと記す
）が高い光感度、無公害性、及び高い硬度を有すること
により注目され利用されている。

しかしながら、上記のａ〜　Ｓｉ：Ｈで構成される電子
写真感光体ではまだまだ解決すべき問題も多い０ 例えば、第１の問題としてａ−８ｉ：Ｈは、他の感光体
材料である有機光半導体（以下ｏｐｃと記す）、あるい
はＳθに比較して誘電率が約１１と太き（（ＯＰＣ：約
３、Ｓθ：約６）静電容量が大きいため、表面への帯電
処理を行う際には非常に大きな帯電電流を必要とする。

また、実用表面電位（〜４ｏＯｖ）を得るには表面電荷
の電荷密度も高く、この電荷を光除電するためには多く
の光エネルギーを必要とするため、実際の光感度は十分
高いとは首えない。

発明が解決しようとする問題点 前記の諸問題を解決する手段として、最近光導電層と、
非晶質カーボンを主成分とする電荷移動層が積層された
電子写真感光体が提案されている。

しかしながら上記感光体において、光感度、コントラス
ト電位、残留電位に関しては未だ充分とはいえなかった
。

問題点を解決するだめの手段 そこで、本発明は光導電層と、非晶質カーボンを主成分
とする電荷移動層を有する電子写真感光体の製造時に、
熱処理工程を導入するものである。

作用 プラズマＣＶＤ法等で作製した非晶質カーボンは、いわ
ば雑然としたアモルファス状態を形成していると思われ
る。この電荷移動層を熱処理することにより、カーボン
の再配列が生じ、欠陥準位６／、−１ が減少するものと思われる。欠陥準位の減少により、非
晶質カーボンのバルク特性が向上し、その結果として光
感度が向上し、残留電位が低くなる。

また多層積層後の熱処理においては、界面における結合
歪みやトラップ準位を取り除くのに有効であると思われ
る。この結果、暗時における電荷保持が向上１〜、光照
射時には、発生したキャリアが効率良く注入され、高い
コントラスト電位を得ることができる。

このことより、非晶質カーボンを主成分とする電荷移動
層と電荷発生層を積層した電子写真感光体を熱処理する
ことにより、高感度、高コントラスト、低残留電位の電
子写真感光体が得られることを確認した。

実施例 第１図は、本発明における最も基本的な電子写真感光体
の一実施例の断面を模式的に示したものである。

第１図に示す電子写真感光体は、電子写真感光体として
の支持体１上に、少なくとも水素またはハロゲン原子（
１）を含有する非晶質カーボン（以下ａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ
）と略記すル。但しＸ＝、Ｆ、Ｃ１゜Ｂｒ又は１゜）か
らなる電荷移動層２とシリコンを含む光導電層３とを有
し、前記光導電層３は一方で自由表面４を有している。

本発明において、シリコンを含有する光導電層としては
、ａ−３ｉ（：Ｈ：Ｘ）、ａ−８ｉ＋−ｙｃＹ（：　Ｈ
：Ｘ　）　（０＜Ｙ＜１　）、ａ　−８ｉｔ−ｙｏｙ（
：Ｈ：　Ｘ　）　（０＜Ｙ＜１　）、＆−３ｉ１−ｙＮ
ｙ（：　Ｈ：　Ｘ）（０＜Ｙ〈１　）、ａ−５ｉ１　ｚ
Ｇｅｚ（：Ｈ：Ｘ）（０（Ｚ〈１）、ｅｈ　　（Ｓｉ＋
−２Ｇｅｚ）１−ｙＮｙ（：Ｈ：Ｘ）（０＜Ｙ、Ｚ＜１
）、ａ−（Ｓｉ＋−２Ｇｅｚ　）１−７０７　（：Ｈ：
Ｘ）（ｏ（Ｙ、Ｚ（１）またはｔ　−（Ｓｉ＋−２Ｇｅ
ｚ　）１−ＹＣＹ（：Ｈ：Ｘ）（ｏ（Ｙ、ｚ＜１）（７
）単層、あルイはこれらの積層からなる。また、Ｙを連
続的に変化させた場合も使用できる。

この時の膜厚は、電荷移動層は６〜６０μｍ好適には１
０〜２５μｍ、また光導電層の膜厚は０．５〜１０μｍ
好適には１〜５μｍとすれば良い。

本発明において、更に電子写真特性を向上させるだめに
、第１図において、支持体１と電荷移動層２との間に、
支持体１から電荷移動層２に注入するキャリアを効果的
に阻１１−するため障壁層を設けてもよい３、 障壁層を形成する材料としては、’Ｉ’ｒ２０５　＊　
ＢＩＬＯｒＢａ０２．ＢｏＯ，Ｂｉ２Ｏ３，ＣａＯ，Ｃ
ｅＯ２，Ｃａ２Ｏ３，Ｌａ、Ｏ，。

Ｄｙ２Ｏ３，Ｌｕ２Ｏ３，Ｃｒ２Ｏ５，ＣｕＯ，Ｃｕ２
Ｏ，ＦｅＯ，ＰｂＯ。

ＭｇＯ、ＳｒＯ、Ｔａ２０３　、　Ｔｈｅ２．　ＺｒＯ
２、ＨｆＯ２、ＴｉＣ２゜ＴｉＯ、５ｉ０２　、　Ｇｅ
Ｏ２、ＳｉＯ、ＧｅＯ等の金属酸化物またはＴｉＮ、人
７７Ｎ　、　ＳｎＮ　、　ＮｂＮ　、　ＴａＮ　、　Ｇ
ａＮ等の金属窒化物、寸たはＷＣ、ＳｎＣ，ＴｉＣ等の
金属炭化物オたはＳｉＣ、ＳｉＮ　、　Ｇｅｅ　、　Ｇ
ｅＮ　、　ＢＣ、ＢＮ　等の絶縁物が使用される。

また、クリーニング性あるいは耐摩耗性あるいは耐コロ
ナ性を向−トさせるため、第１図において、自由表面４
−トに表面被覆層を形成する。表面被覆層として好適な
材料としては、５１ｘＯ１ｘ＋ＳｉＸ　Ｃ１Ｋ　＋　”
ｉＸ　Ｎ＋　Ｘ　ｒ　Ｇｅ１０１　Ｘ　＋　ＧｅＸＣｊ
　　１　＋Ｇｆ３１Ｎ１Ｘ　＋　ＢＸＮ＋−Ｘ　ｒ　Ｂ
ＸＣｌ　１　＋ム７！ｘＮ＋−ｘ（０＜ｘ〈１）、およ
びこれらに水素あるいはノーロゲンを含有する層等の無
機物、あるいはポリエチレンテレフタレート、ポリカー
ボネート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリビニ
ルアルコール、ポリスチレン、ポリアミド、ポリ四弗化
エチレン。

ポリ三弗化塩化エチレン、ポリ弗化ビニリデン。

ポリウレタン等の合成樹脂などが上げられる。

ａ−Ｃ（：Ｈ：　Ｘ　）（７）作成には、’　Ｈ４＋　
Ｃ２Ｈ６＋Ｃ５Ｈ８，Ｃ４Ｈ１０１Ｃ２Ｈ４１Ｃ５Ｈ６
，Ｃ４Ｈ８１Ｃ２Ｈ２１Ｃ３Ｈ４１Ｃ４Ｈ６，Ｃ６Ｈ６
等の炭化水素、ＣＨ３Ｆ　、　ＣＨ３Ｇ１・ＣＨ，４、
Ｃ２Ｈ５Ｃ１、Ｃ２Ｈ５Ｂｒ　、等のハロゲン化アリル
、ＣＧ７！Ｆ３．　ＣＦ４　、　ＣＨＦ３．　ｃ２ｙ６
．　ｃ５ｉｒ８等のフロンガス、０６Ｈ６−ｍ　Ｆｍ　
（ｍ　＝　１〜６　）　（Ｄ弗化ヘンセン等のＣ原子の
原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法、まだは、グラファ
イトをターゲットとした、Ａｒ＋　Ｆ２　＋　Ｆ２　ｒ
　Ｃ１２ｒ　Ｃ２Ｈ４＋　Ｃ２Ｈ２中での反応性スパッ
タ法が使用される。

シリコンを含有する光導電層であるａ−８ｉ（：Ｈ：Ｘ
）　、　　ａ−８ｉ１　　ｙｃｙ（：Ｈ：Ｘ）（ｏ＝で
Ｙ〈１　）、ａ−８ｉ、−ｙｏｙ　（：　Ｈ：　Ｘ　）
　（０＜Ｙ＜１　）、あるいはａ−８ｉ１ｙＮｙ　（：
　Ｈ：　Ｘ　）　（０（Ｙ（１）の作成には、ＳｉＨ４
，Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３ＨＢ　、ＳｉＦ４，５ｉ（１／Ｊ
４．ＳｉＨＦ３゜５ｉＨ７Ｆ２　、　ＳｉＨ３Ｆ　、　
ＳｉＨ０７ｇ３　、　ＳｉＨ２Ｃ１２ｒ　５ＩＨｓＧＩ
１等のＳｉ原子の原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法、
寸だは多結晶シリコンをターゲットとし、ムｒとＦ２（
さらにＦ２又は（Ｊ２を混合しても良い）の混合ガス中
での反応性スパッタ法が用いられる。′ｉだ、ａ−８ｉ
１ｙｃｙ　（：　Ｈ：　Ｘ　）　（０（Ｙ（１）、ａ−
３ｉ＋−ｙｏｙ　（：　Ｈ：　Ｘ　）　（０（Ｙ（１）
、ａ−８ｉｔ−ｙＮｙ（：Ｈ：Ｘ）（０＜Ｙ＜１）の作
成には、更に炭素源として、ＣＨ４＋　Ｃ２Ｈ６＊　Ｃ
５Ｈ８＋　Ｃ４ＨｊＯ、Ｃ２Ｈ４ｒＯｓＨ６、Ｃ４Ｈ８
＋　Ｃ’２Ｈ２、Ｃ３Ｈ４、Ｃ４Ｈ６＋　ｃ６Ｈｂ等ノ
炭化水素、ＣＨ，Ｆ　、　ＣＨ，Ｃ６，ＣＨ，ｌ　、　
Ｃ２Ｈ３（Ｊ　、　Ｃ２Ｈ５Ｂｒ等のハロゲン化アリル
、００１Ｆ、、ａｙ４．ＣＨＦ、。

Ｃ２’６　＊　０３　’８等の７ｏンガス、０６Ｈ６−
４７ｍ（ｍ＝１〜６）の弗化ベンゼン等のＣ原子の原料
ガスをプラズマＣＶＤ法に用いるシリコン原料ガスと混
合して、あるいけ、反応性スパッタ法にはＡｒ等のスパ
ッタガスと混合（〜で用いる。また、酸素源とし’ｔｌ
ｌｄ　０２　、　Ｇｏ　、　ＣＯ２＋　Ｎｏ　＋　ＮＯ
２”Ｆ、寸り、窒素源としてはＮ２．ＮＨ５，Ｎｏ　４
９を混合して用いる。

１０１、− また、ａ−８ｉ（：Ｈ：Ｘ）にＣ１ｅを添加する場合も
ＧｅＨ４、Ｇ６２Ｈ６，Ｇｅ３）Ｆ８．　ＧｅＦ４　、
　（ｚｅＣ１４、ＧｅＨＦ５゜ＧａＮ２Ｆ２　、　Ｇｅ
）Ｈ３Ｐ　、　（ｊｒｅＨＣ１５、ＧａＮ２（Ｊ２　、
　（ｘｅＨ５ｃｊ１等のガスを上記Ｓｉ原子の原料ガス
と混合しプラズマＣＶＤ法によって形成することも出来
る。

さらに、本発明において、上記のａ−８ｉ（：Ｈ：ｘ）
、＆　　８１１−ｙｃｙ（：Ｈ：　Ｘ　）（０（Ｙ（１
）、ａ　−８ｉ、−ｒｏＴ（：　Ｈ：　Ｘ　）　（０（
Ｙ（１）、ａ−８ｉ１−ＴＮＹ（：Ｈ：ｘ）（ｏ＜Ｙ〈
１）、あるいはこれらにＧｅ添加のこれらの膜中に、不
純物を添加することにより伝導性を制御し、所望の電子
写真特性を得ることができる。ｐ型伝導性を与えるｐ型
不純物としては、周期律表第■族すに属するＢ　、　Ａ
ｄ、Ｇａ。

Ｉｎ等があり、好適にはＢ、ｊＪ、ＧＩＬが用いられ、
ｎ型伝導性を与えるｎ型不純物としては、周期律表第■
族すに属するＮ　、　Ｐ　、　Ａｓ　、　Ｓｂ等が有り
、好適にはＰ、ムＳが用いられる。

丑だ、これらの不純物を添加する方法として、ｐ型不純
物の場合、Ｂ２Ｈ６，Ｂ４Ｈ４゜、　Ｂｒ、）（、、Ｂ
５Ｈ，、。

”６Ｈ１２＋　Ｂ６Ｈ１４＋　”Ｆ５　＋　”ＣＡｌ　
Ｂ　Ｂ　ｒ　３　＋　ＡｌＣ１３１１１７、 （ＣＨｓ）ｓＡｌｒ　　（Ｃ２Ｈ５）３人ｌ　＋　　（
ｉ０４Ｈ９）ｓＡｌｒ（ＣＨ３）３Ｇａ　、　（Ｃ２Ｈ
５）３Ｇａ　Ｉ　ＩｎＣｌ３　Ｔ　（Ｃ２Ｈ５）、Ｉｎ
を、ｎ型不純物の場合、Ｎ２．ＩＩＩＨ５，Ｎｏ　、Ｎ
２０　。

ＮＯ２＊　ＰＨ５ｒ　Ｐ２Ｈ４１ＰＨ４ｌ　ｒ　”ｓ　
、ＰＦｓ　＊　ＰＣｌｌｓ　ｒＰＣ１５，ＰＢｒ３．Ｐ
Ｂｒ３．Ｐ７１１５．ムｓＨ３，ムｓＦ、。

Ａｓ（Ｊ５．ＡｓＢｒ３　、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３．５Ｂ
Ｆ５．５ｂＣ７Ｊ３　。

５ｂＣ１５等のガスを、あるいはこれらのガスをＦ２゜
Ｈｅ、ムｒで希釈したガスを、プラズマＣｖＤ法では、
それぞれの膜形成時において、使用する上記のＣ原子、
Ｓ工原子等の原料ガスと混合して用いれば良く、反応性
スパッタ法では、ムｒまたはＦ２あるいはＦ２１　Ｃｌ
１２に混合して用いれば良い。

電荷移動層成膜後、あるいは電荷発生層成膜後のいずれ
か、もしくは、その両方において、真空中または不活性
ガス、水素、酸素、窒素のいずれかのガス雰囲気中、１
００℃〜６００℃で熱処理する。表面被覆層として無機
物を使用するものにおいては、上述以外に表面被覆層形
成後上記条件にて熱処理をしてもよいし、しなくてもよ
い。以下、実施例について述べる。

実施例１ 鏡面研磨したアルミニウム基板を６インチの放電電極を
有する平行平板型の容量結合方式プラズマＣＶＤ装置内
に配置し、反応容器内を５Ｘ１０’Ｔｏｒｒ以下に排気
後、基板を２５０〜３００℃に加熱した。Ｃ２Ｈ４を１
０〜８０　Ｂｏｏｍ　、　Ｈｅ希釈ガスを１６〜２０　
ｆｌｏｏｍ装置内に導入し、反応容器内の圧力を０．１
〜０．８　Ｔｏｒｒに調整した。１３．５６ＭＦ２の高
周波電力８０〜１００Ｗの条件でａ−ＣｉＨ層を電荷移
動層として２５μｍ形成した。容器内の圧力を５　Ｘ　
１０　　Ｔｏｒｒ以下に排気後、基板温度を３６０〜４
００℃に加熱し、温度上昇後真空中約３０分間熱処理し
た。次に基板を１５０〜２００℃に丁°げ、ＳｉＨ４を
１０〜４ｏＳＣＣｍ導入し、圧力０．２〜１．ＯＴｏｒ
ｒ　、高周波電力２０〜１０ｏＷでａ−８ｉ：Ｈ層を光
導電層としてＱ、５〜５．０　Ａｔ１ｌｌ形成して電子
写真感光体を作製した。

この電子写真感光体を−６，０Ｋｖでコロナ帯電させた
ところ、−１０００Ｖ以上の表面電位を得ることができ
、白色光で露光したところ、残留電位−３０Ｖ以下、半
減露光量は１１Ｘ−８ｅｊＯ以下と非常に優れた電子写
真特性を示しだ。まだ、製作時に熱処理を施さなかった
ものは、初期帯電電位−４００Ｖ、残留電位−１００Ｖ
とかなり特性が落ちる。このことより熱処理により、非
晶質カーボン内の欠陥準位が回復し、バルク特性が向上
したものと思われる。また熱処理を光導電層積層後に同
条件で行なった場合、残留電位の増加、光感度の減少が
見られた。これは、光導電層であるａ−８ｉ：Ｈに対し
ては、熱処理温度が高すぎたため、水素の脱離が多く、
特性劣化につながったためと考えられる。成膜する物質
固有の特性と成膜温度は、熱処理を有効に行うために非
常に重要な要因であるといえる。

また、Ｃ２Ｈ４にＯＦ４を１チ混合し、ａ−Ｃ（：Ｈ：
ｘ）膜を形成した場合も上記と同様な特性が得られた。

実施例２ 鏡面研磨したアルばニウムドラムラ、長す４ｒｓｃｍ。

内径１６ｃｍφの円筒型の放電電極を有する容量結１４
／、−７ 合方式プラズマＣＶＤ装置内に配置し、反応容器内を５
　Ｘ　１０　　Ｔｏｒｒ以下に排気後、アルミニウムド
ラムを１５０〜２００’Ｃに加熱した。８ｉＨ４を６０
〜１６０ＳＣＣｍ％Ｈ２希釈した４　００　ｐｐＨｌの
Ｂ２Ｈ６を５０〜１５０８００ｍ導入し、圧力０．２〜
１、□　Ｔｏｒｒ　、高周波電力１ｏｏ〜２５ｏＷで、
障壁層としてｐ型ａ−３ｉ：Ｈ層を０．３〜１．５　／
！７ｍ形成し、つぎにＳｉＨ４を５０〜１５０　ｓｃｃ
ｍ　、圧力０．２〜１．０　Ｔｏｒｒ　、高周波電力１
ｏｏ〜２６０Ｗでノンドープａ−８ｉ：Ｈ層を１〜６μ
ｍ形成し、続いてＳｉＨ４に加えてＣ２Ｈ２を２　Ｃ）
〜５０　ｓｃｃｍ導入し、ａ−８ｉ＋−ｘＧｘ層０．５
〜１μｍを形成した。

次に、ＳｉＨ４を遮断して、（２Ｈ２のみで６〜１０μ
ｍ形成した。これを熱処理炉に入れＨｅ雰囲気中で２６
０〜３ｏｏ℃で２０〜４０分間熱処理し、電子写真感光
体とした。

基本構成としては第２図に相当する。この感光体を６７
ＯｎｌｌｌのＬＥＤを光源とする光プリンタに実装し、
正帯電において＋５００〜８００Ｖの表面電位で全面に
均一でかつ鮮明な印字を確認し１６、、５ た。また、光導電層であるａ−８ｉ：Ｈ層に代わりａ　
＝Ｓｉ（：Ｈ：Ｆ）を、ａ−３ｉ１１ｃｚ層に代わって
ａ−３ｉ＋−ｘｏｘ層、　１Ｌ−３ｉ１−１Ｎｘ層を用
いても上記と同様な特性を持つ電子写真感光体を形成で
きた。

実施例３ 実施例２で製作ｌ−た熱処理後の電子写真感光体に、表
面被覆層とｌ〜でポリカーボネート樹脂を乾燥後の膜厚
が１μｍとなるように均一に塗布し、電子写真感光体を
得た。実施例２で使用した光プリンタに実装したところ
、この構成の電子写真感光体は耐侵性に優ね、６Ｌ枚以
１−の耐刷性を有することを確認１−７だ。

実施例４ 実施例１と同様の要領で、アルミニウム基板を１５０〜
２ｏｏ℃に加熱し、電荷移動層ａ−〇ｉＨを２６μｍ形
成し、引き続いてａ−８ｉ：Ｈ層を０．６〜６．０μｍ
形成した。い−）たん取り出し、真空熱処理炉に入れ２
５０〜３００℃で１０〜４０分間熱処理を行なった。そ
うして再び反応容器に配置し、ＳｉＨ４を１０〜３ｏＳ
ＣＣｍ、Ｃ２Ｈ２を２゜〜５０ｓｅｃｍ導入し、基板温
度１５０〜２ｏｏ℃にて、表面被覆層Ｓｉ、　ｚｃｘ：
Ｈ（○〈Ｘ〈１）を０、ｏ８〜０．３μｍ形成して電子
写真感光体を作成した。

こうして得られた感光体は、−ｅ、ｏｘｖでコロナ帯電
をしたところ、表面電位−９００Ｖとなり、白色光の露
光に対しては残留−２０Ｖと、熱処理を施さなかった場
合の表面電位−４００Ｖ　、残留−８０Ｖに比べて非常
に良好な値を示す。熱処理温度の上限を３００℃とする
ことにより、ａ−８ｉ：Ｈ層内のバルク特性も向上する
。加えてａ−ＣｉＨ層とａ−８ｉ：Ｈ層の界面の欠陥も
改善されるものと思われる。積層後の熱処理は、界面に
も有効に働き、キャリアに注入効率を高めると考えられ
る。

ただし、積層後の熱処理は、各層において特性劣化が始
まる低い方の温度以下に設定する必要がある。

実施例５ 実施例４と同様に、電荷移動層ａ−ＣｉＨを２６μｍ形
成し、続いてｐを０．５〜６０原子ｐｐｍ含有する１７
、、 ａ−８ｉ：Ｈ層を０．６〜２μｍ、および５ｉ１ＸＮＩ
：Ｈ層を０．１〜０．２μｍ順次積層し、その後電気炉
に入れ、窒素雰囲気中で、３００℃、２０〜４０分間熱
処理ｌ〜て電子写真感光体を形成した。

帯電電位、残留電位、光感度共に優れた感光体が得られ
た。

熱処理を施すことにより、バルク特性の向上、界面の回
復、さらにドーピング原子の活性化をも促しているもの
と思われる。

発明の効果 本発明により、非晶質カーボンを主成分とする電荷移動
層と電荷発生層を積層した構成の電子写真感光体を作製
する際、熱処理を加えることにより、高感度、高コント
ラスト、低残留電位の電子写真感光体を得ることができ
る１、

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、それぞれ本発明の実施例におけ
る電子写真感光体の実施例の断面図である。 １・・・・支持体、２・・・・・・電荷移動層、３・・
・・・・電荷発生層、４・・・・・・自由表面。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）真空中または不活性ガス、水素、酸素、窒素のい
   ずれかのガス雰囲気中で熱処理する工程を含むことを特
   徴とする電子写真感光体の製造方法。
2. （２）非晶質カーボン層が少なくとも水素あるいはハロ
   ゲン元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の電子写真感光体の製造方法。
3. （３）光導電層が局在化状態密度を減少せしめる修飾物
   質を含む非晶質層であることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の電子写真感光体の製造方法。
4. （４）光導電層が、少なくとも水素あるいはハロゲン元
   素のいずれかを含むことを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の電子写真感光体の製造方法。
5. （５）非晶質カーボン層が周期律表第III族Ｂ、あるい
   は第Ｖ族Ｂの元素を含有することを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の電子写真感光体の製造方法。
6. （６）自由表面に表面被覆層を形成することを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体の製造方
   法。
7. （７）電荷移動層積層後熱処理を施し、その後電荷発生
   層を積層する工程を有することを特徴とする特許請求の
   範囲第１項から第６項までのいずれかに記載の電子写真
   感光体の製造方法。
8. （８）電荷移動層および電荷発生層積層後熱処理を施す
   工程を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項か
   ら第６項までのいずれかに記載の電子写真感光体の製造
   方法。
9. （９）電荷移動層、電荷発生層および表面被覆層積層後
   、熱処理を施す工程を有することを特徴とする特許請求
   の範囲第６項記載の電子写真感光体の製造方法。